「memory value」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

A setting value of head floating quantity in accordance with temperature of the magnetic recording medium 102 is stored in a memory 116.例文帳に追加

またメモリー１１６には磁気記録媒体１０２の温度に応じたヘッド浮上量の設定値が蓄えられている。 - 特許庁

To provide a technique enabling a quick calculation of a hash value even if a memory capacity of RAM is relatively small.例文帳に追加

ＲＡＭの記憶容量が比較的に少ない場合でも、ハッシュ値を迅速に算出し得る技術を提供すること。 - 特許庁

In addition, a second signal is also asserted and write of changed data value in the main memory 36 is forced by the local bus slave device.例文帳に追加

プロセッサ・インターフェース・バス上で第１信号をアサートし、スレーブ・デバイスがデータ・トランザクションを処理していることを示す。 - 特許庁

A writing processing part 223 writes a three-dimensional texture composed of the depth value and texture color data in a frame memory 25.例文帳に追加

書き込み処理部は２２３は、この奥行き値とテクスチャ色データによる３次元テクスチャをフレームメモリ２５に書き込む。 - 特許庁

When the user inputs a power source again through manual operation, the CPU, after an initial setting (S21), the counted value reads out from the nonvolatile memory part (S22), and a predetermined value is deducted from the counted value (S23); and an overcurrent monitoring process is restarted by using the deducted counted value.例文帳に追加

ユーザーが手動操作により電源を再投入すると、ＣＰＵは、初期設定後に（Ｓ２１）、不揮発性記憶部よりカウント値を読み出し（Ｓ２２）、カウント値から所定値を減算し（Ｓ２３）、減算後のカウント値を用いて過電流監視処理を再開する。 - 特許庁

Furthermore, the control part 2 can obtain data of the driver shape value from the nonvolatile memory 7 or the cell phone 8, calculates the actual use value based on the obtained driver shape value and the conversion data, and controls the driver use equipment to have the calculated actual use value.例文帳に追加

さらに制御部２は、不揮発性メモリ７や携帯電話８からドライバ体形値のデータ取得が可能で、取得したドライバ体形値と変換データとに基づき実使用値を算出し、算出された実使用値となるようにドライバ使用機器を制御する。 - 特許庁

A PID arithmetic part 415 inputs a value obtained by subtracting a set value stored in a set value memory 413 from the measured value (temperature) of an object 42 to be measured, and outputs controlled variable information for controlling the object to be controlled by proportional + integral + derivative actions.例文帳に追加

ＰＩＤ演算部４１５は、測定対象４２の測定値（温度）から設定値メモリ４１３が記憶している設定値を減算した値を入力し、制御対象を比例＋積分＋微分動作で制御するための制御量情報を出力する。 - 特許庁

Furthermore, the oscillation frequency adjusting circuit is equipped with a temperature sensor circuit 7 which outputs a voltage corresponding to an ambient temperature; and an AD converting circuit 6 which converts the analog value of the temperature sensor circuit 7 into a digital value, and reads out a value stored in the nonvolatile memory circuit 3 using the digital value as an address.例文帳に追加

さらに、温度に対応した電圧を出力する温度センサー回路７と、該温度センサー回路７のアナログ値をデジタル値に変換するＡＤ変換回路６を有し、該デジタル値をアドレスとして不揮発性メモリ回路３に記憶された値を読み出す。 - 特許庁

At the time of controlling exposure using the standard gain value for storoboscopic photographing stored in the fixed exposure setting memory 10, diaphragm value, and electronic shutter amounts, the gain value obtained by multiplying the stored standard gain value by the correction coefficient by is obtained as the gain of the AGC amplifier 4.例文帳に追加

この後、固定露出設定メモリ１０に記憶されているストロボ撮影用の標準的なゲイン値、絞り値、電子シャッター量を用いた露出制御時には、記憶されている標準的なゲイン値に補正係数を乗じたゲイン値をＡＧＣアンプ４のゲインとする。 - 特許庁

The OFDM demodulator includes a CP location memory for storing locations of reordered CP values in output values reordered after FFT calculation of an OFDM signal, and a switch for transmitting an output shuffle memory value for each reordered CP location to the CP memory, in response to the output address of the CP location memory.例文帳に追加

ＯＦＤＭ信号をＦＦＴ計算後にリオーダされた出力値のうちリオーダされたＣＰ値の位置を保存するＣＰ位置メモリと、ＣＰ位置メモリの出力アドレスに応答してリオーダされたＣＰ位置ごとの出力シャッフルメモリ値をＣＰメモリに伝送するスイッチと、を含むＯＦＤＭデモジュレータ。 - 特許庁

A current is supplied to the writing wirings disposed, so as to sandwich an arbitrary memory cell column and, current value necessary for inverting the magnetizing direction of the memory layer of the memory cell is reduced, as compared with the case that the current is supplied in reverse to the writing wirings separately via the memory cell column.例文帳に追加

任意のメモリ素子列を挟むように配置した書き込み配線に電流を流すことによって、メモリ素子のメモリ層の磁化方向を反転するのに必要な電流値が、メモリ素子列を挟んで別々に書き込み配線にそれぞれ逆向きに電流を流す場合と比較して低減される。 - 特許庁

The driving section applies third signals (Pp1), having a voltage smaller than an absolute value of the voltage of the second signal to gate electrodes of all the memory cells included in the memory string, prior to the read-out of the data stored in the memory cell, by applying the first signal to at least any one of the memory cells.例文帳に追加

駆動部は、メモリセルの少なくともいずれかに第１信号を印加してメモリセルに記憶されたデータを読み出す前に、メモリストリングに含まれる全てのメモリセルのゲート電極に、第２信号の電圧の絶対値よりも小さい電圧を有する第３信号（Ｐｐ１）を印加する。 - 特許庁

In one memory cell group, capacity of a memory cell is varied by reducing a reference voltage value referred at the time of write-in or read-out of data for one part of the memory cell, the sum of capacity of cells of a whole memory cell group is made integral multiple of integral power of 2 bits.例文帳に追加

１個のメモリセルグループにおいて、データの書き込みまたは読み出し時に参照する基準電圧値を、一部のメモリセルに対して少なくすることによりメモリセルの容量を変え、メモリセルグループ全体のメモリセルの容量の和が２の整数乗ビットの整数倍になるようにする。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes a current source in which a current value is determined by a voltage applied to a first node, a memory cell string coupled to the first node, and the propriety of a program of a memory cell included in the memory cell string is sensed, based on the voltage applied to the first node.例文帳に追加

第１ノードに印加される電圧によって電流値が決められる電流源と、前記第１ノードと接続されるメモリセルストリングとを含み、前記第１ノードに印加される電圧を基礎として前記メモリセルストリングに含まれたメモリセルのプログラムの可否をセンシングする。 - 特許庁

This nonvolatile memory device includes a memory cell array equipped with a plurality of memory cells for storing program data respectively, a data scanning unit for detecting program data having a first value, and a programming unit for programming a memory cell corresponding to a result detected by the data scanning unit.例文帳に追加

ここに開示された不揮発性メモリ装置は、各々がプログラムデータを貯蔵する複数個のメモリセルを具備したメモリセルアレイ、第１値を有するプログラムデータを検出するデータスキャニング部、および前記データスキャニング部によって検出された結果に対応するメモリセルをプログラムするプログラム部を含む。 - 特許庁

For each value of the address part based on the class codes of the surrounding blocks, the concerned block in the case of generating the address ADD-B corresponding to the maximum frequency stored in the frequency memory is stored in a maximum frequency data memory within the robust memory 107.例文帳に追加

周囲ブロックのクラスコードによるアドレス部分の各値毎に、頻度メモリに記憶される最大頻度に対応したアドレスＡＤＤ＿Ｂが生成された際の注目ブロックをロバストメモリ１０７内の最大頻度データメモリに記憶する。 - 特許庁

The master-categorized transfer length investigating part 71 controls the data transfer processing part 75 to return retry to a memory read request, and reads data for a transfer length initial value from a local memory, and makes a cash memory 22 store the data.例文帳に追加

マスタ別転送長調査部７１は、さらに、データ転送処理部７５を制御し、メモリリード要求に対してリトライを返すとともに、ローカルメモリより転送長初期値分のデータを読み出し、それをキャッシュメモリ２２に蓄積させる。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus realizing the averaging of a read pattern density value optimum for usable memory capacity by eliminating a memory dedicated to automatically correcting gradation and sharing an automatic gradation correcting function with other memory for an image.例文帳に追加

自動階調補正専用メモリを削除し、自動階調補正機能を他の画像用メモリと共有させ、使用できるメモリ容量に最適な読み取りパターン濃度値の平均化を実現する画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a circular memory capable of avoiding unnecessary learning and not deteriorating track-following performances of a targeted value, even when a large difference occurs between information stored in a memory and a signal to be compensated, and to provide a disk drive with the circular memory.例文帳に追加

メモリに記憶された情報と被補償信号に大きな差が生じた場合でも、不要な学習を回避でき、目標値の追従性能を損なわない周回メモリ、及び該周回メモリを備えるディスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide a circumference memory capable of preventing unnecessary learning and the loss of target value followup performance even when a large difference is generated between information and a compensated signal stored in the memory, and to provide a disk device equipped with the circumference memory.例文帳に追加

メモリに記憶された情報と被補償信号に大きな差が生じた場合でも、不要な学習を回避でき、目標値の追従性能を損なわない周回メモリ、及び該周回メモリを備えるディスク装置を提供する。 - 特許庁

The sequence of registration data is digitized, a numerical value acquired by the digitalization is used as an address of an index reference memory, and an address of a data registration memory storing the registration data is stored in the address of the index reference memory.例文帳に追加

登録データの並びを数値化し、前記数値化により得られた数値をインデックス参照メモリのアドレスとし、前記インデックス参照メモリの当該アドレスに登録データを格納しているデータ登録メモリのアドレスを格納する。 - 特許庁

Further, a memory of the other board which is connected to the board from the MCU of the board on the main device side and which is removed from the main device is controlled to write correction value data stored in the memory of the other board in the memory of the board on the main device side.例文帳に追加

主装置側の基板のＭＣＵから当該基板に接続され、主装置から取り外された他の基板のメモリを制御して、他の基板のメモリに記憶される補正値データを、主装置側の基板のメモリに書き込む。 - 特許庁

The write-in control circuit 2106 so controls impression of a write-in pulse that amount of charges held by one out of the first memory function body and the second memory function body of the memory element becomes amount corresponding to value of data of many bits.例文帳に追加

書き込み制御回路２１０６は、メモリ素子の第１のメモリ機能体及び第２のメモリ機能体の一方によって保持される電荷の量が多ビットのデータの値に対応する量となるように、書き込みパルスの印加を制御する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage apparatus in which it is suppressed that a resistance value of a valuable resistance element included in a memory cell is changed by a voltage pulse applied to the memory cell and defective read-out is caused at the time of read-out of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの読み出し時にメモリセルに印加される電圧パルスによってメモリセルに含まれる可変抵抗素子の抵抗値が変化して読み出し不良に陥るのを抑制した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device is provided with a plurality of memory cell arrays 1 provided with memory cells which can be re-written electrically and which consist of variable resistance elements for storing a resistance value as data, a column control circuit 2, and a row control circuit 3.例文帳に追加

半導体記憶装置は、電気的書き換え可能で抵抗値をデータとして記憶する可変抵抗素子からなるメモリセルを備えた複数のメモリセルアレイ１と、カラム制御回路２及びロウ制御回路３とを備える。 - 特許庁

When the memory width of image data 601 inputted into an image memory at the system control portion side is smaller than the memory width (plotter side memory width) of image data received at a plotter control portion side, the system control portion side expands a memory width secured beforehand to a fixed value at the plotter control portion ASIC side according to the image data 601 inputted into the image memory.例文帳に追加

システム制御部側の画像メモリに入力される画像データ６０１のメモリ幅がプロッタ制御部側で受け付けられる画像データのメモリ幅（プロッタ側メモリ幅）よりも小さい場合、システム制御部側では、画像用メモリに入力される画像データ６０１に合わせて予め確保しておいたメモリ幅をプロッタ制御部ＡＳＩＣ側の固定値に拡張する。 - 特許庁

Each central device clocks the transmission delay time of a synchronizing signal with each of a plurality of the base stations, determines a second correction value for setting transmission timing of an information signal to a second designation value stored in a designation value memory 35 on the basis of a second clocked value, and gives the second correction value to the relevant base station.例文帳に追加

各中央装置は、複数の基地局それぞれとの間で同期信号の伝送遅延時間を測定して、測定された第２の測定値をもとに情報信号の送信タイミングを指定値メモリ３５に記憶された第２の指定値にするための第２の補正値を求め、当該基地局に与える。 - 特許庁

A differential device 203 calculates a correction value from a mean value AC of values of pixels in a coding object frame, calculated by a frame average calculation device 201 and a mean value ARm of the values of pixels of a reference frame stored in a frame average value memory 202 and provides an output of the calculated correction value to square sum calculating devices 211, 212, 213.例文帳に追加

差分器２０３は、フレーム平均計算器２０１が算出する符号化対象フレーム内の画素の値の平均値ＡＣと、フレーム平均値メモリ２０２が格納する参照フレームの画素の値の平均値ＡＲ_mとから補正値を算出し、二乗和計算器２１１，２１２，２１３に出力する。 - 特許庁

When a shutter button is pressed down in a bracketing mode (step S36), an object is consecutively and respectively photographed at an exposure value lower than a proper exposure value, the proper exposure value and an exposure value higher than the proper exposure value, and R, G and B signals obtained by the respective photographing are once stored in a memory (step S38, S40 and S42).例文帳に追加

ブラケティングモード時にシャッタボタンが押されると（ステップＳ３６）、適正な露出値よりも露出アンダーとなる露出値、適正な露出値、及び露出オーバーとなる露出値でそれぞれ被写体を連続的に撮影し、各撮影で得たＲ、Ｇ、Ｂ信号を一旦メモリに格納する（ステップＳ３８、Ｓ４０、Ｓ４２）。 - 特許庁

The data destruction detection device 6 for the nonvolatile memory 5 includes a writing part 11, alternately writing a mixed value of 0/1 and a mirror value wherein 0/1 of the mixed value is inverted into the unused address; and a data destruction decision part 12 for reading the mixed value and the mirror value, and deciding whether the data are destroyed.例文帳に追加

不揮発性メモリ５のデータ破壊検出装置６は、未使用アドレスに０／１の混合値と混合値の０／１が反転されたミラー値とを交互に書き込む書き込み部１１と、混合値とミラー値とを読み出してデータが破壊されているか否かを判定するデータ破壊判定部１２とを備えた。 - 特許庁

A correction value acquiring part 16 which acquires scanned image data of the scanned medium from an image data memory part 15, acquires: the maximum brightness value of the region where the high reflection part becomes a background (high reflection brightness reference value); and a brightness value of show-through image from the region where the low reflection part becomes a background (low reflection brightness reference value).例文帳に追加

読み取った媒体の読取画像データを画像データ記憶部１５から取得した補正値取得部１６は、高反射部が背景となる領域の明度最高値（高反射明度基準値）と、この低反射部が背景となる領域から裏写り画像の明度値（低反射明度基準値）とを取得する。 - 特許庁

A method of calculating the correction value is applied to the printer which is provided with a motor, a PID control system for controlling the motor, and a memory for storing the correction value, and calculates a value of current flowing through the motor according to the correction value and an output value of an integral element of the PID control system.例文帳に追加

本発明は、モータと、前記モータを制御するためのＰＩＤ制御系と、補正値を記録するためのメモリとを備え、前記ＰＩＤ制御系の積分要素の出力値と前記補正値に基づいて、前記モータに流れる電流値を算出するプリンタの、前記補正値を算出する方法に関する。 - 特許庁

The region information inputted from a local information input (step 106) is outputted to a subjective evaluation value extractor; a physical evaluation value, where the subjective evaluation value is the highest in an inputted region, is extracted from a subjective evaluation value map memory for each region (step 108); and the physical evaluation value in the region is selected (step 110).例文帳に追加

地域情報入力部から入力された（ステップ１０６）地域情報は、主観評価値抽出部に出力され、入力された地域で最も主観評価値が高い物理評価値を地域別主観評価値マップメモリから抽出し（ステップ１０８）、該地域における物理評価値が選択される（ステップ１１０）。 - 特許庁

The MPU 6 reads in the output of the differential amplifier 3 produced when an offset adjusting command was inputted from an external input circuit 8, calculates a value corresponding to a corrected input value which makes that value a specified value, stores it in a memory 7 as an offset adjusting quantity, and outputs this value to a digital-to-analog converter 10 as well.例文帳に追加

ＭＰＵ６は、外部入力回路８からオフセット調整指令が入力されたときの差動増幅器３の出力を読み込み、その値を所定値にするような補正入力値に対応する値を算出し、オフセット調整量としてメモリー７に格納すると共に、この値をＤ／Ａ変換器１０に出力する。 - 特許庁

The utilization condition managing program operates an MAC value (hash value) from a cryptographic key enciphering contents stored in the data part of the flash memory 61-1 and important information containing a variable seq# and compares that value with an MAC value stored in a header part and when both the value are not matched, the reproduction of contents is inhibited.例文帳に追加

利用条件管理プログラムは、フラッシュメモリ６１−１のデータ部に記憶されているコンテンツを暗号化している暗号鍵と、変数seq#を含む重要情報とからMAC値（ハッシュ値）を演算し、その値と、ヘッダ部に記憶されているMAC値とを比較し、両者が一致しなければ、コンテンツの再生を禁止する。 - 特許庁

A determination value computing part 27 calculates a determination value Li corresponding to the driving state of a vehicle from each upper limit value data memorized in an upper limit value data memory part 25, and a signal determination part 28 compares the sum of squares of real currents iU, iV, iW, of the driving signal detected with current sensors 10, 11, 12 with a determination value Li.例文帳に追加

また、判定値演算部２７は、上限値データ記憶部２５に記憶した各上限値データから車両の運転状態に応じた判定値Ｌｉを演算し、信号判定部２８は、電流センサ１０，１１，１２により検出した駆動信号の実電流ｉ_U ，ｉ_V ，ｉ_W の２乗和と判定値Ｌｉとを比較判定する。 - 特許庁

When a resistance value (a measured resistance value) Rx of the shape memory alloy (SMA) adopted in the driving device is larger than a resistance value (a standard resistance value) Ro of the SMA in design (for example, Rx=R1>Ro), a bias voltage VBx is set to a value larger than a standard bias voltage VBo (VBx=VB1).例文帳に追加

駆動装置に採用される形状記憶合金（ＳＭＡ）の抵抗値（測定抵抗値）Ｒｘが設計上のＳＭＡの抵抗値（標準抵抗値）Ｒｏよりも大きい場合（例えばＲｘ＝Ｒ１＞Ｒｏ）、バイアス電圧ＶＢｘは標準バイアス電圧ＶＢｏよりも大きい値（ＶＢｘ＝ＶＢ１）に設定される。 - 特許庁

The count value is compared with a threshold set in a packet counter (S206) and when the count value exceeds the threshold (S206:YES), counting the number of times of responding is stopped (S207), and a memory controller sets the operating mode of the memory to a self-refresh mode (S208).例文帳に追加

このカウント値とパケットカウンタに設定された閾値とを比較し（Ｓ２０６）、カウント値が閾値を超過しているとき（Ｓ２０６、ＹＥＳ）、応答回数の計測を中止し（Ｓ２０７）、メモリコントローラがメモリの動作モードをセルフリフレッシュモードに設定する（Ｓ２０８）。 - 特許庁

The null value may be set under program control, may be predetermined as a fixed value (e.g. zero), or may be set under hardware control, such as corresponding to memory addresses of a page identified by a memory management unit as non-accessible.例文帳に追加

ヌル値は、プログラム制御下に設定されてもよく、固定値（例えばゼロ）としてあらかじめ定められてもよく、またはメモリ管理ユニットによって、アクセス不可能として識別されるページのメモリアドレスに対応する等の、ハードウェア制御下に設定されてもよい。 - 特許庁

To improve the readout margin, while taking into account a leak current varied according to the resistance value of a memory cell to be read out consisting of a variable resistance element for storing multi-value information, in a semiconductor storage device having a memory cell array of a cross point type.例文帳に追加

クロスポイントタイプのメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、多値情報を記憶する可変抵抗素子からなる読出し対象のメモリセルの抵抗値に依存して変化するリーク電流を考慮して、読出しマージンの向上を図る。 - 特許庁

This storage device consists in returning 0 as data without reading any data from a magnetic storage medium in accordance with the value of a bit map memory in response to a read request from a computer, and writing data in the magnetic storage medium in response to a write request, and changing the value of the bit map memory.例文帳に追加

計算機からのリード要求に対して、ビットマップメモリの値により、磁気記憶媒体からデータを読み出すことなく０をデータとして返し、ライト要求を受けると磁気記憶媒体にライトデータを書き込み、ビットマップメモリの値を変更する。 - 特許庁

In a device generating a memory replacing LT output for replacing a defective bit of a memory by fusing a fuse 1A, the device incorporates an AD converter 4 obtaining a signal for discriminating a resistance value in accordance with a resistance value of the fuse 1A.例文帳に追加

ヒューズ１Ａを溶断することによってメモリの不良ビットを置換するためのメモリ置換用ＬＴ出力を生成するものにおいて、ヒューズ１Ａの抵抗値に応じた抵抗値判定用信号を得るＡＤ変換器４を内蔵した。 - 特許庁

To achieve high-speed processing without requiring extra memory capacity in a small gate scale by performing high-speed value reduction decoding regardless of a delay memory, performing value reduction decoding in square units, and performing rotation for each pixel in blocks after the decoding.例文帳に追加

ディレイメモリによらず高速な少値復号を実現し、かつ方形単位に少値符号化し、復号後にブロック内の画素毎の回転を行うことにより、小さいゲート規模で、余分なメモリ容量を必要てせずに高速処理を実現すること。 - 特許庁

The register set value or pixel data is extracted from the processed command which is outputted from the image processing module, and the extracted register set value or pixel data is successively stored in a continuous second address space of the memory by direct memory access.例文帳に追加

そして、画像処理モジュールから出力された処理済のコマンドからレジスタ設定値または画素データを抽出し、抽出されたレジスタ設定値または画素データをダイレクトメモリアクセスにより順次に、メモリの連続する第２のアドレス空間へ格納する。 - 特許庁

A program counter switching part 109 is controlled so that an address value of the program counter 101 is selected when the address of the memory 117 is detected in the program counter 101 and an address value of the program counter 108 for test when the address of the external memory is detected in a test mode.例文帳に追加

プログラムカウンタ切替部109は、テストモード時に、プログラムカウンタ101にメモリ117のアドレスを検出したとき、プログラムカウンタ101のアドレス値を選択し、プログラムカウンタ101に外部メモリのアドレスを検出したとき、テスト用プログラムカウンタ108のアドレス値を選択するよう制御する。 - 特許庁