「memory effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a display device which is fast in the readout speed from a memory, is reduced in the effect of the noise of a signal and can be miniaturized and a method for driving the same.例文帳に追加

メモリからの読み出し速度が速く、信号のノイズの影響が少なく、小型化可能な表示装置及びその駆動方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device having a magnetoresistance effect element which efficiently utilizes a magnetic field for achieving stable data writing and the stable storage of written data.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリデバイスにおいて、磁界を効率よく利用して書込を安定して行い、かつ、書き込まれた情報を安定して保持する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus that prevents image defects such as "erase memory", while suppressing an adverse effect as much as possible, and to provide an image defect detection method.例文帳に追加

極力弊害を抑えながら、イレースメモリなどの画像不良を防止することができる画像形成装置及び画像不良検出方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a charging/discharging method and a charging/discharging system that can efficiently utilize the available capacity of an alkali storage battery, and suppress a memory effect.例文帳に追加

アルカリ蓄電池の使用可能容量を効率的に利用でき、メモリー効果も抑制することができる充放電制御方法および充放電システムを提供する。 - 特許庁

Besides display data (D1), (D2) for notification of information, appeal data K1a-K1d for enhancing the display effect are stored in a data memory of the information display device.例文帳に追加

情報表示装置のデータメモリには、情報を知らせるための表示データ（Ｄ１）、（Ｄ２）の他に表示効果を高めるためのアピールデータＫ１ａ〜Ｋ１ｄが記憶されている。 - 特許庁

Since the flash memory 107 originally includes a circuit such as a state machine 106 for command receipt or a controller 109, the effect can be obtained without drastical change.例文帳に追加

また、フラッシュメモリ１０７は、コマンド受付の為のステートマシン１０６やコントローラ１０９のような回路をもともと具備しており、大きな変更なくして前述の効果が得られる。 - 特許庁

To provide a charging and discharging control method and a charging and discharging control system for an alkaline storage battery, which can prevent the deterioration of a battery formation material and preventing a memory effect.例文帳に追加

電池構成材料の劣化を抑制するとともに、メモリー効果を抑制できる、アルカリ蓄電池の充放電制御方法および充放電制御システムを提供する。 - 特許庁

To provide a camera equipped with a secondary cell which can reduce the cost of the memory effect countermeasure by simplifying sequence without using an exclusive discharging system.例文帳に追加

専用の放電装置を設けずにシーケンスを簡略化して、２次電池のメモリ効果対策のコストの低減を図ることが可能な二次電池を備えたカメラを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for calculating a remaining capacity of a secondary battery for calculating an appropriate SOC (State of Charge) value from a voltage-SOC map considering the memory effect occurring in a secondary battery.例文帳に追加

二次電池に発生するメモリ効果を考慮した電圧—ＳＯＣマップから適正なＳＯＣ値を算出する二次電池の残存容量算出装置を提供する。 - 特許庁

Part of or the whole of the first rod and/or the second rod is provided with the shape memory effect in the longitudinal direction of the member.例文帳に追加

前記第１ロッドおよび／または第２ロッドの一部または全部が、形状記憶合金製で部材長手方向に形状記憶効果が付与されたロッドとされている。 - 特許庁

To prevent a memory effect (reduction of available battery maximum capacity) of a battery generated when the battery is used repeatedly in certain travel mode in a certain interval.例文帳に追加

一定の区間一定の走行モードで繰り返し使用するときに発生するバッテリのメモリ効果（使用可能なバッテリ最大容量の減少）を予め防止する。 - 特許庁

A cascade-connected N type electric field-effect transistor 526 is arranged in the drain terminal of the transistor 525, and a drain bias is applied to the side wall memory element 522.例文帳に追加

トランジスタ５２５のドレイン端子には、カスケード接続されたＮ型電界効果トランジスタ５２６が配置され、サイドウォールメモリ素子５２２に対してドレインバイアスを供給する。 - 特許庁

When the kind of the accumulator generates the memory effect, a refresh program which fully charges the accumulator after fully discharging the capacity remaining in the accumulator is created.例文帳に追加

蓄電池がメモリ効果を発生する種類時には、当該蓄電池に残存する容量の全放電を実施した後に満充電とするリフレッシュ計画を作成する。 - 特許庁

In the semiconductor memory device 1, a back gate electrode 21 is arranged in the cell array section CA and the gate electrode 22 of a field effect transistor 25 in the peripheral circuit section SC.例文帳に追加

半導体記憶装置１において、セルアレイ部ＣＡにはバックゲート電極２１を設け、周辺回路部ＳＣには電界効果トランジスタ２５のゲート電極２２を設ける。 - 特許庁

To provide a capacitor protective structure having a high hydrogen barrier effect by forming an extremely precise protective film and a method of manufacturing the same, and also to provide a ferroelectric memory using the protective structure.例文帳に追加

緻密な保護膜形成により高い水素バリア性を有するキャパシタの保護構造及びその製造方法及びこれを用いた強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

A nonvolatile magnetic memory includes a resonance tunnel magnetoresistance effect element, and to which a writing system by spin transfer torque produced with a voltage corresponding to the resonance level is applied.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を装備し、共鳴準位に相当する電圧によりスピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

A built-in memory 3 or a ROM 8 stores sample images photographed by contents whereby parameters giving effect on photographing image quality can be selected.例文帳に追加

内蔵メモリ３、或いはＲＯＭ８には、撮影画質に影響するパラメータの選択可能な内容別に、その内容で撮影されたサンプル画像が格納されている。 - 特許庁

In response to the detection of the flip closing action, the CPU 1 reads a data leading address corresponding to sound effect data designated by a user in advance from a predetermined region of a nonvolatile memory 3b.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、フリップ閉動作の検知に応答して、予めユーザが指定した効果音データに対応するデータ先頭アドレスを不揮発メモリ３ｂの所定領域から読出す。 - 特許庁

One memory cell formed in a semiconductor main body 10 includes a polycrystalline silicon packing part 22 as a capacitor for storage and one field-effect transistor.例文帳に追加

半導体本体１０内に形成された１つのメモリセルは、蓄積用コンデンサとしての１つの多結晶シリコン充填部２２と、そして１つの電界効果トランジスタとを含んでいる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device, which includes field-effect transistors which are respectively operated at a plurality of different voltage levels, where a mixed mounting with a logic block is made possible and includes a nonvoltatile memory transistor.例文帳に追加

複数の異なる電圧レベルで動作される電界効果型トランジスタを含み、ロジックとの混載が可能な、不揮発性メモリトランジスタを含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

To make it possible to obtain a magnetoresistance effect element and a magnetic memory having high reliability without element damage, and also capable of operating in low power consumption and in low current writing.例文帳に追加

低消費電力でかつ低電流書き込みで動作するとともに、素子破壊が無く信頼性が高い磁気抵抗効果素子および磁気メモリを得ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a predistorter which can compensate distortion of an amplifier having a memory effect, has reduced calculation time for calculating a distortion compensation value and has high distortion compensation accuracy.例文帳に追加

メモリ効果を持つ増幅器を歪補償でき、歪補償値を算出する時間を低減し、且つ歪補償精度の高いプリディストータを提供することを目的とする。 - 特許庁

The range is set either as a usual battery range set or as a refresh set range wherein the battery which has been reduced of its substantial capacity due to a memory effect is charged and discharged.例文帳に追加

充放電範囲は、通常の通常設定範囲と、メモリ効果で実質容量が低下した電池を充放電させるリフレッシュ設定範囲とに設定される。 - 特許庁

This device is provided with a system controller 10 in which finalization processing is performed by dividing finalization processing into a plurality of processing, and every time one processing is finished, the effect that the processing is finished is stored in a flash memory 16.例文帳に追加

ファイナライズ処理を複数の処理に分割して実行し、１つの処理終了の毎にその旨をフラッシュメモリ１６に記憶しておくシステムコントローラ１０を備える。 - 特許庁

The elastic member 38 is formed by a shape memory alloy and urging force to the worm shaft 24 by the elastic member 38 is maintained to a constant level by super-elastic effect.例文帳に追加

弾性部材３８を形状記憶合金により形成し、弾性部材３８によるウォーム軸２４への付勢力を超弾性効果によって一定に維持する。 - 特許庁

To enable p-type doping of superior control, and to prevent a memory effect produced, when using magnesium(Mg) for a p-type dopant of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

III-Ｖ族化合物半導体のｐ型のドーパントにマグネシウム（Ｍｇ）を用いる際のメモリ効果を防止して、制御性に優れたｐ型ドーピングを行なえるようにする。 - 特許庁

A semiconductor device has a memory region 4000 and first, second and third transistor regions 1000, 2000 and 3000, which respectively includes field-effect transistors which are operated at different voltage levels.例文帳に追加

半導体装置は、メモリ領域4000と、異なる電圧レベルで動作される電界効果型トランジスタを含む第１、第２および第３のトランジスタ領域と1000,2000,3000、とを有する。 - 特許庁

To generate a musical sound signal given a modulation effect having rich expression and power of expression in forming the musical signal adopting a waveform memory reading method.例文帳に追加

波形メモリ読出し方式を採用した楽音信号形成において、豊かな表情及び表現力を有する変調効果の付与された楽音信号を発生する。 - 特許庁

Sphingomyelin has an effect for suppressing the reduction of a protein kinase C activity caused by aging and it is suggested that the compound is effective for preventing and treating the Alzheimer type defect of memory.例文帳に追加

スフィンゴミエリンには、老化によるプロテインキナーゼＣ活性の低下を抑制する効果があり、アルツハイマー型記憶障害の予防や治療に有効であることが示唆された。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory manufacturing method capable of preventing the deterioration of a ferroelectric layer and of obtaining an effect with hydrogen sintering processing in a transistor.例文帳に追加

強誘電体層の劣化防止とトランジスタへの水素シンター処理による効果とを両立させることのできる、強誘電体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

When the data is cached, the cache access section 23 writes the received data into the cache A for LAN of a data cache memory 14 and informs a cache control section 22 to this effect.例文帳に追加

キャッシュアクセス部２３はデータをキャッシュする場合、データキャッシュメモリ１４のＬＡＮ用キャッシュＡに受信データを書き込み、データを書き込んだ旨をキャッシュ制御部２２に通知する。 - 特許庁

To provide a material composition constituting using three elements a nonvolatile memory element made from perovskite transition metal oxide having a CER effect.例文帳に追加

ＣＥＲ効果を有するペロブスカイト型遷移金属酸化物からなる不揮発性メモリ素子を３元素で構成することができる材料組成を提供することを課題とする。 - 特許庁

The substrate having the arrangement of metal dots can be used for a quantum device using a single electron tunneling effect such as a single electron transistor and a single electron memory.例文帳に追加

この金属ドットを配列させた基板は、単一電子トランジスタや単一電子メモリ−のような単一電子トンネル果を利用した量子素子に用いることができる。 - 特許庁

To provide a switch element, magnetoregistance effect element, and memory device using carbon nanotubes, the deterioration of whose characteristics due to their miniaturization is prevented by a simple structure.例文帳に追加

素子の小型化による特性の劣化が簡略な構造により防止された、カーボンナノチューブを用いたスイッチ素子、磁気抵抗効果素子およびメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a digital feedback system distortion compensation circuit having a simplified configuration by which an operation for distortion compensation with consideration given to the memory effect of an amplifier is conducted.例文帳に追加

簡略化した構成でアンプのメモリ効果を考慮した歪み補償のための演算を行なうことができるデジタルフィードバック方式の歪み補償回路を提供する。 - 特許庁

Since these magnetoresistive element can be produced stably with high efficiency, they can be employed for constituting a high sensitivity magnetic sensor head or magnetoresistive effect type memory.例文帳に追加

これら磁気抵抗素子は高効率で安定に製造できるので、これを用いて高感度の磁気センサ・ヘッドや磁気抵抗効果型メモリー装置を構成することができる。 - 特許庁

To provide a dummy layer of a semiconductor device for minimizing microfloating effect in a logic region when manufacturing a split-gate flash memory device, and also to provide a method for manufacturing the dummy layer of the semiconductor device.例文帳に追加

スプリットゲートフラッシュメモリ素子の製造時におけるロジック領域のマイクロローディング効果を最小にする半導体素子のダミー層及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a memory device having an isolation collar 400 and a capacitor is provided, and when a field effect switch is at an off-state, a depletion region is superposed on the isolation collar 400, and the depletion region will not be superposed on the isolation collar, when the field effect switch is at an on-state.例文帳に追加

さらに、分離カラー４００およびキャパシタを有する記憶デバイスを備え、電界効果スイッチがオフ状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重なり、電界効果スイッチがオン状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重ならない。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device which includes a magnetoresistance effect element using a spin injection magnetization reversal mechanism and can prevent malfunction due to leaked magnetic field of wiring provided adjacent to the magnetoresistance effect element, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

スピン注入磁化反転機構を用いた磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、磁気抵抗効果素子の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界による誤動作を防止しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Information can be recorded without applying a magnetic field by a magnetic memory utilizing the above, when a ultrahigh-density nonvolatile memory element is formed, size of a memory cell is made small, interval between cells is narrowed, and an effect is obtained such that information loss and reliability loss at recording information can be suppressed.例文帳に追加

これを利用した磁気メモリーによれば、磁場を印加しなくても情報を記録することが可能で、超高集積度不揮発性メモリー素子を形成する時、メモリーセルの大きさが小さくなりセル間の間隔が狭まり発生する情報流失と情報記録時の信頼度損失を抑制できる効果がある。 - 特許庁

Also, the character parameter transmitted through a communication channel is received in the terminal part 1 and stored in the memory 12 or sent out to the effecter 2 as it is without being stored in the memory 12, the received characteristic parameter is stored in the memory 22 on the side of the effecter 2 and the effect characteristics of the effecter 2 are decided based on the stored characteristic parameter.例文帳に追加

また、通信回線を介して送信された特性パラメータを端末部１で受信し、メモリ１２に記憶し、またはメモリ１２に記憶せずにそのままエフェクタ２に送出し、受信した特性パラメータをエフェクタ２側のメモリ２２に記憶し、記憶された特性パラメータに基づいてエフェクタ２のエフェクト特性を決定する。 - 特許庁

Further, image data is displayed at a pixel of the liquid crystal panel with the memory effect during a plurality of scanning periods, such that the polarities of the voltages applied between the scanning electrode and the signal electrode at a portion forming a pixel of the liquid crystal panel with the memory effect during a first scanning period and during a subsequent period of the plurality of periods are inverted.例文帳に追加

また、複数の走査期間によりメモリ性液晶パネル４０の画素に表示データを表示し、その複数の走査期間のうち、最初の走査期間とその後の走査期間とで、メモリ性液晶パネル４０の画素を構成する部分の走査電極と信号電極間に印加される電圧の極性が反転するようにした。 - 特許庁

Moreover, the CPU 401 for performance control outputs lighting/extinguishing signals respectively to a game effect LED 28a and game effect lamps 28b and 28c as defined to match the performance control command, a decoration lamp 25, a prize ball lamp 51, a ball exhaustion warning lamp 52, a start memory display device 18 and a game passage memory display device 41 according to lighting patterns of them.例文帳に追加

さらに、演出制御用ＣＰＵ４０１は、演出制御コマンドに応じて定義されている遊技効果ＬＥＤ２８ａ、遊技効果ランプ２８ｂ，２８ｃ、装飾ランプ２５、賞球ランプ５１、球切れランプ５２、始動記憶表示器１８およびゲート通過記憶表示器４１の点灯パターンに応じて、それらに対して点灯／消灯信号を出力する。 - 特許庁

The digital feedback system distortion compensation circuit conducts non-linear compensation for the output of the amplifier and comprises a distortion compensation section 10 conducting the operation for the distortion compensation by using a look up table and dividing the operation into the compensation operation 10A with the consideration given to no memory effect of the amplifier and the compensation operation 10B with the consideration given to the memory effect of the amplifier.例文帳に追加

アンプ出力における非線形補償を行なうためのデジタルフィードバック方式の歪み補償回路であって、歪み補償の演算を、ルックアップテーブルを用いて行なうと共に、アンプのメモリ効果を考慮しない補償演算１０Ａと、アンプのメモリ効果を考慮した補償演算１０Ｂとに分けて演算を行なう歪み補償部１０を備える。 - 特許庁

To obtain a magnetic thin film memory employing a magnetoresistive effect element 41 as a memory element in which erroneous writing or incomplete writing due to saturation magnetization of a magnetic film or variation of coercive force incident to variation working temperature dependent significantly on the environment is reduced.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子４１をメモリ素子として用いた磁気薄膜メモリ装置において、環境により使用温度が大きく異なり、温度変化に伴う磁性膜の飽和磁化や保磁力の変化による誤書き込みや書き込み不良などの低減。 - 特許庁