「pattern after」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

After that, the photoresist pattern PR2 is removed and the insulation film 6 is subjected to a CMP treatment to make parts of the insulation film 6 left in the isolation grooves 4.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターンＰＲ２を除去した後、絶縁膜６が分離溝４内に残されるように絶縁膜６をＣＭＰ処理する。 - 特許庁

After the metal film is formed on the substrate having a thin part, the metal thin film is patterned to form an initial circuit pattern on the substrate.例文帳に追加

薄肉部を有する基板上に金属薄膜を形成した後、金属薄膜をパターニングして基板上に初期回路パターンを形成する。 - 特許庁

Then, after the gate electrode is exposed by removing the silicidation prevention film pattern, a second silicide film is formed on the surface of the gate electrode.例文帳に追加

次に、シリサイド化防止膜パターンを除去してゲート電極を露出させた後、ゲート電極表面に第２金属シリサイド膜を形成する。 - 特許庁

After correcting the inspected image on the basis of the detected skew angle, pattern matching processing is performed to detect a printing defect (S205, S206).例文帳に追加

検出されたスキュー角度に基づき検査画像を補正してから、パターンマッチング処理を行い、印刷欠陥を検出する（Ｓ２０５，Ｓ２０６）。 - 特許庁

After that, a plurality of grooves having depth within the predetermined depth are formed so as to function as the uniform illumination pattern on the backlight panel.例文帳に追加

バックライト板の均一の照明模様として機能するよう夫々が所定の深さ以内の深さを有する複数の溝がその後形成される。 - 特許庁

The system includes synchronization circuitry 122 that allows response signals generated at random times after a stimulus to be synchronized with a pattern generator 120.例文帳に追加

システムは、刺激後のランダムな時間に生成される応答信号がパターン発生器１２０と同期できるようにする同期回路１２２を含む。 - 特許庁

To provide a photosensitive adhesive composition being excellent in pattern forming ability with an alkali developing solution, and having sufficient re-adhesiveness after an exposure.例文帳に追加

アルカリ現像液によるパターン形成性に優れ、露光後の十分な再接着性を有する感光性接着剤組成物を提供すること。 - 特許庁

After the tin plating 4 is conducted on a copper foil 2 on the base film 1, a pattern is formed on the tin-plated copper foil 2.例文帳に追加

ベースフィルム１上にラミネートされた銅箔２上に錫メッキ４を行った後、その錫メッキされた銅箔２に対しパターン形成を行う。 - 特許庁

Subsequently, after the support layer 2 is isolated from the metal layer 3, an inductor pattern 13 is formed by performing etching treatment to the metal layer 3.例文帳に追加

次いで支持体層２を金属層３から剥離した後、金属層３にエッチング処理を施すことによりインダクタパターン１３を形成する。 - 特許庁

After a storage node formation pattern 27 is formed before removing a resist 29, the ion implantation of an N-type impurity 30 is performed at an injection angle 0°.例文帳に追加

ストレージノード形成パターン２７の形成後、レジスト２９を除去する前に、Ｎ型不純物３０を注入角度０°でイオン注入する。 - 特許庁

Since the pattern mentioned above reminds us of Heian period literature, it can be determined to be named after Meiji period. 例文帳に追加

上記のように柄行きが平安時代の文学を思い浮かべさせるような物になっていたことから、明治時代以降に名付けられた物である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Even after class system collapsed due to the Meiji Restoration, the high-toned formality of the 'Chayatsuji' pattern was accepted by populace. 例文帳に追加

明治維新によりこれらの制度も崩壊したが、「茶屋辻」のその文様の形式は、一般庶民にも格の高い物として受け入れられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The dry film resist has a slightly adhesive film layer on the surface of a base film, and after peeling the film layer, exposure is carried out to form a pattern.例文帳に追加

ベースフィルム表面上に微粘着性のフィルム層を有し、このフィルム層を剥離した後に露光処理を行いパターンを形成する。 - 特許庁

A cavitation resistant layer 40 is formed after a heat treatment of stabilizing connection or the like between a heating element 30 and a wiring pattern 33.例文帳に追加

本発明は、発熱素子３０と配線パターン３３との間の接続等を安定化する熱処理の後に、耐キャビティーション層４０を作成する。 - 特許庁

After performing an anode junction between the upper glass substrate and a movable part structure, a conductive pattern for taking out an electric potential of the movable part structure is formed.例文帳に追加

上部ガラス基板と、可動部構造体とを陽極接合した後、可動部構造体の電位を取り出すための導通パターンを形成する。 - 特許庁

The controller 12 starts follow-up control to the target pattern when the detected load falls below a second threshold value after exceeding a first threshold value.例文帳に追加

コントローラ１２は、検知された荷重が第１閾値を超えた後に第２閾値を下回ったときに目標パターンへの追従制御を開始する。 - 特許庁

A cavitation resistant layer 40 is formed after a heat treatment of stabilizing connection between heating elements 30 and a wiring pattern 33, and the like.例文帳に追加

本発明は、発熱素子３０と配線パターン３３との間の接続等を安定化する熱処理の後、耐キャビティーション層４０を作成する。 - 特許庁

The data processor 13 finds the hardening depth based on a signal after the threshold processing, and displays the hardening depth pattern on an image display 14.例文帳に追加

データ処理装置１３は、閾値処理後の信号に基づいて焼入れ深さを求め、画像表示装置１４に焼入れ深さパターンを表示させる。 - 特許庁

According to the IMF, the global imbalance is the pattern seen in the global economy after the end of the 1990?s between the current account surplus and current account deficit.例文帳に追加

IMFによれば、「グローバル・インバランス」とは、1990 年代後半以降の世界経済に見られる経常赤字と経常黒字の構成パターンを表す。 - 経済産業省

To provide a colored photosensitive resin composition, wherein a change in exposure amount is small in pattern formation before and after storage.例文帳に追加

本発明の目的は、保存の前後で、パターンを形成する際の露光量の変化が小さい着色感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

When the winning special symbols are selected by a symbol determination means 114, the variation pattern determination means 115 changes the pattern selection table to be referred to when selecting a variation pattern on and after the next time according to the special symbols in reference to the symbol correspondence table.例文帳に追加

変動パターン決定手段１１５は、図柄決定手段１１４によって当たり特別図柄が選択された場合、次回以降で変動パターンを選択するときに参照すべきパターン選択テーブルを図柄対応テーブルを参照して特別図柄に応じて変更する。 - 特許庁

The color shift is compensated by continuing the formation and the detection of the resist pattern image after confirming that the surface state of the belt in the pattern forming area is within an appropriate range without soiling and damaging the pattern forming area of the intermediate transfer belt 16 based on the substrate information.例文帳に追加

そして、その下地情報に基づき中間転写ベルト１６のパターン形成領域が汚れたり、損傷することなく、該領域でのベルト表面状態が適正範囲に収まっていることを確認した上でレジストパターン像の形成・検出を継続して色ずれ補正を行っている。 - 特許庁

To process a good pattern without remainders, while preventing precipitation of copper or silicon generated in a step of forming a film containing Al as a main component and containing at least Cu or Si, or in a thermal step of peeling off a defective resist pattern during pattern processing after the film formation.例文帳に追加

Ａｌを主成分とし、少なくともＣｕあるいはＳｉを含んだ膜の成膜時、あるいは成膜後におけるパターン加工時の不良レジストパターンの剥離時の熱工程時に発生する銅あるいはシリコンの析出を防ぎ、残渣のない良好なパターンを加工する。 - 特許庁

A pixel pattern detection part 8 detects how many image parts whose pattern matches with a predetermined reference pixel pattern are present in the plural image parts inside images indicated by the image data as an index showing the size relation of the data amount of the image data before compression and after the compression.例文帳に追加

画素パターン検出部８は、圧縮前および圧縮後の前記画像データのデータ量の大小関係を示す指標として、該画像データが示す画像内の複数の画像部分のうちに、予め定める基準画素パターンとパターンが一致する画像部分が幾つあるかを検出する。 - 特許庁

In the 1st step, a printing system provided with a print head is used and the phase change material is deposited in a 1st printing pattern and consequently the 1st printing pattern remains after change of the phase change material from a liquid phase to a solid phase and the 1st printing pattern defines the gap.例文帳に追加

第１のステップは、プリントヘッドを備えるプリンティング・システムを使用して、相変化材料が第１のプリント・パターンで堆積し、その結果、第１のプリント・パターンが、相変化材料の液相から固相への変化に続いて残存し、第１のプリント・パターンがギャップを画定する。 - 特許庁

When a variation shortening switch is turned on after starting the variation of the symbols, this machine obtains the value of a variation pattern counter, reads the variation pattern corresponding to the obtained value from a second storage region 74b of the ROM 74, and controls to display the variation pattern.例文帳に追加

そして、図柄の変動を開始したあと変動短縮スイッチ２７がオンされたときには、変動パターンカウンタの値を取得しその取得した値に対応する変動パターンをＲＯＭ７４の第２記憶領域７４ｂから読み出し、その変動パターンを表示するよう制御する。 - 特許庁

From the diffracted lights reflected by the etched object 6 and a diffraction grating pattern 7, the height H1 of the diffraction grating pattern 7 before etching, the distance from the long wavelength semiconductor laser for measurement-side surface of the diffraction grating pattern 7 after etching to the bottom face of a trench, and the depth of the trench, are found.例文帳に追加

エッチング対象物６および回折格子パターン７による回折光に基づいて、エッチング前の回折格子パターン７の高さＨ１と、エッチング後の回折格子パターン７の測定用長波長半導体レーザ側の表面から溝の底面までの距離と、溝の深さとを求める。 - 特許庁

After a preparatory resist pattern 63 having a projection part 63T at a position P3 corresponding to a flare point is formed by selectively exposing and developing a resist film, the preparatory resist pattern 63 is heated to form a resist pattern for forming a main magnetic pole layer.例文帳に追加

レジスト膜を選択的に露光して現像することにより、フレアポイントに対応する位置Ｐ３に突起部６３Ｔを有する前準備レジストパターン６３を形成したのち、その前準備レジストパターン６３を加熱することにより、主磁極層を形成するためのレジストパターンを形成する。 - 特許庁

Also, a variable display game performing control means (game controller 100) sets as a specific variation pattern table, a variation pattern table for setting the variation pattern of the variable display game to be started first after the second specific game state is switched to the first specific game state.例文帳に追加

また、変動表示ゲーム実行制御手段（遊技制御装置１００）は、第２特定遊技状態から第１特定遊技状態に切り替わった後に最初に開始される変動表示ゲームの変動パターンを設定する変動パターンテーブルを特定の変動パターンテーブルとする。 - 特許庁

After the recessed pattern having surface density equivalent to that of the recessed pattern in the display region 102 is formed in the frame part 104, when columnar spacers 25 and 50 are formed, patterning is performed so that the recessed pattern of a transparent insulating layer formed in the frame part 104 is filled up with the columnar spacer 50.例文帳に追加

また、額縁部１０４に表示領域１０２と同等の面積密度の凹パターンを形成した後に、柱状スペーサ２５、５０を形成する際に、その柱状スペーサ５０で額縁部１０４に形成された透明絶縁膜層の凹パターンを埋めるようにパターンニングする。 - 特許庁

The drawing device performs in advance conversion of wiring patterns into bit map images, and compression on the basis of a ratio of resolutions between the wiring pattern and an identification pattern after converting characters or figures of all combinations to be used in exposure from drawing commands of the identification pattern into the bit map image.例文帳に追加

配線パターンをビットマップ画像に変換する処理と、識別パターンの描画命令から露光に使用するすべての組み合わせの文字もしくは図形をそれぞれビットマップ画像に変換し、配線パターンと識別パターンの解像度の比によって圧縮する処理とを事前に実施しておく。 - 特許庁

Furthermore, a stage for coating the wafer with the photoresist, a stage for exposing the photoresist while a photomask is arrayed, a stage for forming the photoresist pattern on the wafer, a stage for submitting the photoresist pattern to cross-linking reaction, and a stage for subjecting to flow baking of the photoresist pattern after the cross- linking reaction are included.例文帳に追加

また、ウェーハ上にフォトレジストを塗布する段階、フォトレジスト上にフォトマスクを整列させて露光する段階、ウェーハ上にフォトレジストパターンを形成させる段階、フォトレジストパターンを架橋反応させる段階、及び架橋反応後、フォトレジストパターンをフローベークさせる段階を含む。 - 特許庁

For example, after a correction film 8 is formed in the region including a white defect, the correction film 8 is partially removed according to the form and/or arrangement which produces the gray tone effect equivalent to the normal pattern to form a correction pattern 3a', 3b' having mutually different widths and position from the normal pattern 3a, 3b.例文帳に追加

例えば、白欠陥を含む領域に修正膜８を形成した後、正常パターンと同等のグレートーン効果を奏する形状及び／又は配列にて前記修正膜８を部分的に除去して、正常パターン３ａ、３ｂとは幅や位置が異なる修正パターン３ａ’、３ｂ’を形成する。 - 特許庁

The quantity of light of the light source 20 increases in accordance with this increase in current, reflected light from the pattern code also increases, the pattern code is reformed and the driving current of the light source 20 is then disconnected after a fixed code confirmation period of time when the pattern code becomes decodable, stopping the entire reader.例文帳に追加

この電流の増加に伴い、光源２０の光量は増加し、パターン符号からの反射光も増大し、パターン符号の復号が可能になった時点で、一定の符号確認期間後に、パターン符号の再確認を行った上で光源２０の駆動電流を遮断し、装置全体を停止する。 - 特許庁

Then, a spot (background) of the surface of the belt from which the pattern for density correction is removed is detected with the lapse of fixed time after the pattern for position detection is detected again, and density correction is performed based on comparison of the pattern for density correction detected previously with the background.例文帳に追加

そして、位置検出用パターンを再度検出した後にこの一定時間を隔てて、上記濃度補正用パターンが除去されたベルト表面箇所（バックグランド）を検出し、先に検出した濃度補正用パターンとこのバックグランドとの比較に基づいて濃度補正を行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a plastic block which effectively utilizes industrial wastes, requires no after process, has an excellent external appearance accurately expressing a tile-like deep irregular rift pattern or a brick pattern, is lightweight and easy to execute, and has a tile-like irregular pattern.例文帳に追加

産業廃棄物の有効利用を図ると共に後加工不要でタイル様の深い凹凸の石目調やれんが調模様を忠実に表現した高外観性を有し軽量にして施工が容易なタイル様凹凸模様を有するプラスチックブロックの製造方法を提供することである。 - 特許庁

When the normal big win occurs while the game states are under the probability varying position in the special pattern game and under the time shortening position in the normal pattern game, after the end of the specified game state, the game states are controlled to the time shortening position in the normal pattern game ended at the specified number of games.例文帳に追加

遊技状態が特図ゲームの確率変動状態にあるとき、及び普図ゲーム時短状態にあるときに、通常大当たりが発生すると、特定遊技状態が終了した後は、所定ゲーム数を終了条件とする普図ゲームの時短状態に遊技状態が制御される。 - 特許庁

After a prescribed time elapsed, values of a special pattern process flags are read out by referring to the data (address of the special pattern process flags) stored in set region of the special pattern process flags that has been set, on the state table for recovery, and the game state is made to return to the state shown by the value.例文帳に追加

所定時間が経過すると、復帰用状態テーブルに設定されている特別図柄プロセスフラグ設定領域に格納されているデータ（特別図柄プロセスフラグのアドレス）を参照して特別図柄プロセスフラグの値を読み出し、その値が示す状態に遊技状態を復帰させる。 - 特許庁

By having a structure in which a perfect Cr shading part is a self-alignment type, a dicing mark part is a Cr recessing type and a pattern part is a HT pattern, the resist shape on the wafer after photomask pattern exposure can be improved and the defect detection sensitivity in the photomask defect inspection can be sufficiently obtained.例文帳に追加

完全Ｃｒ遮光部はセルフアライン型、ダイシングマーク部はＣｒ後退型、パターン部はＨＴパターンという構造を有することにより、フォトマスクパターン露光後のウェーハ上のレジスト形状を良好にし、かつフォトマスク欠陥検査時における欠陥検出感度を十分に得ることができる。 - 特許庁

To provide a composition for cured film pattern formation having a long pot life after mixing a base resin with a curing agent or having excellent storage stability as a one-part composition, and capable of forming a cured film pattern excellent in film properties, and to provide a method for producing a cured film pattern using the same.例文帳に追加

主剤と硬化剤の混合後のポットライフが長く、又は一液としての保存安定性に優れ、皮膜特性に優れる硬化皮膜パターンを形成できる硬化皮膜パターン形成用組成物及びそれを用いた硬化皮膜パターン作製方法を提供する。 - 特許庁

An image forming apparatus identifies the occurrence of wave formation based on a detection output after the detection of an edge of a misregistration detection pattern by a sensor; if the occurrence of wave formation is identified, the image forming apparatus corrects an image pattern of the misregistration detection pattern, corrects the wave formation, and carries out misregistration correction control.例文帳に追加

レジずれ検出パターンの端部をセンサで検知した際の検知出力に基づき、掃き寄せが発生しているかどうかを判断し、掃き寄せが発生している場合、レジずれ検出パターンの画像パターンを補正し、掃き寄せ補正し、レジずれ補正制御を実行する。 - 特許庁

When it is decided that the almighty pattern is derived and displayed while the big wins are offered as the result of the variable display, the almighty pattern is derived and displayed as the result of the display of the left pattern after the variable display is carried out following the accerated varying of the left, right and middle patterns.例文帳に追加

可変表示の表示結果を大当りとするとともに、オールマイティ図柄を導出表示することを決定したときには、左、右、中図柄の加速変動に続いて一定速の可変表示が行われた後、左図柄の表示結果としてオールマイティ図柄が導出表示される。 - 特許庁

After exposure treatment for a resist film via a mask on which a pattern is formed, a form in the vertical direction of a photoresist pattern formed by developing treatment is detected as a signal waveform and quality judgement of the photoresist pattern is made by a correlation ratio between the signal waveform and a quadratic function.例文帳に追加

パターンの形成されたマスクを通してレジスト膜を露光処理した後、現像処理を行うことにより形成されたフォトレジストパターンの垂直方向の形状を信号波形として検出し、この信号波形と２次関数との相関率からフォトレジストパターンの良否の判定を行う。 - 特許庁

To provide an alkali-soluble polymer having a low curing shrinkage (high film remaining rate in curing), a photosensitive resin composition excellent in a pattern profile after curing, and a method for producing a cured relief pattern using the composition, and a semiconductor device and a light emitting device having the cured relief pattern.例文帳に追加

硬化収縮が低い（硬化時残膜率が高い）アルカリ可溶性重合体、及びキュア後のパターン形状に優れた感光性樹脂組成物、該組成物を用いた硬化レリーフパターンの製造方法、並びに該硬化レリーフパターンを有してなる半導体装置及び発光装置の提供。 - 特許庁

After etching the dielectric film pattern 110a exposed by the polysilicon film pattern 120b, a source region 134a/a drain region 134b having a vertical profile are formed by means of the ion implantation of impurities into the substrate by using the polysilicon film pattern as a mask.例文帳に追加

ポリシリコン膜パターン１２０ｂにより露出される誘電膜パターン１１０ａをエッチングした後、ポリシリコン膜パターンをマスクとして用いて、基板に不純物をイオン注入することにより、垂直プロファイルを有するソース領域１３４ａ／ドレーン領域１３４ｂを形成する。 - 特許庁