mcを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1203件
The semiconductor memory device is provided with a memory cell array MA in which memory cells MC in which diodes Di and variable resistance elements VR are connected in series respectively are arranged at cross parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines, and a control circuit for driving selectively the bit line Bl and the word line WL.例文帳に追加
半導体記憶装置は、ダイオードDiと可変抵抗素子VRとが直列接続されたメモリセルMCが複数のビット線BL及び複数のワード線の交差部に配置されたメモリセルアレイMAと、ビット線BL及びワード線WLを選択駆動する制御回路とを備える。 - 特許庁
When imparting the fluid pressure to the spool, a position is switched to the second position, and the power piston is pressed forward without transmitting force by the fluid pressure to the brake pedal 2, and when imparting no fluid pressure to the spool against reaction to the power piston by output fluid pressure of a master cylinder MC, the position is maintained in the first position.例文帳に追加
スプールに液圧を付与するときには第2位置に切り換えると共に、液圧による力をブレーキペダル2に伝達することなく、パワーピストンを前方に押圧してマスタシリンダMCの出力液圧によるパワーピストンへの反力に対抗し、スプールに液圧を付与しないときには第1位置に維持する。 - 特許庁
Also, the sense amplifier 40 is provided with a data latch circuit A 45 and a data latch circuit B 46 holding respectively and independently data of a memory cell MC amplified by the amplifier 40 and connected to two different word line WL or returning held data to the sense amplifier 40 again.例文帳に追加
また、センスアンプ40には、同アンプ40によって増幅された異なる2本のワード線WLに接続されたメモリセルMCのデータを各々独立に保持し、あるいはそれら保持したデータをセンスアンプ40に再び戻すデータラッチ回路(A)45及びデータラッチ回路(B)46が備えられている。 - 特許庁
Proper information of an MC 13 is stored in a proper information storage part 11 and the setting information 42 of a setting information storage part 41 of an EPROM 40, respectively, the setting information 42 sets initialized contents of initialized determination data 421 when an initialization processing is completed.例文帳に追加
MC13の固有情報を固有情報記憶部11とEPROM40の設定情報記憶部41の設定情報42にそれぞれ記憶し、設定情報42は、初期化処理が完了すると、初期化済み判断データ421の初期化済みの内容を設定する。 - 特許庁
Power source lines (L1, L2) of two inverters (INV1, INV2) in which an input terminal and an output terminal constituting an SRAM memory cell (MC) are intersected and coupled one another are provided separately, and time lag is provided at rise of power source voltage supplied to each power source line.例文帳に追加
SRAMのメモリセル(MC)を構成する互いに入出力端子が交差結合された2個のインバータ(INV1,INV2)の電源ライン(L1,L2)をそれぞれ分離して別個に設け、各電源ラインに供給される電源電圧の立ち上がりにタイムラグを設けるようにした。 - 特許庁
A semiconductor memory device 10 includes a memory array 11 having a plurality of memory cells MC which become the low-resistance state/high-resistance state according to "0" data/"1" data, and an allocation of the "0" data/"1" data and the low-resistance state/high-resistance state is changed over when a power is turned on.例文帳に追加
半導体記憶装置10は、“0”データ/“1”データに応じて低抵抗状態/高抵抗状態となるメモリセルMCを複数個有するメモリセルアレイ11を具備し、電源がオンされた際に、“0”データ/“1”データと低抵抗状態/高抵抗状態との割付を切り替える。 - 特許庁
This transmitter 1 has an encoding interleaving means 12, a mapping means 13, an SDM (space division multiplexing) pilot signal inserting means 14, an MC-CDMA transmitting means 15 and a plurality of transmitting antennas 16 for each of a plurality of pieces of different transmission data.例文帳に追加
送信装置1は、複数の異なる送信データそれぞれに対して、エンコーディングインタリーブ手段12と、マッピング手段13と、SDM(空間分割多重)用パイロット信号挿入手段14と、MC−CDMA送信手段15と、複数の送信アンテナ16とを有する。 - 特許庁
When an interconnection circuit breaker MC is opened, a modulation factor altering means 13 alters the modulation factor temporarily, in order to obtain a PWM control signal required for supplying a necessary power to a specified load L1, while taking into account the residual capacity of a power storage unit B.例文帳に追加
連系遮断器MCが開いたら、変調率変更手段13が、電力貯蔵装置Bの残存容量を考慮した上で、特定負荷L1で必要とする電力を供給するのに必要なPWM制御信号を得るために変調率を一時的に変更する。 - 特許庁
Even when the folding mark Mb overruns a mark detection sensor and the display screen 7 is stopped in response to power-off of the screen type display device, a normal taking-up operation of the display screen 7 is secured because the screen end Mc is detected after a power supply is turned on again.例文帳に追加
そして、幕式表示装置の電源オフ時に折り返しマークMbがマーク検出センサをオーバーランして表示幕7が停止しても、電源再投入後は幕終了マークMcを検出させることにより、表示幕7の正常な巻き取り動作を確保する。 - 特許庁
When the characteristics of the memory cells MC are determined to be deteriorated, the control circuit 3 executes a soft program operation by applying a voltage Vspgm to the word lines WL and applying voltages Vwld_spgm2 lower than the voltages Vwld_spgm1 by a predetermined voltage value to the dummy word lines WLDD, WLDS.例文帳に追加
制御回路3は、メモリセルMCの特性が劣化状態にあると判定される場合において、ワード線WLに電圧Vspgmを印加し、ダミーワード線WLDD、WLDSに、電圧Vwld_spgm1より所定の電圧値だけ低い電圧Vwld_spgm2を印加してソフトプログラム動作を実行する。 - 特許庁
The maximum temperature reached (phase change temperature from a phase to an α phase) of the phase change material is lowered to reduce the rewriting current by utilizing an electrostrictive effect of the piezoelectric material layer 122 to apply the compressive stress to the phase change material (the memory layer 124) during the operation of a memory cell MC.例文帳に追加
メモリセルMCの動作時に、圧電材料層122の電歪効果を利用して相変化材料(記憶層124)に圧縮応力を印加することにより、相変化材料の最高到達温度(相からα相への相変化温度)を下げ、書き換え電流を低減する。 - 特許庁
The memory cell MC is equipped with: a variable resistance element VR formed of an insulating layer 26, including a metal oxide film 26, and reversibly changing a resistance value by applying energy; and an MIIM diode DI including a metal oxide film 24b and connected in series to the variable resistance element VR.例文帳に追加
メモリセルMCは、絶縁層26にて構成されて、金属酸化膜26を含みエネルギー印加によって抵抗値を可逆的に変化させる可変抵抗素子VRと、金属酸化膜24bを含み、可変抵抗素子VRと直列接続されたMIIMダイオードDIとを備える。 - 特許庁
A bit line BL connected to the memory cell MC is set at a first potential VBLP by a first potential setting circuit Q1, and set at a second potential VBLR different from the first potential VBLP by a second potential setting circuit Q3, prior to read operation.例文帳に追加
メモリセルMCに接続されるビット線BLは、第1の電位設定回路Q1により第1の電位VBLPに設定され、さらに読み出し動作に先立って第2の電位設定回路Q3により第1の電位VBLPとは異なる第2の電位VBLRに設定される。 - 特許庁
The control circuit rewrites at least one memory cell of which the set state and reset state are transferrable when holding data, to the set state from the reset state, and executes the readout operation after the memory cells MC in the set state when data reading are rewritten to the reset state.例文帳に追加
制御回路は、データ保持時に少なくとも1つのセット状態及びリセット状態の遷移が可能なメモリセルMCをリセット状態からセット状態に書き換え、データ読み出し時にセット状態のメモリセルMCを、リセット状態に書き換えた後、読み出し動作を実行する。 - 特許庁
The inter-node control system warrants the bandwidth between the node units MGC and MG making communication in the IP network, periodically transmits a monitor packet by return and changes the setting of the communication bandwidth between the node units when a mean value of delay times exceeds a preset threshold value.例文帳に追加
IP網内で通信を行っているノード装置MGC-MC間において帯域保証を行い、さらに周期的に監視パケットを折り返し送り、その遅延時間の平均値があらかじめ定められたしきい値を越えたときにはそのノード装置間の通信の帯域を設定変更する。 - 特許庁
For each processing a lot inputted to each semiconductor manufacturing device MC, a recipe for the number of scheduled processes P/H of the semiconductor manufacturing apparatus is provided, corresponding to each detail data (referred to as recipe ID) on processing conditions for each product (processing time and temperature).例文帳に追加
各半導体製造装置MCに投入される処理ロット各々について、その製品毎の処理条件(処理時間や温度)に関する詳細なデータ(レシピIDという)各々に対応して、その半導体製造装置MCの予定処理数レシピP/Hとして設けられる。 - 特許庁
A unit data decision unit 164 decides which of seven partial regions mA, mM, mB, mC, mG, mY, and mR points obtained by plotting the color parameters Cb1 and Cr1 on a color plane H1 belong to, and determines color sections corresponding to partial regions that the plot points belong to as color sections that the unit data belong to.例文帳に追加
単位データ判定部164は、色平面H1において、色パラメータCb1,Cr1をプロットした点が、7個の部分領域mA,mM,mB,mC,mG,mY,mRのいずれに属するのかを判定し、プロット点が属する部分領域に対応する色区分を、単位データが属する色区分とする。 - 特許庁
In collecting a value relating to the use of a composite unit (printer), the value of a sum acquired before printing is collected before the start of printing from the balance data (at least either of general-purpose electronic money or point money) of the IC card MC.例文帳に追加
複合機7(印刷機器)の利用に係る対価の徴収に際して、ICカードMCとカードリーダ5との間のデータ授受のもと、印刷前に取得した額の対価を、ICカードMCの残価データ(汎用電子マネーおよびポイントマネーの少なくとも一方)から、印刷開始前に徴収する。 - 特許庁
The semiconductor device has a memory cell MC that stores data as a result of a state of a variable resistance included in the memory cell becoming either a first high resistance state or a first low resistance state, and has two storage modes of a first mode and a second mode depending on a level of a resistance value of the memory cell.例文帳に追加
メモリセルに含まれる可変抵抗の状態が第1の高抵抗状態及び第1の低抵抗状態のいずれかになることによりデータを記憶するメモリセルMCを含み、メモリセルの抵抗値の大きさにより第1モードと第2モードとの2つの記憶モードをもつ半導体装置。 - 特許庁
When the display command data is transmitted to a processor unit 2 from a main control circuit MC, the processor unit 2 produces the image display data on a first memory region (video RAM 7, pallet RAM 9) and on a second memory region (video RAM 8, pallet RAM 10) alternately based on the display command data.例文帳に追加
主制御回路MCから表示指令データがプロセッサユニット2に送信されると、プロセッサユニット2は表示指令データに基づいて第1のメモリ領域(ビデオラム7、パレットラム9)及び第2のメモリ領域(ビデオラム8、パレットラム10)に交互に画像表示データを作成する。 - 特許庁
The 100% modulus MB of the inner layer part 13 is made larger than 1.0 times the 100% modulus MA of the outer layer part 12 and smaller than 1.5 times that and the 100% modulus MC of a clinch rubber 11 forming a bead outer skin is made 1.5 times to 4.0 times the 100% modulus MA.例文帳に追加
内層部13の100%モジュラスMBを、外層部12の100%モジュラスMAの1.0倍より大かつ1.5倍より小とし、しかもビード外皮をなすクリンチゴム11の100%モジュラスMCを、前記100%モジュラスMAの1.5倍以上かつ4.0倍以下とした。 - 特許庁
When an operation switch 4 is turned on, MC 3 of a portable instrument 2 with a vehicular key transmits a door operation signal for requesting the lock or unlock of a door key to a vehicular side by making a battery B to an electric source to the vehicular side through a common antenna 7 in a frequency zone 400 KHZ-30 MHZ.例文帳に追加
車両キー付属携帯器2のMC3は、操作スイッチ4がオンされると、電池Bを電力源として車両側にドアの施錠または解錠を求めるドア操作信号を周波数帯域13MHz付近で共用アンテナ7を介して車両側へ送信する。 - 特許庁
Loading MISFETs QL2 and driving MISFETs constituting SRAM memory cells MC take offset structures and selecting MISFETs Qt2 in the SRAM memory cells and MISFETs constituting a peripheral circuit or a logic circuit of the SRAM take non-offset structures.例文帳に追加
SRAMセルMCを構成する負荷用MIS・FETQL2および駆動用MIS・FETをオフセット構造とし、SRAMセルMCの選択用MIS・FETQt2、SRAMの周辺回路または論理回路を構成するMIS・FETを非オフセット構造とした。 - 特許庁
The silver halide color photographic light-sensitive material has at least one each of yellow, magenta and cyan developing photosensitive silver halide emulsion layers on a support and contains a yellow dye-forming coupler of formula (I) and a magenta dye-forming coupler of formula (MC-I).例文帳に追加
支持体上にイエロー、マゼンタ及びシアン発色感光性ハロゲン化銀乳剤層の各層をそれぞれ少なくとも一層有し、下記一般式(I)のイエロー色素形成カプラーと下記一般式(MC−I)のマゼンタ色素形成カプラーとを含有してなるハロゲン化銀カラー写真感光材料。 - 特許庁
An ice making machine MC is equipped with an operation switching means C1 for switching a circulation pump 25 from continual operation to intermittent operation by detecting first set temperature set beforehand by a temperature detection means 38 which measures outlet temperature of an evaporator composing a refrigerating mechanism.例文帳に追加
製氷機MCは、冷凍機構を構成する蒸発器の出口温度を測定する温度検知手段38の予め設定された第1の設定温度の検知により、循環ポンプ25を連続運転から間欠運転に切り替える運転切替手段C1を備える。 - 特許庁
Subsequently, a rasp 62 is moved in the diametric direction of the tire 100 to be recapped on the basis of the position control signal along the diametric direction centering around the axis MC of the grinding apparatus by a carriage 58 and the tread surface of the rotated tire 100 to be recapped is ground by the rasp 62.例文帳に追加
次いで、位置制御信号に基づき、装置軸心MCを中心とする径方向に沿ってキャリッジ58によりラスプ62を被更正タイヤ100に対して径方向へ移動させると共に、回転する被更正タイヤ100のトレッド面をラスプ62により研削する。 - 特許庁
The acoustic sensor is stored into a box-like package having an acoustic hole 33 formed on an upper-wall surface, and is formed to have an array structure in which a plurality of microphone cells MC are arranged with a sensor 10 for sensing sound waves entering through the acoustic hole 33 each.例文帳に追加
音響センサを、上壁面に音響孔33の形成された箱状のパッケージ内に収容されるとともに音響孔33を通じて入射された音波を感知するセンシング部10を各備える複数のマイクロフォンセルMCが配列されたアレイ構造を有して形成する。 - 特許庁
The even write signal generation circuit generates an even write address signal WA-W while using 0 as an initial value and 126 as a maximum address together with an even write enable signal WE-E with an externally supplied write enable signal WE (= main clock MC) as reference and supplies it to the SRAM 2.例文帳に追加
偶数ライト信号生成回路は、外部から供給されるライトイネーブル信号WE(=メインクロックMC)を基準に、0を初期値とし126を最大アドレスとする偶数ライトアドレス信号WA_Wを偶数ライトイネーブル信号WE_Eとともに生成して、SRAM2に供給する。 - 特許庁
The memory device includes: a memory cell MC to connect a variable cell resistor Rcell and an access transistor AT in series between a plate line PL and a bit line BL; a drive controller; a sense latch circuit 71; and a verify pass latch 74 for an inhibit control and transfer gate circuits TG1.例文帳に追加
可変セル抵抗RcellとアクセストランジスタATをプレート線PLとビット線BLとの間に直列接続させているメモリセルMCと、駆動制御部と、センスラッチ回路71と、インヒビット制御のためのヴェリファイパスラッチ74およびトランスファゲート回路TG1と、を有する。 - 特許庁
This tube fixing device includes a fixing attachment 3 attached to a respiratory tube T and having a hook-and-loop fastener sheet 31, and a front part (a vest front part) 1 of a vest type fixing device mounted on the front position of the thoracic region Mc of a patient M and having a hook-and-loop fastener sheet 12 for detachably fixing the fixing attachment 3.例文帳に追加
呼吸チューブTに取り付けられて、面ファスナーシート31を有する固定アタッチメント3と、患者Mの胸部Mc前面位置に装着して、この固定アタッチメント3を係脱自在に固定する面ファスナーシート12を有するベスト型固定具の前部(ベスト前部)1とを備えている。 - 特許庁
In the case where this automatic pressurization is not conducted (control out), when operation of a brake pedal BP is detected by a brake switch BS, the suction valves SI1, SI2 are set at the opened positions for a specified time, so as to communicate the suction side of the hydraulic pumps HP1, HP2 with a master cylinder MC to charge brake liquid.例文帳に追加
この自動加圧を行なわないとき(制御外)にも、ブレーキスイッチBSによりブレーキペダルBPの操作を検出しているときには、所定時間の間、吸込弁SI1,SI2を開位置とし、液圧ポンプHP1,HP2の吸込側をマスタシリンダMCに連通接続し、ブレーキ液を充填する。 - 特許庁
Communication with another master station device of a connection destination is then performed for each of the master station devices Ma, Mb, Mc, Md, Me, thereby acquiring information representing a connection relationship with the other master station device, and the acquired information is stored in each of the connection information tables 132.例文帳に追加
そして、親局装置Ma,Mb,Mc,Md,Meごとに、接続先の他の親局装置との間で通信を行うことで他の親局装置との間の接続関係を表す情報を取得し、この取得された情報を上記各接続情報テーブル132に格納するようにしたものである。 - 特許庁
An HL comparison image HC, a MID comparison image MC, and an SH comparison image SC having a plurality of patch images respectively different in density are formed by using a printer in a reference chart where an HL reference image HG, a MID reference image MG, and an SH reference image SG are formed.例文帳に追加
HL基準画像HG、MID基準画像MG、SH基準画像SGが形成されたリファレンスチャートに、プリンタを用いて、それぞれ濃度が異なる複数のパッチ画像を有するHL比較画像HC、MID比較画像MC、SH比較画像SCを形成する。 - 特許庁
The equipment MC to be forcibly interrupted is a compressor for the air-conditioner where a lower limit temperature and an upper limit temperature can be set as the temperature range for prohibiting forcible stop of heating operation at a lower temperature and for prohibiting forcible stop of cooling operation at a higher temperature, respectively.例文帳に追加
強制遮断の対象となる前記機器MCは、空調機の圧縮機であり、前記温度範囲として、それ以下の温度では暖房運転を強制的に停止しない下限温度と、それ以上の温度では冷房運転を強制的に停止しない上限温度が設定可能である。 - 特許庁
This device is provided with a memory cell (NAND cell) including a nonvolatile memory cell transistor (MC) connected to each of a plurality of wirings (BL), a wordline (WL) for connecting the gate electrodes of cell transistors arrayed along a row direction (ROW), and a driving circuit 2 connected to each of the plurality of wirings.例文帳に追加
複数の配線(BL)それぞれに接続された不揮発性メモリセルトランジスタ(MC)を含むメモリセル(NAND cell)と、ロウ方向(ROW)に沿って並ぶセルトランジスタのゲート電極を各々接続するワード線(WL)と、複数の配線それぞれに接続された駆動回路(2)とを具備する。 - 特許庁
In this customer information management system, the customer data of every customer corresponding to the customer identification information, is accumulated in the customer database of a center A, the customer data of the parent card MC includes the customer identification information (child card customer ID) of the child card SC as the child identification data.例文帳に追加
この発明による顧客情報管理システムでは、顧客識別情報に対応して顧客毎の顧客データがセンターAの顧客DBに蓄積され、親カードMCの顧客データは、子カードSCの顧客識別情報(子カード顧客ID)を子識別データとして含む。 - 特許庁
Between a punch-through stopper layer 7 and an n-type semiconductor region 2D forming a drain of a memory cell MC, an n- type semiconductor region 8 whose impurity concentration is substantially lower than the n-type semiconductor region 2D is provided, to relax the electric field at a junction of the punch-through stopper layer 7.例文帳に追加
メモリセルMCのドレインを形成するn型半導体領域2Dとパンチスルーストッパ層7との間に、n型半導体領域2Dより実質的に不純物濃度の低いn^-型半導体領域8を設けることにより、パンチスルーストッパ層7の接合部の電界を緩和させる。 - 特許庁
An inside of a frame F for forming a two dimensional image is divided into meshes M, a predetermined range E for drawing a desired object is determined in the frame F, and a Z value of a Z buffer is cleared on each mesh Mc at every other dot (every other mesh) out of the meshes M in the predetermined range E.例文帳に追加
2次元画像が形成されるフレームF内をメッシュMに区切り、そのフレームF内で所望のオブジェクトを描画したい所定範囲Eを決定し、その所定範囲E内のメッシュMのうち、1ドット(1メッシュ)おきの各メッシュMcについてZバッファのZ値をクリアする。 - 特許庁
Commodity names are accessed from a commodity list stored in a storage means built in an information management computer(MC) 3 on the screen of a user personal computer(PC) as a commodity list and the data of an estimated commodity specified on the screen are transferred to the storage means to request estimation, so that an estimation request can be easily and quickly executed.例文帳に追加
商品名をカンコン3の記憶手段31内の商品リストからユーザパソコン2の画面上に商品リストを呼出し、その画面上で指定した見積商品を記憶手段31側にデータ転送して見積依頼するため、見積依頼を容易かつ素早く行うことができる。 - 特許庁
More specifically, the modulation system or channel encoding rate of the OFDM transmitting means or the modulation system, channel encoding rate or spreading factor of the MC-CDMA transmitting means is altered adaptively based on the communication state of each receiver for each slot of the low transmission power channel.例文帳に追加
特に、低送信電力チャネルのスロット毎に、各受信装置に対する通信状態に基づいて適応的に、OFDM送信手段の変調方式若しくはチャネル符号化率、又はMC−CDMA送信手段の変調方式、チャネル符号化率若しくは拡散率を変更する。 - 特許庁
The inside of a frame F in which a two-dimensional image is formed is divided into meshes M, a prescribed range E in which a desired object is to be drawn is determined in the frame F and the Z value of a Z buffer is cleared in each mesh Mc at every other dot (every other mesh) out of the meshes M in the prescribed range E.例文帳に追加
2次元画像が形成されるフレームF内をメッシュMに区切り、そのフレームF内で所望のオブジェクトを描画したい所定範囲Eを決定し、その所定範囲E内のメッシュMのうち、1ドット(1メッシュ)おきの各メッシュMcについてZバッファのZ値をクリアする。 - 特許庁
A base plate 5 is projected from a hanger frame 4, on which positioning pads 6, 7 made of MC nylon, and a rotational floating pad 8 constituted by integrating an arm part 10 with an upper surface to which a urethane rubber sheet is attached and a braking cam part 11 made of soft rubber with a rotary shaft 9 are provided.例文帳に追加
ハンガーフレーム4からベースプレート5を張り出させて、その上に、MCナイロン製の位置決めパッド6,7のほか、上面にウレタンゴムシートを貼着したアーム部10と軟質ゴム製の制動カム部11を回転軸9と一体化させてなる回転式のフローティングパッド8を設ける。 - 特許庁
The random number generation circuit 16 includes a random number control circuit 162 for generating a random number parameter (PRESET) based on results of reading the memory cell MC by a generated control parameter (read voltage parameter) and a pseudo random number generation circuit 161 for generating random numbers using the random number parameter (PRESET) as a seed value.例文帳に追加
乱数発生回路16は、生成した制御パラメータ(Read voltage parameter)によりメモリセルMCを読み出した結果にもとづく乱数パラメータ(PRESET)を生成する乱数制御回路162と、乱数パラメータ(PRESET)をシード値として用いて乱数(Random number)を発生させる擬似乱数生成回路161とを備える。 - 特許庁
While a processing result of the DCT block 200, namely, low resolution image data, are stored in a frame memory 90, the motion compensation (MC) block 60 with the up sample processing, performs the up sampling of the low resolution image data stored in the frame memory 90, outputs an image performed motion compensation to the addition block 70, and composes it.例文帳に追加
DCTブロック200の処理結果、すなわち、低解像度画像データをフレームメモリ90に記憶させながら、アップサンプル処理付・MCブロック60がフレームメモリ90に記憶された低解像度画像データをアップサンプルして動き補償した画像を加算ブロック70に出力して合成する。 - 特許庁
To provide a solenoid valve 1 capable of forming a spiral channel 11 by turning only, reducing the number of machining processes required for formation of a respiration passage in a magnetic circuit Mc to reduce manufacturing cost, and preventing the occurrence of radial disalignment of a plunger 7 and a bearing part 8 to prevent slide play.例文帳に追加
螺旋溝11を旋削のみにより形成することができ、磁気回路Mcの呼吸路の形成に要する加工工程数が減って製作コストが減少し、プランジャ7と軸受部8とが芯ずれを起こさず摺動がたを生じない電磁弁1を提供する。 - 特許庁
The driven rollers 7a to 7c are disposed so as to direct each center axial line to a radial direction of a circular arc of a cam surface 601, and drive levers 8a to 8c are provided so that the displacement of these drive rollers 7a to 7c is transmitted to a movable axis 402 of the vacuum valve Ma or Mc.例文帳に追加
従動ローラ7aないし7cは、それぞれの中心軸線をカム面601の円弧の径方向に向けて配置し、これらの従動ローラ7aないし7cの変位を真空バルブMaないしMcの可動軸402に伝達するように駆動レバー8aないし8cを設ける。 - 特許庁
On an Al_2O_3-MC based (M is at least one kind selected out of Ti, Nb, Si) ceramic substrate, an insulation layer comprising an almina film of crystalline substance with not less than 60% by volume is arranged, wherein the thermal conductivity for the alumina film is not less than 5W/mK.例文帳に追加
Al_2O_3−MC系(Mは、Ti,Nb,Siから選択される少なくとも1種)セラミックス基板上に60体積%以上結晶質であるアルミナ膜からなる絶縁層を備え、該アルミナ膜の熱伝導率が5W/mk以上であることを特徴とする。 - 特許庁
The first reaction vessel 1 is charged with an aqueous solution of a methyl chloride (MC) quaternary ammonium salt of a dimethylaminoethyl acrylate (DA).例文帳に追加
ジメチルアミノエチルアクリレート(DA)のメチルクロライド(MC)第4級アンモニウム塩水溶液を反応槽1に仕込み、次いで、密閉した反応槽1に供給管11を通じてMCを連続供給し、その後、DA及び水を供給管12及び供給管13を通じて反応槽1へ連続供給した。 - 特許庁
When the first MOS field effect transistors Q1S and the second MOS field effect transistors Q2S are turned on, electric charges accumulated in a drain region of a non-volatile memory cell MC are extracted through the first MOS field effect transistors Q1S and the main bit lines BLM.例文帳に追加
第1のMOS電界効果トランジスタQ__1Sおよび第2のMOS電界効果トランジスタQ_2Sをオンすると、不揮発性メモリセルMCのドレイン領域に蓄積された電荷が、第1のMOS電界効果トランジスタQ_1Sおよびメインビット線BLMを介して引き抜かれる。 - 特許庁
When brake fluid amount in an auxiliary reservoir RS1 is more than a predetermined amount, the hydraulic pressure pump HP1 is driven by switching a booster driving device BD to a holding position from a driving position to keep it at a holding position, and the brake fluid in the auxiliary reservoir is supplied to a master cylinder MC.例文帳に追加
補助リザーバ(RS1)内のブレーキ液の量が所定量以上であるときに、ブースタ駆動装置(BD)を駆動位置から保持位置に切換えて保持位置に維持した状態で、液圧ポンプ(HP1)を駆動し補助リザーバ内のブレーキ液をマスタシリンダ(MC)に供給する。 - 特許庁
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