「pattern electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

To specify a wire breaking place in a shorter period of time with the smaller number of measuring electrode pads when a plurality of test elements of a large-scale contact chain or large-scale wiring pattern are electrically measured.例文帳に追加

大規模なコンタクトチェーン又は大規模な配線パターンにおける複数のテスト素子の電気測定を行う際により少ない測定用電極パッドでより短時間に断線箇所の特定を行う。 - 特許庁

This adjusting tool is constituted of an insulator such as ceramics, and provided with a holding part 2 for holding a capacitor 10 inside and a push button 4 for bringing an electrode 11 of the capacitor 10 into contact with a pattern 13 on a substrate 12.例文帳に追加

セラミック等の絶縁体で構成され、コンデンサ１０を内部に保持する保持部２と、コンデンサ１０の電極１１を基板１２上のパターン１３に接触させる押しボタン４とを有する。 - 特許庁

A planar shape of each cathode electrode 18 of the LED chip 10 is formed in a circular shape having a diameter L2 not more than a diameter L1 of the circular junction face with a conductive pattern 28 of a bump 38.例文帳に追加

ＬＥＤチップ１０の各カソード電極１８の平面形状は、直径Ｌ２がバンプ３８における導体パターン２８との円形状接合面の直径Ｌ１以下の円形状に形成されている。 - 特許庁

To enhance mechanical junction strength between the connecting electrode of an electronic component and the conductor pattern of a mounting board and the stability of the junction, without affecting the operation of the electronic part, with simple process.例文帳に追加

簡単な工程で、電子部品の動作に影響を与えることなく、電子部品の接続電極と実装基板の導体パターンとの機械的な接合の強度や接合の安定性の向上を図る。 - 特許庁

The extrusion of conductive resin from a part between a chip and the mount face at the time of a mount process is suppressed by a tray shape (recess) where the frame-like pattern is set to be a side and the second electrode layer to be a base.例文帳に追加

枠状パターンを側面とし第２の電極層を底面とするトレー形状（くぼみ）により、マウント工程時の、チップとマウント面と間からの導電性樹脂のはみ出しが抑制される。 - 特許庁

A connection pattern 4 fixed to the through-hole electrode 1a part with conductive adhesive 5 is derived and formed to be extended to the upper and lower surfaces and reaches a top face of each of the projection parts 2a.例文帳に追加

スルーホール電極１ａ部に導電性接着剤５により固着された接続パターン４が上下面に延びて導出形成されており、それぞれ突起部２ａの頂面に達している。 - 特許庁

A stress loosening part 60 for loosening a stress generated to the flexion part 13 together with joint to a conductor pattern 43 of a mounting board 40 with the external connecting electrode 25 is installed in the acceleration sensor A.例文帳に追加

加速度センサＡは、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い撓み部１３に発生する応力を緩和する応力緩和部６０が設けられている。 - 特許庁

In the case that temperature of etching fluid is from 30° to 70°, the bus electrode 5b is overetched from an end of a photoresist pattern 30 by about a second width d2 which is shorter than a first width d1 and becomes to have an inclination angle β of 40° to 49°.例文帳に追加

蝕刻液の温度が30℃である場合、バス電極４bはフォトレジストパターン30の末端から第1幅d１より短い第2幅d２ほど過蝕刻され、約40〜49°の傾斜角βを有するようになる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which suppresses an abnormal growth of an SiGe mixed crystal on a polysilicon gate electrode pattern caused during an epitaxial growth of the SiGe mixed crystal layer which becomes a stress source.例文帳に追加

応力源となるＳｉＧｅ混晶層のエピタキシャル成長の際に生じる、ポリシリコンゲート電極パターン上のＳｉＧｅ混晶異常成長を抑制する半導体装置製造方法の提供。 - 特許庁

After the light emitting material having a plurality of colors adheres by a second mask through a first mask arranged so as to adhere to the basic body closely, the second mask is removed, and a pattern of a back face electrode adheres by the first mask.例文帳に追加

基体に密着配置した第一のマスクを介して第二のマスクにより複数色の発光材料を付着した後、第二のマスクを取り去り、第一のマスクで背面電極のパターンを付着する。 - 特許庁

In electrode parts 31, extension pattern parts 31b extending from edge parts 31a being at a side opposite to a wiring parts 32 and an external connection part 33 to the outside of a panel planning area 30A are formed.例文帳に追加

電極部３１には、配線部３２や外部接続部３３とは反対側の端部３１ａからパネル予定領域３０Ａの外部まで伸びる延長パターン部３１ｂが形成されている。 - 特許庁

A side wall protection film consisting of a piezoelectric material is formed at most 25 μm thick to cover at least a side wall surface of a lamination body, wherein a piezoelectric material film and a metallic electrode pattern are laminated alternately.例文帳に追加

圧電材料膜と金属電極パターンを交互に積層した積層体の少なくとも側壁面を覆うように、圧電材料よりなる側壁保護膜を２５μｍ以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

The p-type electrode has the structure in which a rubber negative resist pattern 15 arrayed in a dot state is embedded between a Cr/Au/Pt laminate film 13 and a Ti/Au/Pt laminate film 14.例文帳に追加

ｐ型電極はＣｒ／Ａｕ／Ｐｔ積層膜１３とＴｉ／Ａｕ／Ｐｔ積層膜１４との間にドット状に配列されたゴム系のネガレジストパターン１５が埋め込まれた構造を有している。 - 特許庁

In the irregularity formation step, a solvent S is adhered only to a first region 10b exposed from the internal electrode pattern 12 on the first main surface 10a of the ceramic green sheet 10 to form irregularities.例文帳に追加

凹凸形成工程では、セラミックグリーンシート１０の第１の主面１０ａにおいて内部電極パターン１２から露出する第１の領域１０ｂのみに、溶剤Ｓを付着させて凹凸を形成する。 - 特許庁

To realize an organic EL element easily adaptable to a complex display pattern, a large-screen display, a high-luminance drive or a drive at a high duty ratio, with wiring resistance lowered of a hole injection electrode.例文帳に追加

ホール注入電極の配線抵抗を低くし、複雑な表示パターンや大画面のディスプレイ、あるいは高輝度の駆動や高デューティー比での駆動への対応が容易な有機ＥＬ素子を実現する。 - 特許庁

Further in the range of the NA for HD, a transparent annular zone electrode pattern is optimized corresponding to a spherical aberration wave front for giving defocus to minimize the biggest inclination of the aberration wave front.例文帳に追加

さらにＨＤのＮＡ範囲において、その収差波面の最大傾きが最小となるようなデフォーカスを与えた球面収差波面に対応して輪帯状透明電極パターンを最適化する。 - 特許庁

An insulating layer to be formed into partition walls 16 is formed on a transparent substrate 11 and a transparent electrode layer 12 and thereafter, a photosensitive resin layer having a luminescent element pattern is formed on the insulating layer.例文帳に追加

透明基板１１および透明電極層１２上に、隔離壁１６となる絶縁層を形成した後、この絶縁層上に発光素子パターンを有する感光性樹脂層を形成する。 - 特許庁

The other electrode of the high frequency capacitor 40 and the other end of the load resistor 38 are connected to the same ground pattern 15 formed on the one side 10a of the printed circuit board 10.例文帳に追加

上記高周波コンデンサ４０の他方の電極と上記負荷抵抗３８の他端が、上記回路基板１０の上記一方の面１０ａに形成された同一のグランドパターン１５に接続されている。 - 特許庁

To provide a structure where a conductive material that is used as a buried electrode and has a specific pattern shape is buried in a nitride-based compound semiconductor, and to manufacture a device such as an SIT.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体において埋め込み電極として利用可能な特定のパターン形状の導電性材料を埋め込んだ構造を実現し、ＳＩＴ等のデバイスを作製可能にする。 - 特許庁

A backlight 6 is installed in the vicinity of a detecting electrode 2 to detect approach of a human body, and a mask plate 3 for display in which a light transmission pattern 3a is formed is installed on the backlight 6.例文帳に追加

人体の接近を検出する検知電極２の近傍にバックライト６が設けられ、バックライト６の上に光透過パターン３ａが形成された表示用マスク板３が設けられている。 - 特許庁

At least a part of the surface layer of the structure 4 is constituted by a resin, and the electrode wiring pattern 5 is formed on the resin, and further the resin is bonded to the functional element 1, too.例文帳に追加

この構造体４の少なくとも一部の表層は樹脂で構成されており、この樹脂上に電極配線パターン５が形成され、またこの樹脂は機能素子１とも接着されている。 - 特許庁

An alignment mark, a black matrix formed on a color filter substrate, or a gate electrode pattern formed on an array substrate are distinguished from one another, and a position coordinate of a distinguished object is acquired (S304).例文帳に追加

アラインメントマーク、カラーフィルター基板に形成されたブラックマトリクスあるいはアレイ基板に形成されたゲート電極パターンなどを識別して、識別した対象の位置座標を取得する（Ｓ３０４）。 - 特許庁

The tape exposed by peeling the support plate is used as a protection film, a hole is formed on the protection film to form an electrode for external connection to be connected to the wiring pattern exposed by opening.例文帳に追加

支持板を剥離することにより露出したテープを、保護膜として用い、かつ、この保護膜に穴を空け、開口により露出した配線パターンと接続される外部接続用電極を形成する。 - 特許庁

To improve circuit simulation accuracy by extracting parasitic capacitance (overlapping capacitance value) of overlapped portions of a gate electrode and source/drain regions of a MOS transistor by using a small-area test pattern and precision is improved.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート電極とソース／ドレイン領域の重なり部分の寄生容量（オーバーラップ容量値）を小面積のテストパターンにより高精度に抽出して回路シミュレーション精度を向上する。 - 特許庁

To reduce image quality deterioration caused by moire fringes and diffracted light produced due to a projecting and recessing shape of a reflection plate and an electrode pattern in a transflective or reflective liquid crystal display device.例文帳に追加

半透過型または反射型の液晶表示装置において、反射板の凹凸形状と電極パターンに起因して発生していたモアレ縞や回折光による画質劣化を低減する。 - 特許庁

Platinum paste 70 for integrating platinum wires 5, 6, 7 and 8 with the electrode pattern is applied by the thickness of 10-30 μm to places where the platinum wires 5, 6, 7 and 8 are clasped in green sheets 2, 3 and 4.例文帳に追加

グリーンシート（２，３，４）における白金線（５，６，７，８）を挟持する箇所に、白金線（５，６，７，８）を電極パターンに一体化させるための白金ペースト（７０）を１０〜３０μｍの塗布厚で塗布する。 - 特許庁

To provide conductive paste for internal electrodes of a laminated ceramic capacitor which realizes good transcription from an intaglio plate to a transcription body, when printing a thin film internal electrode pattern, and to provide a manufacturing method for the laminated ceramic capacitor using the conductive paste.例文帳に追加

薄膜の内部電極用パターンを印刷する上で、特に凹版から転写体への良好な転移を実現し得る、積層セラミックコンデンサの内部電極用導電性ペーストを提供する。 - 特許庁

To realize a method for manufacture wherein a plurality of ceramic green sheets are laminated on a carrier film, and cumulative error for positioning at formation of an internal electrode pattern is reduced.例文帳に追加

キャリアフィルム上において複数のセラミックグリーンシートを積層することができるとともに、内部電極パターン形成時における位置決めの累積誤差を低減することのできる製造方法を提供する。 - 特許庁

Each nozzle is judged sequentially and if it is an ejection nozzle (S102: YES), pulse pattern of a pulse being supplied to an electrode corresponding to the ejection nozzle is determined based on the gradation of image data (S103, S104).例文帳に追加

各ノズルを順に判断し、吐出ノズルであれば（Ｓ１０２：ＹＥＳ）、画像データの階調に基づいて吐出ノズルに対応する電極に供給するパルスのパルスパターンを決定する（Ｓ１０３、Ｓ１０４）。 - 特許庁

The ground electrode 19 of the semiconductor device 16 is connected to a circuit pattern 14 formed on a first device mounting surface 11 of the connecting substrate 3 via the ground slag 5 and the ground connecting ring 6.例文帳に追加

半導体デバイス１６のグラウンド電極１９は、グラウンドスラグ５とグラウンド接続リング６を介して接続基板３の第１素子搭載面１１に形成された回路パターン１４に接続される。 - 特許庁

A terminal electrode 23 with an LGA structure is formed on a board on the rear surface of PA100 so that a pattern on a set board and a terminal on the side of a semiconductor device are connected (mounted) without a wire.例文帳に追加

セット基板上のパターンと、半導体装置側の端子とをワイヤを用いずに接続（実装）できるように、ＰＡ１００の裏面の基板に、ＬＧＡ構造の端子電極２３が形成される。 - 特許庁

The conductive pattern 12 is stressed in a direction pressed to the electrode terminal part 44 of the electronic circuit 40 by an elasticity of the pressure-sensitive adhesive sheet 30 to be able to stably retain an electrical connection.例文帳に追加

粘着シート３０の弾力性で導電パターン１２は電子回路４０の電極端子部４１に押さえつけられる向きに応力が働き、電気的接続を安定して保つことが可能になる。 - 特許庁

An insulating layer 17 formed from a white insulating material having a through- hole 8 so as to expose the wiring layer 6 positioned at each segment of the display pattern is formed on the inside surface of the positive electrode board 2.例文帳に追加

陽極基板２の内面には、表示パターンの各セグメントに位置する配線層６が表出するようにスルーホール８を有した白色の絶縁材料からなる絶縁層１７が形成される。 - 特許庁

An electrode pattern is formed on a large-sized substrate 80 including a plurality of circuit substrate region, and then a correcting film 17 having a thickness substantially equal to that of the step is formed in a region connected with an n-side bump 23.例文帳に追加

複数の回路基板領域を含む大判基板８０に電極パターンを形成してから、ｎ側バンプ２３が接続する領域に段差と略等しい厚さを有する補正膜１７を形成する。 - 特許庁

A through-hole 181 formed in the electrode 12 is connected, via a connection pattern 16, to each of through-holes 182-184 formed at centers of the wiring patterns 141-143 in the longitudinal direction.例文帳に追加

電極１２に形成されたスルーホール１８１と配線パターン１４１〜１４３の長手方向中央に形成されたスルーホール１８２〜１８４とを接続パターン１６を介してそれぞれ接続する。 - 特許庁

A through-hole 191 formed in the electrode 13 is connected, via a connection pattern 17, to each of through-holes 192-194 formed at the centers of the wiring patterns 151-153 in the longitudinal direction.例文帳に追加

電極１３に形成されたスルーホール１９１と配線パターン１５１〜１５３の長手方向中央に形成されたスルーホール１９２〜１９４とを接続パターン１７を介してそれぞれ接続する。 - 特許庁

The IC chip 4 is provided with a transistor mounted to a silicon layer and an electrode 38 connecting the transistor with a front surface of the silicon layer and a front surface of a wiring pattern on the rear side of the front surface.例文帳に追加

ＩＣチップ４はシリコン層に実装されたトランジスタとシリコン層の表面と当該表面の裏側の配線パターンの表面とのそれぞれにトランジスタに接続した電極３８を設けている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid state imaging device that decreases the number of processes of forming a contact plug electrically connecting a pixel electrode pattern and a semiconductor substrate to each other, and to provide the solid state imaging device.例文帳に追加

画素電極パターンと半導体基板とを電気的に接続するコンタクトプラグを形成するための工程数を低減できる固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

A mode setting conductive pattern 46b is formed on the front lateral face of the sealing layer 43, and made conduct with the ground voltage electrode 24b by a ground voltage embedded conductor 45b.例文帳に追加

モード設定導電パターン４６ｂを封止層４３の表側面に形成して、モード設定導電パターン４６ｂを接地電圧用埋込導体４５ｂによって接地電圧用電極２４ｂに導通させる。 - 特許庁

A transparent colored pattern layer 2 is provided on the plastic substrate 6 without a barrier layer thereon, a switching element 4 and the transparent electrode 5 for driving the pixel are formed thereon across a transparent coating layer 8.例文帳に追加

バリア層が設けられていないプラスチック基板６上に、透明着色パターン層２を設け、その上に透明被覆層８を介して、スイッチング素子４と画素駆動用透明電極５とを形成したこと。 - 特許庁

The insulating film 6 and the conductive film 5 are sequentially etched as a resist pattern 7 as a mask, a patterned insulating film 8 and the laminate of a gate electrode 9 of the high breakdown voltage transistor are formed.例文帳に追加

レジストパターン７をマスクとして絶縁膜６および導電膜５が順次エッチングされ、パターニングされた絶縁膜８および高耐圧トランジスタのゲート電極９の積層体が形成される。 - 特許庁

The wiring pattern 11 on the substrate 1 is mechanically and electrically connected to the exciting electrode 2a on the piezoelectric element 2 by a means for enabling direct junction, e.g., by welding.例文帳に追加

基板１上の配線パターン１１と圧電素子２表面の励振電極２ａとは、溶着などの直接的接合が可能な手段により互いに機械的及び電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide an optoelectronic device capable of suppressing the lowering of display quality while preventing defects and degradation by preventing the occurrence of discharge in the vicinity of the outer peripheral part of an electrode pattern and its manufacturing method.例文帳に追加

電極パターンの外縁部近傍の放電を防止することによって、欠陥や劣化を防止し、表示品位の低下を抑制することのできる電気光学装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An IC chip 2 is mounted on a substrate 1 where a circuit pattern is provided, a specified terminal of the substrate 1 and an electrode of each IC chip are wire-bonded with a metal thin wire 4 (a).例文帳に追加

まず、回路パターンを設けた基板１の上にＩＣチップ２を搭載し、基板１の所定の端子と各ＩＣチップの電極との間を金属細線４でもってそれぞれワイヤボンデングする（図１（ａ））。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a plastic liquid crystal display device by which a transparent electrode pattern can be formed while dissolving a problem of shift in position without giving damages to the plastic substrate itself.例文帳に追加

プラスチック基板自体にダメージを与えることなく位置ずれの問題を解消して、透明電極パターンの形成を行うことのできるプラスチック液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁