「memory value」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The maximum current value (maximum emitted light quantity) of the LED is calculated by an LED maximum current arithmetic part 57 from a power source voltage value acquired by a power source control circuit 80 and data read out from a memory 52 or a non-volatile memory 56.例文帳に追加

電源制御回路８０により取得した電源電圧値とメモリ５２または不揮発性メモリ５６から読み出したデータから、ＬＥＤの最大電流値（最大発光量）がＬＥＤ最大電流演算部５７によって算出される。 - 特許庁

When a manufacturing error causing reduction of erasure speed as compared with an ideal value occurs in an extremely small group of memory cells at a group of specific positions, merely the memory cells at a position where the manufacturing error occurs are formed so that the erasure speed becomes faster than the ideal value.例文帳に追加

一群の所定位置の極一部のメモリセルに理想値より消去速度を低下させる製造誤差が発生するとき、この製造誤差が発生する位置のメモリセルのみ消去速度が理想値より高速となるように形成しておく。 - 特許庁

In this sensor, an output reference signal of the detecting means 6 is stored in a volatile memory 8 or a non-volatile memory 9, and an output signal value is updated when the output reference signal value is changed by the the lapse of time and the temperature change.例文帳に追加

検出手段６の出力基準信号を揮発性メモリ８または不揮発性メモリ９に記憶させ、経時および温度変化がによる出力信号値の基準変化がある場合にその出力信号値を更新させる舵角センサである。 - 特許庁

In the case where a matching rate between the printed surface read by the reading means and the image data stored in the memory is equal to or higher than a predetermined value, the image data are erased from the memory.例文帳に追加

そして、読取手段によって読み取られた印刷面と、メモリ内に記憶された画像データと、の一致率が所定値以上である場合、メモリから画像データを消去する。 - 特許庁

Voltage being lower than voltage applied in the write-in is applied to each of memory cells having a lower threshold value than voltage OEV out of the plurality of memory cells, weak write-in is performed only once.例文帳に追加

複数のメモリセルのうち、電圧ＯＥＶより低い閾値を持つメモリセルの各々に、前記書き込みにおいて印加した電圧より低い電圧を印加して弱い書き込みを１回だけ行う。 - 特許庁

To achieve a ferroelectric memory cell which allows polarization data of ternary or more multiple-value to be stored to attain a ferroelectric random access memory with high density and high integration.例文帳に追加

１つの強誘電体素子中に３値以上の多値の分極データを記憶可能な強誘電体メモリセルを実現し、強誘電体メモリの高密度化、高集積化を実現する。 - 特許庁

There is provided a memory layer 9 constituted by a phase change material whose resistance value gradually changes corresponding to a temperature change, and a particular heater layer 7 is arranged near this memory layer 9.例文帳に追加

温度変化に対応して徐々に抵抗値が変化する相変化材料から構成されたメモリ層９を設け、このメモリ層９の近傍に独自ヒータ層７を配置する。 - 特許庁

To provide a multi-level storing type nonvolatile semiconductor memory device in which variation of a threshold value of a memory cell caused by disturbance of a word line is minimized and a peak current and average power consumption in writing can be reduced.例文帳に追加

フラッシュメモリでは、消去レベルに近いしきい値のメモリセルから、しきい値が遠いメモリセルへ順次書込みを行なうようにすると、ワード線ディスターブによるしきい値の変動が大きい。 - 特許庁

Moreover, the criteria ink feeding rate established as a common to each color is read from the memory 26, and is corrected by the correction value of the feeding rate of the ink fountain roller of each color in the memory 30.例文帳に追加

また、メモリ２６より各色共通として設定されている基準インキ送り量を読み取り、メモリ３０中の各色のインキツボローラの送り量の補正値で補正する。 - 特許庁

A PC 2 is equipped with a monitor 5, a memory part 6, a CPU 7 or the like, and the CPU 7 reads and executes a control program housed in the memory part 6, to thereby obtain the chromatisity value of a color sample.例文帳に追加

ＰＣ２は、モニタ５、メモリ部６、ＣＰＵ７などを備え、ＣＰＵ７は、メモリ部６に格納された制御プログラムを読み取って実行することによって、カラーサンプルの色彩値を求める。 - 特許庁

By utilizing this, an RMW circuit 5 determines the added value of stored values in the addresses (2s, 2t), (2s+1, 2t), (2s, 2t+1), (2s+1, 2t+1) of the first hierarchy memory 2 and writes it in the address (s, t) of the second hierarchy memory 3.例文帳に追加

これを利用して、ＲＭＷ回路５では、第１階層メモリ２のアドレス(2s,2t),(2s+1,2t),(2s,2t+1),(2s+1,2t+1)の記憶値の加算値が求められ、第２階層メモリ３のアドレス(s,t)に書き込まれる。 - 特許庁

The mechanism functions so as to assign priority to the page by a relative value based on the information of a memory use condition to prefetch and/or keep a relatively useful page in the memory.例文帳に追加

メモリ使用状況の情報に基づいて、相対的な値によりページに優先順位を付け、より有用なページをメモリにプリフェッチおよび／または保持するように機構が機能する。 - 特許庁

To solve such a problem as good print results cannot be attained when a system for setting the same attribute value on the entire surface is employed as the memory is consumed to cause deficiency in rendering memory.例文帳に追加

メモリの消費量があがりレンダリング用のメモリが不足するため、全面に同じ属性値を設定する方式を用いると、良好な印字結果が得られない問題が生じる。 - 特許庁

The memory control unit 30 converts the generated coordinates into an address of the memory 20, reads from the address a pixel value of the image before deformation, and outputs it as interlaced image data.例文帳に追加

メモリ制御部３０は、その生成された座標をメモリ２０のアドレスへ変換し、該アドレスより変形前画像の画素値を読み出してインターレース方式の画像データとして出力する。 - 特許庁

The microprocessor 100 includes: a main memory 110 provided with an evacuation area 112 storing a value of a register a; a cache memory 120; and a flag 180 having first and second status.例文帳に追加

マイクロプロセッサ１００は、レジスタａの値を保存する退避領域１１２が設けられたメインメモリ１１０と、キャッシュメモリ１２０と、第１と第２のステータスを有するフラグ１８０を有する。 - 特許庁

When a CPU 20 of a main microcomputer 2 executes a program stored in a memory 21, an output value to be output from the CPU 20 is successively stored in a memory 31 of a sub-microcomputer 3.例文帳に追加

メインマイコン２のＣＰＵ２０がメモリ２１に格納してあるプログラムを実行している場合、ＣＰＵ２０から出力される出力値が逐次サブマイコン３のメモリ３１に格納される。 - 特許庁

To set a threshold level of its reference cell in a short time in a semiconductor memory apparatus using variable threshold value nonvolatile memory cells as a reference current/potential generating means.例文帳に追加

本発明は、リファレンス電流／電位発生手段として、閾値変化型不揮発メモリーセルを用いた半導体記憶装置において、そのリファレンスセルの閾値を短時間で設定することを目的とする。 - 特許庁

To provide a control unit of an internal combustion engine capable of suppressing early malfunction of a non-volatile memory as the number of times of executing a memory update process reaches to its upper limit value.例文帳に追加

記憶更新処理の回数がその上限値に達すること伴って不揮発性メモリが早期に故障することを抑制することのできる内燃機関の制御ユニットを提供する。 - 特許庁

Additionally, the head control means 40 controls the gripping head 2 to move to the highest flat surface position of the picking height position to be found from a memory value of the height memory means 41 and to pick the work W.例文帳に追加

また、ヘッド制御手段４０は、高さ記憶手段４１の記憶値からわかるピッキング高さ位置が最も高い平面位置に把持ヘッド２を移動させてピッキングするように制御する。 - 特許庁

When a power source potential Vcc is increased, in write-operation in which a current value flowing into the memory cell is large, a cell power source potential which drops more is supplied to the memory cell MC.例文帳に追加

電源電位Ｖｃｃが上昇した場合、メモリセルに流入する電流値が大きなライト動作では、より大きく降圧したセル電源電位がメモリセルＭＣへ供給される。 - 特許庁

To provide a device for performing effective garbage collection by suppressing memory use quantity, when the number of referred memory cells instantaneously takes a large peak value by an operation of an application program(AP).例文帳に追加

アプリケーションプログラム（ＡＰ）の動作によりメモリセルの被参照数が瞬間的に大きなピーク値をとる場合にメモリ使用量を抑えて有効なガベージコレクションを行う装置を提供する。 - 特許庁

The pin configuration changing resister, when a memory interconnected with a base chip is changed, stores a pin-interconnection assignment value for deciding order of interconnection of a plurality of pins according as a memory type.例文帳に追加

ピン構成変更レジスタは、ベースチップに連結されるメモリが変更される場合、メモリタイプにしたがって複数のピンの連結順序を決定するピン連結割当て値を保存する。 - 特許庁

A logical value used in and read from each unit memory cell is defined by a difference in threshold voltage states of the first and second floating body transistor capacitor-less memory cells.例文帳に追加

各単位メモリセルに用いられて各単位メモリセルから読み出しされる論理値は第１及び第２フローティングボディートランジスタ型キャパシタレスメモリセルのスレッショルド電圧状態の差によって定義される。 - 特許庁

When the mode signal indicates a multi-value image, the line memory 3 stores part of the image data outputted from the image input section 1 and the compression processing memory 4 stores the other parts.例文帳に追加

モード信号が多値画像を示す場合には、画像入力部１から出力される画像データのうち一部をラインメモリ３に、他の部分を圧縮処理用メモリ４に保持させる。 - 特許庁

A counter 3 reads the start address to determine as an initial value of the count, and counts up in response to the increment signal to output as an address 33 of a A memory 6 or a B memory 7.例文帳に追加

カウンタ３は、開始アドレスを読み込んでカウントの初期値として設定し、インクリメント信号に応答してカウントアップしてＡメモリ６またはＢメモリ７のアドレス３３として出力する。 - 特許庁

To provide a memory device which has resistance to an error in general such as a timing error and a software error, and is guaranteed in reading a cell value correctly, and a memory read error detection method.例文帳に追加

タイミングエラーやソフトエラーなどのエラー全般への耐性を持ち、セルの値を正しく読み出すことを保証されたメモリ装置、およびメモリ読み出しエラー検出方法を提供する。 - 特許庁

These data are stored in ring buffer memory 5 at a prescribed input rate, and when a data storage of the ring buffer memory 5 exceeds a prescribed reference value, track jump of the pickup 2 is performed.例文帳に追加

このデータは、リングバッファメモリ５に、所定の入力レートで記憶され、リングバッファメモリ５のデータの記憶量が所定の基準値を超えた場合、ピックアップ２のトラックジャンプが行われる。 - 特許庁

The sense amplifier 30 compares a reading signal Icell outputted from the memory cell with the one referring signal group Iref to thereby detect a data value written in the memory cell.例文帳に追加

センスアンプ３０は、メモリセルから出力される読み出し信号Ｉｃｅｌｌと、上記一の参照信号群Ｉｒｅｆとを比較することによって、メモリセルに書き込まれたデータ値を検出する。 - 特許庁

At the time of storing data in the memory means 203, in the case the CPU 201 counts a predetermined number of sheets, the count value is cleared so that the data are stored with the address to be stored in the memory means 203 replaced.例文帳に追加

データを記憶手段２０３に記憶する時には、ＣＰＵ２０１が一定枚数カウントを行うと、カウント値をクリアして記憶手段２０３に記憶するアドレスをずらして記憶する。 - 特許庁

When the power supply from a power 151 to the core 112 is halted, the shield circuit 113 retains the electric potential of the memory control signal 114 at a constant value, generating a memory control signal 115.例文帳に追加

電源１５１からコア１１２への電源供給の停止時には、シールド回路１１３は前記メモリ制御信号１１４の電位を一定値に保持し、メモリ制御信号１１５とする。 - 特許庁

A memory cell array 1 connected to a word line and a bit line is constituted so that a plurality of memory cells for storing one value among n values (n is natural number of ≥2) are arranged in a matrix state.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、ワード線、及びビット線に接続され、ｎ値（ｎは２以上の自然数）のうちの１値を記憶する複数のメモリセルがマトリックス状に配置されて構成されている。 - 特許庁

Out of the first data to M-th data constituting the M value data, the M-th data are held by the memory element in an erasure state before write-in operation is performed for the memory element, in the first data, the physical burdens applied to the memory elements for writing are the largest out of the M-th value data.例文帳に追加

Ｍ値のデータを構成する第１データ〜第Ｍデータのうち、第Ｍデータは、記憶素子に対して書き込み動作が行われる以前の消去状態において記憶素子が保持するデータであり、第１データは、Ｍ値のデータのうちで最も書き込みのために記憶素子に与える物理的負担が大きいデータである。 - 特許庁

And, when free space of the 1st region 19a of the memory card becomes below a predetermined value, the oldest file is read out from the 1st region 19a on a memory 15, frames whose vehicle speed is under a predetermined value are deleted from the file, and the remaining frames are written in a 2nd region 19b of the memory card 19.例文帳に追加

そして、メモリカードの第１の領域１９ａの空き容量が所定値以下になったときに、第１の領域１９ａから最も古いファイルをメモリ１５上に読み出して、ファイル内から車速が所定値以下のフレームを削除して残ったフレームをメモリカード１９の第２の領域１９ｂに書き込む。 - 特許庁

The voltage measuring circuit measures the voltage value of a rectifier circuit, the switching circuit switches a circuit, based on correlation with temperature, selects a memory unit having the temperature data corresponding to the measured voltage value from among two or more memory units, reads out the temperature data of the above memory unit, and transfers the temperature data to an answer signal.例文帳に追加

電圧測定回路が整流回路の電圧値を測定し、温度との相関に基づき、スイッチング回路が回路を切り替え、複数の記憶部のうちから測定電圧値に対応する温度データを保持する記憶部を選択し、当該記憶部の温度データを読み出して応答信号に供給する。 - 特許庁

The collation information corresponding to the game value information stored in the memory means is generated in the power supply input (S24) and corrected (S25), and the resulting collation is compared with the collation information stored in the memory means (S26) to judge the propriety of the game value information stored in the memory means.例文帳に追加

電源投入時に、記憶手段に記憶されている遊技価値情報に対応する照合情報を生成し（Ｓ２４）、この照合情報を補正（Ｓ２５）したものと、記憶手段に記憶されている照合情報とを比較（Ｓ２６）して前記記憶手段に記憶されている遊技価値情報の正当性を判定する。 - 特許庁

This method for programming the phase change memory device comprises a process of measuring the resistance value of a phase change substance during programming of the phase change memory device and adjusting the current to be supplied to the phase change substance in the phase change memory device in response to the measured resistance value.例文帳に追加

相変化メモリ装置をプログラミングする方法において、相変化メモリ装置のプログラミング中に相変化物質の抵抗値を測定し、測定された抵抗値に応答して、相変化メモリ装置の相変化物質に供給する電流の大きさを調節する工程を含む相変化メモリ装置のプログラミング方法である。 - 特許庁

Next, color evaluation value of respective blocks of the image signals stored in the memory 102 are calculated, and a combination ratio is calculated on the basis of a difference between the color evaluation value of the respective blocks and the color evaluation value of white of the second light source.例文帳に追加

次に、メモリ１０２に記憶された画像信号の各ブロックの色評価値を算出して、前記各ブロックの色評価値と前記第２の光源の白の色評価値との差分に基づいて合成比率を算出する。 - 特許庁

When it is detected that a value acquired from the acceleration sensor is equal to or higher than a specified value stored in advance in a memory, a lens barrel position at that time is detected, and the value from the acceleration sensor and the lens barrel position are recorded on a storage medium.例文帳に追加

そして加速度センサから取得した値が、予めメモリに記憶している規定値以上の値を検出した場合、その時の鏡胴位置を検出し、加速度センサからの値と鏡胴位置を記憶媒体に記録する。 - 特許庁

After that, an in-machine remaining counter value within the recording paper information memory part 201 is also added thereto, so that the in-machine remaining counter value within the remaining paper information part 201 and a remaining counter value every door, are directed to an operation display part 205 through a main control part 204.例文帳に追加

その後、残紙情報記憶部２０１内の機内残紙カウンタをプラス１し、残紙情報記憶部２０１内の機内残紙カウンタ値及びドア毎の残紙カウンタ値をメイン制御部２０４を通し、操作表示部２０５に指示する。 - 特許庁

To provide a color conversion device, a color conversion program, and a color conversion method that can suppress a memory consumption and convert an achromatic component value included in an output value into a suitable value corresponding to the kind of a recording medium.例文帳に追加

メモリ使用量を抑制することができると共に、出力値に含まれる無彩色成分値を、記録媒体の種類に応じた適切な値にすることができる色変換装置、色変換プログラム、色変換方法を提供すること。 - 特許庁

A verification part 17 identifies a peak value of the number of pixel data in the distribution data HST, and carries out verification by reading verifying image data VER stored in a memory 16 by being related to a peak value closest to the peak value.例文帳に追加

照合部１７は、分布データＨＳＴ内の画素データの数のピーク値を特定し、当該ピーク値に最も近いピーク値に関連付けられてメモリ１６に記憶された照合用画像データＶＥＲを読み出して照合を行う。 - 特許庁

The mobile terminal 2, in accordance with a setting operation by the user, generates a secondary code C recording the value information, displays it to a display 5 and, at the same time, rewrites sequentially (irreversibly) value information remaining in a memory as a current value.例文帳に追加

携帯端末機２は、利用者の設定操作により、価値情報を記録した二次元コードＣを生成し表示器５へ表示する共に、メモリ内の残存価値情報を現在値として順次（不可逆的に）書替えていく。 - 特許庁

Thus, the hash value for collation of a system module is present in the memory 14 for the hash value table inside the processor, so that it is possible to prevent a hash table form being altered or erased, and to maintain a reliable status as the hash value for collation.例文帳に追加

このように、システムモジュールの照合用ハッシュ値がプロセッサ内部のハッシュ値テーブル用メモリ１４に存在することにより、ハッシュテーブルの改ざんや消去をすることはできず、照合用ハッシュ値として信頼できる状態である。 - 特許庁

This watchdog timer is equipped with a CPU 1, a timer 2 for executing measuring operation by control from the CPU 1, and an initial value memory part 3 for memorizing a restriction value and a measurement start value to be set in the timer 2.例文帳に追加

本発明に係るウォッチドックタイマは、ＣＰＵ１と、ＣＰＵ１からの制御により計測動作を行うタイマ２と、タイマ２に設定するための制限値および計測開始値を記憶する初期値記憶部３とを備えている。 - 特許庁

The signal processing circuit includes a feedback-coefficient change circuit that gradually changes the value of the feedback coefficient to be stored in the memory element from the allowable maximum value to the setting value while a predetermined time passes after the start.例文帳に追加

信号処理回路は、起動時から所定時間が経過するまでの間、記憶素子に格納されるフィードバック係数の値を許容最大値から設定値まで段階的に変更するフィードバック係数変更回路を備える。 - 特許庁