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mcを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 1203



例文

The semiconductor memory device includes a plurality of write amplifiers WA for performing data write operations in memory cells MC, and a write control circuit WC for controlling the timing of data write operations of the plurality of write amplifiers WA.例文帳に追加

メモリセルMCに対してデータライト動作を実行する複数のライトアンプWAと、複数のライトアンプWAによるデータライト動作のタイミングを制御するライトコントロール回路WCとを備える。 - 特許庁

The MC can be composed of long-period fiber gratings (LPG), coupled waveguide devices, free-space phase-retardation elements, micro-electro-mechanical devices or acoustic/optical couplers, for example.例文帳に追加

MCは、例えば、長周期ファイバ・グレーティング(LPG)、結合型導波路装置、自由空間位相遅延素子、微小電子機械装置、または音響−光学結合器で作製されることが可能である。 - 特許庁

A first transfer gate 240 provided between a memory cell MC and a bit line BL has P type and N type MOS transistors Xfer (P, N) connected to a sub-word line decoder SWDec.例文帳に追加

メモリセルMCとビット線BLとの間に設けられた第1のトランスファーゲート240は、サブワード線デコーダSWDecに接続されたP型及びN型MOSトランジスタXfer(P,N)を有する。 - 特許庁

The erosion resistant member is also characterized in that carbide such as MC-, M_2C-, M_6C-, M_7C_3-, M_4C_3- and M_23C_6-based carbide contained in the coating layer is not more than 25% in the sum total of the area ratios.例文帳に追加

被覆層に含まれるMC系、M_2C系、M_6C系、M_7C_3系、M_4C_3系およびM_23C_6系炭化物などの炭化物の面積率の総和が25%以下であることを特徴とする。 - 特許庁

例文

A control parameter corresponding to the selected machining mode is set in the machining program, which can a facilitate resetting of the control parameter in motion control of a driveshaft of the MC machine tool.例文帳に追加

選択された加工モードに対応する制御パラメータが、加工プログラムに設定されるので、NC工作機械の駆動軸の動作制御に対する制御パラメータの設定変更を容易に行うことができる。 - 特許庁


例文

In the case where "1" data are being stored in a memory cell MC, a bit line BL is driven to "H" level (control line driving potential VBL) and a bit line/BL is driven to "L" level (reference potential) when a sensing operation is completed.例文帳に追加

メモリセルMCに「1」データが記憶されている場合には、センス動作が完了すると、ビット線BLは「H」レベル(制御線駆動電位VBL)、ビット線/BLは「L」レベル(基準電位)に駆動される。 - 特許庁

In memory cell arrays MA0-3, memory cells MC in which rectifiers Di and variable resistive elements VR are connected in series are arranged on intersection points of a plurality of bit lines BL and word lines WL.例文帳に追加

メモリセルアレイMA0−3は、整流素子Diと可変抵抗素子VRとを直列接続してなるメモリセルMCを複数のビット線BL及びワード線WLの交差部に配置してなる。 - 特許庁

In addition to a first sense amplifier 10 which is used for reading data stored in a memory cell transistor MC, a second and third sense amplifiers 20 and 30 are provided to check a condition of a cell current Ic in detail.例文帳に追加

メモリセルトランジスタMCに記憶されたデータの読み出しに用いる第1のセンスアンプ10に加え、セル電流Icの状態を詳しく調べるために、第2,第3のセンスアンプ20,30を設ける。 - 特許庁

On an internal surface of a sound through-hole 41p for input bored on the front side of a microphone MC in a housing 4, a thickness varying means 41s is provided which makes the inner shape on the rear side larger than that on the front side.例文帳に追加

ハウジング4においてマイクロホンMCの前側に貫設された入力用音穴41pの内面に、後側の内形を前側よりも大きくする厚さ変更段41sを設けた。 - 特許庁

例文

As a part of a magnetic element forming a main magnetic circuit MC, a harmonic magnetic flux suppressing element 10, which suppresses the passage of the alternating magnetic flux having harmonics higher than a specified cut-off frequency, is provided.例文帳に追加

主磁気回路MCを形成する磁性体の一部として、所定のカットオフ周波数以上の高調波の交番磁束の通過を抑制する高調波磁束抑制要素10を設ける。 - 特許庁

例文

An MC correction part 5 performs a signal process for moving picture false outline disturbance suppression of movement compensation with a movement compensating vector MV3 generated by a moving vector conversion part 10 and converts it into a display image signal S6.例文帳に追加

MC補正部5は、動きベクトル変換部10で生成した動き補償ベクトルMV3で動き補償の動画偽輪郭妨害抑圧の信号処理を行い、表示画像信号S6に変換する。 - 特許庁

In constitution having regular bit lines (BL, /BL) and refresh bit lines (RBL, /RBL), a memory cell MC is constituted of four transistors and two capacitors, complementary data is read out always to a pair of bit line.例文帳に追加

正規ビット線(BL,/BL)とリフレッシュビット線(RBL,/RBL)を有する構成において、メモリセルMCを、4トランジスタ/2キャパシタで構成し、対をなすビット線に、常に相補データが読出されるように構成する。 - 特許庁

Video data VD transmitted from a main controller MC which includes an image processing part 100 to a head controller HC which includes a head control module 400 are transmitted as serial signals with clock components superposed.例文帳に追加

画像処理部100を含むメインコントローラMCからヘッド制御モジュール400を含むヘッドコントローラHCへ送信するビデオデータVDを、クロック成分を重畳したシリアル信号として送信する。 - 特許庁

Therefore, when this sector is selected conforming to sector selecting signals VD1, VS1, a current I is made to flow to bit lines BL1-5 through the memory cell MC connected to this word line WL2.例文帳に追加

従って、セクタ選択信号VD1、VS1に従ってこのセクタが選択されたときは、ビット線BL1−5に対し、このワード線WL2に接続されるメモリセルMCを介して電流Iが流れる。 - 特許庁

For example, when "1" is written in a memory cell MC, to precharge the channel, the select gate transistor SGD-Tr of a drain side is turned ON by a potential Vsg from a row control circuit.例文帳に追加

たとえば、メモリセルMC0に対する“1”書き込み時には、まず、チャネルをプリチャージするために、ロウ制御回路からのVsg電位により、ドレイン側のセレクトゲートトランジスタSGD−Trをオンさせる。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device 100 includes a plurality of memory strings MS including a plurality of memory elements MC, where a resistance change element R and a Schottky diode SBD are connected in series.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置100は、抵抗変化素子R及びショットキーダイオードSBDが直列に接続されたメモリ素子MCを複数有する複数のメモリストリングMSを備える。 - 特許庁

When an absolute value of the MC pressure acceleration Amc reaches or exceeds an absolute value of the gradient acceleration Ag, the brake ECU performs a stopping control permitting automatic stopping of the engine (third timing t13).例文帳に追加

そして、ブレーキ用ECUは、MC圧加速度Amcの絶対値が勾配加速度Agの絶対値以上となった場合に、エンジンの自動的な停止を許可する停止制御を行う(第3のタイミングt13)。 - 特許庁

Since the pointing marker can point out an optional position on an image even when the mouse cursor MC is moved, the data presentation apparatus can suitably carry out the presentation.例文帳に追加

このような資料提示装置によれば、マウスカーソルMCを移動させたとしても、ポインティングマーカによって画像上の任意の位置を指し示すことができるため、好適にプレゼンテーションを行うことができる。 - 特許庁

The assemblies SUB1 and SUB4 are slid and moved and then the cases MC have both a folding arrangement for easy portage and a plane expansion arrangement for playing through the respective connection parts CON.例文帳に追加

組体SUB1、4をスライド移動させることで、各連結部CONを介して、ケースMCが携帯容易な折畳配置と演奏可能な平面展開配置との両配置が可能に構成される。 - 特許庁

A word line driver WDa activates the word line W with a lower potential (Vcc-Vt) than a supply potential (Vcc) of the memory cell MC at the time of the initial stage of conduction between this node and the bit lines B, /B.例文帳に追加

ワード線ドライバWDaは、このノードとビット線B及び/Bとの導通初期、メモリセルMCの給電電位(Vcc)よりも低い電位「Vcc−Vt」にてワード線Wを活性化する。 - 特許庁

For an intra-frame image, the output of the unit 14 is stored in an image memory 16 as it is, and for an inter-frame image, data which are motion-compensated by an MC (motion compensation) unit 18 and an adding unit 20 are stored.例文帳に追加

イントラ画像の場合には、IQ部14の出力がそのまま画像メモリ16に記憶されるが、インター画像の場合には、MC部18と加算部20により動き補償されたデータが記憶される。 - 特許庁

A setting information changing means 101-2 obtains setting change information for changing the setting information from an external storage means MC and electrically rewrites and changes the setting information according to this information.例文帳に追加

設定情報変更手段101−2が、設定情報を変更するための設定変更情報を外部記憶手段MCから取得し、これに基づいて設定情報を電気的に書き替え変更する。 - 特許庁

Read-word lines RWL are arranged corresponding respectively to rows of a memory cell MC arranged in matrix, and bit lines BL and a reference voltage wiring SL are arranged corresponding respectively to columns.例文帳に追加

行列状に配置されたメモリセルMCの行にそれぞれ対応して、リードワード線RWLが配置され、列にそれぞれ対応してビット線BLおよび基準電圧配線SLが配置される。 - 特許庁

The units KU1 and KU4 are slid and moved and then the cases MC can have both a folding arrangement for easy portage and a plane expansion arrangement for playing through the respective connection parts CON.例文帳に追加

ユニットKU1、4をスライド移動させることで、各連結部CONを介して、ケースMCが携帯容易な折畳配置と演奏可能な平面展開配置との両配置が可能に構成される。 - 特許庁

A restriction information acquisition section 130 acquires movement restriction information stored in the protection area of a memory card MC (external memory), and scans a plurality of pieces of reproduction restriction information included in recording data.例文帳に追加

制限情報取得部130は、メモリカードMC(外部メモリ)の保護エリアに格納されている移動制限情報を取得するとともに、録画データに含まれる複数の複製制限情報を走査する。 - 特許庁

In a protocol recognizing/recording circuit PT, compatibility between various network terminals, having mutually different communication protocols, is given to a connection apparatus by storing plural communication control programs corresponding to respective plural communication protocols, for recognizing the kind of the protocol from transmitting-receiving information of the connection apparatus MC, and sending out a communication control program which corresponds to the kind to the connection apparatus MC.例文帳に追加

プロトコル認識・記録回路PTにおいて複数の通信プロトコルの各々に対応する複数の通信制御プログラムを記憶し、接続機器MCの送受信情報から通信プロトコルの種類を認識して、その種類に対応する通信制御プログラムを接続機器MCに送出することで、互いに通信プロトコルの異なる様々なネットワーク端末間での互換性を接続機器に持たせる。 - 特許庁

There are disclosed: DNA encoding a protein consisting of a specific amino acid sequence derived from tomato that inhibits the expression of tomato DNA (LeMADS-MC gene); DNA comprising an amino acid sequence in which one or several amino acids in the amino acid sequence are substituted, deleted, inserted or added, and encoding a protein having activity of controlling the absciss layer formation of peduncle; and DNA encoding a protein having activity of controlling the absciss layer formation of peduncle.例文帳に追加

トマトのDNA(LeMADS-MC遺伝子)の発現を抑制する;トマト由来の特定のアミノ酸配列からなるタンパク質をコードするDNA、該アミノ酸配列において、1若しくは数個のアミノ酸が置換、欠失、挿入、又は付加したアミノ酸配列を含み、かつ果梗の離層形成を制御する活性を有するタンパク質をコードするDNA、果梗の離層形成を制御する活性を有するタンパク質をコードするDNA。 - 特許庁

As heat generated by applying electricity to an electromagnetic coil 26 is transmitted to oil interposed to the main clutch MC without involving the pilot clutch PC, the temperature of the oil at low temperatures can be risen and the oil viscosity can be lowered by arranging the electromagnetic coil 26 between the main clutch MC and the pilot clutch PC and degradation of fuel economy can be prevented by preventing a drag torque caused by oil viscosity at low temperatures.例文帳に追加

電磁コイル26を、メインクラッチMCとパイロットクラッチPCとの間に配置することにより、電磁コイル26への通電により発生した熱がパイロットクラッチPCを介さずにメインクラッチMCに介在するオイルに伝達され、低温時のオイルの温度を上昇させ、オイル粘度を低下させることができるので、低温時のオイル粘度に起因する引きずりトルクを防止して、燃費の悪化を防止することができる。 - 特許庁

In reading the memory cell MC, first voltage having no temperature dependence is applied to the bit lines BLs, while second voltage having temperature dependence opposite to that of forward direction voltage of the diode 21 and having lower second voltage than the first voltage is applied to the word lines WLs, a resistance state of the phase change element 20 is detected by a read circuit 32 in accordance with a change in current flowing in the memory cell MC.例文帳に追加

このメモリセルMCの読み出し動作時には、温度依存性がない第1の電圧がビット線BLsに印加され、ダイオード21の順方向電圧の温度依存性とは逆の温度依存性を有し第1の電圧より低い第2の電圧がワード線WLsに印加された状態で、メモリセルMCを流れる電流の変化に応じて相変化素子20の抵抗状態がリード回路32により検知される。 - 特許庁

This semiconductor memory has memory mats MAT and RMAT, a subword driver SWD to access the normal memory cell MC regardless of whether the demanded row address RADT is defective or not, and a subword driver SWDR to access the redundant memory cell RMC belonging to the memory mat different from that of the normal memory cell MC which the row address RADT shows when the row address RADT is defective.例文帳に追加

複数のメモリマットMAT,RMATと、アクセスが要求されたロウアドレスRADTが不良アドレスであるか否かにかかわらず、通常メモリセルMCにアクセスするサブワードドライバSWDと、ロウアドレスRADTが不良アドレスである場合に、ロウアドレスRADTが示す通常メモリセルMCとは異なるメモリマットに属する冗長メモリセルRMCにアクセスするサブワードドライバSWDRとを備える。 - 特許庁

A main shaft rotational frequency calculation part 10 calculates a variation width of a main shaft rotational frequency based upon the processing stage information MP and the cutting conditions MC, and a necessary power calculation part 17 calculates necessary power of a main shaft.例文帳に追加

加工工程情報MPと切削条件MCに基づき、主軸回転数算出部10が主軸回転数の変動幅を算出し、所要動力算出部17が主軸の所要動力を算出する。 - 特許庁

A machine unique ID number Mc and program specification information Lc of a license key ID tag are collated with a machine unique ID number M and program specification information L1 stored in a RAM in the controller (S6).例文帳に追加

ライセンスキーIDタグの機械固有ID番号Mc及びプログラム特定情報Lcと、コントローラ内のRAMに記憶された機械固有ID番号M及びプログラム特定情報L1とが照合される(S6)。 - 特許庁

A body controller A1 is provided with: a main controller MC; a motor controller MOC; first to fourth motor control circuits 51 to 54; a servo amplifier 10; an encoder receiving circuit 60; and a body-side connection connector 40.例文帳に追加

本体コントローラA1は、主制御装置MCと、モータ制御装置MOCと、第1〜第4モータ制御回路51〜54と、サーボアンプ10と、エンコーダ受信回路60と、本体側接続コネクタ40とを備えている。 - 特許庁

During stopping a vehicle on a stair, the Cc is engaged and connected therewith, the output shaft of the Mc being stopped is constrained to rest by lock torque Tlck, and the Tc generates braking resistance Ftrn to resist falling-down force Fwei of the vehicle.例文帳に追加

階段上で車両の停止時には、Ccが噛み合い連結、停止中のMcの出力軸がロックトルクTlckにより拘束静止、Tcが制動抵抗Ftrnを発動して車両の落下力Fweiを受け止めている。 - 特許庁

That is, when the temperature of the condenser B rises, a controller 60 turns off a system main relay 5 and stops a step-up converter 10 and operates a compressor MC for an air conditioner by driving an inverter 40.例文帳に追加

すなわち、制御装置60は、蓄電装置Bの温度が上昇すると、システムメインリレー5をオフさせ、かつ、昇圧コンバータ10を停止するとともに、インバータ40を駆動してエアコン用コンプレッサMCを作動させる。 - 特許庁

The card issuing machine 7 for issuing a prepaid card receives a member's card MC and a slave set for sending data amount data obtained by turning data on saved balls stored in a member managing computer 2 is added to issue the replay card.例文帳に追加

プリペイドカードを発行するカード発行機7に会員カードMCを受け付けて、会員管理コンピュータ2が記憶している貯玉のデータを金額データにしたものを送る子機を付加して、再プレイカードを発行させる。 - 特許庁

The memory card connecting device includes: a housing 1 having a connecting recess 11 in which a slot 10 for inserting a memory card MC is opened at a bottom face; and a door body 2 rotatably mounted on the housing 1 and opening/closing the connecting recess 11.例文帳に追加

メモリカードMCが挿入されるスロット10が底面に開口した接続凹部11を有するハウジング1と、ハウジング1に対して回転自在に取り付けられ接続凹部11を開閉する扉体2とを備える。 - 特許庁

When the store code of a point card C read by a card reader/writer 33 of a POS terminal 12 exists in a point management server 14, a plurality of store codes can be stored in the IC chip of a multi-point card MC.例文帳に追加

POS端末12のカードリーダライタ33から読み取ったポイントカードCの店舗コードが、ポイント管理サーバ14に存在していれば、マルチポイントカードMCのICチップに、複数の店舗コードを記憶することができる。 - 特許庁

The voltage of the main capacitor MC as it is charged by the charging circuit 16 is lower than a lower-limit value of that to be impressed between the electrodes of the flash discharge tube XE for having it start emitting light.例文帳に追加

充電回路16により充電されたときのメインコンデンサMCの電圧は、閃光放電管XEの発光を開始させるために閃光放電管XEの電極間に印加すべき電圧の下限値より低い。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes: word lines WL; a memory cell array 10 constituted of a plurality of memory cells MC; global bit lines GBL; a global sense amplifier 11; local bit lines LBL; and a local sense amplifier 12.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、ワード線WLと、複数のメモリセルMCからなるメモリセルアレイ10と、グローバルビット線GBLと、グローバルセンスアンプ11と、ローカルビット線LBLと、ローカルセンスアンプ12を備えている。 - 特許庁

Switching is also achieved by strain, temperature, the electro-optic or nonlinear optic effect, or any other physical effect that changes the refractive index of the optical material used to assemble the MC.例文帳に追加

切り換えは、歪力、温度、電子−光学もしくは非線形光学効果、あるいはMCを組み立てるのに使用される光学材料の屈折率を変えるいかなる他の物理的効果によっても達成される。 - 特許庁

In this way, the reduction of a potential of the bit line BL3 is prevented by leak of a current through a non-selection memory cell MC when a threshold value of the selected memory cell MC12 is high, and wrong judgment that it is 'on-state' is prevented.例文帳に追加

こうして、選択メモリセルMC12の閾値が高い場合に非選択メモリセルMCを介して電流がリークしてビット線BL3の電位が下がることを防止し、オン状態であると誤判断されないようにする。 - 特許庁

With the contact points P1, P2 as supporting points, the magnetic head 2 has contact with the bent surface of the magnetic card MC following it elevatably and tiltingly to the cross direction W of the carrying passage, reducing errors in magnetic reading operation.例文帳に追加

この当接箇所P1、P2を支点とし磁気ヘッド2は、昇降自在かつ搬送路幅員方向Wへ首振傾動自在に追随して磁気カードMCの彎曲面に当接され、磁気読み取りエラーを低減する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device is provided with an auxiliary current source (10) in parallel to a selection memory cell (MC), current change for a sense amplifier (16) of a reading circuit (6) is accelerated, and a rise in a bit line potential to which the selection memory cell is connected is suppressed.例文帳に追加

選択メモリセル(MC)と並列に補助電流源(10)を設け、読出回路(6)のセンスアンプ(16)に対する電流変化を加速し、かつ選択メモリセルが接続するビット線電位の上昇を抑制する。 - 特許庁

A master cylinder MC and respective wheel cylinders Wfr to Wrl are connected by lines MF and MR, and electromagnetic opening/closing valves SMCF and SREC which are constituted of two position valves of two ports are provided on respective lines MF and MR.例文帳に追加

マスタシリンダMCと各ホイールシリンダWfr〜Wrlを管路MF、MRで接続し、それぞれの管路MF、MRに2ポートの二位置弁で構成された電磁開閉弁SMCF、SRECを備える。 - 特許庁

The display memory includes a plurality of RAM blocks 200, each of the RAM blocks including a plurality of word lines WL, a plurality of bit lines BL, a plurality of memory cells MC, and data read control circuits 240 and 250.例文帳に追加

表示メモリは、その各々が複数のワード線WLと、複数のビット線BLと、複数のメモリセルMCと、データ読み出し制御回路240,250と、をそれぞれ含む複数のRAMブロック200を含む。 - 特許庁

The semiconductor memory device is arranged at each intersection between a first word line WL and a bit-line BL provided on an SOI substrate, and each has a plurality of MIS transistors MC that each compose a memory cell.例文帳に追加

半導体記憶装置は、SOI基板上に設けられた第1ワード線WLおよびビット線BLの各交差位置に設けられ、各々がメモリセルを構成する複数のMISトランジスタMCを備えている。 - 特許庁

This cartridge is a recording medium cartridge MC provided with a cartridge memory 9 and in the cartridge memory 9, an IC chip 9c and an antenna 9b are constituted separately while being electrically connected with each other.例文帳に追加

カートリッジメモリ9を備えて構成される記録媒体カートリッジMCであって、前記カートリッジメモリ9は、ICチップ9cとアンテナ9bが電気的に接続された状態で別々に構成されるようにする。 - 特許庁

The exposure apparatus EX includes a stage apparatus ST composed of a wafer stage WST and a measurement stage MST supported so as to have a six degree of freedom and a main control system MC for controlling the stage apparatus ST.例文帳に追加

露光装置EXは、6自由度を有するよう支持されたウェハステージWST及び計測ステージMSTからなるステージ装置ST、及びステージ装置STを制御する主制御系MCを備える。 - 特許庁

例文

A frequency converter 117 performs inverse FFT to the code-multiplexed chip data in a plurality of chip units, arranges each code-multiplexed chip data to each corresponding subcarrier, and generates an MC-CDMA signal.例文帳に追加

周波数変換部117は、複数のチップ単位のコード多重されたチップデータに対して、逆高速フーリエ変換して、コード多重された各チップデータを対応する各サブキャリアに配置してMC−CDMA信号を生成する。 - 特許庁




  
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