「oxide passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The passivation film is removed partially by irradiating a YAG laser on a silicon nitride film or titanium oxide film which is formed on the solar battery as a passivation film.例文帳に追加

太陽電池ウエハ上にパッシベーション膜として形成されたシリコンナイトライド膜または酸化チタン膜にＹＡＧレーザーを照射して、前記パッシベーション膜を部分的に除去する。 - 特許庁

A side wall passivation is managed by selectively forming an oxide passivation layer on the side wall and/or the bottom portion of an etching layer.例文帳に追加

一実施形態において、側壁パッシベーションは酸化パッシベーション層をエッチング層の側壁及び／又は底部に選択的に形成することによって管理される。 - 特許庁

Moreover, an oxide film 153 generated by the passivation is covered with a passivation film 111 composed of one of SiN, SiON, and SiO_2 that are dielectrics.例文帳に追加

そして、不動態化によって生成された酸化膜１５３を、誘電体であるＳｉＮ、ＳｉＯＮ及びＳｉＯ_２のいずれかからなるパッシベーション膜１１１で被覆する。 - 特許庁

An ITO layer with a silicon oxide film thereon is separated by single dry etching, and further the ITO layer is overetched to a passivation film 7 so that the pixel electrode 6 under the passivation film 7 can be reliably separated from the adjacent pixel electrode 6.例文帳に追加

この原因は、ＩＴＯ層からなる画素電極が導電性の異物により短絡されるために発生するためで、２個対点欠陥が生じた場合、パネルは不良品となるので、歩留まりを著しく悪化させていた。 - 特許庁

The slurry with a high flattening rate contains at least one or more kinds of metal oxide polishing particles and a negative-ion passivation agent.例文帳に追加

高平坦化度スラリーは、少なくとも１種以上の金属酸化物研磨粒子及び負イオン性のパッシベーション剤を含む。 - 特許庁

A chemical mechanical polishing oxide slurry comprises polishing particles and an aqueous solution containing two or more passivation agents different from each other.例文帳に追加

化学機械的な研磨酸化物スラリーは研磨粒子と二つまたはそれ以上の相異なるパッシベーション剤を含む水溶液とよりなる。 - 特許庁

The solution selectively removes the barrier metal for a passivation layer such as silicon nitride (16) and an oxide/FSG (12).例文帳に追加

この溶液が、パッシベーション層（例えば、窒化珪素）(16)と酸化物／ＦＳＧ(12)に対して、バリヤー金属を選択的に除去する。 - 特許庁

METALLIC MATERIAL WHEREIN CHROMIUM OXIDE PASSIVATION FILM IS FORMED, ITS MANUFACTURE AND CORROSIVE FLUID CONTACTING PART AND FLUID SUPPLY/DISCHARGE SYSTEM例文帳に追加

酸化クロム不働態膜が形成された金属材料及びその製造方法並びに接流体部品及び流体供給・排気システム - 特許庁

A second passivation layer 44 which is plane on the front surface is formed on the color filters 43 from the material contg. the silicon nitride or the silicon oxide.例文帳に追加

その後、上面が平面である第２パシベーション層がカラーフィルタ上に窒化珪素あるいは酸化珪素を含む材料から形成される。 - 特許庁

Then, an Al_2O_3 film 20 is formed on a silicon oxide film 19 as the passivation preventing hydrogen and moisture from invading.例文帳に追加

次いで、シリコン酸化膜１９上に、水素及び水分の侵入を防止する保護膜としてＡｌ_2Ｏ_3膜２０を形成する。 - 特許庁

First passivation layers 41 formed from a material contg. silicon nitride or silicon oxide are heated so as to be melted.例文帳に追加

窒化珪素あるいは酸化珪素を含む材料から形成される第１パシベーション層はそれが溶融するように加熱される。 - 特許庁

The coated pigment includes an inorganic substrate 12 with surface-anchoring groups, optionally coated with a passivation layer 15, and a manganese oxide nanoparticles layer 18 coating the substrate.例文帳に追加

場合によっては不動態化層１５で被覆された、表面固定基を有する無機基材１２を、酸化マンガンナノ粒子層１８で被覆する。 - 特許庁

The chemical mechanical polishing slurry is a solution containing a metal oxide polishing agent, a removal-speed acceleration agent, an anionic polymer passivation agent having a molecular weight of 1,000 to 100,000, and C1 to C12 anion passivation agents.例文帳に追加

金属酸化物研磨粒子、除去速度加速剤、１，０００ないし１００，０００の分子量を有するアニオン性ポリマーパッシベーション剤、及びＣ_１〜Ｃ_１２のアニオン性パッシベーション剤を含む水溶液としてのＣＭＰ用スラリー。 - 特許庁

The organic EL element has a passivation layer in which a layer including at least one selected from a nitride, an oxide, and an oxide-nitride and a layer including a fluoride are laminated.例文帳に追加

パッシベーション層が、窒化物、酸化物及び酸窒化物から選ばれる少なくとも１つを含む層と、フッ化物を含む層とを積層したものである有機ＥＬ素子とする。 - 特許庁

To solve problems present in the conventional passivation technology for solar cells that a thermal oxide film requires high temperature which greatly affects the substrate and that hydrogen plasma or hydrogen annealing requires much cost for facilities.例文帳に追加

従来の太陽電池に用いられているパッシベーション技術における、熱酸化膜では高温度が必要で、基板への熱的影響が大きく、水素プラズマや水素アニールでは設備費用が高価になる課題を解決する。 - 特許庁

Relating to the field-effect transistor 10, the density of film quality of silicon dioxide constituting the passivation film 20 is rougher than that of silicon dioxide constituting the gate oxide film 14.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０では、パッシベーション膜２０を構成する二酸化シリコンの膜質が、ゲート酸化膜１４を構成する二酸化シリコンの膜質よりも密度が粗である。 - 特許庁

To provide the oxidation of a Cu surface, the diffusion of Cu to an adjoining oxide film, or the alteration of the Cu surface when forming a passivation portion of a semiconductor device using Cu wiring as multiple layer wiring.例文帳に追加

多層配線としてＣｕ配線を用いる半導体装置のパッシベーション部の形成時に、Ｃｕ表面の酸化や、隣接する酸化膜に対するＣｕの拡散あるいはＣｕ表面の変質を防止すること。 - 特許庁

To provide a multilayer conductive film provided with an oxide thin film, having superior passivation properties, not impairing reflection property of Ag, having proper conductivity, and being not hindering the injection of carriers into a material laminated thereon.例文帳に追加

パッシベーション性に優れ、Ａｇの反射特性を損なわず、適度な導電性を有し、かつこの上に積層される材料へのキャリアの注入を阻害しない、酸化物薄膜を設けた多層導電膜を提供する。 - 特許庁

The passivation film which is a film of the silicon oxide nitride (SiO_xN_y), in which ratio of nitrogen atoms (N) and oxygen atoms (O) is tiltingly varied in the depth direction of the film is formed between the color filter and a transparent electrode on a substrate.例文帳に追加

窒化酸化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）からなる膜であって、膜の深さ方向で窒素原子（Ｎ）と酸素原子（Ｏ）の比率が傾斜的に変化しているパッシベーション膜を基板上のカラーフィルター層と透明電極間に形成する。 - 特許庁

A bright-annealed stainless steel sheet is subjected to electrolytic treatment in a nitric acid aqueous solution so as to perfectly remove the uneven BA film, and simultaneously, passivation treatment is performed, thus a new oxide film is formed on the surface of the stainless steel sheet.例文帳に追加

光輝焼鈍したステンレス鋼板を硝酸水溶液中で電解処理して不均一なＢＡ皮膜を完全に除去すると同時に不動態化処理を行い、ステンレス鋼板の表面に新たな酸化皮膜を形成する。 - 特許庁

An inner surface of the heat treatment apparatus is covered with an oxide passivation film, and has a center average roughness Ra of ≤1 μm.例文帳に追加

加熱処理装置の内表面を酸化物不働態膜によって覆うと共に、当該内表面の表面粗さを中心平均粗さＲａで１μｍ以下にする。 - 特許庁

The part of the low-dielectric-constant film-wiring laminated structure part 3 where the wiring 5 is arranged is provided in a groove 6 in a plane rectangular frame shape, and a passivation film 8 made of silicon oxide etc., is provided thereupon.例文帳に追加

低誘電率膜配線積層構造部３のうち配線５が配置された部分は平面方形枠状の溝６内に設けられ、その上には酸化シリコン等からなるパッシベーション膜８が設けられている。 - 特許庁

To provide an organic EL element having a passivation film having water vapor barrier properties and transparency higher than those of silicon nitride (SiN_x) single-layer film or usual silicon oxide nitride (SiO_xN_y) film, and to provide a color filter.例文帳に追加

窒化珪素（ＳｉＮｘ）の単層膜や通常の窒化酸化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）膜より高い水蒸気バリア性と透明性を有するパッシベーション膜を有する有機ＥＬ素子及びカラーフィルターを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device wherein a gap to be generated on a passivation film at an end portion of an aluminum wiring can be restrained without enlarging a distance from a contact hole to an oxide film or a conducting film unnecessarily.例文帳に追加

コンタクトホールから酸化膜あるいは導電膜までの間隔を必要以上に広げることなく、アルミニウム配線端のパッシベーション膜に発生する空隙を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Passivation films 18a, 18b made of insulating films of silicon nitride, silicon oxide nitride or the like are laminated so as to cover a light-emitting element, and a stress relaxing film containing a vinyl polymer (hereinafter called as a stress relaxing film) 18p is laid between.例文帳に追加

本発明は、発光素子を覆って窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜からなるパッシベーション膜１８ａ、１８ｂを積層し、その間にビニルポリマーを含む応力緩和膜（以下、応力緩和膜と呼ぶ）１８ｐを設ける。 - 特許庁

This is the negative collector for the secondary battery wherein a passivation coating film composed of copper oxide containing Zn oxide is formed on the surface of Cu alloy foil composed of Zn of more than 5 wt.% and 40 wt.% or less, and the rest part comprising Cu and 0.01 wt.% or less of inevitable impurities.例文帳に追加

Ｚｎ：５質量％を超え４０質量％以下、残部がＣｕと０.０１質量％以下の不可避的不純物から成るＣｕ合金の箔の表面に、Ｚｎ酸化物を含むＣｕ酸化物から成る不動態被膜が形成されている二次電池用負極集電体。 - 特許庁

The slurry with a high selection ratio contains at least one or more kinds of metal oxide polishing particles, a passivation agent smaller in quantity than the passivation agent 20 included in the slurry with a high flattening rate, and a quaternary amine or its salt and a pH conditioner, and it has such a pH that is higher than an isoelectric point of a polishing target film 10 and lower than that of a polishing stopper 15.例文帳に追加

高選択比のスラリーは、少なくとも１種以上の金属酸化物研磨粒子、高平坦化度のスラリー剤に含まれたパッシベーション剤２０より小さい含量のパッシベーション剤、４次アミンまたはその塩及びｐＨ調節剤を含み、ポリシング対象膜１０の等電点より高くてポリシングストッパー１５の等電点より低いｐＨを有する。 - 特許庁

On a substrate for liquid crystal panel which has a pixel area where reflecting electrodes are formed in a matrix on the substrate and its peripheral area, a 1st passivation film is formed of silicon oxide on the substrate and a 2nd passivation film is formed of silicon nitride on a side of a laminated structure in the peripheral area.例文帳に追加

基板上に反射電極がマトリックス状に配置されてなる画素領域とその周辺の周辺領域とを有する液晶パネル用基板において、前記反射電極上には酸化シリコンからなる第1のパシベーション膜を形成してなり、記周辺領域における積層構造の側面には窒化シリコンからなる第２のパシベーション膜を形成する。 - 特許庁

An integrated circuit device is provided with the ferroelectric material positioned between a first metal electrode and a second metal electrode and a passivation layer containing a titanium doped aluminum oxide positioned on the first metal electrode.例文帳に追加

本発明による集積回路デバイスは、第１の金属電極と第２の金属電極との間に位置する強誘電体材料と、第１の金属電極上に位置する、チタンドープトアルミニウム酸化物を含むパッシベーション層とを備える。 - 特許庁

The slurry compositions include one or more non-ionic polymeric surfactants that will selectively form a passivation layer on an exposed polysilicon surface in order to suppress the polysilicon removal rate relative to silicon oxide and silicon nitride and improve the planarity of the polished substrate.例文帳に追加

シリコン酸化物及びシリコン窒化物に対してポリシリコン除去速度を低め、研磨された表面の平坦度を改善するために露出されたポリシリコン表面上にパッシベーション層を選択的に形成できる一つまたはそれ以上の非イオン性ポリマー界面活性剤を含むスラリー組成物。 - 特許庁

A conductive bump construction for IC (Integrated Circuit) construction has a passivation layer such as silicon oxide/nitride silicon stack, which is formed on each upper surface of IC conductive contact pads (e.g., Al pads).例文帳に追加

集積回路（ＩＣ）構成体用の導電性バンプ構成体が、シリコン酸化物／窒化シリコンスタック等のパッシベーション層を有しており、それはＩＣの導電性コンタクトパッド（例えば、Ａｌパッド）の各々の上表面上に形成されている。 - 特許庁

To obtain a planar photothyristor chip of such a passivation structure as an oxygen doped semi-insulating polysilicon film is deposited on a silicon oxide film in which the oxygen doped semi-insulating polysilicon film is prevented from being divided by overetching.例文帳に追加

酸化シリコン膜上に酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜を堆積したパシベーション構造のプレーナ型フォトサイリスタチップにおいて、酸素ドープ半絶縁性多結晶シリコン膜のオーバーエッチングによる分断を防止する。 - 特許庁

On the upper surface of a passivation film 3 of silicon oxide, or the like, which is provided on the upper surface of a silicon substrate 1 excepting the peripheral part thereof, first and second insulating films 5 and 9 and first and second interconnections 8 and 12 formed of the low dielectric constant material such as BCB and the like are laminated alternately.例文帳に追加

シリコン基板１の上面に設けられた酸化シリコン等からなるパッシベーション膜３の上面の周辺部を除く領域にはＢＣＢ等の低誘電率材料からなる第１、第２の絶縁膜５、９と第１、第２の配線８、１２とが交互に積層されて設けられている。 - 特許庁

The coated film H comprises a nickel coated part N which is formed on the surface of the driven part 11, a chrome coated part C which is formed on the nickel coated part N, and a metal oxide film part O which is coated on the chrom coated part C by a passivation process with ozone.例文帳に追加

この被覆膜Ｈは、被駆動部１１の表面に形成されたニッケル被膜部Ｎと、このニッケル被膜部Ｎ上に形成されたクロム被膜部Ｃと、このクロム被膜部Ｃ上にオゾンによる不動態化処理により形成された金属酸化膜部Ｏとからなっている。 - 特許庁

To prevent a defective overlap-type TCP semiconductor device caused by damage to a passivation film or an oxide film by a method, wherein stress is less developed on the primary surface of a semiconductor chip in a stage where potting resin is cured.例文帳に追加

オーバーラップ型ＴＣＰ半導体装置において、ポッティング樹脂のキュアの段階で発生する半導体チップ主面への応力を低減し、これによってパッシベーション膜や酸化膜が破壊されることによるチップの不良を防止する。 - 特許庁

A first shielding part 16 being a gap which has an opening on the surface of a passivation film 15 and is formed in a groove shape reaching an embedded oxide film 11b is arranged in a region between an LDMOS 12 and a CMOS 13 of an element forming substrate 11c.例文帳に追加

素子形成基板１１ｃのＬＤＭＯＳ１２とＣＭＯＳ１３との間の領域には、パッシベーション膜１５の表面に開口を有し、埋込酸化膜１１ｂに到達する溝状に形成された空隙部である第１遮蔽部１６が設けられている。 - 特許庁

A gate insulating film 22, a channel protective layer 24 and a passivation film 26 each have a laminate structure consisting of a first layer 31 made of aluminum oxide and a second layer 32 made of insulating materials including silicon (Si) and the first layers 31 and the second layers 32 are stacked while arranging the first layers 31 on the side of the oxide semiconductor layer 23.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２２，チャネル保護層２４およびパッシベーション膜２６を、それぞれ、酸化アルミニウムよりなる第１層３１とシリコン（Ｓｉ）を含む絶縁材料よりなる第２層３２との積層構造とし、第１層３１および第２層３２を、第１層３１を酸化物半導体層２３側にして積層する。 - 特許庁

A method for manufacturing the integrated circuit device including a ferroelectric structure having the passivation layer includes a process for providing a deposition chamber, a process for providing the ferroelectric structure including the ferroelectric material positioned between an upper electrode and a lower electrode to the deposition chamber, a process for providing aluminum and titanium to the deposition chamber, and a process for forming titanium doped aluminum oxide passivation layer on the upper electrode.例文帳に追加

また、本発明によるパッシベーション層を有する強誘電体構造を含む集積回路デバイスを製造する方法は、堆積チャンバを提供する工程と、上部電極と下部電極との間に位置する強誘電体材料を含む強誘電体構造を堆積チャンバに提供する工程と、堆積チャンバにアルミニウムとチタンとを提供する工程と、アルミニウムおよびチタンをスパッタリングして、上部電極上にチタンドープトアルミニウム酸化物パッシベーション層を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a metal member, a metal material containing aluminum as a main component is anodized in an anodization solution having a pH of 4 to 10 and containing a nonaqueous solvent having a dielectric constant smaller than that of water and capable of dissolving water, thereby forming a nonporous amorphous aluminum oxide passivation film on a surface of the metal member.例文帳に追加

アルミニウムを主成分とする金属材料を誘電率が水よりも小さくかつ水を溶解する非水溶媒を含むｐＨ４〜１０の化成液中で陽極酸化して金属材料の表面に無孔性非晶質膜アルミニウム酸化物不動態膜を形成する金属部材の製造方法であって、化成液の粘度を制御する工程を有することを特徴とする金属部材の製造方法。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display composed of a TFT structure in which oxidation of wiring material or the like is prevented by forming an oxide coating film having high adhesion with a semiconductor layer or a pixel electrode, and a source electrode or a drain electrode sandwiched between a semiconductor layer of amorphous silicon or the like and a passivation layer has stable ohmic joining property.例文帳に追加

半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、アモルファス・シリコンなどの半導体層とパッシベーション層に挟持されたソース電極あるいはドレイン電極が安定なオーミック接合性を有するＴＦＴ構造からなる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

When performing dicing process for a lamination 15 after the completion of wafer process, as a pretreatment, a first grinding process is performed in advance for removing not only an electrode pad 16b, but also a silicon oxide film 14b and passivation film 18b, which are formed on a silicon substrate 12 of the dicing area 20, being a component part of TEG, and cannot make a laser beam penetrate.例文帳に追加

ウェハプロセス終了後の積層体１５に対してダイシング工程を行うに当たり、その前処理として、ダイシング領域２０のシリコン基板１２上に形成されている、ＴＥＧの構成部分である、レーザ光を透過させ難い電極パッド１６ｂをはじめシリコン酸化膜１４ｂやパッシベーション膜１８ｂを除去するための第１の研削工程を行っておく。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for semiconductor devices whereby there is so improved the adhesiveness of the interface between a silicon nitride film of a passivation film formed by a plasma CVD method, and a foundational insulating film of a silicon oxide film formed by a plasma CVD method using especially a TEOS gas as its raw material as to be able to prevent the interface from peeling in post-processes.例文帳に追加

パッシベーション膜であるプラズマＣＶＤ法により形成されるシリコン窒化膜と下地絶縁膜、特に、ＴＥＯＳガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により形成されるシリコン酸化膜との界面の密着性を向上させ、後工程で界面が剥離することを防止することのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A field-effect transistor 10 includes a source 18s and a drain 18d formed in a surface region of a semiconductor active layer 13 comprising a group III nitride semiconductor, a gate electrode 15 formed on the semiconductor active layer 13 through a gate oxide film 14, and a passivation film 20 formed on the semiconductor active layer 13 between the gate electrode 15 and the drain 18d.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０は、III族窒化物半導体から成る半導体活性層１３の表面領域に形成されたソース１８ｓ及びドレイン１８ｄと、半導体活性層１３上にゲート酸化膜１４を介して形成されたゲート電極１５と、ゲート電極１５とドレイン１８ｄの間の半導体活性層１３上に形成されたパッシべーション膜２０とを備える。 - 特許庁

In the method for performing passivation for suppressing surface recombination and measuring life time of the semiconductor wafer, a reflective microwave photoconductive attenuation method is used for the semiconductor wafer where a natural oxide film on a surface of the semiconductor wafer is removed by hydrofluoric acid and pure water rinse cleaning is performed under nitrogen atmosphere.例文帳に追加

表面再結合を抑制するためのパシベーションを実施して半導体ウェーハのライフタイムを測定する方法において、半導体ウェーハ表面の自然酸化膜をフッ酸で除去し純水リンス洗浄を施した半導体ウェーハを窒素雰囲気下において反射マイクロ波光導電減衰法を用いる。 - 特許庁

This ferroelectric memory transistor comprises a substrate including a source region, a gate region and a drain region, a gate stack arranged on the gate region, passivation oxide layers arranged on the substrate and the gate stack, and metallized parts for having each contact with the source/drain regions and the gate stack.例文帳に追加

本発明による強誘電体メモリトランジスタは、ソース領域、ゲート領域およびドレイン領域を有する基板と、ゲート領域上に位置するゲートスタックと、基板とゲートスタック上に位置するパッシベーション酸化物層と、ソース領域、ドレイン領域およびゲートスタックそれぞれへのコンタクトを形成するためのメタライゼーションとを備える。 - 特許庁