「patterned」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

The TFT 108 further includes a polycrystalline semiconductor film 14 that is formed and patterned on the SiO film 13 in contact with the SiO film 13 in such a way that all pattern ends are located in close proximity to pattern ends of the SiO film 13.例文帳に追加

さらに、ＴＦＴ１０８は、ＳｉＯ膜１３上においてＳｉＯ膜１３に接し、全てのパターン端がＳｉＯ膜１３のパターン端近傍に配置されるようにパターニング形成された多結晶半導体膜１４を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory element in which an MTJ structure of the nonvolatile memory element can be patterned without causing a short circuit nor a current leak and without damaging the MTJ structure.例文帳に追加

短絡や電流リークを生じさせること無く、しかも、ＭＴＪ構造にダメージを生じさせること無く、不揮発性メモリ素子におけるＭＴＪ構造のパターニングを行い得る不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A color filter is formed on a substrate and is covered with a smoothing film, and a transparent conductive film is formed on the smoothing film, and it is patterned to form a transparent electrode, and then the substrate is dried under a low pressure before being stuck on a counter substrate.例文帳に追加

基板上にカラーフィルターを形成して平坦化膜で覆い、該平坦化膜上に透明電導膜を形成し、パターニングして透明電極を形成した後、対向基板と貼り合わせるまでの間に減圧乾燥を施す。 - 特許庁

A lithographic apparatus includes: an illumination system configured to adjust a radiation beam; and a support medium constructed to support a patterning device capable of imparting the radiation beam with a pattern in its cross-section to form a patterned radiation beam.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体とを含む。 - 特許庁

The movable member forming material 30 is irradiated with laser from the side opposite to the groove 10a in the movable member forming material 30 through a mask patterned specifically to form a movable member 31 in the movable member forming material 30.例文帳に追加

可動部材形成材３０の、溝１０ａ側と反対側の面から、所定のパターンが形成されたマスクを介して可動部材形成材３０にレーザを照射し、可動部材形成材３０に可動部材３１を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the wiring board includes a process to form a wiring pattern 30 on a base substrate 10 comprising a metal layer 12 and a mask 14 formed on the metal layer 12 by being patterned by removing a part of the metal layer 12 by spraying an etchant 20.例文帳に追加

金属層１２と、パターニングされて金属層１２上に設けられたマスク１４とを有するベース基板１０に、エッチング液２０を噴射して金属層１２の一部を除去し、配線パターン３０を形成することを含む。 - 特許庁

A semiconductor device includes a resin substrate 2 which includes a substrate core 3, copper patterns 4 and 13 which are patterned in the upper surface of the substrate core 3, and a resist 5 which is laminated in the upper surface of the substrate core 3 in which the copper patterns 4 and 13 are formed.例文帳に追加

基板コア３と、基板コア３の上面にパターニングされた銅パターン４、１３と、上面に銅パターン４、１３が形成された基板コア３の上面に積層されるレジスト５とを含む樹脂基板２を備える。 - 特許庁

An underlying metal film 2 and an overlying metal film 3 different from the underlying metal film 2 are formed sequentially on a substrate, a resist pattern 4 is formed on the overlying metal film 3, and then only the overlying metal film 3 is etched and patterned.例文帳に追加

下側金属膜２、及び下側金属膜２とは異なる上側金属膜３を基板上に順に積層し、上側金属膜３上にレジストパターン４を形成し、上側金属膜３のみをエッチングしパターニングする。 - 特許庁

To provide a lithography system in which throughput can be increased through patterning of all feature sizes during exposure and features can be patterned over an entire surface of a substrate substantially at a same time as required.例文帳に追加

各露光中にあらゆるフィーチャサイズのパターニングにわたりスループットを高めることができるようにし、必要に応じて実質的に一度に１つの基板の表面全体にフィーチャをパターニングできるようにしたリソグラフィシステムを提供する。 - 特許庁

The silicon nitride films 27 are formed by being deposited on an upper surface of a conductive film to be formed into the upper driving electrodes 23 and the upper capacitance electrode 25 in a continuous process by a CVD method, and, thereafter, by being patterned by a RIE method.例文帳に追加

シリコン窒化膜２７は、上部駆動電極２３及び上部容量電極２５となる導電膜の上面に、連続した工程としてＣＶＤ法により堆積され、その後、ＲＩＥ法でパターニングして形成されたものである。 - 特許庁

In a process of fabricating BiCMOS, a bipolar base layer 10 is formed, a polycrystal silicon layer 15 and an insulating layer 16 are formed by lamination, then the layer is patterned to form an emitter electrode 17 and a gate electrode 18.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳ製造工程において、バイポーラのベース層１０を形成し、多結晶シリコン膜１５と絶縁膜１６を積層して形成した後、その積層をパターニングしてエミッタ電極１７とゲート電極１８を形成する。 - 特許庁

Carbon deposits are attached on the inner walls of an etching chamber, an organic material layer 2 formed on a base board 1 is etched using an inorganic material layer 4 patterned as prescribed as a mask by the use of oxygen active species.例文帳に追加

エッチングチャンバ１０の内部に炭素系堆積物を付着させた状態で、下地基板１上に形成された有機材料層２を、所定の形状にパターニングされた無機材料層４をマスクとして酸素活性種でエッチングする。 - 特許庁

The problem is solved by the light emitting diode characterized in that it comprises the light transmissive electrode on the light extraction surface of the light emitting diode, and the light transmissive electrode is patterned to cover a part of the light extraction surface.例文帳に追加

発光ダイオードの光取り出し面に光透過性電極を備え、該光透過性電極が、前記光取り出し面の一部を覆うようにパターニングされていることを特徴とする発光ダイオードにより上記課題を解決する。 - 特許庁

In addition, the silicon layer 8 is patterned with dry etching using a reactive gas with the second inorganic film 8 used as a mask, an ion 12 is implanted into the silicon substrate 2 in energy of 5 MeV to 8 MeV using the silicon layer 6 as a mask.例文帳に追加

さらに、第２の無機膜８をマスクとする反応性ガスを用いたドライエッチングによりシリコン層６をパターン化し、このシリコン層６をマスクとして、５ＭｅＶないし８ＭｅＶのエネルギーでシリコン基板２にイオン１２を注入する。 - 特許庁

Using the patterned hard mask layer (255), the layers are etched to form an etched barrier layer (205), an etched first metal layer (215), an etched ferroelectric layer (225), and an etched second metal layers (235, 245).例文帳に追加

パターンが形成されたハードマスク層（２５５）により、各層をエッチングしてエッチングされたバリア層（２０５）、エッチングされた第１の金属層（２１５）、エッチングされた強誘電層（２２５）、及びエッチングされた第２の金属層（２３５、２４５）を形成する。 - 特許庁

This halftone-type EUV mask is a halftone-type EUV masK comprising a substrate, a high-reflectivity portion formed on the substrate, and a patterned low-reflectivity portion formed on the high reflectivity portion in which the low reflectivity portion contains Ta (tantalum) and Nb (niobium).例文帳に追加

基板と、基板上に形成された高反射部と、高反射部上に形成されたパターニングされた低反射部と、を備え、低反射部は、Ｔａ（タンタル）及びＮｂ（ニオブ）を有することを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスク。 - 特許庁

To provide a toasted laver sheet with patterned openings, capable of being widely applied to up-to-date cooking styles composing a food culture, by completely changing an orthodox image, which is brought about by conventional toasted laver sheets, as a food material, and capable of still more increasing cooking novelties in which the toasted laver is used.例文帳に追加

従来の焼き海苔の持つ、食材としてのオーソドックスなイメージを一新して、食文化である今風の料理に広く活用を求め、焼き海苔を利用したアイデア料理をいっそう推進する、焼き海苔（Ａ）を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing a planar coil is provided to cut a planar coil patterned by a wideformat sheet 3 into piece sheets 10, and to adjust a DC resistance value for each of the piece sheets 10 by measuring the weight of the piece sheets 10.例文帳に追加

本発明は、大判シート３によりパターニングされた平面コイルを個片シート１０に切断し、個片シート１０の重量測定により個片シート１０毎に直流抵抗値を調整する平面コイルの製造方法である。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup element wherein thickness of an insulating film which is necessary when an aperture part is patterned on a light shielding film is ensured and a stray light which passes the inside of the insulating film and permeates in a transfer part can be restrained.例文帳に追加

遮光膜に開口部をパターニングするときに必要とされる絶縁膜の膜厚を確保し、かつ絶縁膜内を通過して転送部へ漏れ込む迷光を抑制することができるようにした固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a perpendicular magnetic recording patterned medium excellent in heat stability while reducing a write-in magnetic field in a bit area, with less occurrence of a reversed magnetic domain in a position control information area of a head.例文帳に追加

ビット領域における書き込み磁界を低減するとともに，ヘッドの位置制御情報領域において逆磁区の発生が少なくかつ熱安定性に優れた垂直磁気記録パターンド媒体を提供することを可能にする。 - 特許庁

The card type zero-magnetic field generator comprises a pair of coil-like conducting circuits 2, 3 having a reverse winding directions and print-patterned to generate the magnetic fields likewise to cancel to each other when a current flows at corresponding positions on front and rear surfaces of a printed wiring board 1.例文帳に追加

プリント配線基板１の表裏面の対応位置に、電流が流されると互いに打ち消し合うような磁場を発生する、巻回方向が互いに逆の一対のコイル状導電回路２、３をプリントパターン化して設ける。 - 特許庁

After that, an insulating film 7a and a second laminate 18a are formed on the first laminate 7a so as to be patterned, and the capacitor which is composed of the lower electrode 17a, a capacitance insulating film 7 and an upper electrode 18 is formed.例文帳に追加

その後、第１積層１７ａの上に絶縁膜７ａと第２積層１８ａとを形成してパターニングすることにより、下部電極１７，容量絶縁膜７および上部電極１８からなるキャパシタ部を形成する。 - 特許庁

After a first metal film 302 is formed on a substrate 301 from an insulating material, a resist film 303 is formed on the desired portion of the upper surface of the first metal film 302 and a Ti film being the first metal film 302 is patterned.例文帳に追加

絶縁材料を基板３０１として第１の金属膜３０２を成膜した後、第１の金属膜３０２の上面の所望部分にレジスト膜３０３を形成し、第１の金属膜３０２であるＴｉ膜をパターニングする。 - 特許庁

To detect a defect caused by a secular change of a stamper by classifying defects repetitively caused on a patterned media disk into defects caused by deterioration due to secular change of the stamper and defects caused by a process failure.例文帳に追加

パターンドメディアディスク上に繰り返し発生した欠陥をスタンパの経時的変化による劣化により発生した欠陥と、プロセスの不良により発生した欠陥とを識別して、スタンパの経時変化により発生した欠陥を検出する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device that can suitably pattern a semiconductor film by forming a mask having sufficient resistance to wet etching carried out when the semiconductor film is patterned.例文帳に追加

半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor in which a gate electrode and a source drain electrode are formed with high alignment precision and the source-drain electrode is patterned with high precision without performing a lift-off step.例文帳に追加

ゲート電極とソース・ドレイン電極を高いアライメント精度で形成することができるとともに、リフトオフ工程を行うことなくソース・ドレイン電極を高い精度でパターニングすることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A metal layer arbitrarily patterned to cover at least 20% of the area of the semiconductor light emitting device is plated on either a metal layer formed on the mount or a metal layer formed on one of the contacts.例文帳に追加

半導体発光デバイスの面積の少なくとも２０％をカバーするように任意にパターン形成された金属層は、マウント上に形成される金属層か又はコンタクトのうちの１つに形成される金属層のいずれかにメッキされる。 - 特許庁

Projecting parts 119 consisting of a photosensitive resin are patterned and formed on a substrate 111 by forming a photosensitive resin layer on the substrate, then exposing and developing the photosensitive resin layer through a photomask formed of a plurality of the prescribed patterns.例文帳に追加

基板１１１上に感光性樹脂層を形成した後、所定のパターンが複数形成されたフォトマスクを介してこの感光性樹脂層に露光，現像し、基板上に感光性樹脂からなる凸部１１９をパターン形成する。 - 特許庁

To provide a fishing rod with patterned Japanese papers beautifully wound on the surface, excellent in design and quality, and protected by a thick coating layer, and lithely bending, enhanced fittingness and a method for producing the same.例文帳に追加

模様付和紙が竿表面に綺麗に巻き付けられ意匠的にも品質的にも優れ、厚いコーティング層で保護され、竿の撓み等にもしなやかに馴染み耐久性を高めた釣竿の製造方法と釣竿を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic transistor can directly form a patterned organic semiconductor layer by a simple process and can manufacture the organic transistor with excellent transistor characteristics.例文帳に追加

簡易な工程によりパターン状の有機半導体層を直接的に形成することが可能であり、トランジスタ特性に優れた有機トランジスタを製造することが可能な有機トランジスタの製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

To realize manufacturing method of a semiconductor device which can reduce nonuniformity in the line width of a thin film after patterning on the occasion, when the thin film formed on a semiconductor wafer is patterned into a prescribed shape.例文帳に追加

本発明は、半導体ウェーハ上に形成された薄膜を所定の形状にパターニングする際に、そのパターニング後の薄膜の線幅のばらつきを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the SAF free layer structure, a bias in a length direction is applied by a combination of an exchange bias layer formed on the sensor stack and a hard bias layer formed adjacently to a patterned side face of the stack.例文帳に追加

本発明のＳＡＦフリー層構造では、センサスタックの上に形成された交換バイアス層と、スタックのパターニングされた側面に隣接して形成されたハードバイアス層との組み合わせにより、長手方向のバイアスが印加されている。 - 特許庁

After a transparent photosensitive resin material for spacer 20a is applied on the inner surface of a substrate 2 and patterned by lithography into specified form, it is colored in black to form a black spacer 20.例文帳に追加

基板２の内面上に、透明な感光性樹脂からなるスペーサ材２０ａを塗布し、そのスペーサ材２０ａをフォトリソグラフィ法により所定の形状にパターニングした後、パターニングされたスペーサ材２０ａを染色して黒色のスペーサ２０とする。 - 特許庁

A lithographic apparatus has a means of moving a patterned projection beam incident on the substrate in synchronism with the substrate, which provides a means of correcting movement of the substrate in the lithographic apparatus during duration of a pulse of radiation.例文帳に追加

基板と同期させて基板上に入射するパターン化された投影ビームを移動するための手段を供給することにより、放射線の１回のパルスの持続時間中にリソグラフィ装置内での基板の移動を補正するための手段。 - 特許庁

A detection system for detecting particle contamination in a lithographic apparatus includes an illumination system that directs a radiation beam onto a section of a surface of a patterning device to generate at least first and second components of patterned radiation.例文帳に追加

リソグラフィ装置におけるパーティクル汚染を検出する検出システムは、パターニングデバイスの表面のセクション上に放射ビームを導き、パターン付き放射の少なくとも第１の成分および第２の成分を生成する照明システムを含む。 - 特許庁

In the outer handle device, both the electrodes 43 are patterned on the circuit board 44, and a ground pattern 77 connected to the detecting circuit is arranged at a location offset from both the electrodes 43 when the circuit board 44 is transparently viewed.例文帳に追加

回路基板４４に両電極４３がパターン成形されるとともに、検出回路に連なるグランドパターン７７が、回路基板４４の透視状態では両電極４３からオフセットした位置に配置されるようにして形成される。 - 特許庁

The transparent ITO electrode 4a is a common electrode to be covered on the insulating film 5a to display the individual icons and the transparent ITO electrode 4b is an electrode patterned on the insulating film 5b with shapes of the specified icons.例文帳に追加

ＩＴＯ透明電極４ａは、絶縁膜５ａの上に被膜され、個々のアイコンを表示させるためのコモン電極であり、ＩＴＯ透明電極４ｂは、絶縁膜５ｂ上に所定のアイコン形状にパターンニングされた電極である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electron source in which the lower electrode can be patterned in cross-sectionally trapezoidal shape and the yield of manufacture can be made greater compared with the case of patterning the lower electrode using a lift-off method.例文帳に追加

下部電極を断面台形状の形状にパターニングすることができ且つリフトオフ法を利用して下部電極をパターニングする場合に比べて製造歩留まりを高めることができる電子源の製造方法を提供する。 - 特許庁

The patterned silicon film 110 is oxidized and an oxide film 130 is formed on the entire surface of the silicon film 110 with a preset thickness and then the oxide film 130 is removed so that the upper surface of the silicon film 110 is exposed.例文帳に追加

パターニングされたシリコン膜１１０を酸化させてそのシリコン膜１１０の膜全体表面を設定厚さだけ酸化膜１３０で形成し、シリコン膜の１１０上部表面が露出されるように酸化膜１３０を除去する。 - 特許庁

This includes emitting light from the light source, dispersing light emitted from the light source into one of a diffraction pattern and an interference pattern, and imaging the patterned light onto the object using a lens 38.例文帳に追加

この方法に、光源から光を発することと、光源から発した光を回折パターンと干渉パターンとのうちの１つに分散させることと、レンズ（３８）を使用してパターン付きの光を物体上に撮像することとが含まれる。 - 特許庁

A polysilicon 103 is grown on a semiconductor substrate and ion-implanted to be patterned, so as to form a gate electrode by etching away the gate polysilicon 103 using the films 104, 105 after successively depositing an oxide film 104 and a nitride film 105.例文帳に追加

半導体基板上にゲートポリシリコン１０３を成長させてイオン注入を行い、酸化膜１０４、窒化膜１０５を順次堆積した後、パターニングし、これらをマスクにしてゲートポリシリコンをエッチングしてゲート電極を形成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate comprises an SiGe layer SG formed on an Si substrate 1 and a region 1a having a higher impurity concentration than other region is patterned on the surface of the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層ＳＧを備えた半導体基板であって、前記Ｓｉ基板表面に、他の領域よりも不純物濃度を高くした高濃度領域１ａをパターン状に形成した領域を備えている。 - 特許庁

When a developing process is conducted by exposing the overcoat material 20 via a photomask 21 (C), the overcoat material 20 is patterned into the pattern shape of photomask 21 and is left only at he center of the surface of the micro-lens 17 (D).例文帳に追加

フォトマスク２１を介してオーバーコート材料２０を露光し（Ｃ）、現像処理を行なうと、オーバーコート材料２０は、フォトマスク２１のパターン形状にパターニングされ、マイクロレンズ１７の表面中央部のみにオーバーコート材料２０が残る（Ｄ）。 - 特許庁

The element array 23 is equipped with shading films 34, which are arranged at prescribed pitches with angles of their gaps with each of photodiodes PDi patterned so as to correspond to incident angles of light from the scale grating 12.例文帳に追加

受光素子アレイ２３は、所定ピッチで配列され且つその間隙のフォトダイオードＰＤｉの各々に対する角度がスケール格子１２からの光の入射角に対応するようにパターニングされた遮光膜３４を備えている。 - 特許庁

The method also includes a step of creating a second template using the replicate, in order to form on the second template the predetermined mirrored servo arc orientation and predetermined duty cycle for copying to the second side of the patterned stack.例文帳に追加

方法はさらに、複製物を使用して第二のテンプレートを製造するステップを備え、パターンドスタックの第二面に転写するための所定の鏡写しのサーボアーク配向および所定のデューティサイクルを第二のテンプレートに形成する。 - 特許庁