「memory effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

According to this method, the magnetic field necessary for the inversion off magnetization can be reduced and, especially, this method becomes effective for the recording of a magnetic resistance effect memory employing the method of inversion of magnetization.例文帳に追加

これによって、磁化反転に要する磁界を低減することが可能となると共に特に、この磁化反転方法を用いた磁気抵抗効果メモリの記録に有効となる。 - 特許庁

To provide a meshlike shape memory alloy actuator capable of improving the resistance against wear of a surface of an insulation layer, sliding property, and actuator performance and enhancing insulation effect.例文帳に追加

絶縁層の表面の耐磨耗性、摺動性を向上させ、絶縁効果を高め、アクチュエータ性能を向上させることができるメッシュ状形状記憶合金アクチュエータを提供する。 - 特許庁

To provide a data processor and method for testing stability of a cell using a reliable, effective and practical (in connection with test time period) mechanism for detecting a defective memory cell that may malfunction in normal use due to unstableness of the cell caused by a hysteresis effect in a body region of transistors configuring the memory cell in a memory device.例文帳に追加

メモリ・デバイス内のメモリ・セルを構成するトランジスタのボディ領域の履歴効果が引き起こすセルの不安定性により通常の使用中に誤動作するかもしれない欠陥メモリ・セルの検出のための信頼できる効果的で現実的な（テスト時間に関して）メカニズムを用いて、セルの安定性をテストするデータ処理装置と方法を提供すること。 - 特許庁

Plural memory cells are divided into blocks of one or more, memory cells in each block are provided on the same semiconductor substrate 10, and a memory cell is composed of a field effect transistor having a source 14a, a drain 14b, a floating gate 16, and a control gate 18, and their sources are commonly coupled so as to be connected electrically.例文帳に追加

複数のメモリセルは１以上のブロックに分割され、各ブロック内のメモリセルは、同一の半導体基体１０上に設けられ、ソース１４ａ・ドレイン１４ｂ、浮遊ゲート１６および制御ゲート１８を有する電界効果トランジスタによりそれぞれ構成され、それらのソースが互いに電気的に接続されるように共通に繋がっている。 - 特許庁

To obtain an image forming apparatus in which a user can be provided with high convenience by employing a display having display memory effect thereby sustaining display of the information of an apparatus even if the power supply to an operating panel is interrupted in energy saving mode, and high energy saving effect can be attained.例文帳に追加

表示メモリ効果を有するディスプレイを用い省エネモード時に操作パネルの電源を遮断しても機器の情報を表示を継続させる事により利用者に対して高い利便性を提供でき、また、高い省エネ効果を得ることができる画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

A transition effect section 33c performs image processing of the camera image stored in the image memory 33b according to the transition effect of the content designated by a remote controller 34e and displays the processed camera image on the monitor of the karaoke device 34b by a display control section 33f.例文帳に追加

遷移効果部３３ｃは、リモコン３４ｅによって指定されたコンテンツの遷移効果に応じて、画像メモリ３３ｂに記憶されたカメラ画像の画像処理を行ない、この処理されたカメラ画像を、表示制御部３３ｆによってカラオケ装置３４ｂのモニタに表示する。 - 特許庁

The magnetic random access memory comprises a lower electrode 20; the magnetoresistance effect element 23 which is formed above the lower electrode 20 and has side faces; and a protective film 24 which covers the side faces of the magnetoresistance effect element 23, and has the same flat shape as that of the lower electrode 20, and is formed by a sputtering method.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極２０と、この下部電極２０の上方に設けられ、側面を有する磁気抵抗効果素子２３と、この磁気抵抗効果素子の側面を覆い、下部電極２０と同一の平面形状であり、スパッタ法で形成された保護膜２４とを具備する。 - 特許庁

The color image does not have a higher effect of improving image quality resulting from improving a gradation resolution than that of the monochrome image, while an adverse effect, such as an increase in processing time and an increase in the amount of memory usage resulting from improvement of the gradation resolution appears more in the color image than in the monochrome image.例文帳に追加

カラー画像はモノクロ画像ほどには、階調分解能を高くすることによる画質改善効果は大きくはなく、その一方で、階調分解能を高くしたことによる処理時間の増加やメモリ使用量の増加等の弊害はモノクロ画像の場合より大きく現れる。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device having a magnetoresistive effect element using a spin injection magnetization reversing mechanism, and a manufacturing method for the device which device and method prevent a malfunction due to a magnetic field leaking from wiring such as word lines or bit lines, that are formed near the magnetroresistive effect element.例文帳に追加

スピン注入磁化反転機構を用いた磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置において、ワード線やビット線などの磁気抵抗効果素子の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界による誤動作を防止しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, a cell current is reduced by raising apparent threshold voltage of a memory cell utilizing substrate bias effect of a MOSFET, judgement of threshold voltage of a memory cell at the time of erasing verifying operation is performed by the same judging current as a current at the time of writing verifying operation.例文帳に追加

これにより、ＭＯＳＦＥＴの基板バイアス効果を利用して見かけ上のメモリセルのしきい値電圧を上昇させることでセル電流を低減し、消去ベリファイ動作時のメモリセルのしきい値電圧の判定を、書き込みベリファイ動作時と同一の判定電流で行う。 - 特許庁

The maximum temperature reached (phase change temperature from a phase to an α phase) of the phase change material is lowered to reduce the rewriting current by utilizing an electrostrictive effect of the piezoelectric material layer 122 to apply the compressive stress to the phase change material (the memory layer 124) during the operation of a memory cell MC.例文帳に追加

メモリセルＭＣの動作時に、圧電材料層１２２の電歪効果を利用して相変化材料（記憶層１２４）に圧縮応力を印加することにより、相変化材料の最高到達温度（相からα相への相変化温度）を下げ、書き換え電流を低減する。 - 特許庁

To prevent characteristics of a memory cell transistor and a selection gate transistor from being deteriorated due to short channel effect or to prevent a contact plug, which is formed in a self-aligned state for a gate electrode of the selection gate transistor, and a gate electrode of the selection gate transistor from causing a short circuit, in an NAND type non-volatile memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型不揮発性メモリにおいて、メモリセルトランジスタおよび選択ゲートトランジスタの特性がショートチャネル効果により悪化したり、選択ゲートトランジスタのゲート電極に対して自己整合的に形成されたコンタクトプラグと選択ゲートトランジスタのゲート電極がショートすることを防止する。 - 特許庁

The magnetic memory of spin injection writing type comprises a memory cell 1 having a magnetoresistive effect element 3 whose one end is connected to a first node and a selective transistor 4 of which a first diffusion region is connected to the other end of the magnetoresistive effective element and the second diffusion region is connected to the second node.例文帳に追加

スピン注入書き込み型磁気記憶装置は、一端が第１ノードに接続される磁気抵抗効果素子３と、第１拡散領域が磁気抵抗効果素子の他端に接続され、第２拡散領域が第２ノードに接続される選択トランジスタ４とを有するメモリセル１を含む。 - 特許庁

When the recording/reading part 150 is allowed to perform access to the external memory 12 according to the second instruction by the control part 210, an effect that the external memory 12 is not mounted on the recording/reading part 150 is noticed to a personal computer 300 as a response to the first instruction.例文帳に追加

記録・読取部１５０が第２の指示に従って外部メモリ１２にアクセスすることを制御部２１０が許容しているとき、第１の指示に対する応答としてパーソナルコンピュータ３００に対して外部メモリ１２が記録・読取部１５０に装着されていない旨を通知する。 - 特許庁

To realize an animation display method in a portable type electronic device that achieves the object of being used on a platform with limited memory capacity, realizing the effect of signaling many animations, and using animation image elements repeatedly by saving the amount of memory.例文帳に追加

メモリ容量の制限されたプラットフォーム上で使用され、多数のアニメーションを報知する効果を実現し、メモリ容量を節約しアニメーション画像要素を繰り返し使用する目的を達成することができる携帯型電子装置におけるアニメーション表示方法を実現する。 - 特許庁

The other of the erosion resistant valves 20 is a Ti-Ni group shape memory alloy valve, and reversibly absorbs the stress to be applied to both or one of the valve casing side valve seat 14 and the valve element side valve seat 13 by the shape memory effect or super elasticity of the alloy.例文帳に追加

もう一つの耐エロージョン弁２０は、Ｔｉ−Ｎｉ系形状記憶合金弁であって、弁の弁箱側弁座１４および弁体側弁座１３の双方あるいは一方に、該合金の形状記憶効果もしくは超弾性によって弁にかかる応力を可逆的に吸収した。 - 特許庁

The spin injection magnetic random access memory relating to the example executes write to a magnetoresistance effect element MTJ by using a spin polarized electron generated by a spin injection current Is, and is provided with means AL, D1 and S1 for impressing a magnetic field in the magnetization hard axis direction of the magnetoresistance effect element MTJ to the magnetoresistance effect element MTJ when executing the write.例文帳に追加

本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Ｉｓにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対して、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段ＡＬ，Ｄ１，Ｓ１を備える。 - 特許庁

The memory is provided with first magnetoresistance effect elements MTJ1 to 0 arranged in a matrix to be used as storage elements, and a second magnetoresistance effect element BMTJ1 inserted in between a bit line to which the first magnetoresistance effect elements are connected and a reading bias power source to supply a negative current from the reading bias power source circuit.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、記憶素子として使用するマトリクス状に配置された第１の磁気抵抗効果素子ＭＴＪ１−０と、該第１の磁気抵抗効果素子が接続されたビット線と読み出し用バイアス電源との間に介挿されて、該読み出し用バイアス電源回路からの負荷電流を供給する第２の磁気抵抗効果素子ＢＭＴＪ１とを具備する。 - 特許庁

Besides, the potential of the data read terminal is made higher than a grounded substrate potential, the threshold value of the memory cell MS1 is increased by generating a substrate bias effect, and power consumption is reduced by decreasing the cell current.例文帳に追加

また、接地された基板電位よりデータ読み出し端子の方が高くなり、基板バイアス効果が生じてメモリセルＭＳ１の閾値が上昇し、セル電流が減少して消費電力が低減される。 - 特許庁

And, by storing the input/output data of the interface in a non-volatile memory, an improved characteristic enhancement effect can be obtained for example for enabling resume operation for returning to a state before power is turned on.例文帳に追加

また、インターフェース部の入出力データを不揮発性メモリに記憶することで、電源投入時に以前の状態に戻すレジューム動作が可能となるなどの優れた特性改善効果が得られる。 - 特許庁

In the display apparatus driven by a simple matrix driving system and having a memory effect, a frame rate of a specific area in a display screen is made higher than other areas in updating the display screen.例文帳に追加

単純マトリクス駆動方式で駆動されるメモリ効果のある表示装置であって、表示書き換えの際に表示画面中の特定領域のフレームレートをその他の領域よりも高くする。 - 特許庁

The SIM card, which is used when inserted in a portable telephone and a portable terminal, comprises a film panel of a ferroelectric liquid crystal with a memory effect on the side opposite to a chip substrate.例文帳に追加

携帯電話や携帯端末に差し込んで使うＳＩＭカードであって、このＳＩＭカードは、そのチップ基盤とは反対面に、メモリ効果を有する強誘電型液晶のフィルムパネルを備える。 - 特許庁

To provide an epitaxial film-forming device in which epitaxial growth can be repeated for a plurality of times while avoiding the drop of SiC powder dust in the epitaxial device on a SiC substrate and suppressing a memory effect.例文帳に追加

エピタキシャル装置内のＳｉＣ粉塵がＳｉＣ基板上に落下するのを回避し、メモリ効果を抑制して多数回繰り返しエピタキシャル成長できるエピタキシャル成膜装置を提供する。 - 特許庁

The partial differential values are respectively linearly combined by predetermined weighting factors α_0 to α_Q, and a correction signal Δy[n] is generated to compensate a memory effect with respect to an output signal y'[n] of the power amplifier 51.例文帳に追加

各偏微分値は所定の重み係数α_0〜α_Qをもって線形結合されて、電力増幅器５１の出力信号y’[n]に対して、メモリ効果を補償するための補正信号Δy[n]が生成される。 - 特許庁

Identification information related to the baggage is also stored in the memory 24, and the identification information related to the baggage, along with the environmental effect on the baggage in the physical distribution process can be read and confirmed.例文帳に追加

メモリ２４には、荷物に関する識別情報も記憶され、荷物に関する識別情報と、物流過程で荷物が受けた環境の影響とを合わせて読出して確認することができる。 - 特許庁

Since the stress generated by mounting the memory device 1 is released by the notch 41, its effect can be reduced on the positional relationship of the magnetic disk and the head attached to the base plate 10.例文帳に追加

記憶装置１の取り付けによって発生した応力は、切欠４１で開放されるので、ベースプレート１０に取り付けられた磁気ディスクとヘッドとの位置関係に与える影響を軽減することができる。 - 特許庁

Further, as each memory functional body is separated by the gate electrode, an interference at rewriting is effectively controlled and a short channel effect is controlled by thinning the gate insulating film.例文帳に追加

更には、各メモリ機能体はゲート電極により分離されているので書換え時の干渉が効果的に抑制され、また、ゲート絶縁膜を薄膜化して短チャネル効果を抑制することができる。 - 特許庁

To enable the reduction of a magnetization inversion current, in a magnetic memory device which is equipped with a magnetoresistive effect type storage element and performs the information storage by making use of the inversion of the direction of magnetization in the storage element.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子を備え、その記憶素子における磁化方向の反転を利用して情報記憶を行う磁気メモリ装置において、磁化反転電流の低減を可能とする。 - 特許庁

For example, when a telephone receives a call, music score information is read from a music score memory 104, transferred to a music note data generating section 105 and music note data are generated and transmitted to an effect synthesis section 106.例文帳に追加

例えば電話機で着信があったとき、楽譜メモリ１０４から読み出し楽譜情報を音符データ生成部１０５に転送し、音符データを生成してエフェクト合成部１０６へと送出する。 - 特許庁

To eliminate using limit of an expansion function, in the case of mounting a special purpose battery and to obviate a memory effect.例文帳に追加

専用バッテリを取り付けた場合における拡張機能の使用制限を解消することができると共に、メモリ効果を解消することができる電源供給機能を備えた充放電装置を提供する。 - 特許庁

To provide a charge/discharge control method of an alkaline battery that can avoid overcharging and over-discharging while avoiding a memory effect without conducting a refresh cycle that requires a long time, and a power supply system.例文帳に追加

長時間を要するリフレッシュサイクルを行うことなくメモリー効果を回避しつつ、過充電および過放電をも回避できる、アルカリ蓄電池の充放電制御方法および電源システムを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which can stably write information by efficiently utilizing a magnetic field which is formed by a current that passes through a writing line, and to provide a magnetic memory device.例文帳に追加

書込線を流れる電流によって形成される磁界を効率よく利用し、情報の書込を安定して行うことのできる磁気抵抗効果素子およびそれを備えた磁気メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

After the bonding point is set to the coordinate value of the island corresponding to the patterned position set to the selection state, and the effect of the bonding to the coordinate value is stored in the memory device (S5), the bonding is conducted.例文帳に追加

選択状態に設定されたパターン化位置に対応するアイランドの座標値にボンディングポイントを設定し、この座標値にボンディングする旨を記憶装置に記憶した後（Ｓ５）、のボンディングを行う。 - 特許庁

To provide an alkaline storage battery capable of compaction and suppression of memory effect while maintaining high output and output stability by optimizing the stoichiometric ratio of the composition of a rare earth-Mg-Ni based hydrogen storing alloy.例文帳に追加

希土類−Ｍｇ−Ｎｉ系水素吸蔵合金の組成の量論比を最適化して、高出力と出力安定性を維持しつつ、小型化とメモリー効果抑制が可能なアルカリ蓄電池を提供する。 - 特許庁

In the magnetic memory, the movable layer of a magnetic element is the 2-layer structure of a ferromagnetic layer and an oxide antiferromagnetic layer having an electromagnetic effect, and voltage induced magnetization reversal is used as an information input system.例文帳に追加

磁性素子の可動層が強磁性体層と電気磁気効果を有する酸化物反強磁性体層の２層構造であり、情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリ。 - 特許庁

Since a check sheet function and an electronic clock function are coordinated, a memory enhancement effect for aiding a user to consciously store, the carrying-out of checking is realized.例文帳に追加

これによって、チェックシート機能と電子時計機能とを有機的に結合して利用者が点検確認したことを意識的に記憶できるように支援する記憶促進効果を発揮させるようにした。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises a process (a) for simultaneously forming a control gate 170 is a nonvolatile memory transistor 100 and a gate electrode 240 in a field-effect transistor 200.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、不揮発性メモリトランジスタ１００におけるコントロールゲート１７０と、電界効果型トランジスタ２００におけるゲート電極２４０とを同時に形成する工程（ａ）を含む。 - 特許庁

In measuring the degree of the memory effect in a secondary battery 20 in a circuit 10, detected signals form a current sensor 40, a voltage sensor 45 and a temperature sensor 25 are inputted to a control section 50.例文帳に追加

電気回路１０において、二次電池２０で生じたメモリ効果の程度を判定する際には、電流センサ４０，電圧センサ４５，温度センサ２５の検出信号を制御部５０に入力する。 - 特許庁

To provide a power circuit capable of effectively avoiding the lowering of capacitance by a memory effect without stopping the use of an apparatus, for example, by making application to a handset for an extension telephone.例文帳に追加

本発明は、電源回路に関し、例えば親子電話の子機に適用して、機器の使用を停止することなく、メモリ効果による容量の低下を有効に回避することができるようにする。 - 特許庁

Upon receipt of detected signals from the above sensors, the control section 50 measures the resistance of the secondary battery 20 and judges the degree of the memory effect produced in the secondary battery 20 referencing the above.例文帳に追加

上記センサからの検出信号を入力して、制御部５０は、二次電池２０の抵抗値を算出すると共に、上記マップを参照して、二次電池２０で生じたメモリ効果の程度を判定する。 - 特許庁

It is possible therefore to perform time shortening movement without reducing an effect of the pattern changing in comparison with a constitution in which the pattern changing is shortened and an ineffective ball for memory of starting is prevented from being generated.例文帳に追加

このため、図柄変動を短縮する構成に比して、図柄変動の効果を減殺することなく、時短作動が可能となって、始動記憶の無効球の発生が防止されることとなる。 - 特許庁

The apparatus is provided with a first processing block 1 connected to an information input block 97 including the keyboard 201 and the block is connected to a second processing block 98 to which a display part 2 having a memory effect is connected.例文帳に追加

キーボード２０１を含む情報入力ブロック９７に接続された第１処理ブロック１を設け、メモリー効果のある表示部２が接続された第２処理ブロック９８に接続する。 - 特許庁

To provide a method in which sense current lines in a cross-point memory are connected so that the effect of reverse leakage from unaddressed row or column lines (257, 258) is greatly reduced, and a device.例文帳に追加

アドレス指定されていない行又は列線(257,258)からの逆方向漏れ電流の影響を大幅に低減するような、交点メモリアレイ(25)のセンス電流線を接続する方法と装置の提供。 - 特許庁

The apparatus is provided with a first processing block 1 connected to an information input block 98 including a keyboard 201, and the block 1 is further connected to a second processing block 98 to which a display part 2 having a memory effect is connected.例文帳に追加

キーボード２０１を含む情報入力ブロック９７に接続された第１処理ブロック１を設け、メモリー効果のある表示部２が接続された第２処理ブロック９８に接続する。 - 特許庁

To identify and track memory usage for minimizing power consumption while reducing adverse effect of throttling or a low-power mode for solving a problem of a conventional technology.例文帳に追加

「スロットリング」または低電力モードの有害な影響を減らす形で電力消費を最小にするためにメモリ使用を識別し、追跡することによって、従来技術の欠点を克服すること。 - 特許庁