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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > memory effectの意味・解説 > memory effectに関連した英語例文

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memory effectの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 803



例文

A temperature model calculating unit 121, a gate lug model calculating unit 122, a drain lug model calculating unit 123, a gate bias voltage model calculating unit 124, and a drain bias voltage model calculating unit 125, calculate state variables being a plurality of state variables of an amplifier which causes signal distortion, and having a memory effect, respectively.例文帳に追加

温度モデル算出部121、ゲートラグモデル算出部122、ドレインラグモデル算出部123、ゲートバイアス電圧モデル算出部124およびドレインバイアス電圧モデル算出部125は、信号に歪み特性を与える増幅器の複数の状態変数であってメモリ効果を有する各状態変数を算出する。 - 特許庁

To suppress a short channel effect by achieving uniformity in junction depth of a high concentration impurity layer of a source/drain electrode including an elevated source/drain region in a transistor in a peripheral circuit region while preventing short-circuit due to contact between semiconductor layers on the sourced/drain electrode in the transistor in a memory cell region.例文帳に追加

メモリセル領域のトランジスタにおけるソース/ドレイン電極上の半導体層同士の接触による短絡を防止しつつ、周辺回路領域のトランジスタにおけるせり上げソース/ドレイン領域を含むソース/ドレイン電極の高濃度不純物層の接合深さの均一性を図り、短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

An electric double-layer capacitor is used in the power supply 4 to detect the values of a temperature detector 6, a charging time accumulator 7, and a dust removal times accumulator 9, and allow discharging to occur by a charging and current-carrying time control or a compulsory dust removal, thereby suppressing the self-heating and memory effect of the power supply 4.例文帳に追加

電気二重層キャパシタを電源手段4に用いて、温度検知手段6や充電時間累計手段7、除塵回数累計手段9などの値を検知して充電通電時間制御や強制除塵による放電を行うことにより、電源手段4の自己発熱やメモリー効果を抑制する。 - 特許庁

To provide a field-effect semiconductor memory and a manufacturing method thereof, whereby the parasitic capacitance between a gate electrode and source can be reduced to thereby reduce the charge consumption at the gate electrode, avoid lowering the operating speed, and reduce the power consumption.例文帳に追加

ゲ−ト電極とソ−スとの間に形成される寄生容量を小さくすることができ、そのため、ゲ−ト電極の電荷の消費量を低減させ、動作速度の低下を防止し、消費電力の低減をはかることができる電界効果型半導体メモリ装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

例文

To suppress exhausting dioxins by an memory effect, and appropriately control using amounts of cooling medium and absorbing agent powder without overusing even if a concentration of the dioxins are greatly varied, in a method of treating for suppressing the dioxins in exhaust gas from a combustion furnace.例文帳に追加

燃焼炉からの排ガス中のダイオキシン類の排出を抑制する処理方法において、メモリー効果によって排出されるダイオキシン類をも抑制することができるとともにダイオキシン類濃度の大幅な変動があっても冷却媒体、吸着剤粉末の使用量を過剰にすることがなく、適切量とする。 - 特許庁


例文

Further, a magnetoresistance effect device can be constructed with ease, in which an inverse magnetic field of the memory magnetic layer is reduced, and the direction of the magnetization is maintained stably by making the magnetization of a pin magnetic layer optimum with the aid of the composition and film construction of the pin magnetic layer 13 by constituting the pin magnetic layer 13 with a TbFe or TbFeCo alloy.例文帳に追加

更に、ピン磁性層13を、TbFeまたはTbFeCo合金とすることで、組成及び膜構成によりピン磁性層の磁化を最適化し、メモリ磁性層の反転磁界を低減すると共に、磁化方向を安定に維持する磁気抵抗効果素子を容易に構成することができる。 - 特許庁

In writing a field F5, not only electron beam irradiation data to the field F5, but also electron beam irradiation data to eight fields (F1-F4 and F6-F9) adjoining the field F5 are supplied from a control CPU to a data transfer circuit for proximity effect correction and stored in a data memory incorporated in the transfer circuit.例文帳に追加

フィールドF5の描画を行う場合には、制御CPUから近接効果補正用データ転送回路には、フィールドF5への電子ビーム照射データのみならず、フィールドF5に隣接する8つのフィールド(F1〜F4,F6〜F9)の電子ビーム照射データが供給され、内部のデータメモリ内に格納される。 - 特許庁

In the field-effect transistor memory element having the ferroelectric material, a ferroelectric layer is composed of a first ferroelectric layer stacked between a buffer layer and an electrode layer, and a second ferroelectric layer stacked to cover a gate stack.例文帳に追加

強誘電体を有する電界効果トランジスタ型記憶素子において、強誘電体層が、バッファ層と電極層の間に積層される第一の強誘電体層と、ゲートスタックを被包するように積層される第二の強誘電体層からなることを特徴とする強誘電体を有する電界効果トランジスタ型記憶素子を提供する。 - 特許庁

A CPU 101 adjusts the phases of modulation signals read from an effect waveform memory 11 with respect to the rising timing of music waveform data inputted from an input section 104 and modulates the data employing the phase adjusted modulation signals and stores the modulated data in an output buffer 105.例文帳に追加

CPU101は、入力部104から入力された楽音波形データの立ち上がりタイミングに対して、エフェクト波形メモリ11から読み出した変調信号の位相を合わせるように調整して、楽音波形データを位相調整した変調信号で変調して出力バッファ105にストアする。 - 特許庁

例文

Further, image data is displayed at a pixel of the liquid crystal panel 40 with memory effect during three scanning periods such as a correction period for correcting the alternation, a reset period for resetting the image, and a selection period for writing new image, and in the three scanning periods, the voltage to be applied between the scanning electrode and the signal electrode is made completely alternating.例文帳に追加

そして、交流化を補正する補正期間と、画面をリセットするリセット期間と、新たな画像を書き込む選択期間との3走査期間によりメモリ性液晶パネル40の画素に画像データを表示し、その3走査期間内において、走査電極と信号電極間に印加される電圧を完全に交流化する。 - 特許庁

例文

A pair of magnetic pole pieces 6 consisting of soft magnetic material having high permeability are juxtaposed so that it may be close to the magnetic resistance effect type of storage element 1, and the magnetic memory device is constituted so that these paired magnetic pole pieces 6 may be excited by the write current flowing in the direction roughly orthogonal to its row direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子1に近接するように、高透磁率を持つ軟磁性材料からなる一対の磁極片6を並設するとともに、これら一対の磁極片6がその並び方向と略直交する方向に流れる書き込み電流によって励磁されるように、磁気メモリ装置を構成する。 - 特許庁

To provide a crosslinked expanded adhesive which is uniformly and sufficiently crosslinked and expanded independently of the transmittance of the radiation such as ultraviolet rays, electron beams, etc., against the components, shows an excellent stress relaxation property, memory effect and solvent resistance and has no disadvantage which usually accompanies low- molecular-weight acrylic copolymers.例文帳に追加

成分に対する紫外線や電子線などの放射線の透過性に関わらず、均一かつ十分な架橋及び発泡でもって優れた応力緩和特性、復元性及び耐溶剤性を有するとともに、低分子量アクリル系共重合体にまつわる欠点を有しない架橋型発泡粘着剤を提供する。 - 特許庁

To provide a drug composition and a health supplement food for preventing and treating anxiety, depression, and dementia of modern people undergoing change of hormone and neurotransmitters and brain damages due to environmental factors such as various kinds of stresses, menopause, drinking, and smoking, and inducing an effect of promoting their memory, substantially with no toxicity and side-effects.例文帳に追加

毒性及び副作用がほとんどなく、各種ストレス、閉経、飲酒、喫煙など環境的要因によりホルモン及び神経伝達物質の変化と脳損傷を受けている現代人の不安、鬱病及び痴呆の予防及び治療と記憶力増進効果を誘発する薬剤組成物及び健康補助食品の提供。 - 特許庁

To prevent electrostatic charge capacity from decreasing due to memory effect, in a hybrid type electrically-driven vehicle equipped with a generator which generates power by being driven by an engine, a storage device which stores electric energy generated by the generator and an electric motor, in which electric energy is supplied from the storage device.例文帳に追加

エンジンにより駆動されて発電する発電機と、その発電機により発生された電気エネルギーを蓄電する蓄電装置と、その蓄電装置から電気エネルギーが供給される電動モータとを備えているハイブリッド型の電気式駆動車両において、メモリ効果による蓄電装置の蓄電容量の低下を防止する。 - 特許庁

Previous records of only an individual are searched by using various methods, and corresponding records are reproduced, in a way similar through a multisensory expression device, whereby the system can play a role as an effective medium for recollection of the past and provide the effect of reinforcing an individual's past memory.例文帳に追加

このように、本発明は過去の個人だけの記録を多様な方法で検索し、該当記録を多感覚表現装置を通じて類似するように再現することで、過去の回想のためのより効果的な媒介体としての役割を果たすことができるようにして個人の過去の記憶を増強させるという効果が得られる。 - 特許庁

Because the luminance data in the same area of the area 20 are repeatedly added to the memory 14, the ratio of the luminance data affected by disturbance to the entire integrated values is reduced, and an appropriate fault detection working from which a disturbance effect including the change in illumination and contrast is eliminated is made possible.例文帳に追加

不揮発性メモリ14には検査領域20の同じ領域の輝度データが重複して加算されるので、外乱の影響を受けた輝度データが積算値全体に対して占める重みが減少し、照明やコントラストの変化を始めとする外乱の影響を排除した適切な欠陥検出作業が可能となる。 - 特許庁

After a driving substrate 1-9 for driving an active matrix to increase the light emission time of a single pixel by a memory effect and an EL element substrate 11-14 for the emission of EL light are produced as completely separated from each other, the substrates are laminated by pressing by using indium columns 10 or the like as a glue.例文帳に追加

メモリ効果による単一画素の発光時間の長時間化をはかるアクティブマトリックス駆動のための駆動基板(1−9)とEL発光のためのEL素子基板(11−14)とを完全に分離して作製した後、両基板をインジウム柱10などを糊として使用してプレスして貼り合わせる。 - 特許庁

On receiving designation to the effect that a channel for transmitting a certain sound element data is determined from a presentation control means 91, the channel management means 92 determines a reproduction channel for transmitting sound element data on the basis of channel information about each channel stored in the channel information buffer memory 94b.例文帳に追加

チャンネル管理手段92は、あるサウンド要素データを送出するためのチャンネルを決定する旨の指示を演出制御手段91から受けたときに、チャンネル情報バッファメモリ94bに記憶されている各チャンネルについてのチャンネル情報に基づいて当該サウンド要素データを送出するための再生チャンネルを決定する。 - 特許庁

In the crystal growth of a compound semiconductor heterobipolar transistor device structure, a compound semiconductor containing at least Al is used to form a boundary for suppressing doping delays due to memory effect at the boundaries among a collector layer, an emitter layer and a base layer, resulting in a steep acceptor impurity doping boundary.例文帳に追加

化合物半導体ヘテロバイポーラトランジスタ素子構造の結晶成長において、コレクタ層/エミッタ層/ベース層界面におけるメモリー効果によるドーピング遅れを抑制するために、少なくともAlを含んだ化合物半導体で界面を形成し、急峻なアクセプター不純物ドーピング界面を実現する。 - 特許庁

A memory element 1 comprises a field effect transistor element which is composed of two impurity diffusion areas 11, a gate electrode 13, and a gate insulating layer 12 on a p-type silicon board 10; and a variable resistance element which is composed of a lower electrode 19, an upper electrode 21, and a variable resistance layer 20 interposed between the lower and upper electrodes 19, 21.例文帳に追加

メモリ素子1は、p型シリコン基板10に、2箇所の不純物拡散領域11とゲート電極13およびゲート絶縁層12から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極19と上部電極21とで可変抵抗層20を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。 - 特許庁

This field-effect semiconductor memory 10 is composed of a structure, wherein a semiconductor substrate 11, a source-drain region 12, ferroelectric 13 and dielectric 14 formed in a trench 17, a gate electrode 15 and a source-drain electrode 16 disposed there, and the film thickness of the dielectric 14 is thin at the bottom face of the trench 17 and thick at the side face.例文帳に追加

電界効果型半導体メモリ装置10は、半導体基板11,ソ−ス・ドレイン領域12,溝17に形成された強誘電体13および誘電体14,ゲ−ト電極15,ソ−ス・ドレイン電極16を配置した構造からなり、そして、誘電体14の膜厚が、溝17の底面で薄く、側面で厚くした構造からなる。 - 特許庁

To realize a semiconductor memory in which a column decoder constituted of a plurality of transistors is not used, and a stable reading operation is made possible to a low power supply voltage without being affected by a high threshold value due to the substrate bias effect caused in the transistors constituting the column decoder by connecting bit lines with a reading circuit.例文帳に追加

複数のトランジスタから構成されるカラムデコーダを用いることなく、ビット線と読み出し回路を接続することで、カラムデコーダを構成するトランジスタに生じる基板バイアス効果による高閾値化の影響を受けることなく、低電源電圧まで安定した読み出し動作が可能な半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

A driving circuit 30 applies, to scanning electrodes of the liquid crystal panel 40 with the memory effect, a scanning voltage TPV composed of zero and a positive or negative unipolar voltage waveform, and also applies, to signal electrodes, a signal voltage SGV composed of zero and a unipolar voltage waveform having the same polarity as that of the scanning voltage.例文帳に追加

駆動回路30によって、メモリ性液晶パネル40の走査電極にはゼロと正または負の単一極性の電圧波形で構成される走査電圧TPVを印加し、信号電極にもゼロと走査電圧と同極性の単一極性の電圧波形で構成される信号電圧SGVを印加する。 - 特許庁

A fourth conductive film 13 is formed in a trench 4 as a gate electrode, and a gate wiring 24 is formed upward from the fourth conductive film 13 so as to effect conductive connection to a word line WL electrically whereby the minimum cell area, required to one memory cell, can be reduced.例文帳に追加

トレンチ4内にゲート電極として第4の導電膜13が形成されると共に、この第4の導電膜13から上方に対してワード線WLと電気的に導通接続するようにゲート配線24が形成されるため、1メモリセルに要求される最小セル面積を少なくすることができる。 - 特許庁

The distortion reduction circuit comprises a baseband circuit 11, a converter circuit 12, a first power amplifier 13, a memory effect reduction circuit 14, a second power amplifier 17, and a coupler 18 connected sequentially between an input terminal IN and an output terminal OUT, and a predistortion circuit 19 is provided between the coupler 18 and the baseband circuit 11.例文帳に追加

入力端子INおよび出力端子OUT間に順次接続されたベースバンド回路11、コンバータ回路12、第1電力増幅器13、メモリエフェクト低減回路14、第2電力増幅器17およびカプラ18を備え、更にカプラ18とベースバンド回路11間にプリディストーション回路19を備える。 - 特許庁

To provide a high sensitivity detection method for an object compound, capable of suppressing a bad influence on measurement of the object compound caused by a memory effect by impurities or the like entering a detector or generation of a background noise, and improving repeatability or sensitivity at the measuring time, and a highly sensitive detection device of the object compound preferably usable therefor.例文帳に追加

検出器に入った夾雑物等のメモリー効果により、目的化合物の測定に悪影響が与えられたり、バックグラウンドノイズが発生することが抑制され、測定時の再現性や感度を向上させる目的化合物の高感度検出方法及びそれに好適に使用しうる目的化合物の高感度検出装置を提供すること。 - 特許庁

In the nonvolatile optical memory element having a structure in which a ferromagnetic body is provided on a semiconductor that is connected to an optical waveguide, electrons are injected into the semiconductor via the ferromagnetic body so that the electrons that are spin-polarized according to a magnetization direction of the ferromagnetic body are injected, thereby enlarging a region in which a photomagnetic effect occurs effectively.例文帳に追加

光導波路に接続される半導体上に強磁性体が形成された構造の不揮発性光メモリ素子において、該強磁性体を経由して半導体に電子を注入することで、該強磁性体の磁化方向に応じてスピン偏極した電子が注入され、光磁気効果の効果的な領域を拡大することができる。 - 特許庁

When ion mass exhausted from the ion trap 2 at the time of analysis is changed, a control part 7 predicts the voltage fluctuations and the phase fluctuations, by reading out the control information corresponding to the frequency change from the memory part 11, and adjusts voltages of variable voltage sources 45, 46 via a voltage adjusting part 52, by forming a control signal to compensate its effect.例文帳に追加

分析時においてイオントラップ2から排出するイオンの質量を変更する際に、制御部7は周波数変更に対応した制御情報を記憶部11から読み出して電圧変動や位相変動を予測し、その影響を補償する制御信号を生成して電圧調整部52を介して可変電圧源45、46の電圧を調整する。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a field effect transistor using the interface of a ferroelectric film 3 and a semiconductor film 4 as a channel and having a gate electrode 2 to which a voltage for controlling the polarization state of the ferroelectric film 3 is applied, and source and drain electrodes 5 and 6 provided at both ends of the channel and detecting a current flowing on the channel depending on the polarization state.例文帳に追加

強誘電体膜3と半導体膜4との界面をチャネルとする電界効果トランジスタで構成され、強誘電体膜3の分極状態を制御する電圧が印加されるゲート電極2と、チャネルの両端に設けられ、分極状態に応じてチャネルを流れる電流を検出するソース、ドレイン電極5、6とを備えている。 - 特許庁

To provide a sample atomization lead-in device capable of lowering a memory effect by quickly removing liquid drops adhered on the surface of the inner space of the device to a drain, capable of improving repeatability of atomization efficiency by equalizing thickness of a sample on an ultrasonic diaphragm of an ultrasonic nebulizer.例文帳に追加

試料霧化導入装置の内側空間の表面に付着した液滴を速やかにドレインに排除することによりメモリー効果の低減を可能とし、また、超音波ネブライザーの超音波振動板上の試料の厚さを均一化することにより試料の霧化効率の再現性向上を可能とする試料霧化導入装置を実現する。 - 特許庁

To provide a mold for manufacturing a crosslinked resin pipe with such advantages that the mandrel of the mold does not flex and the significant recovery of the part to its original shape by a memory effect is prevented from occurring and further, the creeping performance and appearance of the obtained pipe are improved, even when the crosslinked resin pipe of small diameter is manufactured as well as a mold for manufacturing the pipe.例文帳に追加

径が小さい架橋樹脂管を製造するときであっても、金型におけるマンドレル部分を撓ませず、メモリー効果により大きな形状回復が生じたりすることなどを防止して、得られる架橋樹脂管のクリープ性能および外観の向上を図ることができる架橋樹脂管の製造方法および製造金型の提供を目的とする。 - 特許庁

A matching engine 26 refers to the database stored in the memory 14 to obtain specific posture data matching the posture recognized by the person region detection engine 24, and an image processing engine 27 performs processing on the image based on the effect data associated with the specific posture data obtained by the matching engine 26.例文帳に追加

そして、マッチングエンジン26は、メモリ14に記憶されているデータベースを参照し、人物領域検出エンジン24により認識された姿勢に適合する特定姿勢データを求め、画像加工エンジン27は、マッチングエンジン26により求められた特定姿勢データに対応付けられている演出加工データに基づいて、画像に対する加工を施す。 - 特許庁

To provide a DRAM with a memory cell portion and a peripheral circuit portion both installed together, which can integrates on the same substrate a first insulated gate type transistor, capable of forming a minute contact hole with self-alignment to a gate electrode and a second insulated gate type transistor, capable of fully reducing the parasitic resistance, while suppressing short-channel effect.例文帳に追加

本発明は、メモリセル部とその周辺回路部とを混載させてなるDRAMにおいて、ゲート電極に対して自己整合的に微細なコンタクトホールの開孔が可能な第1の絶縁ゲート型トランジスタと、短チャネル効果を抑制しつつ、寄生抵抗を十分に緩和することが可能な第2の絶縁ゲート型トランジスタとを同一基板上に集積できるようにする。 - 特許庁

In pre-replacement processing S11, a memory effect is provided to a battery module for replacement by at least either performing a cycle charging/discharging of the battery module before shipment with its width of SOC limited to a medium range, or leaving the battery module for a given time at a temperature higher than room temperature after setting the initial SOC.例文帳に追加

電池交換前処理S11において、出荷前に、交換用電池モジュールに対して、例えば、SOCの変化幅を中間域に限定してサイクル充放電を行うこと、初期SOCを設定した後、常温よりも温度が高い環境で所定時間放置することのうち少なくとも1つを実施して、交換用電池モジュールにメモリー効果を付与する。 - 特許庁

When a television broadcast is received by using a receiving function for television broadcast provided to a mobile phone, setting information on image effect and audio equalization that a user sets for video and audio of the television broadcast is stored in a memory 12 while being associated with the genre of the television broadcast detected based upon an electronic program guide.例文帳に追加

携帯電話機に設けられているテレビジョン放送の受信機能を用いてテレビジョン放送を受信した際に、電子番組表に基づいて検出した、このテレビジョン放送のジャンルに関連付けて、このテレビジョン放送の映像及び音声に対してユーザが設定した画像エフェクト及び音声イコライジングの設定情報をメモリ12に記憶しておく。 - 特許庁

To reduce an interference by an electromotive force generated among the approximated wires of a core/peripheral circuit in the case that a bit line and a write word line of the memory cell are arranged approximately for reduction of the write current in the MRAM using the TMR effect.例文帳に追加

本発明は、TMR効果を利用したMRAMにおいて、書き込み電流の低減のためにメモリセル部のビット線と書き込みワード線とを近接させて配置するようにした場合に、コア・周辺回路部の近接した配線間で発生する起電力による干渉を低減できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

To enable to perform a discharge treatment of a discharge device so that it will be easy to handle disposal or the like of a vehicle-mounted battery and to recover a memory effect, in one making completely discharge the vehicle-mounted battery mounted on an electric motorcar, hybrid car or the like equipped with comparatively high terminal voltage to be driving power source of a motor.例文帳に追加

電気自動車やハイブリッド車等に搭載し、モータの駆動電力源とする比較的高電圧の端子電圧を有する車載電池を完全放電させる放電装置に関し、車載電池の廃棄等の取り扱いが容易となるように、又メモリ効果を回復できるように、安全且つ迅速に放電処理を実行させる。 - 特許庁

The liquid crystal display device in this invention is the one 20 provided with the data storage function having electric field effect transistors as active elements, and is characterized by that pixel circuits 261 have a data holding function and a data reading function, or the data holding function (memory transistors STij) and the data reading function are added thereto.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、電界効果型トランジスタを能動素子として有するデータ記憶機能付き液晶表示装置20であって、画素回路261は、データ保持機能およびデータ読出し機能を有し、または画素回路261には、データ保持機能(メモリ用トランジスタST_ij)およびデータ読出し機能が付属してなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a flash memory element manufacturing method for which can minimize the interference effect between adjacent cells, and can improve a coupling ratio by increasing the contact area between a dielectric film and a floating gate, and can make the coupling ratio increased, a gate oxide film in a high voltage transistor area thicker than that of the tunnel oxide film in a cell area too.例文帳に追加

隣接セル間の干渉効果を最小化することができ、誘電体膜とフローティングゲートの接触面積を増加させてカップリング比を向上させることができ、セル領域のトンネル酸化膜より厚い高電圧トランジスタ領域のゲート酸化膜によってもカップリング比を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a discharging device capable of deeply discharging the given number of batteries connected in series until the residual capacity of the battery fails to prevent memory effect and over discharge is started, and surely automatically stopping discharge upon when the residual capacity reaches the set value, and to provide a new battery pack assembled with the given number of batteries having uniform residual capacities.例文帳に追加

直列に接続された任意の数の電池を、電池の残量がメモリー効果を防ぎかつ過放電を生じさせない程度になるまで深い放電をし、残量が一定量まで低下したら確実に自動的に放電を停止させること、またこれらの残量の揃った電池により新たな任意の数の組電池を得られるようにすること。 - 特許庁

To solve a problem such that the effect of parallelism is lowered by the bottleneck of communication as the number of divided logics increases since it is necessary to communicate the event information of signals spread between processors and time information for synchronism through a network when the respective object logics divided by a parallel logic simulator for dividing and parallel executing simulation object logics are divided although they are simulated on independent memory spaces.例文帳に追加

シミュレーション対象論理を分割して並列実行させる並列論理シミュレータにおいて分割したそれぞれの対象論理は、独立したメモリ空間上でシミュレーションさせるが分割した場合、プロセッサ間にまたがる信号のイベント情報及び同期のための時刻情報をネットワークを介して通信しなければならない。 - 特許庁

This device comprises an error determination means 8 determining, in the event of an error in recording of data in the buffer memory 7 and the storage medium 14, this error, and an announcement means 15 recording, based on the determination of the error by the error determination means 8, this effect in the storage medium 14 to announce the occurrence of error at the time of reproduction.例文帳に追加

バッファメモリ7及び記録媒体14においてデータを記録することにエラーが生じる際にそのエラーを判定するエラー判定手段8と、エラー判定手段8がエラーの生じた旨を判定したことに基づいて、その旨を記録媒体14に記録して再生時にエラーがあったことを報知するための報知手段15を備えて構成した。 - 特許庁

The sample atomization lead-in device lowers a memory effect by constructing whole or a part of the surface to which the sample or atomized sample contact by a hydrophilic material, and improves repeatability of atomization efficiency by making the sample quickly spread on the surface of the hydrophilic material to make up a uniform extra-thin liquid layer through making of the surface of the ultrasonic diaphragm hydrophilic.例文帳に追加

試料霧化導入装置は、試料及び霧化された試料が接触する表面の一部又は全部を親水性材料とすることによりメモリー効果を低減し、又、超音波振動板表面を親水性とすることにより、試料を親水性材料表面で直ちに広げ均一な極薄の液層とすることにより霧化効率の再現性を向上させる。 - 特許庁

This system, method and computer software product for presenting information to the user concerned in an economic effect or profit related to the use of a specific product concerning a bearing and a seal and other equivalent products, use a processor, a memory unit for storing product specification data, an input device for inputting plant specification data, and a display for presenting information or another appropriate device.例文帳に追加

ベアリング及びシールに関する特定製品の使用、かつ他の同等製品の使用に関係する経済効果あるいは利益に関与するユーザに情報を提示するシステム、方法及びコンピュータソフトウェア製品は、プロセッサ、製品特定データを記憶するメモリユニット、プラント特定データを入する入力装置及び情報を提示するディスプレイあるいは他の適切な装置を使用する。 - 特許庁

A step for forming a first insulating film on the semiconductor substrate in the nonvolatile memory transistor region, a step for forming a second insulating film on the first insulating film, a step for forming a third insulating film on the second insulating film, and a step for forming a fourth insulating film on the substrate in the MOS field effect transistor region, are processed simultaneously.例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタ領域の半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成する工程とMOS電界効果トランジスタ領域の半導体基板上に第4の絶縁膜を形成する工程とを同時に行う。 - 特許庁

During the STR mode, running-away of a sub CPU is detected, recovery from running-away is performed and information for high-speed engine initiation for judging whether correction operation of an optical system is required is stored in a nonvolatile memory, thereby avoiding a sensor power source from being constantly turned on during the STR mode, so that reduction in energy saving effect during the STR mode can be prevented.例文帳に追加

STRモード中に、サブCPUの暴走を検知し、暴走からの復帰を行い、光学系の補正動作が必要か否かを判断するためのエンジン高速起動用情報を不揮発性メモリに格納させることにより、STRモード時のセンサー電源が常にON状態になることを回避するので、STRモード中の省エネ効果低減を防止することができる。 - 特許庁

A CPU 11 executes a revision means 26 and a revision inhibit means 27 that are programs stored in a memory circuit 20, and the CPU 11 discriminates the effect of vibration on the print image quality to allow the printer 17 to execute printing by its usual print operation or to execute printing by its revised print operation so as to realize a print image with high image quality.例文帳に追加

メモリ回路20内に格納されたプログラムである変更手段26及び変更禁止手段27をCPU11が実行すると共に振動による印刷画質の影響をCPU11が判断して、プリンタ17に通常の印刷動作で印刷を実行させたり、通常の印刷動作を変更して印刷を実行させたりし、高画質の印刷画像を実現する。 - 特許庁

The total cost is reduced by the print head which is detachable to the printer and has a memory device storing image data with an advertisement effect, an advertising means for advertising by using the printer that unconditionally prints the image data on a predetermined region when using the print head, and the advertisement fee obtained by the advertising means.例文帳に追加

上記課題を達成するため本発明では、印刷装置に着脱可能であり、かつ宣伝効果のある画像データを格納した記憶素子を備える印刷ヘッドと、前記印刷ヘッドを用いて印刷する際、前記画像データを無条件で特定の領域に印刷する前記印刷装置を用いて宣伝する宣伝手段と、前記宣伝手段によって得られた宣伝費によって総合的なコストを下げることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory having a charge storage layer and a control gate, and its fabricating method, in which integration is enhanced by suppressing back bias effect and the ratio of capacity between a floating gate and a control gate is increased furthermore without increasing the occupation area while suppressing variation of cell characteristics caused by the fabrication process.例文帳に追加

電荷蓄積層及び制御ゲートを有する半導体記憶装置のバックバイアス効果による影響を低減させることにより集積度を向上させ、占有面積を増加させずに浮遊ゲートと制御ゲートとの容量の比をより一層増大させるとともに、製造プロセスに起因するセル特性のばらつきが抑制された半導体記憶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

例文

To provide an active substance derived from Hericium erinaceum, suitable also for industrial mass production, acting on nerve even by oral administration and improving spatial cognitive power and learning and memory skills, reducing toxicity of amyloid β peptide and having high safety and enabling constant dose and having effect on dementias, particularly Alzheimer type dementia and to provide a method for producing the active substance.例文帳に追加

本発明は、工業的な大量生産にも適するものであり、経口投与によっても脳に作用して空間認知力や学習記憶力を向上させることができ、また、アミロイドβペプチドの毒性も軽減できる上に、安全性が高く恒常的な服用も可能な活性物質であり、認知症、特にアルツハイマー型認知症に効果があるヤマブシタケ由来の活性物質、並びにその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁




  
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