「off state current」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

When a main switching element Q1 is turned off in a state in which a resistor RL is a light load or no load, an energy stored once in a capacitor C3 flows as a reverse current IQ2 toward an auxiliary winding NP2, and returns to an input side from a primary winding NP1 of a transformer T1.例文帳に追加

抵抗ＲＬが軽負荷や無負荷の状態では、主スイッチング素子Ｑ１のオフ時において、コンデンサＣ３に一旦蓄えられたエネルギーが、補助巻線Ｎp2に向けての逆向きの電流ＩQ2として流れ、トランスＴ１の一次巻線Ｎp1から入力側に戻される。 - 特許庁

The control circuit 3 includes: a normal blocking circuit 5 which switches the contact point 4b to an off-state by blocking the carrying of electricity to the energization coil 4a of the contactor 4; and a high-speed blocking circuit 6 which blocks a current to the energization coil 4a in a time shorter than that of the normal blocking circuit 5.例文帳に追加

制御回路３は、コンタクタ４の励磁コイル４ａの通電を遮断して接点４ｂをオフに切り換えるノーマル遮断回路５と、このノーマル遮断回路５よりも短い時間で励磁コイル４ａの電流を遮断する高速遮断回路６とを備えている。 - 特許庁

If gate resistance 3 is made sufficiently low in such a state, the collector current of the switching element 9 decreases very quickly, so that a turn-off loss of the switching element 9 is made very small, and a rate of voltage rise is suppressed to be a certain value by an operation of the snubber circuit.例文帳に追加

そこでゲート抵抗３を十分小さくしておけば、スイッチング素子９のコレクタ電流は非常に急速に減少するので、スイッチング素子９のターンオフ損失は非常に小さくすることが可能になり、スナバ回路の作用によって電圧上昇率はある一定の値に抑えることができる。 - 特許庁

In this state, a switching circuit 16 is intermittently switched on - off by an output of an oscillating circuit 21, and accordingly power is intermittently supplied to the first and second voltage- dividing circuits 11 and 12, and thereby an average current consumption in these voltage-dividing circuits 11 and 12 is controlled.例文帳に追加

この状態では、スイッチング回路１６が発振回路２１の出力により間欠的にオンオフされて、第１及び第２の分圧回路１１及び１２に対する電圧供給が間欠的に行われるため、それら分圧回路１１及び１２での平均消費電流が抑制されることになる。 - 特許庁

Furthermore, even after the semiconductor breaker 12 breaks the current, an electrical connection state of the semiconductor breaker 12 is temporarily switched from off to on so as to discharge electric charges charged in a capacitor 14, thereby there is no problem even if capacitance of the capacitor 14 is small.例文帳に追加

また、半導体遮断器１２にて電と流を遮断した後も、半導体遮断器１２の電気的接続状態をオフ状態から一時的にオン状態に切り替えて、コンデンサ１４に充電された電荷を放電させるようにして、コンデンサ１４の容量が小さくてもすむようにしている。 - 特許庁

The commutation sequence selection part includes a commutation means for transiting a switching state at a timing of switching between on/off states in a serial-connected switching element, so that current commutates when voltage switches from/to a range between 0 and -E to/from a range between 0 and +E in output voltage level.例文帳に追加

転流シーケンス選択部は、直列接続されたスイッチング素子のオン・オフ状態変化時にスイッチング状態を遷移させる転流手段を備え、出力電圧レベルが０と−Ｅ相互間及び０と＋Ｅ相互間での電圧切り替わり時に転流するようにしたものである。 - 特許庁

By bringing the four MOS transistors 61a-61d into the off-state before the predetermined period elapses since the DC-DC converter 4 starts to operate like this, an oscillating condition that a grounding current intermittently flows is not caused, so that the earth fault can surely be detected.例文帳に追加

このように、ＤＣ−ＤＣコンバータ４が作動開始した時点から所定時間経過前においては、４つのＭＯＳトランジスタ６１ａ〜６１ｄをオフ状態にすることによって、地絡電流が間欠的に流れる発振状態になることはなく、確実に地絡を検出することができる。 - 特許庁

If a signal Sc1 indicates that the output node potential Vnd is below a first reference potential Vr1, which is used as a reference for detecting the production of an inrush current when the first switch SW1 is on, a control circuit 10 turns the first switch SW1 into an off state.例文帳に追加

制御回路１０は第１のスイッチＳＷ１をオンさせている際に、出力ノード電位Ｖｎｄが突入電流発生を検知するための基準となる第１の基準電位Ｖｒ１を下回っていることを信号Ｓｃ１が示したときは、第１のスイッチＳＷ１をオフ状態にする。 - 特許庁

Fluctuation of the voltage at the power source noise measuring point which is a power source noise generates fluctuation of the voltage between the gate and the source of the MOS transistor, and the ON/OFF state of the MOS transistor or fluctuation of a drain current value generated by the fluctuation is observed, to thereby measure the power source noise.例文帳に追加

電源ノイズである電源ノイズ測定点の電圧の変動が、ＭＯＳトランジスタのゲート−ソース間電圧の変動となり、その変動が起こすＭＯＳトランジスタのＯＮ／ＯＦＦ状態もしくはドレイン電流値の変動を観測することで、電源ノイズを測定する。 - 特許庁

Then the occurrence of an overcurrent to the IC 1 is monitored by means of a current detecting resistor 4 and an overcurrent detecting circuit 5, and when an overcurrent occurs, the power switch 8 is turned off by means of a switch control section 6 and the gates 9 and 10 are set to the second state by means of a gate control section 11.例文帳に追加

そして、電流検出用抵抗４および過電流検出回路５によりＩＣ１への過電流の発生を監視し、過電流が発生した場合にスイッチ制御部６が電源スイッチ８をＯＦＦするとともに、ゲート制御部１１がゲート部９，１０を第２状態とする。 - 特許庁

To provide a thin film transistor (TFT) substrate, excellent in reliability and off-state current property, with a TFT realizing a thin film for a gate insulating film that is effective in voltage reduction of operation voltage, etc., and its manufacturing method, a semiconductor device and a liquid crystal display having the same.例文帳に追加

信頼性及びオフ電流特性に優れ、動作電圧の低電圧化等に有効なゲート絶縁膜の薄膜化を実現することができる薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタ基板、その製造方法、並びに、それを備える半導体装置及び液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Particularly, in the charge period, the drive apparatus 1 turns on the charge switch SW1 at a fixed period and turns off the charge switch SW1, when an integral value of the current, applied to a charging path 30 in on-state of the charging switch SW1, reaches a targeted charge quantity Q.例文帳に追加

そして特に、充電期間においては、一定の周期で充電スイッチＳＷ１をオンすると共に、充電スイッチＳＷ１のオン時に充電経路３０に流れる電流の積分値が、目標電荷量Ｑに到達すると、充電スイッチＳＷ１をオフする。 - 特許庁

When the load 16 becomes its ordinary state to make the sensed voltage VA of the current sensing resistor 22 not smaller than the reference voltage VR2 of the reference power supply 23, performing the ON/OFF control of the MOSFET 4 for synchronized rectifications by the output signal of the comparison circuit 26, a rectifying operation is performed.例文帳に追加

負荷１６が通常状態となり、電流検出用抵抗２２の検出電圧Ｖ_Aが基準電源２３の基準電圧Ｖ_R2以上になると、比較回路２６の出力信号により同期整流用ＭＯＳ-ＦＥＴ４がオン・オフ制御され整流動作が行われる。 - 特許庁

The semiconductor device has a non-volatile memory cell including a write transistor which includes an oxide semiconductor and has small leakage current in an off state between a source and a drain, a read transistor including a semiconductor material different from that of the write transistor, and a capacitor.例文帳に追加

酸化物半導体を用い、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流（オフ電流）が少ない書き込み用トランジスタ、該書き込み用トランジスタと異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ及び容量素子を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

During the initial stage of starting of the discharge lamp, the above switch SW is held in Off state and, after a certain time from the starting or when the voltage, power, current value or the light amount of the discharge lamp have reached a prescribed value, the above switch element SW is closed, and the overshoot inhibiting circuit 4 is made effective.例文帳に追加

放電ランプの始動初期の間、上記スイッチ素子ＳＷはオフ状態に保持され、始動から一定時間後または電圧、電力、電流値または放電ランプの光量が所定値に到達すると上記スイッチ素子ＳＷを閉じ、オーバーシュート抑止回路４を有効にする。 - 特許庁

The position detection processing means 112 conducts position detection processing on the basis of the signal given by the detection timing control means 111, and a theft detecting means 113 detects a theft state on the basis of the comparison of a vehicle position when the ignition key is turned off with the current vehicle position.例文帳に追加

位置検出処理手段１１２は、検出タイミング制御手段１１１からの信号に基づいて位置検出処理を行い、盗難検知手段１１３はイグニッションキーがオフされたときの車両位置と現在の車両位置との比較に基づいて盗難状態を検知する。 - 特許庁

When the flash light 2 is mounted on the holding stand 3 in the state where a main switch 25 of the flash light is turned on and white light emitting diodes 11 are lighted, the white light emitting diodes are turned off, and green light emitting diodes 12 are lighted by the current supplied from an adapter 45 of the holding stand 3.例文帳に追加

懐中電灯２の主スイッチ２５をオンして白色発光ダイオード１１を点灯した状態で保持台３に装着すると、これらが消灯し、代わって緑色発光ダイオード１２が保持台３のアダプタ４５から供給される直流電流により点灯する。 - 特許庁

To facilitate suppression of the current variation rate (di/dt) of each power semiconductor at the time of on/off driving and to reduce failure of each power semiconductor by shortening the time when it is in unbalanced state while reducing loss at the time of turn off thereby equalizing the load being applied to each power semiconductor.例文帳に追加

各電力用半導体をオン／オフ駆動するとき、各電力用半導体の電流変化率（ｄｉ／ｄｔ）を抑制し易くするとともに、ターンオフするときの損失を小さくしながら、各電力用半導体がアンバランス状態になっている時間を短くして、各電力用半導体にかかる負荷を均一化し、各電力用半導体の破壊事故を低減する。 - 特許庁

While controlling the output relays RY1, RY2 to off, a control unit 11 performs on/off control of the semiconductor switch and outputs a certain series sign to an output line and determines the state of mixed contact in the output line based on comparison between time-series changes in sensor outputs detected by each current sensor at that time and the series sign output to the output line, the control unit.例文帳に追加

制御部１１は、出力リレーＲＹ１、ＲＹ２をオフ制御中に半導体スイッチをオン／オフ制御して所定の直列符号を出力回線に出力し、このとき各電流センサによって検出されるセンサ出力の時系列な変化と出力回線に出力した直列符号との比較から出力回線の混触状態を判定する。 - 特許庁

A CPU 41 that constitutes a drive mechanism 40 of the actuator for the drive switching unit outputs a command for turning on a relay 43A and turning off the FET 44 when a requirement for switching the driving state of a vehicle is not detected by a manual switch 50, and determines that the FET 44 has an on-failure when a current detecting circuit 45 detects a current.例文帳に追加

駆動切替装置用アクチュエータの制御機構４０を構成するＣＰＵ４１は、手動スイッチ５０により車両の駆動状態を切替える要求が検出されないときに、リレー４３Ａがオンとなり且つＦＥＴ４４がオフとなるように指示し、電流検出回路４５が電流を検出した場合には、ＦＥＴ４４がオン故障していると判断する。 - 特許庁

Therefore, since a gate and a cathode need to be short-circuited to reduce the current between an anode and a cathode to a retention current or lower for turning off a normal thyristor, the cathode to be grounded is set to be the photothyristor 17 for use in a floating state, thus increasing the degree of freedom in circuit design and the application range of control output.例文帳に追加

したがって、通常のサイリスタではＯＦＦさせるのにアノード−カソード間の電流を保持電流以下にするためにゲート−カソード間を短絡する必要があることから接地されるカソードを、前記フォトサイリスタ１７とすることでフローティング状態で使用することができ、これによって回路設計の自由度および制御出力の適用範囲を拡大することができる。 - 特許庁

Thereafter, when the diode element region is switched into an off-state, and an IGBT element region of any of the plurality of semiconductor devices is turned on, the carrier attenuation region is brought into a state without being depleted, and carriers present in the drift region are attenuated by the carrier attenuation region, and thereby a reverse recovery current in the diode element region is suppressed.例文帳に追加

この後、ダイオード素子領域をオフ状態に切り換え、複数の半導体装置のうちのいずれかのＩＧＢＴ素子領域をターンオンする場合には、キャリア減衰領域が空乏化されていない状態になり、ドリフト領域内に存在するキャリアが、このキャリア減衰領域によって減衰されるため、ダイオード素子領域の逆回復電流が抑制される。 - 特許庁

The time from before a predetermined time of edge to the edge when a PWM signal changes to a different level to switch an FET for controlling energization to each coil 30 during energization period to the each coil 30 of a motor 16 is specified as a detection period of electric current running through the coil 30 connected to the FET for switching an on state to an off state.例文帳に追加

モータ１６の各コイル３０への通電期間の間の、それぞれのコイル３０への通電を制御するＦＥＴをオンからオフに切り換えるべくＰＷＭ信号が異なるレベルに変化する際のエッジの所定時間前から当該エッジまでの時間を、当該オンからオフに切り換えるＦＥＴに接続されたコイル３０に流れる電流の検出期間と特定する。 - 特許庁

The clock is supplied to a digital circuit block 102 in a state of changing a frequency step-by-step while taking a specific period when a mode is transferred from a low power consumption mode to a regular operation mode, or in reverse, whereby a sudden change of the power source current caused by the ON/OFF of the clock is reduced, which reduces the noise generation.例文帳に追加

低消費電力モードから通常動作モード、あるいはその逆に移行する際、所定の期間をかけて、段階的に周波数を変化させながらクロックをディジタル回路ブロック１０２へ供給することで、クロックＯＮ／ＯＦＦ時に起因する急激な電源電流変化を押さえ、発生ノイズの低減を図る。 - 特許庁

This is an imaging device incorporating an image stabilizer and has a sensor 108 for detecting its attitude or vibrations, and a controller 101 to cut off the electric current, at least to part of the stabilizer when the sensor detects the stabilized state of the device.例文帳に追加

手ブレ補正手段を備える撮像装置であって、撮像装置の姿勢又は振動を検出する検出手段１０８と、前記検出手段により静止状態が検出された場合に、前記手ブレ補正手段の少なくとも一部への通電を停止するよう制御する制御手段１０１と、を備えて構成される。 - 特許庁

When the temperature of the diode 3 detected becomes higher than a protection control start temperature, the forward voltage Vf of the diode 3 becomes lower than the threshold voltage Vth of a threshold-producing circuit 13 and a comparator 9 outputs an overheat-detecting signal of L level, while an MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) 2 goes into a current cut-off state.例文帳に追加

ダイオード３の検出温度が保護制御開始温度よりも高くなると、ダイオード３の順方向電圧Ｖｆがしきい値生成回路１３のしきい値電圧Ｖthよりも低くなり、コンパレータ９はＬレベルの過熱検出信号を出力し、ＭＯＳＦＥＴ２は電流遮断状態となる。 - 特許庁

Thyristors of the switch mode power control circuit 4 and rush current preventing circuit 2 are turned off when the service interruption or voltage drop of an AC power source is continued for about 20 msec or longer, whereby a state that a discharge lamp has been lighted is retained for about 20 msec from the service interruption or voltage drop, and the discharge lamp is then extinguished.例文帳に追加

ＡＣ電源の停電または電圧降下が２０ｍsec程度以上継続したときにスイッチモード電力制御回路４および突入電流防止回路２のサイリスタをオフにすることで、停電または電圧降下から２０ｍsec程度は放電灯のついた状態を維持し、その後消灯する。 - 特許庁

A battery 4 is charged based on the power generation output of the alternator 2 and a capacitor 5 is also charged at a constant voltage (threshold voltage of a high voltage side), and then, a field current is turned off to stop the alternator 2 (so-called alternator-cut state), and the energy stored in the capacitor 5 is supplied to the load.例文帳に追加

オルタネータ２の発電出力により、バッテリ４が充電され、かつ、キャパシタ５も一定電圧（高電圧側の閾値電圧）以上に充電されると、自動的に、オルタネータ２はフィールド電流がオフされて発電停止状態（いわゆるオルタカットの状態）になり、キャパシタ５の蓄積エネルギが負荷に給電される。 - 特許庁

During cooling operation, the motor 22 is switched on and off together with a refrigerating device to cool the interior of the storage almost to the set temperature, but in the shading coil type induction motor, the heat generation of a coil in the current flowing state is high, and the temperature of the motor 22 becomes high.例文帳に追加

除霜運転に代わると、モータ２２が非通電状態となる一方で、除霜用のヒータ１８が発熱して周囲温度も高くなる傾向にあるが、モータ２２では、冷却運転時に保有して残った熱により、そのケース２４の表面の温度が、周囲温度と同程度かそれよりも大きく保持される。 - 特許庁

The operation timing of an A/D converter 93 is shifted when a PWM command value (modulated wave) 91 is in a predetermined A area in conducting a DC current control system in a digital manner using a multiplex chopper, thus preventing an instable state of control by overlapping noise generation timing accompanied by ON/OFF operations of a semiconductor switch.例文帳に追加

多重チョッパを用い、直流電流制御系をディジタル式で実施する場合に、ＰＷＭ指令値（変調波）９１が所定のＡ領域にあるとき、Ａ／Ｄ変換器９３の動作タイミングをずらし、半導体スイッチのＯＮ／ＯＦＦに伴うノイズ発生タイミングとの重なりによる制御の不安定化を防止する。 - 特許庁

When a current flows through a region (channel region) near the boundary with the multiplex δ doped InAlAs layer 204 inside the InGaAs layer 203, while reducing resistance to the movement of carriers passing through the multiplex δ doped InAlAs layer 204 which is a carrier supply layer, the breakdown voltage at the time of off-state is increased.例文帳に追加

電流がＩｎＧａＡｓ層２０３内の多重δドープＩｎＡｌＡｓ層２０４との界面付近の領域（チャネル領域）を流れる際に、キャリア供給層である多重δドープＩｎＡｌＡｓ層２０４を通過するキャリアの移動に対する抵抗を低減しつつ、オフ時における耐圧を高めることができる。 - 特許庁

A semiconductor device integrally comprises: a storage circuit using a transistor (in a broader sense, a transistor having sufficiently less OFF-state current) that uses an oxide semiconductor; and a peripheral circuit such as a driving circuit using a transistor (in other words, a transistor capable of sufficiently high-speed operation) that uses a material other than the oxide semiconductor.例文帳に追加

酸化物半導体を用いたトランジスタ（より広義には、十分にオフ電流が小さいトランジスタ）を用いた記憶回路と、酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタ（換言すると、十分な高速動作が可能なトランジスタ）を用いた駆動回路などの周辺回路と、を一体に備える半導体装置とする。 - 特許庁

A TR control circuit, consisting of AND logic gates G1-G4 or the like individually, controls a signal given to the gates of the TRs T2A1 to T2A4 to select a TR to become conductive among a plurality of the TRs T2A1 to T2A4 in the case of a current output off state, thereby setting an optimum on-resistance.例文帳に追加

ＡＮＤ論理ゲートＧ１〜Ｇ４などで構成するトランジスタ制御回路は、これらトランジスタＴ２Ａ１〜Ｔ２Ａ４のゲートに与える信号を個別に制御することで、前記電流出力オフの際に、これら複数トランジスタＴ２Ａ１〜Ｔ２Ａ４の内でオンにするトランジスタを可変し、最適なオン抵抗が設定される。 - 特許庁

The smoldering elimination control processing eliminates the fouling by smoldering by burning off carbon sticking to the periphery of a central electrode of the spark plug by generating spark discharge in a state of stopping fuel supply (S180) when detecting the inward flying sparks on the basis of the integral value of the discharge current (a determination of NO in S140).例文帳に追加

そして、くすぶり解消制御処理は、放電電流の積分値に基づき奥飛火を検知すると（Ｓ１４０で否定判定）、燃料供給を停止した状態で火花放電を発生させる（Ｓ１８０）ことで、点火プラグの中心電極周囲に付着したカーボンなどを焼き切り、くすぶり汚損を解消する。 - 特許庁

A PTC ceramic heater 91 is clamped in the vertical state of its ventilating face by a heater case 92 at the upper face and a heater cover 93 at the lower face, and the heater case 92 is provided with a thermistor 94 for controlling a current flowing to the PTC ceramic heater, and a thermal fuse 95 for cutting off a current flowing to the PTC ceramic heater.例文帳に追加

ＰＴＣセラミックヒータ９１をその通風面を垂直にして、上面のヒータケース９２と下面のヒータカバー９３とで挟着して保持し、通風面の上流側の通風路でかつ、ＰＴＣセラミックヒータ９１よりも上部において、ＰＴＣセラミックヒータの通電を制御するためのサーミスタ９４とＰＴＣセラミックヒータの通電を遮断するための温度ヒューズ９５とをヒータケース９２に設けた。 - 特許庁

In the semiconductor device including a differential amplifier to which an input potential and a reference potential are inputted, a gain stage, and an output stage for outputting an output potential, a potential supplied from the gain stage is kept constant by arranging a transistor having a low leakage current in an OFF state, at the output stage.例文帳に追加

入力電位および基準電位が入力される差動増幅器、利得段および出力電位が出力される出力段を有する半導体装置において、該出力段にオフ状態でのリーク電流が低いトランジスタを配置することで、該利得段から供給される電位が一定に保持される半導体装置である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which allows manufacturing of a high-performance and very reliable dual gate CMOS transistor reduced in size, wherein a short channel effect is suppressed and off-state current is reduced and depletion a gate electrode is suppressed and penetration of boron through a gate insulation film is prevented, without increasing the number and the time of manufacturing processes.例文帳に追加

製造工程の増加及び長時間化を招くことなく、短チャネル効果を抑制し、オフ電流を低減させ、ゲート電極の空乏化を抑制し、ボロンのゲート絶縁膜突抜けを防止する高性能で高信頼性を有する微細化したデュアルゲート型ＣＭＯＳトランジスタを製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element operating in the normally-off mode and in a high-breakdown voltage and high-current state by forming a Schottky electrode in a source region of an FET, including an ohmic pattern electrode therein, and forming a gate electrode in a part of a source electrode region and a part of a nitride semiconductor region, and provide a manufacturing method for the same.例文帳に追加

ＦＥＴのソース領域にショットキー電極を形成し、内部にオミックパターン電極を備え、ゲート電極をソース電極の一部領域と窒化物半導体領域の一部に形成することによって、ノーマリ−オフ動作すると共に高耐圧及び高電流で動作可能な、半導体素子及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The LED flash device includes: an LED as a light source; the lithium ion capacitor for driving the LED; a nonaqueous-system secondary battery for charging the lithium ion capacitor; a controller that controls the light emitting state of the LED including flash pulse width; and a first switching element that turns on/off current flowing in the LED according to control by the controller.例文帳に追加

このＬＥＤフラッシュ装置は、光源としてのＬＥＤと、そのＬＥＤ駆動用のリチウムイオンキャパシタと、そのリチウムイオンキャパシタ充電用の非水系二次電池と、フラッシュパルス幅を含む前記ＬＥＤの発光状態を制御するコントローラと、前記コントローラの制御に応じて前記ＬＥＤに流れる電流をオン／オフする第一のスイッチング素子を有している。 - 特許庁

To provide an LED lighting device in which stability of optical output and lifetime of an LED is attained by controlling excessive temperature rise in lighting the LED to a stable state, and when by any chance an abnormal temperature rise is caused, drive current of the LED is cut off to secure safety of the device including the LED.例文帳に追加

ＬＥＤの点灯時の過度な温度上昇を安定した状態に抑制することによりＬＥＤの光出力及び寿命の安定化を図り、且つ万一異常な温度上昇が生じた場合にはＬＥＤの駆動電流の遮断によりＬＥＤを含めた装置の安全を確保することが可能なＬＥＤ照明装置を提供することにある。 - 特許庁

An ECU 50 corrects a current intake air quantity Q with pressure ratio (Pmg/pm) of an ISC intake air quantity Qisc necessary for evading engine stall and a guard intake air quantity necessary for maintaining the pressure in the intake manifold in an accelerator-off state to a designated guard pressure Pmg or more to obtain a guard intake air quantity Qg.例文帳に追加

ＥＣＵ５０は、エンジンストールを回避するために必要なＩＳＣ吸入空気量Ｑｉｓｃとアクセルオフ状態にあるときの吸気マニホルド圧を規定のガード圧力Ｐｍｇ以上に維持するために必要なガード吸入空気量との圧力比（Ｐｍｇ／ｐｍ）で現在の吸入空気量Ｑを補正してガード吸入空気量Ｑｇを求める。 - 特許庁

The voltage lowering means 1 is composed of a resistor 15, a diode 12 connected in parallel to the resistor 15 for controlling the electric current in a specific direction, and a switching mechanism 11 connected in parallel to the resistor 15 and being operated to an open (OFF) state at a position just before the final point of the operation.例文帳に追加

電圧降下手段１は、抵抗体１５と、抵抗体１５に対して並列に接続されるものであって一定方向への電流制御を行なうダイオード１２と、抵抗体１５に対して並列に接続されるものであって作動最終点の直前位置に到達したときに開（ＯＦＦ）状態に作動するスイッチ機構１１と、からなる。 - 特許庁

In an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provided with a pair of main electrodes (emitter-collector electrodes) and a trench gate electrode 32 controlling the on-off state of the electric current flowing between a pair of the main electrodes, an n-type floating semiconductor region is formed in a body region 28 side from the bonding interface of the body region 28 and a drift region 26.例文帳に追加

一対の主電極（エミッタ・コレクタ電極）と、その一対の主電極間を流れる電流のオン・オフを制御するトレンチゲート電極３２を備えているＩＧＢＴ(Insulated Bipolar Transistor)において、ボディ領域２８とドリフト領域２６の接合界面よりボディ領域２８側にｎ型のフローティング半導体領域が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

Since the impedance is increased by the current adjustment circuit (41) when the standby signal is generated by the standby-state detection circuit (34), not only the power consumption of the output voltage adjustment circuit (33) is reduced but also the power consumption of the switching power supply device itself is reduced by extending an off-period of the MOSFET (3) by using the output voltage adjustment circuit (33).例文帳に追加

待機状態検出回路(34)が待機信号を発生したときに、電流調整回路(41)によりインピーダンスを増加させるので、出力電圧調整回路(33)での消費電力を低減するのみならず、出力電圧調整回路(33)によりＭＯＳＦＥＴ(3)のオフ期間を延長して、スイッチング電源装置自体の消費電力を低減することができる。 - 特許庁

When supplying electric power to a motor 4 from a series power source of a battery 7 and an auxiliary power source 9, since a MOS-FET13 preventing an electric current by voltage of the auxiliary power source 9 from flowing backward to the upstream side is put in an OFF state when it is normal, its both end voltage possibly causes a difference equivalent to the voltage of the auxiliary power source 9.例文帳に追加

バッテリ７と補助電源９との直列電源からモータ４への電力供給時に、補助電源９の電圧による電流が上流側へ逆流することを防止するＭＯＳ−ＦＥＴ１３は、正常であればオフ状態であるから、その両端の電圧は補助電源９の電圧分の差が生じるはずである。 - 特許庁