「memory value」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

In creating and writing redundant data such as mirror data and parity, an update value or a value before update of data held in the cache memory of each cluster is directly used through the network connecting each cluster.例文帳に追加

ミラーデータやパリティなど冗長データの作成および書き出し時には、クラスタ間を接続するネットワークを介して、各クラスタのキャッシュメモリに保持されたデータの更新値や更新前の値を直接用いる。 - 特許庁

Further, by comparing the feature value calculated from the image data displayed by the detector circuit on the display with the feature value memorized by the memory circuit, the display unit displays information according to this comparison result.例文帳に追加

そして、検出回路が前記ディスプレイに表示された画像データから演算した特徴値と、記憶回路に記憶された特徴値を比較し、ディスプレイが、この比較結果に応じた情報を表示する。 - 特許庁

A program information memory 22 stores program information including a parental value previously set by the broadcasting station about programs broadcasted from the broadcasting station and a self-parental value optionally set by the user.例文帳に追加

番組情報メモリ２２は、放送局から放送される番組について、放送局側で予め設定されたパレンタル値及びユーザが任意に設定するセルフパレンタル値を含む番組情報を記憶する。 - 特許庁

An assist torque target value setting part 21 sets an assist torque target value following a corrected assist characteristic by retrieving the assist characteristic memory part 22 in accordance with the steering torque and the shift quantity.例文帳に追加

アシストトルク目標値設定部２１は、操舵トルクおよびシフト量に基づいてアシスト特性記憶部２２を検索することにより、修正アシスト特性に従うアシストトルク目標値を設定する。 - 特許庁

The code of a solid pattern which gradually varies in luminance value in a block is generated and the code of an edge pattern which varies abruptly in luminance value is generated; and those obtained codes are stored in the memory 10.例文帳に追加

ブロック内で輝度値が徐々に変化していくベタパターンのコードを作成するとともに、輝度値が急激に変化するエッジパターンのコードを作成し、得られたコードをメモリ１０に記憶しておく。 - 特許庁

When an impact exceeding a prescribed value is detected by an impact sensor 12 at the learning processing time, the CPU 10 estimates that the erroneous learning occurs, and abandons the learning value to erase it from the memory 11.例文帳に追加

この学習処理時に、衝撃センサ１２により規定値を超える衝撃を検出した場合には、ＣＰＵ１０は、誤学習が発生したと推定し、学習値を放棄してメモリ１１から消去する。 - 特許庁

The number of times of ineffective winning in the normal game state is counted, and the upper limit value of a starting memory value is increased in a specific game state by the number of times of the ineffective winning.例文帳に追加

通常遊技状態中に発生した無効入賞の回数をカウントし、特定遊技状態時に、当該無効入賞の回数分だけ、始動記憶値の上限値を増やす処理を行なう。 - 特許庁

A specified current threshold value is stored in a memory inside a control part 30 of the adapter for the plug and whether or not the current fed between a pin 16 and a blade receiver 20 exceeds this threshold value is judged.例文帳に追加

電源プラグ用アダプターの制御部３０内のメモリーに所定の電流しきい値が記憶されており、ピン１６と刃受２０との間を流れた電流が、このしきい値を超えているか否かを判断する。 - 特許庁

An image at a prescribed position in the image as a whole is set to be a reference surface, the average of pixel values within the reference surface is calculated, and the average is stored in a reference value memory 34 as an AE reference value.例文帳に追加

全体画像中の所定位置の画像が基準面と設定され、基準面内の画素値の平均値が計算され、平均値がＡＥ基準値として基準値メモリ３４に記憶される。 - 特許庁

When the writing of the set value in the memory 42 ends (S5, S8), the operation management functions 32 and 33 output the notification of the end of setting to the system 31, and output the notification of the end of the writing of the set value (S6, S9).例文帳に追加

動作管理機能32,33は5及び8でメモリ42に対する設定値の書き込みを終了すると、システム31へ設定終了通知を出し、設定値の書き込みが終わったことを通知する(S6,S9)。 - 特許庁

Then the higher-order to lower-order addresses of the memory means 108 are read out in this order to output correlation measured values (and chip delay value) in the order from a minimum to a maximum value.例文帳に追加

そして、メモリ手段１０８の上位アドレスから下位アドレス方向に向かって順番に読み出すことにより、最大値から最小値の順に相関実測値(及びチップ遅延値)を出力する。 - 特許庁

When the internal clocks (39) show a time corresponding to the station address value of a certain station, data in memories (38) located at a memory address corresponding to the station address value is embedded in a packet (9) and transmitted to communication lines (33A and 33B).例文帳に追加

内部時計(39)がある局の局アドレス値に対応する時刻を示すと、局アドレス値に対応するメモリアドレス位置にあるメモリ(38)内のデータをパケット(9)に埋め込み通信路(33A,33B)に送信する。 - 特許庁

A memory emulator 11 returns logical address in a memory region ensured from a logical memory region A15 corresponding to the application A to the heap management 101 and calculates physical address corresponding to the ensured logical address in such a way that it becomes the same value as physical memory handled actually by the target machine to manage an allotment condition of the logical address and the physical address in a physical memory map 110.例文帳に追加

メモリエミュレータ１１は、アプリケーションＡに対応する論理メモリ領域Ａ１５から確保したメモリ領域の論理アドレスをヒープ管理１０１へ返すとともに、確保した論理アドレスに対応する物理アドレスをターゲットマシンが実際に扱う物理メモリと同じ値になるように算出し、物理メモリマップ１１０で論理アドレスと物理アドレスとの割り当て状態を管理する。 - 特許庁

The controlling circuit selects a second memory cell in which a reading current flowing after the selection transistor is turned on becomes a maximum value as a second reference cell from a second cell array under a state that the same first logic causing the resistance value to increase is stored in all of a plurality of second memory cells.例文帳に追加

制御回路は、複数の第２のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第１の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第２のメモリセルを第２の参照セルとして第２のセルアレイから選定する。 - 特許庁

The first determination part 70 determines, for each of the plurality of twin cells selected by a selection circuit 13, whether a first condition that a threshold voltage of one memory cell is higher than a commonly set reference value and a threshold voltage of the other memory cell is lower than the reference value is established.例文帳に追加

第１の判定部７０は、選択回路１３によって選択された複数のツインセルの各々について、一方のメモリセルの閾値電圧が共通に設定された基準値より高く、他方のメモリセルの閾値電圧が基準値より低いという第１の条件が成立するか否かを判定する。 - 特許庁

Namely, when a trouble of the OS is detected, an address conversion part 121 converts the value of a physical memory address outputted from a CPU 11 in order to specify an instruction causing the trouble in the ROM 13 into the value of a physical memory address in which a corrected instruction exists.例文帳に追加

すなわち、オペレーティングシステムの不具合が発見された場合には、ＲＯＭ１３上の不具合の原因となる命令を指定するＣＰＵ１１からの物理メモリアドレスの値は、アドレス変換部１２１によって、修正した命令が存在する物理メモリアドレスの値に変換される。 - 特許庁

In the refresh mode, a read-out and rewriting circuit 60 reads out respective stored data of a memory cell 10 conforming to an output of an address counter 22, and performs refresh operation in which data of a logical value being inverse to a logical value of the read out data is rewritten in the memory cell 10.例文帳に追加

リフレッシュモードでは、読み出し再書き込み回路６０が、アドレスカウンタ２２の出力に従ってメモリセル１０の各々の記憶データを読み出し、かつ該読み出したデータの論理値とは逆の論理値のデータを当該メモリセル１０に書き戻すリフレッシュ動作を実行する。 - 特許庁

When the density of the patch image detected by the density sensor 224 is thinner than target toner density stored in a target toner density memory 122, and a value of difference between them is equal to or above a predetermined value V1, a toner supply stop flag stored in a toner supply stop flag memory 124 is updated.例文帳に追加

濃度センサ２２４で検出されたパッチ画像の濃度が、目標トナー濃度メモリ１２２に記憶された目標トナー濃度よりも薄く、その差分値が所定値Ｖ１以上の場合に、トナー供給停止フラグメモリ１２４に記憶されたトナー供給停止フラグを更新する。 - 特許庁

The monitoring object variable information 340 is set in an address list memory 253 of the target machine 200, and the variable value 333 is stored in a value-holding memory 252 when the collecting condition is established and is recovered to the software development support device 100, to be displayed together with the variable of the source code 310.例文帳に追加

この監視対象変数情報３４０をターゲットマシン２００のアドレス一覧メモリ２５３に設定して、採取条件の成立時に値保持メモリ２５２に変数値３３３を格納させ、ソフトウェア開発支援装置１００に回収してソースコード３１０の該当変数とともに表示する。 - 特許庁

A control part 70 compares the level of the vibration detected by the vibration detecting circuit 10 with the threshold value stored in the memory 20 and, when the level of the vibration detected is larger than the threshold value, receives the time when the vibration was detected from the clock 40 and stores the time into the memory 20.例文帳に追加

制御部７０は、振動検出回路１０が検出した振動のレベルを、メモリ２０に記憶されているしきい値と比較し、検出された振動のレベルが、しきい値より大きい場合に、振動を検出した時刻を時計４０から取得してメモリ２０に記憶させる。 - 特許庁

To protect various important data such as printing quantity, the use amount of mechanism constituent parts, expendables, an adjusting value, the control value of a mechanism part, the logging of a use state and the like stored in the memory of a printer even at the time of replacement of the memory or at the time of destruction of data.例文帳に追加

本発明は、プリンタ装置のメモリ内に記憶されている、印刷量、機構構成部品の使用量、消耗部品、調整値、機構部の制御値、使用状態のロギングなど多岐にわたる重要なデータを、メモリの交換時やデータの破壊時においてもメモリ内データを保護することを課題とする。 - 特許庁

In a light-quantity unevenness correction value storage part 81 which is provided in an LPH driving part 55 and wherein a light-quantity unevenness correction value corresponding to each LED 62 is stored, a write port for writing and a read port for reading are composed of a single port RAM (Random Access Memory) which is composed of a single port.例文帳に追加

ＬＰＨ駆動部５５に設けられ、各ＬＥＤ６２に対応する光量むら補正値を格納する光量むら補正値記憶部８１は、書き込み用のライトポートおよび読み出し用のリードポートが単一のポートにて構成されるシングルポートＲＡＭ(Random Access Memory)により構成される。 - 特許庁

An inspection result by each erratic pagination inspection device 20 is memory-stored into a proper portable memory 22b-1 collated by a collating means 22b-2, but an image to be inspected is stored only when a correlation value with a reference image is determined to be a prescribed correlation value or less.例文帳に追加

各乱丁検査装置２０による検査結果は、照合手段２２ｂ−２により照合した適正な携帯型メモリ２２ｂ−１にそれぞれ記憶保存するが、被検査画像については基準画像との相関値が所定の相関値以下と判定されたもののみ保存する。 - 特許庁

This flash memory detects a threshold voltage VT of the memory transistor 1 of a writing target, sets the initial value of the pulse voltage VP of a writing pulse signal on the basis of the detected value, and increases the pulse voltage VP by a step voltage ΔV each time a writing pulse signal is applied.例文帳に追加

このフラッシュメモリでは、書込対象のメモリトランジスタ１のしきい値電圧ＶＴを検出し、その検出値に基づいて書込パルス信号のパルス電圧ＶＰの初期値を設定し、書込パルス信号を印加する毎にパルス電圧ＶＰをステップ電圧ΔＶずつ上昇させる。 - 特許庁

Further, the imaging device includes a memory 109 which stores the position of a defect pixel of the imaging element 102 or the position of a test signal as an expected value, and a determination unit 106 which determines a suitable delay amount using the image signal input by the input unit 105 and the expected value stored in the memory 106.例文帳に追加

また、撮像素子１０２の欠陥画素の位置または試験信号の位置を期待値として格納するメモリ１０９と、取り込み部１０５により取り込まれただ画像信号と、メモリ１０９に格納された期待値とを用いて適正な遅延量を判定する判定部１０６とを備える。 - 特許庁

A power source microcomputer 4 is able to communicate with the internal memory 2 of a battery pack 1 through an I2C communication bus, and reads rated discharging current data characteristic of the battery pack 1 out of the internal memory 2 and saves them as a 1st specific value (current value for operating a power consumption reducing function) therein.例文帳に追加

電源マイコン４は、電池パック１の内蔵メモリ２とＩ^２Ｃ通信バスにより通信が可能であり、内蔵メモリ２に保存されている電池パック１に固有の定格放電電流データをリードし、第１の所定値（消費電力低減機能を作動させる電流値）として内部に保存する。 - 特許庁

When a reoperation command for performing the calculation of concn. again is given to the control part 60d, the concn. calculation is again performed on the basis of the absorbancy data stored in the absorbancy data memory part 60a, without performing the measurement of the absorbancy data again, and this concn. value is stored in the concn. value memory part 60c.例文帳に追加

濃度演算を再度行う再演算指示が制御部６０ｄに与えられた場合、吸光度データの測定を再度行うことなく、吸光度データ記憶部６０ａに記憶されている吸光度データを基に濃度演算を再度行い、この濃度値を濃度演算記憶部６０ｃに記憶させる。 - 特許庁

During monitoring, the average values of output values calculated at fixed time intervals are stored in a storage memory 29, and the initial value and the minimum value of the plurality of average values calculated at the fixed time intervals are stored in a storage memory 30.例文帳に追加

また、監視時において、予め定められた時間毎に算出される出力値の平均値を、格納用メモリ２９に格納すると共に、初期値および予め定められた時間毎に算出される複数の上記平均値のうちの最小値を、格納メモリ３０に格納する。 - 特許庁

The device includes a memory structure arranged between a first electrode and a second electrode, and the distribution density of resistance levels in the memory structure around the minimum value of the resistance level is higher than that in the vicinity of the maximum value of the resistance level.例文帳に追加

この装置は、第１電極及び第２電極間に配置されるメモリ構造体（ｍｅｍｏｒｙ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を含み、メモリ構造体の抵抗レベルの分布密度は、抵抗レベルの最大値より抵抗レベルの最小値近辺でより高い分布密度を有するメモリ構造体を含む。 - 特許庁

A lens information acquisition part 41 stores information on an open F value acquired from a photographing lens 11 mounted on an apparatus body in a memory 52, and a system control circuit 50 acquires the information on the open F value from the memory 52 as the one of the photographing lens 11 at present.例文帳に追加

レンズ情報取得部４１が、装置本体に装着されている撮影レンズ１１から取得した開放Ｆ値の情報をメモリ５２に記憶させ、システム制御回路５０が、メモリ５２から開放Ｆ値の情報を現在の撮影レンズ１１のものとして取得する。 - 特許庁

A CPU 11 on the PDA side detects the present memory (RAM 13) residue in the execution of the synchronization, and when the value obtained by subtracting the capacity for the size of a file designated as the subject of synchronization from the memory residue is smaller than the set value, is determines a capacity shortage to stop the synchronous processing.例文帳に追加

同期実行時にＰＤＡ側のＣＰＵ１１は現在のメモリ（ＲＡＭ１３）残量を検出し、そのメモリ残量から同期対象として指定されたファイルのサイズ分の容量を減算した値が前記設定値より少ない場合に容量不足と判断して同期処理を中止する。 - 特許庁

The arithmetic part 5 executes shadowing only to a coordinate area before a backward-facing shadow polygon behind a forward-facing shadow polygon in a view from a viewpoint on the basis of a comparison result between the found depth value of each the polygon and a Z value stored in the Z buffer memory 7, and updates the pixel memory 6.例文帳に追加

さらに、求めた各ポリゴンの奥行き値とＺバッファメモリ７に格納されたＺ値との比較結果に基づいて、視点から見て裏向き影ポリゴンよりも手前にあり且つ表向き影ポリゴンよりも後ろにある座標領域に対してのみ影付けを行い、ピクセルメモリ６を更新する。 - 特許庁

A controlling circuit selects a first memory cell in which a reading current flowing after a selection transistor is turned on becomes a maximum value as a first reference cell from a first cell array under a state that the same first logic causing a resistance value to increase is stored in all of a plurality of first memory cells.例文帳に追加

制御回路は、複数の第１のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第１の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第１のメモリセルを第１の参照セルとして第１のセルアレイから選定する。 - 特許庁

When a telephone number which a user tries to call is matched with a call destination telephone number stored in a memory 13, a comparison part 14 calls a picture quality setting value corresponding to the telephone number in the memory 13 by a control part 11 which transmits the picture quality setting value to a picture quality control part 12.例文帳に追加

制御部１１は、比較部１４で、ユーザーが通話しようとする電話番号とメモリ１３に記憶されている通話先電話番号が一致した場合には、メモリ１３中のその電話番号に対応する画質設定値を呼び出し、その画質設定値を画質制御部１２へ伝える。 - 特許庁

This device is provided with a first memory circuit 1 for storing normal data, a second memory circuit 3 for storing determination information to determine a change in the value of the normal data, and a determination circuit 5 for determining a change in the value of the normal data based on the determination information.例文帳に追加

正規のデータを蓄積する第１メモリ回路１と、正規のデータの値が変化しているか否かを判定する判定情報を蓄積する第２メモリ回路３と、正規のデータの値が変化しているか否かを、判定情報に基づいて判定する判定回路５とを具備する。 - 特許庁

The memory 140 outputs the channel estimation coefficients before updating to the adders 120a-1 to 120a-4 on the basis of the count value of the 2-bit counter 130 and the select signal 600, and also holds channel estimation coefficients updated in a predetermined memory area on the basis of the count value of the 2-bit counter 130.例文帳に追加

記憶部１４０は、更新前のチャネル推定係数を、２ビットカウンタ１３０のカウンタ値および選択信号６００に基づいて加算部１２０ａ−１〜４へ出力するとともに、更新後のチャネル推定係数を、２ビットカウンタ１３０のカウンタ値に基づいて所定の記憶領域に保持する。 - 特許庁

When drawing by a hardware, the number of output words from application data, etc. and the number of required input words are calculated, the calculated value is compared with a value of a counter for calculating the number of input words, and by controlling pre-read of a memory controller based on the result, excessive memory accesses are reduced .例文帳に追加

ハードウェアにて描画する際に、アプリケーションデータ等から出力ワード数、必要な入力ワード数を計算し、その計算した値と入力ワード数を計算するカウンタによる値とを比較し、その結果によりメモリコントローラのプリリードを制御することにより無駄なメモリアクセスを削減する。 - 特許庁

The line fail counter CM can read and write information simultaneously and includes: a primary memory 14 which stores content of lower bits of the counted value including a plurality of bits which show the number of fails for each line; and a secondary memory 19 which stores content of the remaining bits of the counted value.例文帳に追加

ラインフェイル計数装置ＣＭは、読み出しと書き込みとを同時に行うことができ、ライン毎のフェイル数を示す複数ビットからなる計数値の下位ビットの内容をそれぞれ記憶する一次メモリ１４と、計数値の残りのビットの内容を記憶する二次メモリ１９とを備える。 - 特許庁

Next, for each of residence sites, a strength value of memory of the user for the residence site is calculated on the basis of a residence time length and the lapse of time from a final residence time, and whether it is an activity base or not is determined on the basis of the value indicating a strength of the memory.例文帳に追加

次にこの滞留地の各々について滞留時間長と最終滞在時刻からの経過時間をもとに当該滞留地に対するユーザの記憶の強さ値を算出し、この記憶の強さを示す値をもとに行動拠点であるか否かを判定する。 - 特許庁

An intermediate value (output value of a single command) generated in the processing stage for the command "APV" is not written in a main RAM 25, and is held in registers GR0 to GR15, so that a memory area necessary for execution of the command can be reduced and a bus band necessary for memory access can be reduced.例文帳に追加

コマンド「ＡＰＶ」の処理過程で生成される中間値（単独のコマンドの出力値）は、メインＲＡＭ２５に書き出されず、レジスタＧＲ０〜ＧＲ１５に保持されるため、コマンドの実行に必要なメモリ領域を小さくできるとともに、メモリアクセスに必要なバス帯域を小さくできる。 - 特許庁

A phase is discriminated by comparing a first value obtained by starting to measure the switch with respect to the wiring at a first position and stored in the memory with a second value obtained by starting to measure the switch with respect to the wiring at a second position and stored in the memory.例文帳に追加

第１の位置における配線に対するスイッチの測定の開始によって得られてメモリーに保持された第１の値と第２の位置における配線に対するスイッチの測定の開始によって得られてメモリーに保持された第２の値とを比較することにより位相を判別する。 - 特許庁

When a collision detection part 10 detects a state reading signal SR1 for reading a count value CNT of a counter 2 from a first device when a second device reads data from a FIFO memory 1, the collision detection part 10 outputs a value showing that the FIFO memory 1 is full to the first device regardless of the count value of the counter 2.例文帳に追加

衝突検出部１０では、第２の装置がＦＩＦＯメモリ１からデータの読み出しを行っているときに、第１の装置からカウンタ２のカウント値ＣＮＴを読み出すための状態読出信号ＳＲ１を検出した場合に、このカウンタ２のカウント値に拘らずＦＩＦＯメモリ１が満杯であることを示す値を第１の装置に出力する。 - 特許庁

The microcomputer is configured to perform: power interruption processing for storing a power interruption flag in a memory and waiting until power interruption, with a power interruption detecting signal as a performance starting condition; and power-on processing for keeping on holding game information when the power interruption flag has a predetermined value, and initializing the memory when the power interruption flag has a value other than the predetermined value.例文帳に追加

停電検出信号を実行開始条件とし停電フラグをメモリに保存して電源断まで待機する電源断処理と、停電フラグが所定値である場合には遊技情報をそのまま保持する一方、停電フラグが所定値以外の場合には、メモリを初期化する電源投入処理と、を実行可能に構成する。 - 特許庁

A checksum calculation section 12 reads the respective data in multiple fragments other than a fragment including a checksum storage area from the memory 11, sequentially calculates a checksum value by cumulatively adding the data, and calculates a final checksum value obtained by further reading the data of the fragment including the checksum storage area from the memory 11, and adding the data to the checksum value.例文帳に追加

チェックサム算出部１２は、チェックサム格納領域を含むフラグメントを除いた他の複数のフラグメントにおけるそれぞれのデータをメモリ１１から読み出して順次累積的に加算してチェックサム値を算出し、さらにチェックサム格納領域を含むフラグメントのデータをメモリ１１から読み出してチェックサム値に加算して得られた最終チェックサム値を算出する。 - 特許庁

When a collision detection part 20 detects a state reading signal SR2 for reading the count value CNT of the counter 2 from the second device when the first device writes data into the FIFO memory 1, the collision detection part 20 outputs a value showing that the FIFO memory 1 is empty to the second device regardless of the count value CNT of the counter 2.例文帳に追加

また、衝突検出部２０では、第１の装置がＦＩＦＯメモリ１にデータの書き込みを行っているときに、第２の装置からカウンタ２のカウント値ＣＮＴを読み出すための状態読出信号ＳＲ２を検出した場合に、このカウンタ２のカウント値ＣＮＴに拘らずＦＩＦＯメモリ１が空であることを示す値を第２の装置に出力する。 - 特許庁