「pattern electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

To form an insulation pattern whose forming process is simple and which has high extraction efficiency of light, can securely prevent a short circuit between an anode and a cathode and breaking of a display element due to an edge portion of an electrode pattern, and is sectioned in a forward tapered shape or trailing shape.例文帳に追加

形成プロセスが簡便で、光の取り出し効率が高く、陰極を断線させることなく、電極パターンのエッジ部に起因する陽極−陰極間の短絡及び表示素子の破壊を確実に防止できる順テーパー形状または裾引き形状の断面形状を有する絶縁パターンを形成する。 - 特許庁

A semiconductor device includes an interposer 20 having a first and a second faces 22, 24 facing an opposite side each other and having the wiring pattern 26 formed on the first face 22, and a semiconductor chip 10 having an electrode 12 which is mounted on the first face 22 of the interposer 20 and is electrically connected with the wiring pattern 26.例文帳に追加

半導体装置は、相互に反対を向く第１及び第２の面２２，２４を有して第１の面２２に配線パターン２６が形成されてなるインターポーザ２０と、インターポーザ２０の第１の面２２に搭載されて配線パターン２６と電気的に接続された電極１２を有する半導体チップ１０と、を有する。 - 特許庁

A plurality of stripe type electrode patterns 8 formed to have wider pattern width than width of a space 10 is arranged so that the liquid crystal molecules are oriented in a pattern longitudinal direction when polymerizable components mixed in the liquid crystal layer 24 while applying voltage to the liquid crystal display layer 24 are solidified to form the polymer.例文帳に追加

液晶層２４に電圧を印加しながら液晶層２４中に混合された重合性成分を固化してポリマーを形成する際に液晶分子がパターン長手方向に配向するように、スペース１０の幅よりパターン幅の方が広く形成された複数のストライプ状電極パターン８が配列している。 - 特許庁

The stack for the oxide semiconductor electrode has a heat resistant substrate 1 having heat resistance; a porous layer 2 formed on the heat resistant substrate and containing metal oxide semiconductor fine particles; a transparent electrode layer 3 formed on the porous layer and comprising a metal oxide; a first electrode layer 5 comprising a conductive layer 4 formed on the surface of the transparent electrode layer in a pattern shape.例文帳に追加

耐熱性を有する耐熱基板１と、上記耐熱基板上に形成され、金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層２と、上記多孔質層上に形成され、金属酸化物からなる透明電極層３、および上記透明電極層の表面にパターン状に形成された導電層４からなる第1電極層５と、を有することを特徴とする酸化物半導体電極用積層体を提供することにより、上記課題を解決するものである。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a semiconductor substrate, having a source/drain region, a gate electrode formed on the semiconductor substrate, a first IMD formed on the semiconductor substrate and having a first damascine pattern, a first barrier layer formed inside the damascine pattern, a first metal wiring formed on the first barrier layer, and a first metal cap layer formed inside the first damascine pattern.例文帳に追加

本発明による半導体素子は、ソース／ドレーン領域を有する半導体基板、前記半導体基板上に形成されたゲート電極、前記半導体基板上に形成されて，第１ダマシンパターンを有する第１のＩＭＤ、前記ダマシンパターン内に形成される第１バリア層、前記第１バリア層上に形成される第１金属配線、前記第１ダマシンパターン内に形成される第１メタルキャップ層、が含まれる。 - 特許庁

An inspecting method and its apparatus for wiring patterns for inspecting breaking of wire or a short circuit are charcterized by bringing a plurality of electrodes of a probe on which the electrodes are arranged, into contact with portions of a wiring pattern electrically, and measuring an electrostatic capacity formed between the wiring pattern and a flat electrode board arranged in parallel to this wiring pattern and on the opposite side to the probe.例文帳に追加

複数の電極が配置されたプローブの該電極を配線パターンの一部に電気的に接触させ、この配線パターンと並行にかつ前記プローブの反対側に配置された平面電極板と前記配線パターンとの間に形成される静電容量を測定することによって、前記配線パターンの断線または短絡を検査することを特徴とする配線パターンの検査方法およびその装置。 - 特許庁

In the membrane pattern formation method, the production method for the elastic surface wave device and the liquid drop delivery apparatus, when a resist film 83 is formed by delivering the liquid drop of a resist film material toward a connection electrode surface of SAW pattern 52 formed on a wafer 51, the resist film 83 is not formed or a failure mark is formed in a section with the defective SAW pattern 52.例文帳に追加

本発明による膜パターン形成方法、弾性表面波デバイスの製造方法、及び液滴吐出装置は、ウェハ５１上に形成されたＳＡＷパターン５２の接続電極面に向けてレジスト膜材料の液滴を吐出することで、レジスト膜８３を形成する際に、不良であるＳＡＷパターン５２が形成された区画においては、レジスト膜８３を形成しない、又は不良マークを形成する。 - 特許庁

Further, the pattern of the conductive film for forming the third gate electrode 5a, serving as a mask for forming the isolation part 10 to be self-aligned, is formed without a misalignment with respect to a channel, inclusive of a case of a stack-type memory cell as well.例文帳に追加

また、スタック型のメモリセルの場合も含めて、分離部１０の自己整合形成のマスクとなる第３ゲート電極５ａ形成用の導体膜パターンは、チャネルに対して合わせずれ無しに形成される。 - 特許庁

In the therapy apparatus, a shape such that the ratio of the thickness and the width constituting the cross section of the planar pattern heater 1 is between 1:20 and 1:100 is formed, and the width is increased as separating from the electrode part 5.例文帳に追加

該面状パターンヒータ１の断面を構成する厚みと幅の比が１対２０から１対１００の間に入る形状になっており、電極部５から遠ざかるに従い幅が広くなる構造となっている。 - 特許庁

The primary copper damascene wiring pattern 160a is equipped with the top surface and flat top surface of the insulating film 150, and the bottom surface that is brought into contact with the top surface of the primary electrode of metal-insulating film-metal capacitor.例文帳に追加

第１の銅ダマシン配線パターン１６０ａは、金属間絶縁膜１５０の上面と平らな上面を備え、金属−絶縁膜−金属キャパシタの第１の電極の上面と接触する底面を備える。 - 特許庁

This pipe magnetic powder flaw detector 10 comprises an inspection liquid tank 20, a pipe vertical moving device 30 and an electrode moving device 40, and magnetizes the pipe 1 in an inspection liquid to form a magnetic powder pattern at a weld defect part.例文帳に追加

パイプ磁粉探傷装置１０であって、検査液槽２０と、パイプ上下移動装置３０と、電極移動装置４０とからなり、パイプ１を検査液中で磁化し、溶接欠陥部に磁粉模様を形成させるもの。 - 特許庁

A pattern electrode of the first voltage impression means (32A) is divided into a center part and an outer peripheral part of an area through which optical beam passes; and further, the outer peripheral part is divided into a plurality in point symmetry centered about the center part.例文帳に追加

第１電圧印加手段のパターン電極（３２Ａ）は、光ビームが通過する領域の中心部と外周部に分割され、更に外周部は中心部を中心とした点対称に複数に分割されている。 - 特許庁

Rh layers 27A are provided in a lattice pattern on a surface of a p-type GaN contact layer, so that a p-type GaN contact layer 25 and a p-side multilayer electrode 27 make ohmic contact to each other with an excellent bonding property.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮコンタクト層２５の表面にＲｈ層２７Ａを格子状に設けることで、ｐ型ＧａＮコンタクト層２５とのｐ側多層電極２７とがオーミック接触し、良好な接合性が得られる。 - 特許庁

An electrode short circuit inspection of the icon display section is conducted by successively or simultaneously displaying a display pattern, in which one or more line units are repeated, on the dot matrix display section that commonly utilizes data lines with the icon display section.例文帳に追加

アイコン表示部とデータラインを共有するドットマトリクス表示部に１以上のライン単位が繰り返す表示パターンを順次、もしくは同時に表示することでアイコン表示部の電極短絡検査を行う - 特許庁

The first electrode pattern 16 is formed over the second reference lines L2 on both sides, end parts 16a are connected to each other, and it is provided with a pull-out part 16b pulled out along the second reference line L2 to the first reference line L1.例文帳に追加

第１の電極パターン１６は、両側の第２の基準線Ｌ２に亘り、端部１６ａ同士が連結し、第１の基準線Ｌ１まで第２の基準線Ｌ２に沿って引き出された引き出し部１６ｂを有する。 - 特許庁

Second conductive pattern 51c which are different from each other are formed on one sides of the plurality of third insulation thin films 51 and the second conductive patterns 32c are electrically connected with a second printed wiring board 9 through the penetration electrode.例文帳に追加

複数の第３の絶縁薄膜５１の片面にそれぞれ異なる第２の導体パターン５１ｃを形成し、それらの第２の導体パターン５１ｃを貫通電極によって第２プリント配線板９に電気的にする。 - 特許庁

To enable a mechanical joint between a connecting electrode of an electronic part and a conductor pattern of a mounting board to be improved in strength and stability through a simple process without having an adverse effect on the operation of the electronic part.例文帳に追加

簡単な工程で、電子部品の動作に影響を与えることなく、電子部品の接続電極と実装基板の導体パターンとの機械的な接合の強度や接合の安定性の向上を図る。 - 特許庁

On an insulation substrate 1, having a formed gate electrode 2, a gate insulation film 3, an intrinsic semiconductor layer 4, and a low- resistance semiconductor layer 5 are formed successively, to form thereafter a channel-protecting pattern 6 in a channel portion.例文帳に追加

ゲート電極２を形成した絶縁性基板１上に、順次ゲート絶縁膜３、真性半導体層４、及び低抵抗半導体層５を形成した後、チャンネル部分にチャンネル保護パターン６を形成する。 - 特許庁

The feed unit 20 and the passive unit 21 are formed into an external shape such that the upper surface of an element substrate 5 is an electrode pattern surface, the lower surface is a grounding surface and they can be arranged, adjacently in two-dimensional directions.例文帳に追加

給電ユニット２０及び無給電ユニット２１は、素子基板５の上面が電極パターン面、下面が接地面となっていると共に、二次元方向に隣接して並べることが可能な外形に形成されている。 - 特許庁

A chip capacitor 1 is equipped with electrodes 5 and 6, which are each formed on its rear and front, and the capacitor 1 is arranged on the first circuit board 11 so as to electrically connect the electrode 6 formed on its rear to the first circuit pattern 15.例文帳に追加

裏面と表面にそれぞれ電極５，６が形成されたチップコンデンサ１を、第１の回路基板１１の上に裏面の電極６が第１の回路パターン１５と電気的に接続されるように配置する。 - 特許庁

In a printed wiring board 1, bumps 10, which are composed of tin-silver alloy and are used for flip-chip junction, is formed on a surface of a wiring pattern 11 as an electronic-device connecting electrode for electrically connecting a semiconductor chip.例文帳に追加

プリント配線基板１は、配線パターン１１の表面には、半導体チップと電気的に接続する電子デバイス接続電極として、スズ−銀合金からなるフリップチップ接合するためのバンプ１０が形成されている。 - 特許庁

An extended direction of a slit formed closer to the contact at a boundary of the bending point among slits formed in the pixel electrode pattern and an alignment direction of the liquid crystal layer cross at ≥7° angle.例文帳に追加

ここで、画素電極パターンに形成されるスリットのうち、屈曲点を境にコンタクト寄りに形成されるスリットの延設方向と液晶層の配向方向とが７°以上の角度で交差するように形成する。 - 特許庁

Then when the resin layer 5 is applied from above, penetration of the resin or solvent into the electrode pattern surface of the surface acoustic wave chip 1 can be suppressed and the electrical characteristics can be prevented from deteriorating.例文帳に追加

すると上から樹脂層５を塗布した場合に、弾性表面波チップ１の電極パターン表面への樹脂、または樹脂の溶剤による染み込みを抑えることができ、電気的特性の劣化を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide an electrode pattern which always makes the wiring area part of signal electrodes which is to be lighted as noise in a non-lighting state and moreover which suppress the wiring resistance of the wiring area in double matrix display.例文帳に追加

二重マトリクス表示において、ノイズとして点灯してしまう信号電極の配線領域部分を、常に非点灯として、さらに配線領域の配線抵抗を抑制する電極パターンを提供する。 - 特許庁

Then, the second resist film 14 is separated, a contact/seed layer 15 is deposited on surfaces of the anodized film 6 and the metal film 5, and a conductor pattern 8 is formed on the anodized film 6 to serve as an upper electrode.例文帳に追加

次いで、第２のレジスト膜１４を剥離し、陽極酸化膜６及び金属被膜５の表面に密着／シード層１５を被着し、陽極酸化膜６上に上部電極となる導体パターン８を形成する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion module wherein electronic components are mounted to a metallic stem by means of an insulating submount provided with an electrode pattern and which achieves high transmission at a small parasitic capacitance.例文帳に追加

電子部品の金属製のステムへの実装を、電極パターンが形成された絶縁性のサブマウントを介して行う光電変換モジュールであって、寄生容量が小さく高速伝送が可能なものを提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle applied technique using an electrostatic chuck device which is capable of restraining an eddy current flowing through its chuck electrode from affecting an electron beam so as to improve a pattern in positional accuracy.例文帳に追加

静電吸着装置の吸着用電極に流れる渦電流が電子ビームに与える影響を低減し、パターン位置精度を向上させ得る静電吸着装置を用いた荷電粒子応用技術を提供する。 - 特許庁

The inkjet head 10 is manufactured by a method consisting of the processes of: forming a fine electrode pattern on the glass substrate 3; forming the through-hole 36 on the glass substrate 3; joining; and cutting.例文帳に追加

ガラス基板３に微細な電極パターンを形成する工程と、ガラス基板３に貫通穴３６を形成する穴明け加工工程と、接合工程と、切断工程からなる製造方法によりインクジェットヘッド１０を製造する。 - 特許庁

To prevent gate insulating film penetration in a dry etching process when forming a gate electrode pattern in a semiconductor apparatus in which gate structures of an n-channel and that of a p-channel are different from each other and which has metal gate electrodes.例文帳に追加

ｎチャネル及びｐチャネルのゲート構造が異なり且つメタルゲート電極を有する半導体装置において、ゲート電極パターン形成時のドライエッチングでゲート絶縁膜の突き抜けが発生しないようにする。 - 特許庁

Then, a metal layer 17 containing Cu is formed on the upper layer of the barrier metal layer 16 by electrolytic plating using the barrier metal layer 16 as an electrode, and the barrier metal layer 16 and the metal layer 17 are processed into a wiring pattern.例文帳に追加

次に、バリアメタル層１６の上層にバリアメタル層１６を電極とする電解メッキによりＣｕを含む金属層１７を形成し、バリアメタル層１６及び金属層１７を配線パターンに加工する。 - 特許庁

At inner surface of the second substrate facing the first substrate 3, the second luminous display part B, having a phosphor layer 15 formed in the shape of various data display pattern on an anode electrode 14, is formed.例文帳に追加

第１基板３と対面する第２基板の内面には、陽極電極１４上に各種データ表示のパタン形状に形成された蛍光体層１５を有する第２発光表示部Ｂが設けられる。 - 特許庁

Thereby, incident light made incident on the liquid crystal panel can be emitted without causing loss of the transmissivity due to the electrode pattern 8 of the ITO heater 6 and, as the result, the efficiency of using light can be enhanced.例文帳に追加

これにより液晶パネルに入ってくる入射光をＩＴＯヒーター６の電極パターン８による透過率をロスさせること無く、出射させる事が出来、光の利用効率を向上させることが出来る。 - 特許庁

The transparent electrode layer 2 includes plural thin metallic wires 22 formed parallel to each other and a transparent conductive layer 21 having a pattern formed thereon so as to electrically connect with any of the plural thin metallic wires 22.例文帳に追加

透明電極層２は、互いに平行に形成された複数の金属細線２２と、複数の金属細線２２のいずれかと電気的に接続されるようにパターン形成された透明導電層２１とを有する。 - 特許庁

For the EL display device, a hydrophilic layer part is formed so as to get over the level difference of a substrate and cover wider area than that of an electrode opening, and a light emitting layer is formed depending on the selection pattern of hydrophilic/water repellent property.例文帳に追加

本発明のＥＬ表示装置は、基板段差を乗り越えて電極開口部よりも広い範囲にわたって親水層部を設け、親水性／撥水性の選択パターンによって発光層を形成する。 - 特許庁

To provide a new narrow frame glass touch panel that makes the frame narrow by preventing a frame area from being enlarged due to an electrode laying pattern at a portion adjacent to a terminal, and realizes a wider area for display operation.例文帳に追加

端子近傍部分での電極引き回しパターンに起因する額縁面積の拡大を抑え、狭額縁化を進めて、より広い表示操作エリアを実現することのできる、新しい狭額縁ガラスタッチパネルを提供する。 - 特許庁

In the quartz oscillator 20 having the laminate 1 and the IC chip sealed in the package 30, the shielding pattern 5a of the base substrate 2 is electrically connected to the grounding electrode 37 in the package 30.例文帳に追加

パッケージ３０内に、積層体１およびＩＣチップが封止された水晶発振器２０において、台座基板２のシールド用パターン５ａは、パッケージ３０内の接地用電極３７に電気的に接続されている。 - 特許庁

A plurality of semiconductor chips 7, 9 are laminated and disposed in a semiconductor module, and electrode pads 8, 10 of the respective chips are electrically connected to a wiring pattern 3 of a TAB tape 1 via wires 11a, 11b.例文帳に追加

半導体モジュール内に複数の半導体チップ７、９を積層して配置し、各半導体チップの電極パッド８、１０とＴＡＢテープ１の配線パターン３をワイヤ１１ａ、１１ｂで電気的に接続する。 - 特許庁

The structure 4 is constituted with an inorganic material as a core, and at least a part of its surface layer part is constituted by a resin, to form the electrode wiring pattern 5, and the structure 4 is bonded to the functional element 1.例文帳に追加

また、この構造体４が無機材料をコアとして構成され、その表層部の少なくとも一部が樹脂で構成され、電極配線パターン５が形成されているとともに、機能素子１と接着されている。 - 特許庁

To provide a coating method and a coating apparatus capable of easily uniformly forming a pattern at a desired film thickness in a necessary position on a substrate for a device having a first electrode layer formed thereon.例文帳に追加

本発明は、第１電極層を形成した素子用基板に、必要な箇所に所望する膜厚で均一に、且つ、容易にパターン形成可能な塗布方法および塗布装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

In this case, the base layer 4 and the collector layer 3 are partially removed in the direction of their lamination into the same pattern, and the base electrode 8, and the base lead-out wire 18 are formed on a region that includes the removal region 21.例文帳に追加

この際、ベース層４およびコレクタ層３の一部をその積層方向に同一パターンに除去し、この除去領域２１を含む領域上にベース電極８およびベース引き出し配線１８を形成する。 - 特許庁

To provide a method of detecting position which enables the execution of precise position detection, in a pattern matching using an electrode part on a device as a model image, for the device packaged like CSP or WLCSP.例文帳に追加

ＣＳＰ、ＷＬＣＳＰの様にパッケージングされたデバイスに対して、デバイス上の電極部分をモデル画像として使用するパターンマッチングにおいて、正しい位置検出が可能な位置検出方法を提供すること。 - 特許庁

In this liquid crystal panel, slits are formed in the pixel electrode pattern so that extension directions of slits formed closer to the contact with the bending point as the boundary and an alignment direction of the liquid crystal layer may cross at ≥7°.例文帳に追加

ここで、画素電極パターンに形成されるスリットのうち、屈曲点を境にコンタクト寄りに形成されるスリットの延設方向と液晶層の配向方向とが７°以上の角度で交差するように形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the ceramic substrate, a precedent ceramic substrate is fabricated and degrees of change of the precedent ceramic substrate and a precedent electrode pattern up to a process of fabricating the precursor ceramic substrate are recognized.例文帳に追加

本発明に係るセラミック基板の製造方法は、あらかじめ先行セラミック基板を作製し、先行セラミック基板を作製する工程までの先行セラミック基板と先行電極パターンの変形度を把握しておく。 - 特許庁

Then a first electrode structure 219 is formed on the transparent dielectric layer, and electrically brought into contact with the transparent conductive layer via a plurality of contact windows 222 pattern-formed while penetrating the transparent dielectric layer.例文帳に追加

次に、第１電極構造体２１９が該透明誘電体層上に形成され、該透明誘電体層を貫通してパターン形成された複数のコンタクト窓２２２を介して該透明導電層と電気的に接触する。 - 特許庁

A semiconductor chip 15 is mounted on the first insulation layer 12, and after a chip electrode 16 and the second wiring pattern 14 are connected, the semiconductor chip 15 and a bonding wire 17 are sealed by a sealing resin 18.例文帳に追加

半導体チップ１５を第１の絶縁層１２上に搭載し、チップ電極１６と第２の配線パターン１４とを接続した後に、封止樹脂１８によって半導体チップ１５及びボンディングワイア１７を封止する。 - 特許庁