「memory value」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, all read parameters can be reflected with the offset value without changing contents of the parameter memory 1.例文帳に追加

これにより、パラメータメモリ１の内容を変更することなく、読み出されるパラメータの全てにオフセット値を反映することができる。 - 特許庁

A standard current memory section 43 memorizes a standard current value obtained by the standard current sampling treatment in accordance with the die.例文帳に追加

基準電流記憶部４３は、基準電流サンプリング処理で得た基準電流値を当該金型に対応させて記憶する。 - 特許庁

The device is provided with a memory cell array 1a for echo signal which shares a word line with the normal cell array 1 and in which an expected value pattern is written.例文帳に追加

ノーマルセルアレイ１とワード線を共有して期待値パターンが書き込まれるエコー信号用メモリセルアレイ１ａが設けられる。 - 特許庁

A memory device includes a memory component constituted to display a logical value corresponding to a data bit in a bit sequence and having an initial first resistance, a fault memory component constituted to display a second logical value corresponding to data bit in a bit sequence, and an additional memory component constituted to display an encoded bit in a bit sequence relating to the bit sequence with the fault memory component.例文帳に追加

本発明のメモリ装置は、ビット・シーケンス内のデータ・ビットに対応する論理値を表すようにそれぞれ構成された、初期の第１の抵抗を有するメモリ・コンポーネントと、第２の抵抗を有し、前記ビット・シーケンス内のデータ・ビットに対応する第２の論理値を表すように構成された不良メモリ・コンポーネントと、前記不良メモリ・コンポーネントを前記ビット・シーケンスと関連付ける前記ビット・シーケンス内のエンコード・ビットを表すように構成された追加のメモリ・コンポーネントを含む。 - 特許庁

When an external memory 21 whose residual capacity is the prescribed threshold value or over is loaded to the image processing apparatus and the storage of the image data to the external memory 21 is selected from the user via an operation section 5, the read image data by the plurality of pages are stored to the external memory 21.例文帳に追加

残容量が所定閾値以上である外部メモリ２１が装着されていて、そこへの画像データの蓄積が操作部５を介してユーザから選択された場合に、読み取った複数ページ分の画像データを外部メモリ２１に蓄積する。 - 特許庁

A memory cell power source control circuit 3 controls a power source (memory cell power source VDDM1) of a memory cell 1 of a column selected during write-in of data to a lower voltage value than a VDD level decided by divided voltage ratio of P type MOS transistors QP6 and QP7.例文帳に追加

メモリセル電源制御回路３は、データの書き込み時に選択されるカラムのメモリセル１の電源（メモリセル電源ＶＤＤＭ１）を、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱＰ６とＱＰ７の分圧比で決定される、ＶＤＤレベルより低い電圧値に制御する。 - 特許庁

To provide a device and a method for highly reliable memory control which allow the device having a memory mounted to operate normally without malfunctioning when source voltage is interrupted during the writing of data to the memory and later recovers to a specific value.例文帳に追加

メモリにデータを書込み中に電源電圧が切断され、その後、所定値に復帰した場合、上記メモリが搭載された装置が誤動作せず、正常に稼動することのできる信頼性の高いメモリ制御装置およびメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

At the end of a series of calculations using the read values from the memory A, calculation is performed using a value in the memory B as the "pre-calculation presence probability distribution" and the result is recorded in the presence probability memory A as the "post-calculation presence probability distribution".例文帳に追加

メモリＡから読み出された値による一連の演算が終了すると、今度は、メモリＢの値を「演算前存在確率分布」とし、演算を行い、その結果を「演算後存在確率分布」として、存在確率メモリＡに記録する。 - 特許庁

The memory is provided with a first resistive memory cell, a current source configured to supply an input current indicating a desired resistance value of the first memory cell, and a current mirror that mirrors the input current to supply an output current.例文帳に追加

メモリは、第１の抵抗メモリセルと、上記第１のメモリセルの所望の抵抗値を示す入力電流を供給するように構成された電流源と、上記入力電流を鏡映して出力電流を供給するカレントミラーとを備えている。 - 特許庁

Idle areas used for a signal delay buffer among idle areas dotted in a memory space are used for a memory block, and a start address table 120 is produced, which stores a start address of each memory block in cross- reference with a value indicated by the index section 111.例文帳に追加

メモリ空間に散在する空き領域のうち信号遅延バッファとして使用する空き領域をメモリブロックとし、各メモリブロックの開始アドレスをインデックス部１１１の示す値と関連付けて記憶する開始アドレステーブル１２０を作成する。 - 特許庁

At this time, in the case where a residual amount of a memory capacity of the memory card 111 is not more than a caution reference value, record data recorded in the memory card 111 are transmitted to the own office 80 through the road side machine 4 and an ETC management center 6.例文帳に追加

また、この際に、メモリカード１１１の記憶容量の残量が警告基準値以下である場合、路側機４及びＥＴＣ管理センタ６を介して、メモリカード１１１に記録されている記録データが自社事務所８０に送信される。 - 特許庁

To provide a sense amplifier circuit for a memory cell array arranged in a matrix, capable of accurately reading a data value stored in each memory cell even when noise is applied, and to provide a semiconductor memory device including the sense amplifier.例文帳に追加

ノイズが印加されたとしても各メモリセルに記憶されているデータ値を的確に読み出して出力することができるマトリクス状に配列されたメモリセルアレイに対するセンスアンプ回路及びそれを有する半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A memory cell power control circuit 3 controls the power source (memory cell power VDDM1) of the memory cell 1 of a column selected when writing data to a voltage value lower than a VDD level decided by the voltage dividing ratio of P type MOS transistors QP6 and QP7.例文帳に追加

メモリセル電源制御回路３は、データの書き込み時に選択されるカラムのメモリセル１の電源（メモリセル電源ＶＤＤＭ１）を、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱＰ６とＱＰ７の分圧比で決定される、ＶＤＤレベルより低い電圧値に制御する。 - 特許庁

The frequency data generator 1 calculates a difference value between a frequency value of a PIF signal measured by a PIF frequency counter 13 and a PIF standard frequency stored in a PIF reference value memory 14 at a difference calculation section 15, and corrects the frequency data read from a frequency data memory 11 at a frequency data correction section 16 on the basis of the difference value to provide an output.例文帳に追加

周波数データ発生装置１は、ＰＩＦ周波数カウンタ１３で計測されたＰＩＦ信号の周波数値とＰＩＦ基準値メモリ１４に格納のＰＩＦ規格周波数値との差分値を差分算出部１５で算出し、この差分値に基づいて、周波数データメモリ１１から読み出した周波数データの補正を周波数データ補正部１６で行って出力する。 - 特許庁

A control part 8 outputs the data (address value) outputted to the address designating part 5 to a memory part 6 on the basis of the obtained light intensity signal or the light emitting spectral signal, and reads out a set value stored in an address designated by the converted data from the memory part 6.例文帳に追加

制御部８は、取得した光強度信号又は発光スペクトル信号に基づいて、アドレス指定部５へ出力されたデータ（アドレス値）を記憶部６へ出力し、変換したデータで指定されるアドレスに記憶された設定値を記憶部６から読み出す。 - 特許庁

The method includes the step of detecting a cell current flowing through the resistive memory cell, the step of setting the control value depending on the detected cell current, and the step of providing information associated with the control value as memory data.例文帳に追加

本方法は、上記抵抗メモリセルに流れるセル電流を検出する工程と、検出された当該セル電流に依存して上記制御値を設定する工程と、上記制御値に関連付けられた情報をメモリデータとして供給する工程とを含んでいる。 - 特許庁

During the time from the start to the end of recording, the measured value data including a resin temperature and an injection pressure are sampled and stored in an internal memory (5), a data file (D) is prepared in a virtual disk (12) formed in the internal memory (5), and the measured value data are written in it.例文帳に追加

記録開始から記録終了の間、樹脂温度、射出圧力等の測定値データをサンプリングして内部メモリ（５）に格納すると共に、内部メモリ（５）に構成されている仮想ディスク（１２）にデータファイル（Ｄ）を作成して測定値データを書き込む。 - 特許庁

A reference voltage generating circuit generates reference voltage VREFS corresponding to a reference value of memory cell array voltage of this semiconductor memory in accordance with an electric resistance value RS adjusted finely responding to the tuning control signals TSa1-TSa4.例文帳に追加

基準電圧発生回路は、チューニング制御信号ＴＳａ１〜ＴＳａ４に応答して微調整される電気抵抗値ＲＳに応じて、本発明に従う半導体記憶装置のメモリアレイ電圧の基準値に相当する基準電圧ＶＲＥＦＳを生成する。 - 特許庁

The test pattern of an LSI for control is stored in a memory LSI as expected value data, and when the input/output timing is adjusted, the device is coped with all of the test patterns in a common discrimination circuit by means of discriminating with comparison of expected value data in the memory LSI and input data.例文帳に追加

制御用ＬＳＩのテストパターンをメモリＬＳＩに期待値データとして記憶し、入出力タイミング調整時には、入力データとメモリＬＳＩ内の期待値データを比較判定することで、共通の判定回路で全てのテストパターンに対応する。 - 特許庁

As current values (I1+I2) and (I3+I4) flowing from respective data line to a load element are the same at any time, potential difference between data lines is amplified by time accumulation of difference of a current value of a selection memory cell and a current value of a memory cell for reference.例文帳に追加

それぞれのデータ線から負荷素子へ流れる電流値（Ｉ１＋Ｉ２）と（Ｉ３＋Ｉ４）は、どの時点でも同じになるので、データ線対間の電位差は選択メモリセルの電流値と参照用メモリセルの電流値の差分の時間累積によって増幅される。 - 特許庁

Parallelly thereto, prescribed time set to a timer value memory 6 is measured by a timer circuit 5 and the data of the measured blood pressure value are transmitted to the prescribed opposite party of the dial number stored in the dial number memory 7 with a set time interval.例文帳に追加

それと並行して、タイマ回路５によりタイマ値メモリ６に設定された所定の時間が計測され、設定された時間間隔で上記測定された血圧値のデータがダイヤル番号メモリ７に記憶されているダイヤル番号の所定の相手に送信される。 - 特許庁

To reduce a leak current varied according to the resistance value of a memory cell to be read consisting of a variable resistance element storing ternary or more multi-value information, and to improve the readout margin, in a semiconductor storage device having a memory cell array of a cross point type.例文帳に追加

クロスポイントタイプのメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、３値以上の多値情報を記憶する可変抵抗素子からなる読み出し対象のメモリセルの抵抗値に依存して変化するリーク電流を低減し、読み出しマージンの向上を図る。 - 特許庁

Thereafter, the absorbancy data is read from the absorbancy data memory part 60a by a control part 60d, and concn. is calculated on the basis of the read absorbancy data by an calculation processing part 60b to obtain a concn. value, which is in turn stored in a concn. value memory part 60c.例文帳に追加

その後、制御部６０ｄにより吸光度データ記憶部６０ａから吸光度データを読み出し、読み出した吸光度データを基に演算処理部６０ｂにより濃度演算を行わせて濃度値を取得し、この濃度値を濃度値記憶部６０ｃに記憶させる。 - 特許庁

Further, the transmission/reception of the seed information between the digital data recording apparatus 100 and the IC card 150 is controlled in accordance with the value of an apparatus flag stored in the information memory 111 of the digital data recording apparatus 100 and the value of a card flag stored in an information memory 153 of the IC card 150.例文帳に追加

また、デジタルデータ記録装置の情報メモリに記憶される装置フラグの値、ＩＣカードの情報メモリ１５３に記憶されるカードフラグの値によって、デジタルデータ記録装置とＩＣカードとの間におけるシード情報の送受信が制御される。 - 特許庁

The random number used for determination of the first hold memory read-ahead determination processing is the same value as a value of a hard random number stored in the first hold memory area for a special pattern, so that a result of big winning determination and a result of read-ahead determination can be matched.例文帳に追加

第１保留先読み判定処理の判定で用いられる乱数は、第１特別図柄用保留記憶領域に記憶されたハード乱数の値と同じ値であるため、大当り判定の結果と先読み判定の結果を一致させることができる。 - 特許庁

Since this processing is repeated until the absorption control of a starting memory corresponding to a winning random number count value is performed, game characteristic can be improved by considering the random number count value for judging the big winning which is already extracted with respect to the starting memory.例文帳に追加

この処理を当り乱数カウント値に対応する始動メモリの消化制御が行われるまで繰り返すので、始動メモリに対して既に抽出されている大当り判定用乱数カウント値を考慮して遊技性を向上させることが可能となる。 - 特許庁

The image processor which generates image data from drawing information and thereafter compresses the image data to store in a memory determines whether the data capacity of the image data exceeds a difference value between a free capacity which can be secured in the memory and a first threshold determined from a memory capacity usable in the memory (S404).例文帳に追加

描画情報からイメージデータを生成した後、イメージデータを圧縮してメモリに記憶させる画像処理装置において、イメージデータのデータ容量がメモリに確保できる空き容量とメモリで使用できるメモリ容量から決定される第１のしきい値との差分量を超えるかどうかを判断する（Ｓ４０４）。 - 特許庁

To quickly and completely erase data in a group of memory cells in a semiconductor storage that uniformly executes data erasure until an entire cell threshold is set to standard value or less with the group of memory cells, and replenishes, the memory cell with electric change where the cell threshold is set to the minimum one or less in the group of memory cells where data has been erased.例文帳に追加

データ消去を全部のセル閾値が基準以下となるまで一群のメモリセルで一様に実行し、データ消去した一群のメモリセルのうちセル閾値が下限閾値以下のものには電荷を補充する半導体記憶装置において、一群のメモリセルでのデータ消去を迅速に完了できるようにする。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory includes memory cells MC11 to MCnm for storing an information based on change in a resistance value, and word lines WL1 to WLn and first bit lines BL1 to BLm which are connected to the memory cells MC11 to MCnm and activated when data of predetermined memory cell are read out and written in.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、抵抗値の変化に基づき情報を記憶するメモリセルＭＣ１１〜ＭＣｎｍ、メモリセルＭＣ１１〜ＭＣｎｍに接続され且つ所定のメモリセルのデータの読み出し時及び書き込み時に活性化されるワード線ＷＬ１〜ＷＬｎ及び第１ビット線ＢＬ１〜ＢＬｍを有する。 - 特許庁

This memory includes a plurality of memory cells where data are electrically written or erased, a word line Wl and a bit line connected to the plurality of memory cells, and a means for changing discharging time according to the value of an X address, i.e., the position of the word line WL, when data are read from the memory cell.例文帳に追加

電気的に書き込み及び消去可能な複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルに接続されるワード線ＷＬ及びビット線と、前記メモリセルからデータの読み出しを行う際、Ｘアドレスの値、すなわち前記ワード線ＷＬの位置に応じてディスチャージ時間を変更する手段とを備える。 - 特許庁

In addition, information showing close phase difference is stored in a phase difference memory 30, a phase difference window PW is calculated from the average value of information of phase difference stored in the phase difference memory 30, and the range of phase difference to be stored in the phase difference memory from now on is set as the phase difference window PW in the phase difference memory 30.例文帳に追加

また、直近の位相差を示す情報を位相差メモリ３０に蓄え、該位相差メモリ３０に蓄えられた位相差の情報の平均値から位相差ウィンドウＰＷを算出し、位相差メモリ３０にこれから記憶させる位相差の範囲を該位相差ウィンドウＰＷとして設定するようにした。 - 特許庁

A skip control unit 24 compares the amount of data written in a first memory 4 with the amount of data read out from the first memory 4, and moves image data equivalent to one frame held by the first memory 4 to a second memory 22 when the amount of write data exceeds the read data beyond a reference value.例文帳に追加

スキップ制御部２４は、第１のメモリー４に書き込まれたデーターの量と第１のメモリー４から読み出されたデーターの量とを比較して、書き込みデーター量が読み出しデーター量より基準値を越えて多くなった場合に、第１のメモリー４が保持している１フレーム分の映像データーを第２のメモリー２２に移す。 - 特許庁

The detector circuits 6b detect the storing states of the memory circuits, and output the data stored in the elements in the block when the memory circuits store the data of the first logical levels, but output a certain constant value without depending on the data in the memory elements in the block when the memory circuits store the data of the second logical levels.例文帳に追加

検出回路６ｂは、記憶回路の記憶状態を検出し、記憶回路が前記第１の論理レベルを記憶している場合、ブロック内の記憶素子のデータを出力し、記憶回路が前記第２の論理レベルを記憶している場合、ブロック内の記憶素子のデータによらず一定の値を出力する。 - 特許庁

In this dynamic memory managing method for performing the memory allocation and release of the data in accordance with the command from a processor, the pointer information in an address management area recording the pointer information to a memory block of the actual memory data area storing the data, is returned to a demander program for the processing of the data, as a return value.例文帳に追加

プロセッサからの指令に応じてデータのメモリ割付と解放を行う動的メモリ管理方法であって、データの処理の要求元プログラムに対して、このデータを記憶する実メモリデータ領域のメモリブロックへのポインタ情報を記録するアドレス管理領域における当該ポインタ情報を戻り値として返す。 - 特許庁

In the OTP memory where a shape of the cumulative frequency distribution is substantially linear, the OPT memory of reduced power consumption is provided, by estimating the value of a voltage optimal for writing of the memory element by using the cumulative frequency distribution, and setting a voltage optimal for writing of the memory element.例文帳に追加

また、累積度数分布の形状が概略直線であるＯＴＰメモリにおいては、この累積度数分布を用いてメモリ素子の書き込みに最適な電圧の値を推定し、メモリ素子の書き込みに最適な電圧を設定することにより、消費電力を低減させたＯＴＰメモリを提供することができる。 - 特許庁

To provide a memory inspection circuit capable of performing checksum value calculation reading the whole area for memory read inspection in parallel with execution of a program stored in memory with a microprocessor and quickly detecting defective memory conditions with the external circuit configuration of ASIC maintained same as before.例文帳に追加

マイクロプロセッサによるメモリ上に格納されたプログラムの実行と並行して、メモリの読み出し検査対象となる全領域をリードするサム値計算を実行可能とし、ＡＳＩＣ外部の回路構成を従来と同じにしたまま、メモリの不良状態を速やかに検出できるメモリ検査回路を実現する。 - 特許庁

The method comprises steps of: accessing a data value in a memory within the data processing apparatus; initiating processing of the data value within the data processing apparatus; detecting whether the data value accessed is corrupted; and disabling an interface between the data processing apparatus and a device to prevent propagation of a corrupted data value to the device, when it is detected that the data value is corrupted.例文帳に追加

本方法は、データ処理装置内のメモリのデータ値にアクセスするステップと、データ処理装置内でデータ値の処理を開始するステップと、アクセスされたデータ値の破損の有無を検出するステップと、データ値の破損が検出されたとき、破損データ値のデバイスへの伝達を防ぐために、データ処理装置とデバイスとの間のインタフェースを無効にするステップとを含む。 - 特許庁

When an instruction error occurs, the ASIC stops, and the MPU acquires the instruction address of an inactive instruction and the input parameter value from the register, and stores them in a storage memory of a backup memory 11g, or the like.例文帳に追加

命令エラーが発生すると、ＡＳＩＣが停止し、ＭＰＵがレジスタから停止している命令の命令アドレスと入力パラメータ値を取得すると共に、バックアップメモリ１１ｇ等の記憶メモリに格納する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, in which an over-erased condition is not left after batch erasing, and memory cells are put into an erasing condition having a desired threshold-value range to prevent malfunction.例文帳に追加

一括消去後に過消去状態を残さず、メモリセルを所望のしきい値範囲の消去状態に追い込んで誤動作を防止するようにした不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for programming a non-volatile memory cell of which a current value of a current flowing in a cell is controlled through a current limiter coupled to a source node of a memory cell.例文帳に追加

セルの中を流れる電流の電流値が、メモリーセルのソース・ノードに結合した電流リミッターを通して制御される不揮発性メモリー・セルをプログラムするための方法と装置を提供する。 - 特許庁

A DSP 102 discriminates the value of a BPM (Beat Per Minutes) of music, which is reproduced from the musical piece data stored in a storage section 110, a memory cards 120 and 121, or a USB memory 122.例文帳に追加

記憶部１１０、メモリカード１２０、１２１、またはＵＳＢメモリ１２２に記憶されている楽曲データについて、当該楽曲データにより再生される音楽のＢＰＭ（Beat Per Minutes）の値をＤＳＰ１０２が判別する。 - 特許庁

A factor/pixel value converting part 213 performs L3-L1 decoding using the DCT factor of each hierarchy stored in the memory 206 in parallel with writing of the DCT factor in the memory part 206.例文帳に追加

係数／画素値変換部２１３は、このメモリ２０６へのＤＣＴ係数の書き込みと並列に、メモリ部２０６に格納された各階層のＤＣＴ係数を利用したＬ３〜Ｌ１デコード処理を実行する。 - 特許庁

Once data writing to a memory tag 21 is determined, a CPU 13 converts a voltage Vs to a digital value at an analog/digital(A/D) terminal and then inputs it before data begin to be written to the memory tag 21.例文帳に追加

メモリタグ２１へのデータ書き込みが決定されると、メモリタグ２１へのデータの書き込みを開始する前に、ＣＰＵ１３は、電圧Ｖｓを、アナログデジタル（Ａ／Ｄ）端子でデジタル値に変換した後に入力する。 - 特許庁

As an example of this service providing system, a copying machine 1 obtains the current accumulated point value from the memory card that the customer bears through a memory card reader 11 and outputs it to a control part 13.例文帳に追加

本発明のサービス提供システムの一例としての複写機１が、メモリカードリーダ１１により、顧客の所持するメモリカードから、現在の累計ポイント値を取得し、制御部１３に出力する。 - 特許庁

Thereby, a read operation for detecting deterioration is performed only once and an alarm signal is output when the memory cell is deteriorated and moreover the normal value of the memory cell is held during output of the alarm signal.例文帳に追加

これによって、劣化検出のための読み出しを一度ですむようにし、また、メモリセルが劣化した際に警報信号を出力し、更に、警報信号の出力時にメモリセルでの正常な値を保持する。 - 特許庁