「patterned」に関連した英語例文の一覧と使い方(77ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the upper electrode 15a is formed on the dielectric layer 14, the dielectric layer 14 can be patterned by using the upper electrode as a mask, impurities can be restrained from diffusing into the dielectric layer 14, and the dielectric layer 14 can be prevented from being exposed to etchant, developer or the like, thus providing the capacitor 10 that has the dielectric layer 14 of high quality.例文帳に追加

誘電体層１４上に上部電極１５ａが形成されることにより、この上部電極をマスクとして誘電体層１４をパターニングすることが可能となり、誘電体層１４内への不純物の拡散を抑制し、また、誘電体層１４がエッチング液、現像液等に曝される事態を防止し、高品質な誘電体層１４を備えるコンデンサ１０を提供することができる。 - 特許庁

To provide a touch panel member having an optical adjustment layer provided for light reflection formed as the a single layer, which is capable of preventing or reducing the visibility of a patterned transparent electrode layer in the touch panel member and can be formed by a simple method of coating means as well, a manufacturing method of the touch panel member, and a coordinate detection device including the touch panel member.例文帳に追加

光反射のために設けられる光学調整層を単層とした上で、タッチパネル部材におけるパターニングされた透明電極層の視認を防止し、または低減させることができ、しかも、塗工手段という簡易な方法によっても形成可能な光学調整層を備えるタッチパネル部材、および上記タッチパネル部材の製造方法、および、上記タッチパネル部材を備える座標検出装置を提供する。 - 特許庁

This method for enhancing heat transfer and cooling efficiency in the cooling passage 10 includes forming a plurality of turbulator rings 14 in the passage, the rings projecting inwardly, substantially perpendicular to a cooling flow direction in the passage, and inward, and using a patterned electrode 16, forming at least one gap 22 in one or more of the turbulator rings, extending substantially parallel to the flow direction.例文帳に追加

冷却通路（１０）内の熱伝達及び冷却効率を強化する方法は、通路内の冷却流れ方向にほぼ垂直に、内向きに突出する複数のタービュレータ・リング（１４）を該通路内に形成する段階と、パターン化された電極（１６）を用いて、タービュレータ・リングの１つ又はそれ以上の中に、流れ方向にほぼ平行に延びる少なくとも１つのギャップ（２２）を形成する段階とを含む。 - 特許庁

To provide a print controlling method in a printer system, and a computer readable recording medium storing a program for executing the method, enabling a manager to manage copying prevention that is a target of patterned printing, certainly realizing the target of copying prevention, and improving copying prevention by facilitating identifying a printing person.例文帳に追加

本発明は、地紋印刷の目的であるコピー防止を管理者が管理できるようになり、コピー防止の目的の実現をより確実に行うことができ、更に印刷した人の特定等が容易になってより強くコピー防止の抑制力を高めることができるプリンタシステムにおける印刷制御方法及び該方法を実行するためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a reliable organic EL element by entirely transferring a patterned ink present on an blanket onto a printed board when forming a pattern of an organic light emitting layer by printing an organic light emitting ink in which an organic light emitting material is dissolved or stably dispersed in a solvent onto the substrate by offset printing, using the blanket for offset printing of which a print surface is a silicon rubber layer.例文帳に追加

印刷面がシリコーンゴム層であるオフセット印刷用ブランケットを用いて、有機発光材料を溶剤中に溶解又は安定して分散させてなる有機発光インキをオフセット印刷法にて基板上に印刷し有機発光層をパターン形成する際に、ブランケット上にあるパターン化されたインキを被印刷基板に対して全て転写させ、信頼性の高い有機ＥＬ素子を得ることを目的とする。 - 特許庁

This light emitting device has a luminescent layer 140B between a negative electrode 154 and a positive electrode 141, the negative electrode 154 has a first negative electrode layer 154A and a second negative electrode layer 154B each having different electron injection barriers against the luminescent layer 140B, and the first negative electrode layer 154A having the relatively smaller electron injection barrier against the luminescent layer 140B is patterned.例文帳に追加

本発明の発光装置は、陰極１５４と陽極１４１との間に発光層１４０Ｂを有し、前記陰極１５４は、前記発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が異なる第１陰極層１５４Ａと第２陰極層１５４Ｂを有し、相対的に前記発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が小さい第１陰極層１５４Ａがパターニングされてなることを特徴とする。 - 特許庁

The etching device for etching the film on a semiconductor wafer 1 includes a first region where a first wafer 1 with a first resist 18 formed on a patterned film 17 is placed in an etching chamber 101, and a second region where a second wafer 31 formed with a second resist 33 for adjusting a resist occupation ratio of the upper surface of wafer against a total area within the etching chamber 101 is placed.例文帳に追加

半導体ウェーハ１上の膜のエッチングを行うエッチング装置において、エッチングチャンバ１０１内において、被パターニング膜１７上に第１レジスト１８が形成されている第１のウェーハ１を載置する第１領域と、エッチングチャンバ１０１内におけるウェーハ上面の総面積に対するレジスト占有率を調整する第２レジスト３３が形成された第２のウェーハ３１を載置する第２領域とを有している。 - 特許庁

A monolayer is formed on a substrate by bonding a silane compound having a hydrolyzable group and a carbon-containing group with liquid-repellent ends to the substrate, the top of the substrate is patternwise coated with an alkaline liquid by an ink jet process and the monolayer in the coated areas is removed by the hydrolytic action of the alkaline liquid to form a liquid-repellent monolayer pattern and a patterned lyophilic substrate surface.例文帳に追加

基板上に、加水分解性基と、撥液性末端を有する炭素含有基とを有するシラン化合物がこの基板に結合した単分子層を形成し、アルカリ性の液体をインクジェット法で基板上にパターン塗布し、この塗布した部分において前記単分子層を上記アルカリ性液体の加水分解作用により除去し、撥液性の単分子層と、パターン化された親液性の基板表面を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic EL element consisting of a first electrode patterned on a substrate, an organic layer containing an organic light-emitting layer arranged on the first electrode, and a second electrode arranged on the organic layer, includes a process in which the first electrode is formed by patterning with the use of printing of resist liquid or etchant liquid.例文帳に追加

基板上にパターニング配設された第一電極、該第一電極上に配設された有機発光層を含む有機層および該有機層上に配設された第二電極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法において、前記第一電極は、レジスト液またはエッチャント液の印刷を用いたパターニングにより形成されて工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the light emitting device includes irradiating first light which satisfies a predetermined conditional expression from one face of a first substrate on which the material layer is formed, to pattern the material layer, and irradiating second light which satisfies a predetermined conditional expression from the other face of the first substrate to deposit the patterned material layer on a second substrate as a film-formed substrate.例文帳に追加

第１の基板の材料層が形成された一方の面から所定の条件式を満たす第１の光を照射することにより、材料層をパターン形成し、次いで第１の基板の他方の面から所定の条件式を満たす第２の光を照射することにより、パターン形成した材料層を被成膜基板である第２の基板上に蒸着させる発光装置の作製方法である。 - 特許庁

The manufacturing method of the patterned medium includes a step for forming a pattern of a magnetic film having ruggedness corresponding to a track part, a servo part or a data part on the substrate having a shape having a hole at its center and a step for jetting a gas stream generated by diffusing a liquidized gas to the center hole of the substrate before or after the pattern of the magnetic film is formed.例文帳に追加

中心に孔を有する形状を持つ基板上に、トラックあるいはサーボ部あるいはデータ部に対応する凹凸をなす磁性膜のパターンを形成する工程と、 前記磁性膜のパターンの形成前または形成後に、液状化したガスを拡散させることで生じたガス流を前記基板の中心孔に対して噴射する工程とを含むことを特徴とするパターンド媒体の製造方法。 - 特許庁

The patterned single-layer insulating particulate films are subjected to covalent bond via a first organic film where a layer of an insulating particulate film selectively formed on the surface of the base material is formed selectively on the surface of the base material, and a second organic film formed on the surface of the insulating particulate.例文帳に追加

基材表面に選択的に１層形成された絶縁性微粒子の膜が基材表面に選択的に形成された第１の有機膜と絶縁性微粒子表面に形成された第２の有機膜を介して互いに共有結合していることを特徴とするパターン状の単層絶縁性微粒子膜、更に、これらの有機膜が互いに異なることを特徴とするパターン状の単層絶縁性微粒子膜を形成する。 - 特許庁

The method includes the stages of forming a metal film 13 on a semiconductor substrate 11, forming an insulating film on the metal 13, forming a resist 15 patterned in a specified shape on the insulating film 14, forming a hole 14a in the insulating film 14 by using the resist 15 as a mask, and ashing the resist 15 by using a catalyst and other decomposition accelerators for decomposing fluorocarbon gas.例文帳に追加

半導体基板１１上に金属膜１３を形成する工程と、金属膜１３の上に絶縁膜１４を形成する工程と、絶縁膜１４上に所定の形状にパターニングされたレジスト１５を形成する工程と、レジスト１５をマスクとして絶縁膜１４に孔１４ａを形成する工程と、フロロカーボンガスと、フロロカーボンガスを分解するための、触媒その他の分解促進物とを用いてレジスト１５をアッシングする。 - 特許庁

The cantilever type element comprises a barrier layer composed of a dielectric substance having a low thermal conductivity, a first deflector layer patterned to have a first uniform resistor extending by a length L_H1 from the basic part element, and a second high electrical resistance substance having a high thermal expansion coefficient.例文帳に追加

カンチレバー型要素は、低い熱伝導度を有する誘電性物質から構成される障壁層と、高い熱膨張係数を有する第一の電気的に抵抗性の物質から構成され、基部要素から長さＬ_Ｈ１で延在する第一の均一な抵抗器部分を有するようにパターン化された、第一偏向板層と、高い熱膨張係数を有する第二の電気的に抵抗性の物質で構成される。 - 特許庁

Impurity regions 108 containing a rare gas element (called rare gas) are formed on a semiconductor film having a crystal structure, using a mask 106b, and the semiconductor film is patterned using the mask after gettering of segregating a metal element contained in the semiconductor film into the impurity regions 108 by heat treatment, whereby a semiconductor layer 109 comprising the semiconductor film having a crystal structure is formed.例文帳に追加

本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１０６ｂを用いて希ガス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１０８を形成し、加熱処理により前記不純物領域１０８に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行った後、前記マスクを用いてパターニングを行い、結晶構造を有する半導体膜からなる半導体層１０９を形成する。 - 特許庁

When device patterns 91a such as pixel electrodes of a liquid crystal device are to be patterned, a first exposure step of selectively exposing a region overlapping a first boundary region 99b extending in a first direction Y between the device patterns 91a, and a second exposure step of selectively exposing a region overlapping a second boundary region 99h extending in a second direction X between the device patterns 91a are carried out.例文帳に追加

液晶装置の画素電極等のデバイスパターン９１ａをパターニング形成する際、デバイスパターン９１ａの間で第１方向Ｙに延在する第１境界領域９９ｇと重なる領域を選択的に露光する第１露光工程と、デバイスパターン９１ａの間で第２方向Ｘに延在する第２境界領域９９ｈと重なる領域を選択的に露光する第２露光工程とを行う。 - 特許庁

The present invention relates to the nitride light-emitting element comprising an n-type clad layer 30, an active layer 40, a p-type clad layer 50 and a transparent conductive film layer 60 that are sequentially laminated on a substrate 10, wherein the transparent conductive film layer 60 including a surface patterned in nanometer scale using wet etching and post-thermal-treatment without a separate etching mask.例文帳に追加

基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。 - 特許庁

The display element for displaying a prescribed shape is composed of an organic electroluminescence element in which a transparent anode and an insulating layer patterned so as to make the transparent anode be exposed into almost the same shape as the prescribed shape are laminated on a transparent insulating substrate in this order, and a light-emitting layer and a cathode are laminated on the insulating layer and the exposed transparent anode in this order.例文帳に追加

所定形状を表示する表示素子であって、透明絶縁基板上に、透明陽極と、該所定形状と略同一形状に該透明陽極が露出するようにパターニングされた絶縁層とがこの順序で積層され、さらに、該絶縁層および露出した該透明陽極の上に、発光層と陰極とがこの順序で積層された有機エレクトロルミネッセンス素子からなることを特徴とする表示素子。 - 特許庁

The etching method includes the steps of forming the antireflective film (Si-ARC film) on an etched layer, forming the resist film (ArF resist film) patterned on the antireflective film, and etching the antireflective film with an etching gas containing CF_4 gas, COS gas and O_2 gas using the resist film as the mask to form a desired pattern on the antireflective film.例文帳に追加

被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 - 特許庁

There is disclosed the immersion lithographic apparatus which includes: a projection system configured to direct a patterned beam of radiation on a substrate supported by a table; a liquid handling system configured to supply and confine the immersion liquid to a space defined between a projection system and the table or a substrate, or both of them; and a controller to control a moving speed of the table relative to liquid handling on the basis of a distance between moving direction switches.例文帳に追加

パターン付放射ビームをテーブルによって支持された基板上に誘導するように構成された投影システムと、投影システムとテーブル、又は基板、あるいはその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成された液体ハンドリングシステムと、移動方向転換の間の距離に基づいて液体ハンドリングに対するテーブルの移動速度を制御するコントローラとを含む液浸リソグラフィ装置が開示される。 - 特許庁

There are provided the active energy ray-curable resin composition containing (A) a polymerizable compound having one or more fatty acid residues and one or more (meth)acryloyl groups in one molecule and (B) a polymerizable compound except for the component (A), having 1-3 (meth)acryloyl groups and negative to polycarbonate resin dissolution test; and an article comprising a cured product of the curable resin composition and having a patterned indented surface.例文帳に追加

（Ａ）分子内に１個以上の脂肪酸残基と１個以上の（メタ）アクリロイル基を有する重合性化合物、および、（Ｂ）（Ａ）成分以外の分子内に１個〜３個の（メタ）アクリロイル基を有する重合性化合物であって、ポリカーボネート樹脂溶解性試験に陰性である重合性化合物を含む活性エネルギー線硬化型樹脂組成物；およびこの硬化型樹脂組成物の硬化物であって、その表面が凹凸形状である物品。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor wafer 1; an Al-Si metal layer 2 which is patterned on the wafer 1 and provides a plurality of concaves 9 on the top surface; an oxide film 11 which is formed at the section to which the layer 2 and the wafer 1 are exposed; and Ni plated film 3 and Au plated film 4 which are formed to fill the concaves 9 through the film 11 on the layer 2.例文帳に追加

半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。 - 特許庁

This manifold assembly for automated texture processing is equipped with the manifold and the platen attached to the manifold and includes the regularly-patterned fluid conduit extending through it, while the platen includes a plurality of sample receptor sections, equipped with both an inlet port and an outlet port for each of these sample receptor sections to have fluid communication with at least one fluid conduit of the manifold.例文帳に追加

自動化組織処理システムのためのマニホルドアセンブリであって、マニホルドであって、これを通じて延びる所定パターンの流体導管を含むマニホルドと、マニホルドに取付けられたプラテンであって、複数のサンプル受容部分を含み、ここで、サンプル受容部分の各々が、マニホルドの少なくとも１つの流体導管と流体連絡する入口、および少なくとも１つの流体導管と流体連絡する出口を含むプラテン、とを備える、マニホルドアセンブリ。 - 特許庁

The lithographic device has: a deformable lens element through which a patterned radiation beam is arranged to pass before reaching a substrate; and a deformable lens actuator configured to transmit, at a plurality of sub-regions on the deformable lens element independently, a combination of a force substantially parallel to the optical axis of the projection system and a localized torque about an axis substantially perpendicular to the optical axis.例文帳に追加

パターン形成された放射線ビームが基板に到達する前に通過するように構成された変形可能レンズ要素を有し、且つ、投影システムの光軸に実質的に平行な力と、光軸に実質的に垂直な軸の周囲の局所化されたトルクとの組み合わせを変形可能レンズ要素上の複数の下位領域で独立に伝達するように構成された変形可能レンズ用作動器を有するリソグラフィ装置が開示されている。 - 特許庁

A method for manufacturing semiconductor includes a step for forming a substrate, a step for sticking a polysilicon layer on the substrate, a step for sticking the photoresist layer on the polysilicon layer, a step for patterning the photoresist layer, a step for sticking an inorganic material layer which is conformable and not photosensitive on the patterned photoresist layer, and a step for etching anisotropically the inorganic material layer and a semiconductor material layer.例文帳に追加

基板を形成するステップと、前記基板上にポリシリコン層を被着させるステップと、前記ポリシリコン層上にフォトレジスト層を被着させるステップと、前記フォトレジスト層をパターン形成するステップと、前記パターン形成したフォトレジスト層上に共形かつ非感光性の無機材料層を被着させるステップと、前記無機材料層および半導体材料層に異方性エッチングを施すステップとを含むことを特徴とする半導体製造方法である。 - 特許庁

In another embodiment, a method for process integration in manufacture of a photomask includes depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加

別の実施形態では、フォトマスク製造におけるプロセス集積方法は、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁

To provide a releasant suitably usable in a method of making such a paper machine wire with a watermark pattern for producing watermark- patterned paper as to store as image data the desired watermark pattern therein, enable the pattern to be readily formed at any time when needed and also be reusable by making the pattern once formed peelable therefrom.例文帳に追加

希望する絵柄の透き入れ模様を画像データとして蓄積しておいて、必要なときには何時でも容易に形成でき、しかも、一度作成した透き入れ模様を抄紙網から剥離自在にすることで抄紙網を再利用できる、「透かし模様紙」を製造するための透き入れ模様を抄紙網上に形成する透き入れ模様付き抄紙網の作製方法おいて、好適に用いることができる透き入れ模様付き抄紙網用剥離剤を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of an element contains a plurality of patterning processes patterning a layer structuring an element on a flexible board 10 as well as forming alignment marks 16, 26 simultaneously, and further, a process patterning another layer selecting an alignment mark formed in some process in the above plurality of patterning processes based on the selected alignment mark when another layer structuring the element is patterned.例文帳に追加

可撓性基板１０上に素子を構成する層をパターニングすると同時にアライメントマーク１６，２６を形成するパターニング工程を複数回含み、さらに、前記素子を構成する別の層をパターニングするときに、前記複数回のパターニング工程において形成したアライメントマークのうち、いずれかの工程で形成したアライメントマークを選択し、該選択したアライメントマークに基づいて前記別の層のパターニングを行う工程を含むことを特徴とする素子の製造方法。 - 特許庁

A solar cell manufacturing method includes the steps of coating a front surface of a semiconductor substrate with a dispersing agent containing either a p-type dopant or an n-type dopant, performing heat treatment on the dispersing agent to solidify the dispersing agent, partially removing and patterning the solidified dispersing agent, and dispersing the dopant from the patterned dispersing agent to form a dispersion layer on the front surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面上にｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントのいずれか一方を含む拡散剤を塗布する工程と、拡散剤を熱処理することによって固化させる工程と、固化した拡散剤の一部を除去して拡散剤をパターンニングする工程と、パターンニングされた拡散剤からドーパントを拡散させることにより半導体基板の表面に拡散層を形成する工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

When etching a monocrystalline silicon layer 101 through a photoresist layer 102 formed on the upper part of the monocrystalline silicon layer 101 and patterned in a prescribed pattern by processing gas plasma, a protection film forming process for forming a protection film 103 on a side wall part of the photoresist layer 102 by using gas containing carbon, e.g., CF gas plasma, is performed before starting a plasma etching process for etching the monocrystalline silicon layer 101.例文帳に追加

単結晶シリコン層１０１を、単結晶シリコン層１０１の上部に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層１０２を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層１０１のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばＣＦ系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層１０２の側壁部に保護膜１０３を形成する保護膜形成工程を行う。 - 特許庁

In this recording material, the recording layer including the diazonium salt compound is provided on a support and, through the patterned irradiation with laser beams or by light emitting diode, projection-like matters are formed in an exposed region under the condition that the diazonium salt compound-containing recording layer provided on the support has its oxygen permeability of not more than 0.3 mL×25 μm/m^2×24 h×atm.例文帳に追加

支持体上にジアゾニウム塩化合物を含有する記録層を有する記録材料に、レーザー光又は発光ダイオードによりパターン状に光照射を行い、露光領域に突起形状物を形成させることを特徴とするパターン形成方法、及び、支持体上にジアゾニウム塩化合物を含有する記録層を有し、該記録層の酸素透過性が、０．３ｍｌ・２５μｍ／ｍ^2・２４ｈ・ａｔｍ以下であることを特徴とする記録材料、等である。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III-V nitride semiconductor layer has a process of forming a metal fluoride layer containing a bivalent or trivalent metal element as at least one part of an etching mask on a group III-V nitride semiconductor layer; a process of patterning the metal fluoride layer by wet etching; and a process of dry etching the group III-V nitride semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer as a mask.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層上に、エッチングマスクの少なくとも一部として、２価または３価の金属元素を含む金属フッ化物層を形成する工程と、この金属フッ化物層をウェットエッチングによりパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層をマスクとして、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層をドライエッチングする工程とを有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層のエッチング方法。 - 特許庁

Namely, the method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: directly attaching the photosensitive adhesive layer 10 with the above performance onto the semiconductor mounted surface 6a of the support member 6; patterning the photosensitive adhesive layer 10 on the semiconductor mounted surface 6a through exposure and development; and directly adhering the semiconductor element 8a to the patterned photosensitive adhesive layer (insulating layer) 10a.例文帳に追加

すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、支持部材６の半導体搭載面６ａ上に上記性能を有する感光性接着剤層１０を直接付設する工程と、半導体搭載面６ａ上の感光性接着剤層１０を露光及び現像によってパターニングする工程と、パターニングされた感光性接着剤層（絶縁層）１０ａに半導体素子８ａを直接接着する工程とを備える。 - 特許庁

In the method of manufacturing the patterned medium including a substrate, the porous layer formed on the substrate and having a plurality of fine pores approximately vertical to the substrate surface, and the magnetic substance filled in the fine pores by the sputtering method, ion radiation is carried out with respect to the vicinity of the fine pores when filling the fine pores with the magnetic substance by the sputtering method to promote migration of sputter atoms.例文帳に追加

基板と、前記基板上にあり、前記基板面に対して略垂直な複数の細孔を有する多孔質層と、前記細孔内にスパッタ法により充填された磁性体と、を有するパターンドメディアを製造する方法であって、前記磁性体をスパッタ法により細孔に充填する際に、前記細孔近傍に対してイオン照射を行い、スパッタ原子のマイグレーションを促進させることを特徴とするパターンドメディア製造方法。 - 特許庁

In the display medium, a material or a group of materials which reversibly changes its optical characteristics by the effect of an electric field is held between a pair of substrates at least one of which has an electrode patterned into stripes, dots or similar forms.例文帳に追加

電界の作用によって光学的特性が可逆的に変化する物質あるいは物質群が、少なくとも一方はストライプ状もしくはドット状およびそれに類する形状にパターンニングされた電極を有する一対の基板間に封入されている表示媒体において、当該ストライプの幅もしくはドットの１辺の長さをＷ’（ｍｍ）とし、基板間の垂直距離をｄ’（ｍｍ）とし、表示ドット密度をＤ’（ｄｐｉ）としたとき、下記式（１）の関係を有することを特徴とする表示媒体。 - 特許庁

The thermoelectric element comprises a first substrate applied with an electrode, a second substrate, and columnar P type and N type thermoelectric materials electrically bonded alternately wherein the electrode patterned on the substrate has a recess.例文帳に追加

本発明では電極が施されている第1の基板と、第2の基板と、これらに挟まれるように、電気的に交互に接合された柱状のP型熱電材料及びN型熱電材料と、から構成されている熱電素子において、基板にパターンニングされた電極が凹部を有していることによって、熱電材料を所定の位置に正確かつ容易に位置あわせできるだけでなく、設置後接合前の段階における振動、衝撃によってずれを生じてしまう不安定な状態を解消することができる。 - 特許庁

In another embodiment, a method of making a film capacitor includes: patterning a first metalized film electrode group and a second metalized film electrode group to form a common dielectric structure; and rolling the common dielectric structure such that the first metalized film electrode group and the second metalized film electrode group form a sectioned and patterned metalized film capacitor having interconnections on only one face of a circular end of the capacitor.例文帳に追加

別の態様によれば、フィルムコンデンサを形成する方法は、第１の金属化フィルム電極群と、第２の金属化フィルム電極群とをパターニングして、共通の誘電構造を形成すること、共通の誘電構造を巻回し、それにより、第１の金属化フィルム電極群と、第２の金属化フィルム電極群とが一緒に、コンデンサの円形端部の一方の面だけの上に相互接続部を有する、区分けされ、パターニングされた金属化フィルムコンデンサを形成するようになることを含む。 - 特許庁

The organic semiconductor thin film formed on a substrate comprises a first region formed by patterning with surface treatment provided by the surface preparation agent expressed by the general formula 1, and a second region adjacent to the first region and different from the first region; and the organic semiconductor thin film is patterned by a volatilization of a solvent of the solution in the supplied organic semiconductor solution on the first region.例文帳に追加

基板上に形成された有機半導体薄膜において、下記一般式（１）で表される表面処理剤により、表面処理が施されパターン化された第１の領域が形成され、該第１の領域に近接し、第１の領域とは異なる第２の領域が形成され、第１の領域の上に、有機半導体の溶液を供給し、溶液中の溶液の溶媒の揮発によりパターン化された有機半導体薄膜が形成されることを特徴とする有機半導体膜。 - 特許庁

This method for producing a monomolecular film 530 patterned on a substrate includes a step for adjusting an organic molecule having a self-organizing characteristic, a step for applying the organic molecule to an alignment surface 310, a step for applying the alignment surface 310 to a target substrate 570, a step for separating the alignment surface, and a step for leaving a pattern wherein the organic molecule is orientated on the substrate 570.例文帳に追加

基板上にパターニングされた単分子膜５３０を作製する方法であって、自己組織化する特性を有する有機分子を調製するステップと、該有機分子をアライメント用表面３１０に適用するステップと、アライメント用表面３１０をターゲット基板５７０に適用するステップと、前記アライメント用表面を分離するステップと、前記基板５７０上に前記有機分子の配向されたパターンを残すステップとを含む、基板上にパターニングされた単分子膜を作製する方法を提供する。 - 特許庁

In the composite film wherein a region where the surface plasmon intensifying field is produced and a region where the surface plasmon intensifying effect is weaker than that of the region where the surface plasmon intensifying field is produced, are patterned, the region where the surface plasmon intensifying field is produced contains anisotropic particles producing the surface plasmon intensifying field and the region where the surface plasmon intensifying effect is weak contains particles formed by deforming the anisotropic particles producing the surface plasmon intensifying field.例文帳に追加

表面プラズモン増強場が発生する領域と該表面プラズモン増強場が発生する領域よりも表面プラズモン増強効果が弱い領域とがパターニングされた複合膜であって、前記表面プラズモン増強場が発生する領域は、表面プラズモン増強場を発生させる異方性粒子を含み、前記表面プラズモン増強効果が弱い領域は、表面プラズモン増強場を発生させる異方性粒子を変形させた粒子を含むことを特徴とする複合膜。 - 特許庁

The method for producing an aggregate for patterned paper includes a step for mixing a solution of sodium carboxymethylcellulose with one or more kinds of substances selected from the group consisting of pigment, cellulose fiber and chemical fiber, a step for adding an aqueous solution of a metal salt to the mixture obtained by the step and forming an aggregate by stirring and then a step for adding a liquid polymer aggregating agent of acrylic acid copolymer type to a liquid containing the aggregate.例文帳に追加

本発明に係る模様紙用凝集体の製造方法は、ナトリウムカルボキシメチルセルロース水溶液に顔料、セルロース繊維、化学繊維からなる集団のなかから選択された１種類以上の物質を混合する工程と、前記工程で得られた混合物に金属塩水溶液を添加し、撹拌によって凝集体を形成する工程と、次いで、該凝集体を含む液にアクリル酸共重合体タイプの液状高分子凝集剤を添加する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises steps of: forming a recognition mark which defines a region for forming a well in a semiconductor substrate; forming a mask patterned to open the well forming region by using the recognition mark; introducing impurities into the well forming region; performing heat treatment for forming a well by diffusing impurities; and forming an isolation region in the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板にウェルを形成するためのウェル形成領域を規定する認識マークを形成する認識マーク形成工程と、認識マークを用いて、ウェル形成領域が開口されているようにパターン形成されたマスクを形成するマスク形成工程と、ウェル形成領域に不純物を導入する不純物導入工程と、不純物を拡散させてウェルを形成するための熱処理をする熱処理工程と、半導体基板に素子分離領域を形成する素子分離領域形成工程と、を有する。 - 特許庁

The method of producing a patterned body includes an energy irradiation step for forming a wettability change pattern having a reduced contact angle with water on a resin substrate by arranging a photocatalyst containing layer containing a photocatalyst and a photocatalyst containing layer of a substrate on the photocatalyst containing layer side having a base, and a resin base material having water repellency to face each other and then radiating energy in a pattern.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、光触媒を含有する光触媒含有層および基体を有する光触媒含有層側基板の光触媒含有層と、撥水性を有する樹脂製基材とを対向させて配置し、パターン状にエネルギーを照射することにより、前記樹脂製基材上に水との接触角が低下した濡れ性変化パターンをパターン状に形成するエネルギー照射工程を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ultra violet curing type uneven patterned coated product has a coating layer of a 15-2,000 μm thickness of an ultraviolet curing type coating composition containing a compound having in its molecule at least one alicyclic epoxy group and a cationic photopolymerization initiator, and the method for producing the above-mentioned coated product comprises radiating an ultraviolet dose so as to leave a non-hardened part inside the coating layer.例文帳に追加

第一に、基材上に、分子中に１個以上の脂環式エポキシ基を有する化合物と光カチオン重合開始剤を含有する紫外線硬化型塗料組成物からなる塗膜層を１５〜２００μｍの膜厚に設けたことを特徴とする紫外線硬化型凹凸模様塗工物であり、第二に前記塗工物の製造方法であって、紫外線照射が塗膜内部に未硬化部分を存在させる照射量とすることを特徴とする紫外線硬化型凹凸模様塗工物の製造方法。 - 特許庁

The lithographic equipment has a radiation system for providing a projection beam of radiation, a support structure for supporting the patterning means that patterns the projection beam according to a desired pattern, a substrate table for holding a substrate, a projection system for projecting the patterned beam onto a target area on the substrate, and an interferometer system to help positioning an object in the equipment, wherein the interferometer system performs position measurement.例文帳に追加

リソグラフィ投影装置であって、放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、所望のパターンに従って投影ビームをパターン化する働きをするパターニング手段を支持するための支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影するための投影システムと、装置内での対象物の位置決めを助ける干渉計システムとを備えていて、干渉計システムが位置測定を行うように配置されているリソグラフィ投影装置。 - 特許庁