「pattern electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

An extraction pattern 10 is arranged inside or outside a cutting dotted line 4 and connected with an inspection electrode 9 after proceeding in almost parallel or diagonally opposed state against this cutting dotted line 4, then an inspection is carried out by connecting an inspection terminal with the inspection electrode 9 and the pattern 10 is cut by the cutting dotted line 4 after the inspection.例文帳に追加

この目的を達成するために本発明は、引き出しパターン１０を切断予定ライン４の内側又は外側において、この切断予定ライン４とほぼ平行又は、斜めに対向した状態で進行した後に検査電極９と接続し、検査電極９に検査端子を当接させて検査を行い、その後切断予定ライン４で切断するものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of mounting an electrode forming surface of a semiconductor chip 10 oppositely on a board 20 having a wiring pattern 22 on at least one surface and electrically fixedly connecting the electrode 12 to the pattern 22, and a step of grinding a surface of the board 20 at its opposite side of the chip 10 after the previous step.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、配線パターン２２を少なくとも一方の面に有する基板２０に、半導体チップ１０における電極形成面を対向させて搭載し、前記電極１２と前記配線パターン２２とを電気的に接続して固定する工程と、前記工程後に、前記半導体チップ１０における前記基板２０とは反対側の面を研削する工程と、を含む。 - 特許庁

The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for opposing the electrode 12 of a semiconductor chip 10 and a wiring pattern 22 each other through a solder 30 containing bismuth, and a step for forming a conductive portion 40 connecting the electrode 12 and the wiring pattern 22 electrically by thermally melting the solder 30 at a temperature between the melting point and 300°C and then hardening the solder.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体チップ１０の電極１２と配線パターン２２とを、ビスマスを含有するはんだ３０を介して対向させること、及び、はんだ３０を、融点以上３００度未満の温度で加熱して溶融させ、その後硬化させて、電極１２と配線パターン２２とを電気的に接続する導電部４０を形成することを含む。 - 特許庁

The planar electrode for electrochemical sensor which will not cause unwanted spread of a liquid dropped onto the electrode is provided by using a conductive material having conductive patterns E1 and E2 formed on a substrate, the material containing a fluorine-based surfactant in a surface B, other than the conductive pattern part on the conductive pattern forming surface of the substrate.例文帳に追加

基材上に導電性パターンＥ１、Ｅ２を形成した材料において、基材の導電性パターン形成面の導電性パターン部分以外の表面Ｂにフッ素系界面活性剤を含有することを特徴とする導電性材料を用いることにより、電極上へ滴下した液の不必要な拡がりを起こさない電気化学センサー用プレナー型電極を提供することである。 - 特許庁

In the film carrier tape with the capacitor circuit; the system includes a wiring pattern on the surface of the resin film having a plurality of sprocket holes at both ends, the resin film includes a solder ball round hole, and the capacitor circuit includes a structure where a dielectric layer is positioned between an upper electrode and a lower electrode on the wiring pattern.例文帳に追加

上記課題を達成するため、両端部に複数のスプロケットホールを備える樹脂フィルムの表面に配線パターンを備えるフィルムキャリアテープにおいて、前記樹脂フィルムは、半田ボールランド孔を備え、配線パターンに上部電極と下部電極との間に誘電層が位置する構造のキャパシタ回路を備えることを特徴としたキャパシタ回路付フィルムキャリアテープを採用する。 - 特許庁

A printed circuit board 10 includes a plurality of electrode pads 12 provided at a peripheral inner edge of a component mounting region 11; an island-shaped pattern 13 provided in a region surrounded by the electrode pads 12 within the component mounting region 11; and a plurality of solder joined surface parts 14 provided to partition the region by a solder resist (SR) film in the island-shaped pattern 13.例文帳に追加

プリント配線板１０は、部品実装領域１１内の周縁部に設けられた複数の電極パッド１２，１２，…と、部品実装領域１１内の電極パッド１２，１２，…で囲われた領域に設けられた島状パターン１３と、島状パターン１３にソルダーレジスト（ＳＲ）の被膜により領域を区分して設けられた複数のはんだ接合面部１４，１４，…とを具備して構成される。 - 特許庁

This n-channel MOS transistor includes the gate electrode pattern made of a conductive metal nitride formed on a p-type silicon active region through a gate insulating film, n-type source and drain regions formed on one side of the gate electrode pattern and on the other side respectively in the p-type silicon active region, and the conductive metal oxide contains Si and V group elements.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタは、ｐ型シリコン活性領域上にゲート絶縁膜を介して形成された導電性金属窒化物よりなるゲート電極パターンと、前記ｐ型シリコン活性領域中、前記ゲート電極パターンの一方および他方の側にそれぞれ形成されたｎ型のソースおよびドレイン領域と、を含み、前記導電性金属窒化物は、ＳｉおよびＶ族元素を含む。 - 特許庁

The attachment determining device 1 can accurately determine whether a flexible wiring board 10 regularly corresponding with a connector 20 is mounted, by changing a conducting condition between an identifying electrode 24a and a signal electrode 24b of the connector 20 with a first connection terminal pattern 11a and a second connection terminal pattern 11b formed on a tip of the flexible wiring board 10.例文帳に追加

装着判定装置１は、フレキシブル配線基板１０の先端に形成される第１接続端子パターン１１ａと第２接続端子パターン１１ｂとにより、コネクタ２０の識別電極２４ａと信号電極２４ｂとの間の導通状態を変化させて、コネクタ２０に正規に対応するフレキシブル配線基板１０が装着されたか否かを正確に判定できる。 - 特許庁

This electrode driving device has first and second substrates 11, 12, first and second electrode patterns 21, 22 arranged in a quadrilateral area 20, first and second wiring patterns 31, 32, a first electronic part 40 which is electrically connected to the first wiring pattern 31 and an electronic part 50 which is electrically connected to the second wiring pattern 32.例文帳に追加

電極駆動装置は、第１及び第２の基板１１，１２と、四辺形領域２０内で並べられた第１及び第２の電極パターン２１，２２と、第１及び第２の配線パターン３１，３２と、第１の配線パターン３１に電気的に接続された第１の電子部品と４０、第２の配線パターン３２に電気的に接続された第２の電子部品５０と、を有する。 - 特許庁

In the semiconductor device wherein an outside connection terminal 50 electrically connecting the electrode 12 of a semiconductor element through a wiring pattern 52 to the electrode formation face of the semiconductor element is formed, the outside connection terminal 50 is formed of a wire consisting of an electrically conductive material, and the bonding part side of the wire is provided to be buried in a metal layer forming the wiring pattern 52.例文帳に追加

半導体素子の電極形成面に、配線パターン５２を介して半導体素子の電極１２と電気的に接続する外部接続端子５０が形成された半導体装置において、前記外部接続端子５０が、導電材からなるワイヤにより形成され、該ワイヤのボンディング部側が前記配線パターン５０を形成する金属層に埋没して設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

By using a photomask or a reticle formed with an auxiliary pattern having a light intensity reduction function formed of a diffraction grating pattern or a translucent film, the width of a region with a small thickness of a gate electrode can be freely set, and the widths of two LDD regions capable of being formed in a self-aligned manner with the gate electrode as a mask can be different in accordance with the each circuit.例文帳に追加

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることによって、ゲート電極の膜厚の薄い領域の幅を自由に設定でき、そのゲート電極をマスクとして自己整合的に形成できる２つのＬＤＤ領域の幅を個々の回路に応じて異ならせることができる。 - 特許庁

A conductive sheet 10 comprises: a first transparent substrate 14A having a first electrode pattern 16A that includes first conductive patterns 18A and first nonconductive patterns 20A composed of thin metal wires; and a second transparent substrate 14B having a second electrode pattern 16B that includes second conductive patterns 18B and second nonconductive patterns 20B composed of thin wire metals.例文帳に追加

導電シート１０は、金属細線で構成される第１導電パターン１８Ａと第１非導電パターン２０Ａとを含む第１電極パターン１６Ａを有する第１透明基体１４Ａと、金属細線で構成される第２導電パターン１８Ｂと第２非導電パターン２０Ｂとを含む第２電極パターン１６Ｂを有する第２透明基体１４Ｂとを備える。 - 特許庁

Since a patterned light blocking film 102 is formed on the rear side of a substrate 101 and used as a photomask for forming a pattern of the gate electrode 103 and a pattern of the source and drain electrodes 108 on the front side of the substrate, the number of photomasks is reduced, and self-alignment between the gate electrode and the source and drain electrodes is carried out, thereby improving the alignment accuracy of these electrodes.例文帳に追加

パターニングされた遮光膜１０２を基板１０１裏面側に形成し、基板表面側に形成されるゲート電極１０３およびソース・ドレイン電極１０８のパターン形成用のフォトマスクとして共用することにより、フォトマスク数が低減されると共に、ゲート電極とソース・ドレイン電極の位置合わせが自己整合的に行われるため互いの合わせ精度が向上する。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar cell module includes a cell preparation process of preparing a solar cell 1 having electrode wiring, a wiring board preparation process of preparing a wiring board having a base 20 and a wiring pattern provided over the base 20, a mounting process of electrically connecting the wiring pattern and electrode wiring to each other and mounting the solar cell 1 on the wiring board, and an exposure process of removing the base 20 to expose the wiring pattern.例文帳に追加

本発明に係る太陽電池モジュールの製造方法は、電極配線を有する太陽電池セル１を準備するセル準備工程と、基材２０と、基材２０の上方に設けられる配線パターンとを有する配線基板を準備する配線基板準備工程と、配線パターンと電極配線とを電気的に接続させ、配線基板に太陽電池セル１を搭載する搭載工程と、基材２０を除去し、配線パターンを露出させる露出工程とを備える。 - 特許庁

A color layer 25B in the pixel part in the position along the outermost periphery of the display region is extended to the frame pattern 32 consisting of a black color layer to form an extended part 27 so that the step part between the color layer and the frame pattern is disposed apart from the pixel electrode 30.例文帳に追加

表示領域の最外周に沿って位置した画素部の着色層２５Ｂを黒着色層からなる額縁パターン３２側へ延在させて延在部２７を形成することにより、着色層と額縁パターンとの段差部分を画素電極３０から離して配置する。 - 特許庁

To resolve the trouble that metal powder scattered from the exposed part of a metallized pattern sticks to an IDT to cause short circuit between electrode fingers in a SAW device having a structure that a SAW chip is mounted on the metallized pattern on a wiring board for surface mounting by flip-chip mounting.例文帳に追加

表面実装用の配線基板上のメタライズパターン上にＳＡＷチップをフリップチップ実装した構造のＳＡＷデバイスにおいて、メタライズパターンの露出部分から飛散した金属粉がＩＤＴに付着して電極指間をショートさせる不具合を解消することができる。 - 特許庁

The thin-film pattern 2 absorbing ultraviolet rays to be a base layer is photolyzed or pyrolyzed to be peeled off by the ultraviolet laser beams to enable to peel off the transparent electrode in whole, efficiently obtain a desired pattern, and also to carry out a large-area treatment at high speed.例文帳に追加

紫外レーザ光８によって下地となる紫外光を吸収する薄膜パターン２を光分解または熱分解剥離させて透明電極ごと剥離することができ、効率的に所望のパターンを得ることができ、大面積の処理も高速で行うことができる。 - 特許庁

A manufacturing method of the SAW device comprises a pattern formation process for forming a conductor pattern including an interdigital electrode on a piezoelectric wafer in which the SAW device should be formed, and providing the alignment mark on the piezoelectric wafer; and a cutting process for cutting the piezoelectric wafer to divide the piezoelectric wafer.例文帳に追加

ＳＡＷ装置を形成すべき圧電ウェハ上に櫛形電極を含む導体パターンを形成すると共に、圧電ウェハ上にアライメントマークを設けるパターン形成工程と、圧電ウェハを切断して圧電ウェハを分割する切断工程とを含むＳＡＷ装置の製造方法である。 - 特許庁

When the inductance of this inductance component 21 must be lowered so as to bring the inductance of the component 21 closer to a desired inductance value, the inductance value is adjusted by increasing the electrode widths W1 of the pattern portions 12c and 12d to W2 (>W1) on the inside of the pattern 12 as shown in Fig. 5(B).例文帳に追加

インダクタ部品２１のインダクタンスを所望のインダクタンス値に近づけるために下げなければならない場合には、図５（Ｂ）に示すように、コイルパターン１２のパターン部分１２ｃ，１２ｄの電極幅をコイルパターン１２の内側に太くしてＷ２（＞Ｗ１）に設定し、インダクタンス値を調整する。 - 特許庁

When a point defect is found by array inspection, a laser cut section 61 is set up in the bridge 66 between a first sub-pixel pattern 6A-1 of a small right triangular one positioned at a corner of a pixel electrode 6, and a second sub-pixel pattern 6A-2 of a large area.例文帳に追加

アレイ検査により点欠陥が発見された際には、画素電極６の一隅に位置する小さな直角三角形状の第１のサブピクセルパターン６Ａ-１と、大面積の第２のサブピクセルパターン６Ａ-２との間にて、ブリッジ部６６にレーザーカット部６１が設けられる。 - 特許庁

To provide a resistor capable of improving reliability of a soldering portion in being subjected to heat shock and the like by ensuring thickness of solder between a land pattern and the rear electrode layer at 50 μm or more, when mounting the resistor on a printed wiring board with the land pattern being reduced.例文帳に追加

ランドパターンを縮小して抵抗器をプリント基板に実装した際にランドパターンと裏面電極層間のはんだの厚みを５０μｍ以上確保して熱衝撃等を受けたときのはんだ付け部の信頼性を向上させることができる抵抗器を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the capacitor 10, when a charge is stored and when the stored charge is discharged, a current flows between the edge region 50B of a cathode land pattern 40B and the end 48b of an anode via 48, and a current also flows in a cathode electrode pattern 38B.例文帳に追加

本発明に係るコンデンサ１０においては、電荷が蓄えられる際、及び蓄えられた電荷が放電される際に、陰極ランドパターン４０Ｂの縁領域５０Ｂと陰極ビア４８の端部４８ｂとの間に電流が流れると共に、陰極電極パターン３８Ｂ内にも電流が流れる。 - 特許庁

The sealing resin 7 of the EL driver 8 is housed in a relief hole 9a formed on a mounting board 9, and the upper surface connecting pattern 1a formed on the board 1 is electrically connected to the wiring pattern formed on the board 9 via solder 10 fed via a through hole electrode 3.例文帳に追加

実装基板９に形成した逃げ穴９ａに、ＥＬドライバー８の封止樹脂７を収納し、回路基板１に形成された上面接続パターン１ａと実装基板９に形成された配線パターンとをスルーホール電極３を介した半田１０で電気的に接続する。 - 特許庁

Gate length of an MOS transistor is important for the characteristics of a transistor and since the mask pattern is formed with high accuracy even if the gate electrode pattern includes a microelement figure, uniform and excellent characteristics of an MOS transistor can be obtained easily with regard to the gate length.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート長はトランジスタ特性上重要であり、ゲート電極パターンが微小要素図形を含むことになっても、そのマスクパターン等は高精度に作製されるから、ゲート長に関するＭＯＳトランジスタの均一で優れた特性を容易に実現することができる。 - 特許庁

The bottom 62 is electrically connected to a first conductive pattern 51A in a printed circuit board 50 by a conductive adhesive 71 that is a silver-epoxy-based adhesive, and negative electrode sections 12-42 are also electrically connected to a second conductive pattern 52A by the conductive adhesive 71.例文帳に追加

底部６２は、銀−エポキシ系接着剤たる導電性接着剤７１によってプリント基板５０の第１の導電パターン５１Ａに電気的に接続されており、陰極部１２〜４２も導電性接着剤７１によって第２の導電パターン５２Ａに電気的に接続されている。 - 特許庁

The shunt resistor 14 is provided bridging a gap between the wiring pattern 11a of the insulating board 4 to which the one end of an electrode leading terminal 8 that is led out from the semiconductor chip 1 is joined and the other wiring pattern 11b to which an outer lead wire 12 is bonded.例文帳に追加

前記シャント抵抗１４は、半導体チップ１から導出された電極引出用端子８の一端を接合した絶縁性基板４の配線パターン１１ａと、外部リード線１２が接合された他の配線パターン１１ｂとの間に跨って配設されたものである。 - 特許庁

Subsequently, a second resist pattern 31 having openings 31a, 31b on the openings 30a, 30b, respectively, is formed without removing the first resist pattern 30, and second metal layers 26a, 26b to be metal bumps 23, 24 are formed, respectively, by electrolytic plating by using the first metal layer 25 as an electrode.例文帳に追加

続いて、第１レジストパターン３０を除去せずに、開口部３０ａ、３０ｂ上に開口部３１ａ、３１ｂを有する第２レジストパターン３１を形成し、第１金属層２５を電極とする電解メッキにより金属バンプ２３、２４となる第２金属層２６ａ、２６ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a blanket, in which the poor resolution of lines normal to a printing direction at the printing of a minute pattern by an offset printing is solved, and the forming method of the minute electrode pattern by the offset printing, in which the poor resolution of the lines normal to the printing direction is solved.例文帳に追加

オフセット印刷により微細パターンを印刷するときの印刷方向に対して垂直なラインの解像度不良を解消したブランケット並びに印刷方向に対して垂直なラインの解像度不良を解消したオフセット印刷による微細電極パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a MOS transistor formed on a semiconductor substrate, wiring connected to a gate electrode for composing the MOS transistor via a first insulation film, an antenna pattern in L/S shape connected to the wring, and a second insulation film forming on the wiring and the antenna pattern.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＭＯＳトランジスタと、第１絶縁膜を介して前記ＭＯＳトランジスタを構成するゲート電極に接続された配線と、該配線に接続されたＬ／Ｓ状のアンテナパターンと、前記配線及びアンテナパターン上に形成された第２絶縁膜からなる半導体装置。 - 特許庁

The method forms a relief embossing pattern and a contact hole on a surface of an organic protective film by pressuring a mold having an intaglio embossing pattern and a projection on the surface of the organic protective film to expose a drain electrode through the contact hole.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置の製造方法は、陰刻エンボシングパターンと突出部とを含むモールドを有機保護膜の表面に加圧することで、有機保護膜の表面に陽刻エンボシングパターンと接触孔とを形成し、その接触孔からドレイン電極を露出させる。 - 特許庁

The center part of the incident area 39 of a light beam corresponding to the pupil of an objective lens is formed with a circular pattern electrode 30, while its outer circumferential part is formed with the radially divided and mutually identically shaped pattern electrodes 31 to 38 symmetrically with respect to the center.例文帳に追加

対物レンズの瞳に対応する光ビームの入射範囲３９の中心部分は円形のパターン電極３０が形成され、その外周部は放射状に分割された互いに同一形状のパターン電極３１乃至３８が中心対称に形成されている。 - 特許庁

Following this, the conductor, the contact layer, and the semiconductor layer are etched to form data wiring including data lines 61, data pads 64, source electrodes 62, and drain electrodes 63, pixel electrode wiring including pixel signal lines and pixel electrodes, a contact layer pattern, and semiconductor layer pattern.例文帳に追加

その次に、導電体層、接触層、半導体層をエッチングしてデータ線６１、データパッド６４、ソース電極６２及びドレーン電極６３を含むデータ配線、画素信号線及び画素電極を含む画素電極配線、接触層パターン、そして半導体層パターンを形成する。 - 特許庁

Welding is applied by bringing a welding electrode trunk part into contact from both axial sides of the engaged projection parts 51 and 52 and the recessed parts 53 and 54, and the resistor 30 is electrically and mechanically connected to the wiring pattern 29 and the wiring pattern 31.例文帳に追加

係合された係合凸部５１，５２及び係合凹部５３，５４の軸方向両側から溶接電極幹部が当接して溶接が施され、ローサイド側コモン配線２９及びグランド配線３１と電流検出用抵抗３０とが電気的機械的に接続される。 - 特許庁

The LED unit has the wiring board 3 which has the circuit pattern 33 formed on one surface of a metal plate 31 across a resin layer 32, and the terminal 33a of the circuit pattern 33 is connected to the electrode 22b of the surface mounted LED 1 through the joining portion 4 made of a joining material.例文帳に追加

金属板３１の一表面上に樹脂層３２を介して回路パターン３３が形成された配線基板３を備え、回路パターン３３における端子部３３ａが表面実装型ＬＥＤ１の電極部２２ｂと接合材料からなる接合部４を介して接続されている。 - 特許庁

As shown in Fig. (a), from a connection electrode 38 which is an output terminal of the driver 12a and via conductive particles 35 in an ACF 37, an addition resistance layer 15 formed on a wiring pattern 30 and the wiring pattern 30 compose a connection line which is connected to the cathode inside the FED.例文帳に追加

（ａ）図のように、ドライバＩＣ１２ａの出力端子である接続電極３８からＡＣＦ３７中の導電性粒子３５を介して、配線パターン３０の上に形成された付加抵抗層１５、及び、配線パターン３０で接続ラインを構成し、ＦＥＤ内部のカソードに接続される。 - 特許庁

The package comprises a glass substrate 11 on which electrode pads 13 are formed following an interconnection pattern 13a, a semiconductor component 12 arranged on the glass substrate and conducting to the interconnection pattern, and a glass cap 20 arranged on the glass substrate so as to cover the semiconductor component.例文帳に追加

配線パターン１３ａとそれに続く電極パッド１３が形成されたガラス基板１１と、ガラス基板上に設置されるとともに、配線パターンに導通される半導体素子１２と、その半導体素子を覆うようにしてガラス基板上に設置されるガラスキャップ２０を備える。 - 特許庁

An electrode pattern is formed by such method that, after p-type semiconductor layers 3 and 4 are formed on a silicon substrate 1 and an n-type semiconductor layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer, the n-type semiconductor layer is removed with a predetermined pattern by using laser abrasion so as to expose the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ｐ型半導体層３、４を形成し、ｐ型半導体層上に、ｎ型半導体層５を形成した後、レーザ・アブレーションを用いて、所定のパターンで、ｎ型半導体層を除去し、ｐ型半導体層を露出させて、電極パターンを形成する。 - 特許庁

An electric insulation layer and a conductor pattern are alternately laminated and the conductor pattern is successively connected, so that a coil superimposed in the lamination direction is formed in an electric insulator, and the end of the coil is connected to an external electrode on the outer surface of a laminated body through a leading conductor.例文帳に追加

電気絶縁層と導体パターンが交互に積層され導体パターンが順次接続されることで、電気絶縁体中に積層方向に重畳したコイルが形成され、該コイルの端部が引出導体により積層体外表面の外部電極に接続されている積層チップインダクタである。 - 特許庁

The circuit board 5 is provided with a wiring pattern and mounted with electronic components 8, 8a on the main surface 5a, and an elastic piece 9 extending from the terminal electrode 6 into the case 4 is in elastic contact with a connection land part 7 of the wiring pattern present at one end part of the main surface 5a.例文帳に追加

回路基板５には配線パターンが設けられて主面５ａに電子部品８，８ａが実装されており、主面５ａの一端部に存する配線パターンの接続ランド部７には、端子電極６から筐体４内へ延出する弾性片９が弾接している。 - 特許庁

To provide a silver powder, which is applicable to advanced fine-line pattern electronic components such as an internal electrode of a laminated ceramic capacitor, a conductor pattern of a circuit board, and electrodes and circuits of substrates of solar cells and plasma display panels, and is high in productivity and exhibits excellent performance as a photosensitive paste, to provide a method for producing the same, and to provide others.例文帳に追加

ファインライン化が進む積層セラミックコンデンサの内部電極、回路基板の導体パターン、太陽電池・プラズマディスプレイパネル用基板の電極、及び回路等の電子部品に適用でき、生産性、及び感光性ペーストとしての特性が高い銀粉、及びその製造方法等の提供。 - 特許庁

This field emission display element is equipped with a first metallic film 32 for a cathode electrode formed on a lower substrate 30, and an insulating film pattern 34a and a second metallic film pattern 36a, formed on the first metallic film 32 and having a plurality of minute holes 40.例文帳に追加

本発明の電界放出表示素子は、下部基板３０上に形成されたカソード電極用第１金属膜３２と、第１金属膜３２上に形成された複数個の微細孔４０をもつ絶縁膜パターン３４ａおよび第２金属膜パターン３６ａを備えている。 - 特許庁

Furthermore, an electrode pattern can be formed in a short process, without forming a mask required for protecting silver in etching, by leaving, as it is, only silver on the gold or platinum layer, in the silver thin film formed on the whole surface on the glass substrate where a gold or platinum pattern is formed.例文帳に追加

さらに、金や白金のパターンを形成したガラス基板上の全面に形成された銀薄膜のうちの、金や白金層の上のみに銀を残し、エッチングの際に銀を保護するために必要となるマスクを形成することなく短い工程で電極パターンを形成できる。 - 特許庁

Each of the pixel electrodes 360 is electrically connected to a second conductive pattern layer M2 via one of connection openings 392, and a prescribed part of the pixel electrode 360 is connected to a first conductive pattern layer M1 via one of opening hole 394 to form a storage capacitor.例文帳に追加

ピクセル電極３６０は接続開口部３９２の１つを介してそれぞれ第２導電パターン層Ｍ２に電気的に接続され、またピクセル電極３６０の所定の部分は開孔３９４の１つを介して第１導電パターン層Ｍ１に接続されてストレージキャパシタが形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and manufacturing system of a plasma display panel, by which positional misalignment can be determined with proper accuracy at any given location in the panel, and the substrates can be glued together with a high accuracy, because the actual transparent electrode pattern and rib pattern in a cell can be observed without relying on an alignment mark.例文帳に追加

アライメントマークによらず、セル内の実透明電極パターンとリブパターンとを観察可能であるため、精度良くまたパネル内の任意の箇所において位置ずれを確認でき、高精度の基板貼り合わせが可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造システムを実現する。 - 特許庁

The first removing layer 4, an inorganic material pattern 6, the second removing layer 8, an electrode pattern 10, a protecting layer 12 and an adhesive layer 14 are sequentially formed on a supporting substrate 2 to obtain a transcript 20 on the substrate 2.例文帳に追加

支持基板２上に第１剥離層４を形成し、その上に無機材料パターン６を形成し、その上に第２剥離層８を形成し、その上に電極パターン１０を形成し、その上に保護層１２を形成し、その上に接着剤層１４を形成することで、支持基板２上に転写体２０を得る。 - 特許庁