「memory value」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

When the value in the total reserved memory number counter is at least the previous value in the reserved memory number counter (Step S101C), the CPU determines that the number of reserved memory tends to increase, and selects a variation pattern from a first reduced variation pattern table in which the reduction time is set shorter than in a second reduced variation pattern table (Step S102A).例文帳に追加

合算保留記憶数カウンタの値が前回保留記憶数カウンタの値以上であるとき（ステップＳ１０１Ｃ）、ＣＰＵは、保留記憶数が増え勝手であると判定して、第２短縮変動パターンテーブルより短縮時間が短く設定されている第１短縮変動パターンテーブルから変動パターンを選択する（ステップＳ１０２Ａ）。 - 特許庁

In a display device displaying an image, a data line supplying luminance being the brightness of a pixel to the pixel, a luminance memory holding the supplied luminance value, a strobe line generating a write-in strobe to the luminance memory and a light emitting part generating luminance, corresponding to the luminance value read out from the memory are provided for every pixel.例文帳に追加

画像を表示する表示装置において、各画素ごとに、該画素に該画素の明るさである輝度値を供給するデータ線と、供給された前記輝度値を保持する輝度メモリと、前記輝度メモリへの書き込みストローブを発生するストローブ線と、前記輝度メモリより読み出した前記輝度値に応じた、輝度を発生する発光部とを備えたことを特徴とする - 特許庁

A method for activating a memory includes receiving a select signal at the memory, receiving a plurality of address bits at the memory, determining whether the select signal is active, determining whether a first bit in the plurality of address bits has a first value, and activating the memory only if the select signal is active and the first bit has the first value.例文帳に追加

メモリにおいてセレクト信号を受信すること、上記メモリにおいて複数のアドレスビットを受信すること、上記セレクト信号がアクティブであるかどうかを識別すること、上記複数アドレスビットにおける第１ビットが第１値を有するかどうかを識別すること、および、上記セレクト信号がアクティブであり、上記第１ビットが上記第１値を有する場合のみ、上記メモリをアクティブにすることを含む。 - 特許庁

The determination as to whether the power supply from the outside has been cut off is made by writing data having a predetermined value to a nonvolatile memory, and storing, in the nonvolatile memory, a table in which a variation rate of the data written in the nonvolatile memory is corresponded with an elapsed time from the writing.例文帳に追加

不揮発性メモリに、予め定められた値を有するデータを書き込み、不揮発性メモリに書き込まれたデータの値の変化率を書込みからの経過時間に対応付けたテーブルを格納し、外部からの電源供給が断たれたかを判定する。 - 特許庁

Dynamic control of a capacitance value of a capacitance-variable decoupling capacitor component 5 that is connected with a power feeding system on a memory LSI3 depending on the operation of the memory LSI3 allows the wide bandwidth and low impedance of the power feeding system on the memory LSI3 with fewer chip components.例文帳に追加

メモリＬＳＩ３の動作に応じて、メモリＬＳＩ３の給電系に接続された容量値可変のデカップリングコンデンサ部品５の容量値を動的に制御することにより、少ないチップ部品でメモリＬＳＩ３の給電系の広帯域低インピーダンス化を実現する。 - 特許庁

The method includes (a) writing a value into a first memory 560 which forms a portion of an RFID tag and which has a length; (b) writing a form in the second memory 550 of the RFID tag: and (c) imposing access control rules on the first memory 560 in response to (a) and (b).例文帳に追加

（ａ）ＲＦＩＤタグの一部を成すと共に長さを有する第１のメモリ５６０に値を書き込み、（ｂ）前記ＲＦＩＤタグの第２のメモリ５５０に型を書き込み、（ｃ）前記（ａ）および（ｂ）に応答して、前記第１のメモリ５６０にアクセス制御規則を課す。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which can operate at high speed and has reversibly stable rewriting characteristics and good resistance value retention characteristics, to provide a process for producing the nonvolatile memory element, and to provide a nonvolatile semiconductor device using the nonvolatile memory element.例文帳に追加

高速動作が可能で、しかも可逆的に安定した書き換え特性と、良好な抵抗値のリテンション特性を有する不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置を提供する。 - 特許庁

The computer system includes a plurality of memory modules for storing first SPD information including specification information, and a nonvolatile memory for storing an access set value to be used for a memory access in the system and second SPD information being the duplication of the first SPD information.例文帳に追加

仕様情報を含む第１のＳＰＤ情報を格納する複数のメモリモジュールと、システム内のメモリアクセスに用いられるアクセス設定値と、第１のＳＰＤ情報の複製である第２のＳＰＤ情報とを記憶する不揮発性メモリとを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a test function for surely detecting a defective memory cell, of which the capacity value of a capacitor in a memory cell is lower for a standard range, since the possibility of causing a defective cell becomes high, as increase in the capacity proceeds in the future.例文帳に追加

今後大容量化が進むに連れて不良セルを生む可能性も高くなるため、メモリセルにおけるコンデンサの容量値が規格範囲に対して低い不良メモリセルを確実に検出するテスト機能を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a designing method capable of preventing the read of wrong data by reducing the apparent shift quantity of a threshold value concerning a non-volatile semiconductor memory circuit provided with a non-volatile memory cell (memory cell) for storing data corresponding to the level of a threshold voltage.例文帳に追加

しきい値電圧の高低によりデータを記憶する不揮発性記憶素子（メモリセル）を含む不揮発性半導体記憶回路において、見かけ上のしきい値のシフト量を小さくして誤ったデータの読み出しを防止できる設計方法を提供する。 - 特許庁

The wait control part 30 changes the wait number at the time of accessing a memory as an access object, compares read data from the memory with an expected value every time of the change of the wait number and decides the wait number in memory access based on the compared result.例文帳に追加

ウェイト制御部（３０）は、アクセス対象とされるメモリをアクセスする際のウェイト数を変化させるとともに、このウェイト数の変化毎に上記メモリからのリードデータを期待値と比較し、この比較結果に基づいて上記メモリアクセスにおけるウェイト数を決定する。 - 特許庁

In the device including an A/D converter 10 and a nonvolatile memory 20, an offset voltage VOFS of the converter 10 is measured at a detection before shipping, a correction value DOFS to correct a conversion result responding to the measured voltage VOFS to memory into the memory 20.例文帳に追加

Ａ／Ｄコンバータ１０と不揮発性メモリ２０を含む半導体装置において、出荷前の検査でＡ／Ｄコンバータ１０のオフセット電圧Ｖ_OFS を測定し、それに応じて変換結果を補正する補正値Ｄ_OFS を求めて不揮発性メモリ２０に記憶する。 - 特許庁

An optimum write-in pulse is given to the memory cell 11 from a write-in voltage control means 18 in accordance with values of parameters stored in the storage means 16, and a threshold voltage value Vth is made a target value.例文帳に追加

記憶手段１６が記憶したパラメータの値に応じて、書き込み電圧制御手段１８から最適な書き込みパルスをメモリセル１１に与えて、閾値電圧値Ｖthを目標とする値にする。 - 特許庁

More specifically, when the electronic control apparatus is activated by the soak timer, an activation history flag and an activation counter value which is the value of the timer counter at that time are stored in a nonvolatile memory (step S203, S204).例文帳に追加

具体的には、ソークタイマによって電子制御装置が起動した際に、「起動履歴フラグ」及びそのときのタイマカウンタの値である「起動カウンタ値」を不揮発性メモリに記憶する（ステップＳ２０３、Ｓ２０４）。 - 特許庁

The data distribution detection section 14 detects the distribution state of the color signal data stored in the line memory 11 and decides an additional value attached to the data value on the basis of the distribution state.例文帳に追加

データ分布検出部１４がラインメモリ１１に保持されている色信号データのデータ値の分布状態を検出し、当該分布状態に基づいて当該データ値に付加する付加値を決定する。 - 特許庁

The IC chip 2 reads out the hash value corresponding to the received request from the memory, in response thereto, collates it with the received hash value, and allows use of the application for the IC chip when consistent.例文帳に追加

これに応答して、ＩＣチップ２は、受信した要求に対応するハッシュ値をメモリから読み出し、受信したハッシュ値と照合し、一致する場合、ＩＣチップ用のアプリケーションを利用可能とする。 - 特許庁

Responsive to the first congruence class failing to be allocated a predetermined number of times, one page size of memory for the first congruence class is allocated and a first allocation value is incremented by a value of 1.例文帳に追加

第１の合同クラスが所定の回数割り当てられなかったことに応じて、第１の合同クラスについてのメモリの１ページ分のサイズが割り当てられ、第１の割り当て値が１の値で増分される。 - 特許庁

When the correlation degree value is not lower than the reference value C (S160: YES), new road data is created, based on data on the unconfirmed routes (S170) and is stored in a map data memory as learnt roads (S180).例文帳に追加

相関度合いの値が基準値Ｃ以上の場合（Ｓ１６０：ＹＥＳ）、未確定経路のデータに基づいて新規道路データを作成し（Ｓ１７０）、学習道路として地図データに格納する（Ｓ１８０）。 - 特許庁

A print block B reads the adjustment value corresponding to the detection result of the code sensor 22 from the semiconductor memory RAM/ROM and a conveying amount or the like of printing paper is adjusted based on the read adjustment value.例文帳に追加

プリントブロックＢは、コードセンサ２２の検出結果に対応する調整値を半導体メモリＲＡＭ／ＲＯＭから読み出し、該読み出した調整値に基づきプリントペーパの搬送量等を調整する。 - 特許庁

The maximum square sum S1max being the maximum value, and the minimum square sum S1min being the minimum value, out of the square sum S1 computed sequentially in a determination block B1, are stored in a memory.例文帳に追加

判定ブロックＢ１において順次演算される２乗和Ｓ１のうち最大値である最大２乗和Ｓ１ｍａｘと最小値である最小２乗和Ｓ１ｍｉｎとがメモリに記憶される。 - 特許庁

Further, a deviation of the center of the gap of the groove from a reference line in the image is calculated, the calculated value and the reference value are compared and its result together with the advance distance is stored in the memory.例文帳に追加

また、上記画像中の開先隙間の中心の基準線からのずれ量を演算し、この演算値と基準値とを比較して、その結果を上記前進距離とともにメモリに記録すること。 - 特許庁

A control part 45a of a CPU 45 mounted on the sub-board 17 reads out a set storage value Y (Y: 1-6) stored in a RAM area of a memory 46, and compares the same with the set value X.例文帳に追加

サブ基板１７に配されるＣＰＵ４５の制御部４５ａでは、メモリ４６のＲＡＭ領域に記憶された設定記憶値Ｙ（Ｙ：１〜６）を読み出して、設定値Ｘとの比較を行う。 - 特許庁

Count values are circulatively and successively written in plural areas (a), (b), (c) of a count part 4 of the nonvolatile memory and the maximum value among the values written in the areas (a), (b), (c) is defined as the count value.例文帳に追加

不揮発性メモリのカウント部４の複数のエリアａ、ｂ、ｃに循環的に順次カウント値を書込むようにし、これらのエリアａ、ｂ、ｃに書込まれた値のうちの最大値をカウント値とする。 - 特許庁

A position where a surface coordinate value of the object 10 to be measured stored in a memory in advance is in conformity with the quasi-intersection point coordinate value is calculated and the position of the noise source S is obtained by the conformity position.例文帳に追加

予めメモリに記憶された被測定物１０の表面座標値と前記仮想交点座標値とが一致する位置を演算し、一致する位置により音源Ｓの位置が求められる。 - 特許庁

A control means 12 controls the copying speed of an original based on a control parameter, and a non-volatile memory 15 previously stores a set value for 20CPM (20 sheets/minute) as the value of the control parameter.例文帳に追加

制御手段１２は原稿の複写速度を制御パラメータに基づいて制御し、不揮発メモリ１５は該制御パラメータの値として２０ＣＰＭ（２０枚／分）用設定値を予め記憶している。 - 特許庁

The control part 11 started by power supply of the power generation part 16 reads out the counted value in the memory 13 to transmit it to the terminal 2, and the terminal 2 receives this counted value to record it on a recording paper.例文帳に追加

電源生成部１６の電源供給により起動された制御部１１は、メモリ１３のカウント値を読み出して端末２に送信し、端末２はそのカウント値を受信して記録紙に記録する。 - 特許庁

A first WB correction value corresponding to a first light source is determined for image signals stored in a memory 102 first, and a second WB correction value corresponding to a second light source is determined next.例文帳に追加

まず、メモリ１０２に記憶された画像信号に対して、第１の光源に対応した第１のＷＢ補正値を決定し、次に、第２の光源に対応した第２のＷＢ補正値を決定する。 - 特許庁

When an area of a memory 11, in which the value of the variables var3 are written, is regarded as single precision floating point type data and accessed, the value can be used as a result of the shift operation of the floating point number x.例文帳に追加

ｖａｒ３の値を書き込んだメモリ１１の領域を単精度浮動小数点型データとみなしてアクセスすれば、浮動小数点数ｘのシフト演算の結果として値を利用できる。 - 特許庁

After the bonding point is set to the coordinate value of the island corresponding to the patterned position set to the selection state, and the effect of the bonding to the coordinate value is stored in the memory device (S5), the bonding is conducted.例文帳に追加

選択状態に設定されたパターン化位置に対応するアイランドの座標値にボンディングポイントを設定し、この座標値にボンディングする旨を記憶装置に記憶した後（Ｓ５）、のボンディングを行う。 - 特許庁

The optimal value is determined in short time by a fact that the second optimal fine adjustment value is read from the memory and only fine adjustment is performed based on a measurement point in the vicinity of it when a user starts the device.例文帳に追加

ユーザが装置を起動する時、前記第２最適精調整値がメモリから読み出され、近傍の測定点を基に精調整のみが行われる事により、短時間で最適値決定がなされる。 - 特許庁

The controller 12 leaves the stored contents of the memory 131 as it is if the measured vale of the timer 14 is larger than a predetermined value, resets the measured value of the timer 14, and becomes the incoming detection standby state.例文帳に追加

制御部１２はタイマ１４の計測値が所定の値より大きければ、着信メモリ１３１の記憶内容をそのままにし、タイマ１４の計測値をリセットし、着信の検出待ち状態となる。 - 特許庁

A subtractor is designed to subtract the check node output value read from the edge memory from the accumulated vale of the accumulator, a hard decision unit is designed to perform hard decision relating to the reception information and output value of the subtractor.例文帳に追加

減算器は、累算器の累算値からエッジメモリから読み出された検査ノード出力値を減算し、硬判定部は、受信情報及び減算器の出力値に対する硬判定を遂行する。 - 特許庁

The remaining magnetism value is calculated from the detected magnetism value detected by the 3-axis magnetic sensor 38 and standard terrestrial magnetism gained, based on terrestrial magnetism data stored in a terrestrial magnetism data memory 22.例文帳に追加

残留磁気値は、３軸磁気センサ３８が検出した検出磁気値と、地磁気データ記憶部２２が記憶する地磁気データに基づいて取得された標準の地磁気の値とに基づいて算出される。 - 特許庁

Next, the rewriting part 4 adds instruction description for acquiring an identification number of a memory area to be accessed, to the inspecting program by subtracting the pointer value from the inspection value of the expansion pointer structure.例文帳に追加

次に、書き換え部４は、検査用プログラムに、拡張ポインタ構造体の検査値からポインタ値を減じることで、アクセス対象となるメモリ領域の識別番号を取得する命令記述を追加する。 - 特許庁

Each load cell initial load value corresponding to a load signal from each load cell 4 under a no-load condition for initial load setting is stored in a load cell initial value memory attached to the CPU 14.例文帳に追加

初期荷重設定用無負荷状態における前記各ロードセル４からの荷重信号に対応するロードセル初期荷重値それぞれをＣＰＵ１４に付属するロードセル初期荷重値メモリが記憶している。 - 特許庁

After finishing photographing, with respect to the echo signal for every photographing, a signal attenuation value caused by consecutive photographing is estimate from a T1 value and TR stored in the memory to correct an echo signal quantity (106).例文帳に追加

撮影終了後、各撮影毎のエコー信号について、上記T1値とメモリに記憶されたTRから、連続撮影に起困する信号減衰量を推定し、エコー信号量の補正を行なう。 - 特許庁

An operator can show an arbitrary part of the data stored in the continuous blood pressure value memory means 13 on the display 16 by a control blood pressure value display 15 as blood pressure data for control.例文帳に追加

操作者は連続血圧値記憶手段13に記憶されたデータの任意の部分を参照用血圧データとして、参照血圧値表示手段15によってディスプレイ16に表示することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a voltage value of power source voltage supplied to a SRAM cell during a sleep mode can be made a voltage value being optimum for reducing a leak current of the SRAM cell.例文帳に追加

スリープモード時にＳＲＡＭセルに供給する電源電圧の電圧値をＳＲＡＭセルのリーク電流の低減化に最適な電圧値とすることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A selector 202 selects the liquid crystal response prediction value of the following frame prediction table 201, before the liquid crystal display part 104 responds to the input video signal and outputs the prediction value to the frame memory 101.例文帳に追加

セレクタ２０２は、液晶表示部１０４が入力映像信号に応答するまでの間、次フレーム予測テーブル２０１の液晶応答の予測値を選択して、フレームメモリ１０１に出力する。 - 特許庁

Finally, the CPU, being instructed by the control program stored in the main memory, corrects the first predicted value based on said correction rule corresponding to the variable condition data, and determines the second predicted value. 例文帳に追加

更に、中央処理装置は、メインメモリ中の制御プログラムの指令を受け、上記変動条件データに応じた補正ルールに基づいて第１の予測値を補正して第２の予測値を決定する。 - 特許庁

A printer reads the cumulative value written in the cartridge memory, and estimates that the remaining amount of toner is less than a predetermined amount when the cumulative value reaches a predetermined amount or more, and judges that the cartridge has already been used.例文帳に追加

プリンタは、、カートリッジメモリに書き込まれた累積値を読み出して、累積値が所定値以上に達しているとトナーの残量が所定量以下であると推定し、カートリッジを使用済みと判定する。 - 特許庁

An output value based on a signal from a light receiving element 11 is stored in a storage memory 28 as an initial value while a light emitting element 10, the light receiving element 11 and a smoke density detection chamber are in a clean condition.例文帳に追加

発光素子１０、受光素子１１および煙濃度検出室が清浄状態で、受光素子１１からの信号に基づく出力値を、初期値として格納用メモリ２８に格納する。 - 特許庁

The discrimination part 5 discriminates normality when the calculated value is zero or discriminates the existence of an error when the value is not zero, inputs the discrimination signal to a display part 6 to display whether the data stored in the memory 1 are normal or not.例文帳に追加

判別部は、算出値がゼロならば正常、ゼロでなければエラーありを判別し、この信号を表示部６に入力し、メモリに記憶されているデータが正常か否かを表示する。 - 特許庁

A counter is incremented each time data are written in a cache, and when the count value of the counter is equal to or more than a preliminarily specified value, cache data for one line are rewritten in an external memory, and the counter is decremented.例文帳に追加

キャッシュにデータが書き込まれる度にカウンタをインクリメントし、このカウンタのカウント値が予め規定された値以上になると、１行分のキャッシュデータを外部メモリに書き戻し、カウンタをデクリメントする。 - 特許庁

On the other hand, expected value data stored in multi expected value memory 4 and a phase signal A17 of a period of 1/N multiplication of the period start signal A11 are inputted to a selecting part 10 via the delay circuit 7.例文帳に追加

一方、マルチ期待値メモリ４に格納されている期待値データおよび、ピリオドスタート信号Ａ１１の１／Ｎ倍の周期の位相信号Ａ１７は、遅延回路を介して選択部１０へ入力される。 - 特許庁