「metal film deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a technique for controlling a residual carrier to low concentration without changing characteristics of a semiconductor thin film when epitaxially growing the semiconductor thin film on a semiconductor substrate by an MBE (Molecular Beam Epitaxy) method or an MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method.例文帳に追加

ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。 - 特許庁

Concerning a sample subjected to the O_2 + CF_4 plasma treatment, O and F are not detected on the metal film surface, so that it can be confirmed that there is countermeasure validity to deposition film elimination by the O_2 + CF_4 plasma treatment.例文帳に追加

Ｏ_2 ＋ＣＦ_4 プラズマ処理を行ったサンプルは金属膜表面にＯ、Ｆの検出がなかったことからＯ_2 ＋ＣＦ_4 プラズマ処理で堆積膜除去に対する対策有効性があることが確認できる。 - 特許庁

To provide a plasma film deposition system and a method therefor wherein a thin film is deposited on a substrate with a large area at high uniformity, and to provide a method wherein a metallic compound is stably deposited in a metal mode.例文帳に追加

プラズマ付着装置において大面積の基板上に薄膜を高均一に成膜する装置及び方法を提供すること、及び、金属化合物を安定にメタルモード成膜する方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a film of high quality which has high crystallinity and comprises a low content of impurities at a relatively low substrate heating temperature in a chemical vapor deposition method of depositing an object film using a metal dpm (dipivaloyl methanate) complex as an MO (organometal) gaseous starting material.例文帳に追加

金属ｄｐｍ錯体をＭＯ原料ガスとして用い、目的の膜を堆積させる化学気相成長方法において、比較的低温の基板加熱温度で、結晶性が高く、不純物の少ない高品質の膜を得る。 - 特許庁

To eliminate spark discharge and to prevent air bubbles from entering when electrostatically attracting a resin film with a metal deposition film for a diaphragm to a metallic base.例文帳に追加

振動板用の金属蒸着膜付きの樹脂フィルムを金属製の基台に静電吸着する際、火花放電の発生がなく、しかも気泡が入り込まないようにする。 - 特許庁

To provide an apparatus growing a VO_2 thin film that is a large-area metal-insulator-transition (MIT) material according to in-situ deposition without using a conductive adhesive for high temperature, and to provide a method of growing large area oxide thin film.例文帳に追加

高温用伝導性の接着剤を使用せずに、大面積金属・絶縁体転移（ＭＩＴ）物質であるＶＯ_2薄膜をインシチュ（in-situ）で蒸着できる成長装置及び大面積酸化物薄膜の成長方法を提供する。 - 特許庁

In the metalized film capacitor, at least one of metal vapor deposition electrodes 4a and 4b of a pair of metalized films 1 and 2 contains aluminum as a main constituent, and the surface thereof is formed with a MgAl_2O_4 film.例文帳に追加

本発明の金属化フィルムコンデンサは、一対の金属化フィルム１、２の金属蒸着電極４ａ、４ｂのうち少なくとも一方は、アルミニウムを主成分とし、表面にＭｇＡｌ_2Ｏ_4膜が形成されたものとした。 - 特許庁

To provide a method for preparing a noble metal thin film, which has a fast deposition rate, can use cheap raw materials and does not leave impurities on the thin film.例文帳に追加

成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、薄膜に不純物が残留しない貴金属薄膜の作製方法及びその作製装置を提供する。 - 特許庁

A liquid thin film raw material composed of an organic metal is vaporized by bubbling using a carrier gas and is fed to the inside of an evacuated film deposition chamber 2.例文帳に追加

キャリアガスを用いたバブリングにより有機金属から成る液状の薄膜原料を気化させて減圧された成膜チャンバー２の内部に供給する。 - 特許庁

To prevent the falling-off of silicon metal from the region, at the surface of a substrate, free from film deposition in depositing a film by vapor growth method on the surface of a substrate composed of an SiC/Si composite material.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＣ複合材料からなる基体の表面に気相成長法によって膜を形成するのに際して、基体の表面のうち膜を形成しない領域からの珪素金属の抜けを防止する。 - 特許庁

The transmittance of the semitransmission reflection film 25a can be controlled by changing the ratio of the area occupied by the transparent dielectric chips 42a disposed at the film-deposition particle generating part 45 of the metal target 40a.例文帳に追加

また、金属ターゲット４０ａの成膜粒子生成部位４５に配設する透明誘電体チップ４２ａが占める面積の割合を変化させることで、半透過反射膜２５ａの透過率の制御を行うことができる。 - 特許庁

A deposition force, with respect to a liquid molecule, of the composite-plated thin film 9 becomes very low, because the fluororesin is enriched concentratedly in the composite-plated thin film 9, by having the particle 91 of fluororesin adsorbed onto the metal material, when plated.例文帳に追加

この複合めっき薄膜９は、めっき時にフッ素樹脂の粒子９１が金属材料９２に吸着されることによってフッ素樹脂が高濃度化することから液体分子との付着力が極めて小さくなる。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device which can reduce the stress of a metallic film arising when having formed a high fusing point metal film by chemical vapor deposition method and besides is excellent in controllability.例文帳に追加

本発明の目的は、化学気相成長法により高融点金属膜を形成した際に生じる金属膜の応力を低減することのでき、かつ非常に制御性の良い半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a film deposition method capable of effectively forming a thin film, for example, MnOx, including metal such as Mn on a surface of an insulation layer low in a dielectric constant.例文帳に追加

比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device of manufacturing a vapor deposition component which are effective for forming a parted layer of a metal back film and a getter film in order to reduce damages due to discharge.例文帳に追加

放電によるダメージを低減するために、分断されたメタルバック膜やゲッタ膜の層を形成するのに有効な蒸着部品の製造方法及び製造装置を提供することにある。 - 特許庁

In the light transmissive plastic molding with a vapor deposited film mainly consisting of metal deposited on the surface thereof, the light transmittance is set to be in a range of 98-50% of that before the vapor deposition film is deposited.例文帳に追加

表面に蒸着による金属を主体とする蒸着膜が形成された、光透過性のプラスチック成形品あって、光線透過率を蒸着膜形成前の光線透過率の９８〜５０％の範囲としたこと、にある。 - 特許庁

To provide a solution raw material for organic metal chemical vapor deposition hard to be frozen even in a cold district, and having excellent film compositional controllability and step coverage, and to provide a complex oxide dielectric thin film formed by using such raw material.例文帳に追加

寒冷地であっても凍結し難く、かつ優れた膜の組成制御性及び段差被覆性を有する有機金属化学蒸着法用溶液原料及び該原料を用いて作製された複合酸化物系誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for producing a board obtained by laminating metal films on both the sides of a long-length resin film which is produced through a process by vacuum film deposition, in which the narrow pitch wiring of a both side flexible wiring board is possible.例文帳に追加

両面フレキシブル配線基板の狭ピッチ配線が可能な、真空成膜による工程を経て製造される長尺樹脂フィルムの両面に金属膜を積層した基板の製造方法と製造装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a heat-sealable polypropylene film which inexpensively satisfying excellent slip properties, both antiblocking characteristics and heat sealability while restricting an organic and/or inorganic lubricant and an antiblocking agent in the heat-sealing layer provided at least on one side of a polypropylene film, is excellent in the grade of a vapor deposition film especially in a case that a metal vapor deposition film is constituted and can develop high barrier characteristics.例文帳に追加

ポリプロピレンフイルムの少なくとも片面に設けたヒートシール層において、有機及び／または無機の滑り剤、アンチブロッキング剤を制限しながら、優れた滑り性、アンチブロッキング特性とヒートシール性を安価に両立することを課題とし、特に金属蒸着フイルムを構成した場合、蒸着膜の品位に優れ、高いバリア特性を発揮できるヒートシール性ポリプロピレンフイルムを提供する。 - 特許庁

To provide a gas-barrier film which has an inorganic vapor deposition layer of a metal or an inorganic oxide on at least one side of a plastic film substrate, is improved in bending resistance and oxygen-barrier properties of an inorganic vapor deposition film, prevents the improved properties from being deteriorated by moisture, and has moisture resistance and a method for producing the film.例文帳に追加

本発明は、プラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に金属または無機酸化物からなる無機蒸着層を有する無機蒸着フィルムの耐屈曲性と耐酸素透過性を向上させると共に、向上した諸特性が水分によっても低下しないようにした、耐湿性を有するガスバリア性フィルムとその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

The polarizing element 1 includes: a substrate 11A; a plurality of metal filaments 18A provided on the substrate 11A by patterning a metal film by means of etching; and a deposition film 118 formed in an upper end part of each metal filament 18A, by chemical reaction of an etching gas with an etching product when etching the metal film.例文帳に追加

基板１１Ａと、金属膜をエッチングによりパターニングし基板１１Ａ上に設けられた複数の金属細線１８Ａと、金属膜のエッチング時におけるエッチングガス及びエッチング生成物が化学反応することで各金属細線１８Ａの上端部に形成されてなる堆積膜１１８とを備えた偏光素子１である。 - 特許庁

Since the thin film is deposited through thermal decomposition caused by the reaction of alcohol vapor and a precursor, the deposition rate is high and a high deposition rate can also be attained even when a β-diketone based organic metal compound is used as the precursor.例文帳に追加

また、アルコールの蒸気と前駆体との化学反応による熱分解で薄膜が蒸着されるために蒸着速度が速く、特にβ−ジケトン系の有機金属化合物を前駆体として使用する場合にも速い蒸着速度を得ることができる。 - 特許庁

To provide an indium metal target capable of improving productivity by increasing a deposition rate (sputter rate) of sputtering in a deposition process of a light-absorbing layer of a thin film solar cell using a compound semiconductor, and a method for manufacturing the target.例文帳に追加

化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

The electroconductive yarn in which deposited membranes are mutually contacting in a plurality of times is prepared by depositing a thinly coated membrane of a metal, alloy or electroconductive compound on both sides of paper or a synthetic resin film by well-known vacuum deposition, ionic deposition or spattering techniques, slitting the same and giving a large number of twists to the same.例文帳に追加

紙や合成樹脂フィルムの両面に公知の真空蒸着、イオン蒸着、スパッタリング技術で金属又は合金若しくは導電性のある化合物の薄い被膜を設け、それをスリットし更に多数の撚りを掛け蒸着膜同士が互いに複数回接触する導電糸を得る。 - 特許庁

The deposition apparatus 1 is an apparatus for depositing a film by a PLD (pulsed laser deposition) method where a target 3 placed on a rotating targer table 5 is irradiated with a laser beam 42 emitted from a laser part 4 to excite atoms constituting the target 3 and liberate metal atoms from the target 3 by a thermal/photochemical action.例文帳に追加

成膜装置１は、ＰＬＤ法によって成膜する装置であり、レーザ部４からレーザ光４２を、回転するターゲット台５に載置されたターゲット３に照射し、ターゲット３を構成する原子を励起し、熱的・光化学的作用により、ターゲット３から金属原子を遊離させる。 - 特許庁

To provide a vacuum deposition system where, as a window layer for a semiconductor light emitting device, a current dispersion layer composed of a transparent electrically conductive film of metal oxide is formed, and simultaneously, its roughening is possible, to provide a filter utilized for the vacuum deposition system, and to provide a semiconductor light emitting device produced by using them.例文帳に追加

半導体発光素子の窓層として、金属酸化物の透明導電膜からなる電流分散層を形成し、且つ同時に粗面化することが可能な真空蒸着装置、この真空蒸着装置に利用するフィルタ、それらを用いて作製した半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a laminating polyester film excellent in adhesion to a metal sheet and processability, without the deposition of oligomers a whitening after remelting and a heat treatment as a metal container, and excellent in strengths, a laminated metal sheet prepared by laminating the film on a metal sheet and a metallic container made of the laminated metal sheet.例文帳に追加

金属板との密着性および成形加工性に優れ、リメルト処理や金属容器の製造後の加熱処理によっても、オリゴマーの析出や白化が起こらず、しかも強度的にも満足できるポリエステル積層フィルム、前記積層フィルムを金属板にラミネートした積層フィルムラミネート金属板、および前記積層フィルムラミネート金属板を成形した金属容器を提供すること。 - 特許庁

The method of forming a semiconductor film comprises a process S120a of placing a substrate in an organic metal vapor phase deposition apparatus, and a process S130 of supplying a gallium source material, a indium source material, a arsenic source material, a nitride source material, and a phosphorus source material to the organic metal vapor phase deposition apparatus, to form the III-V compound semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜を形成する方法は、有機金属気相成長装置内に基板を置く工程Ｓ１２０ａと、ガリウムソース材料、インジウムソース材料、砒素ソース材料、窒素ソース材料、及び燐ソース材料を前記有機金属気相成長装置に供給してIII−Ｖ族化合物半導体膜を形成する工程Ｓ１３０と備える。 - 特許庁

A laminated structure excellent in gas barrier properties is constituted by applying a metal oxide sol to the vapor deposition surface of a vapor deposition plastic film wherein a membrane comprising metal oxide is formed on at least one surface of a base material film to provide a coating layer and laminating a sealnt layer on the coating layer.例文帳に追加

金属酸化物から成る薄膜を基材フィルムの少なくとも一方の面に形成した蒸着プラスチックフィルムの蒸着面上に、金属酸化物ゾルをコーティングしてなるコーテイング層を設け、該コーティング層上にシーラント層を積層してなることを特徴とするガスバリア性に優れた積層構造体。 - 特許庁

In this radiological image conversion panel having a fluorescent sheet that is achieved by forming a fluorescent layer on a transparent and moisture-impermeable sheet according to a vapor deposition method, the surface of the fluorescent layer is directly or indirectly covered by a metal thin film (metal foil or metal deposition layer) to insulate the fluorescent layer from water entering from the outside.例文帳に追加

透明非透湿性シート上に気相堆積法により形成した蛍光体層を持つ蛍光体シートを備えた放射線像変換パネルにおいて、蛍光体層の表面を直接あるいは間接的に金属薄膜（金属箔あるいは金属蒸着層）で覆って、外部から侵入する水分から蛍光体層を隔離する。 - 特許庁

To provide a method for producing an oxide superconductive thin film which forms a calcined film in which roughening generated in the surface is suppressed upon the calcining of a coating film of an MOD (Metal Organic Deposition) solution, and produces an oxide superconductive thin film having sufficiently high Jc and Ic by the subsequent normal firing.例文帳に追加

ＭＯＤ溶液の塗膜を仮焼する際に、表面に発生する荒れが抑制された仮焼膜を形成して、その後の本焼により充分に高いＪｃやＩｃを有する酸化物超電導薄膜を作製することができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The preheeling method for a metalized film (21), formed with a metal film (23) on one face or both faces of a film body (22) by vapor deposition, includes a voltage application process for applying an AC voltage between the both faces of the metalized film (21) to melt an insulation defective part (25) for removal.例文帳に追加

フィルム体（22）の一方の面又は両面に蒸着によって金属膜（23）が形成された金属化フィルム（21）のプレヒーリング方法において、金属化フィルム（21）の両面間に交流電圧を印加し、絶縁欠陥部（25）を溶融させて除去する電圧印加工程を設ける。 - 特許庁

After a fourth copper film is deposited on the third copper film 107 by means of an electrolytic deposition technique to perfectly fill up the contact hole 102 and the wiring groove 103, metal crystallites construction the copper films are grown through a heat treatment to cause the third copper film 107 and the fourth copper film 108 to combine together.例文帳に追加

電解メッキ法により第３の銅膜１０７の上に第４の銅膜１０８を接続孔１０２及び配線溝１０３が完全に埋まるように成膜した後、熱処理により銅膜を構成する金属結晶を成長させると共に第３の銅膜１０７と第４の銅膜１０８とを一体化させる。 - 特許庁

To provide a method of forming an NiSi film capable of forming a silicide film of good coverage on the bottom face or the side surface of a trench and a hole pattern, and to provide a method of forming a silicide film, a method of forming a metal film for silicide anneal, a vacuum processing apparatus, and a deposition apparatus.例文帳に追加

トレンチ及びホールパターンの底面や、側面に被覆カバレッジ性の良好なシリサイド膜を形成できるＮｉＳｉ膜の形成方法及びシリサイド膜の形成方法、シリサイドアニール用金属膜の形成方法、真空処理装置、並びに成膜装置の提供。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film which uses an ALD (Atomic Layer Deposition) method of forming a metal silicate film whose residual impurity concentration is reduced by carrying out a process of removing impurities in the film using a chamber which is the same used for forming the film, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

成膜と同一の処理チャンバーを用いて膜中の不純物除去処理を行い、残留不純物の濃度が低減された金属シリケート膜を形成するALD法を用いた薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A magnetic layer, made of a Co metal magnetic thin film, is formed by vacuum deposition on one main surface of a layer containing no carbon black which constitutes a base film of multi-layer structure comprising a nonmagnetic base material, and a protective film comprising a carbon film, is formed on the surface of the magnetic layer through a plasma CVD method.例文帳に追加

非磁性支持体からなる多層構造のベースフィルムを構成するカーボンブラックを含有しない層の一主面に真空蒸着によりＣｏ金属磁性薄膜からなる磁性層を形成し、該磁性層の表面にプラズマＣＶＤ法によりカーボン膜からなる保護膜を形成する。 - 特許庁

This enables minimizing the increase of sheet resistance of the high-meting metal below the silicon nitride film without changing the film quality of the silicon nitride film, and while inhibiting the occurrence of the particles during film deposition in the same way as a conventional method.例文帳に追加

これにより、シリコン窒化膜の膜質を変化させることなく、また成膜時のパーティクルの発生を従来方法と同等としたまま、シリコン窒化膜下の高融点金属のシート抵抗の上昇を最小限に抑えることができる。 - 特許庁

A metal film having excellent adhesion is formed on a prescribed surface in a ceramic structure by a high melting point metal process, a nickel plating layer as an intermediate protective layer is formed on the metal film by a plating process, a nickel-molybdenum disulfide deposition film layer is formed on the intermediate protective layer, and a self-lubricating film having excellent adhesion is formed on the surface of the ceramic structure.例文帳に追加

セラミックス構造体の所定の表面に高融点金属法により密着性に優れた金属皮膜を形成し、前記金属皮膜上にめっき法により中間保護層としてニッケルめっき層を形成し、前記中間保護層上にめっき法によりニッケル・二硫化モリブデン共析物皮膜層を形成して、セラミック構造体の表面に密着性に優れた自己潤滑性皮膜を形成する。 - 特許庁

The resin product containing a bright and discontinuously structured metal film 12 comprising a resin base material 11 and indium on the resin base material 11, is characterised by having an under anti-corrosive protection film 13 for improving the corrosion resistance of the metal film 12 comprising silicon oxonitride, aluminum nitride, aluminum oxonitride or chromium oxide formed by a physical vapor deposition method only under the metal film 12.例文帳に追加

樹脂基材１１と、樹脂基材１１上にインジウムからなる光輝性でかつ不連続構造の金属皮膜１２とを含む樹脂製品であって、金属皮膜１２の下にのみ、物理的蒸着法により形成された、酸窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム又は酸化クロムからなる金属皮膜１２の耐食性を向上させる下耐食保護膜１３を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a film for use in molding which is excellent in molding processability and retains excellent metallic gloss also after molding, in the case of a film having metal gloss by metal vapor deposition.例文帳に追加

成型加工性に優れ、金属蒸着により金属光沢を有したフィルムであって、成型加工後にも優れた金属光沢を保ち、良好な金属調の外観を有した成形部品を製造するに当たって有用な成形用フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a metal like decorative film having hairlines prevented from the peeling of the polyester film in a final product from a metal vapor deposition layer, not damaged in molding processability and excellent in fingerprint resistance, damage resistance and hairline design properties.例文帳に追加

本発明は、ヘアラインを有する金属調化粧フィルムであって、最終製品でのポリエステルフィルムの金属蒸着層での剥がれがなくかつ成形加工性を損なうことなく、優れた耐指紋性、耐傷付性、およびヘアライン意匠性を有する化粧フィルムを提供する。 - 特許庁

The method for forming the refractory metal nitride film, in which the refractory metal nitride film is formed according to a chemical vapor phase deposition method by using a source gas and a reduction gas containing a refractory metallic alkyl amino compound, comprises a step of activating the reduction gas.例文帳に追加

高融点金属のアルキルアミノ化合物を含むソースガスと還元性ガスとを使用して半導体基板上に化学気相成長法により高融点金属窒化膜を形成する高融点金属窒化膜の形成方法であって、還元性ガスを活性化する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The conductive barrier film depositing material is used to deposit a conductive Ti-Zr barrier film by the chemical vapor deposition, and contains Ti halide compound (TiCl_4 or the like) or metal organic compound with Ti, and Zr halide compound (ZrCl_4 or the like) or metal organic compound with Zr.例文帳に追加

ケミカルベーパーデポジションにより導電性Ｔｉ−Ｚｒ系バリア膜を形成する為の材料であって、ハロゲン化Ｔｉ系化合物（ＴｉＣｌ_4 等）又はＴｉを持つ金属有機化合物と、ハロゲン化Ｚｒ系化合物（ＺｒＣｌ_4 等）又はＺｒを持つ金属有機化合物とを含む。 - 特許庁

In the sputtering film deposition method, a metal target is sputtered by a sputtering gas in the presence of a reactive gas of CO_2 and/or CO, and the transparent thin film composed of the oxide of the metal is deposited on the substrate by setting the reaction mode during the sputtering as an oxidation mode.例文帳に追加

ＣＯ_２及び／又はＣＯの反応性ガスの存在下で金属ターゲットをスパッタガスによりスパッタリングし、当該スパッタリング中の反応モードを酸化モードとして基板上に前記金属の酸化物からなる透明薄膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a composition of an organic acid metal salt containing a niobium precursor and a lead precursor suitable for a raw material for a MOD (Metal Organic Deposition) method when a thin film containing niobium and lead is manufactured by the MOD method; and a method for manufacturing the thin film using the same.例文帳に追加

本発明の目的は、ニオブと鉛を含有する薄膜をＭＯＤ法によって作製する際に、ＭＯＤ法用原料に適するニオブプレカーサと鉛プレカーサを含有する有機酸金属塩組成物及び該組成物を用いた薄膜の製造方法を提供することにある。 - 特許庁