patternedを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 3853件
The lower electrode 4 is patterned and the dielectric layer 5 is shaped to project therefrom and an insulation barrier layer 3 of more than one kind of composite metal oxide containing silicon or silicon nitride compound is interposed between the dielectric layer 5 projecting from the lower electrode 4 and the silicon oxide film 2.例文帳に追加
そして、下部電極4がパターニングされて誘電体層5がその下部電極4よりはみ出して形成されており、かつ、下部電極4よりはみ出した部分の誘電体層5と前記シリコン酸化膜2との間にSiを含む2種以上の複合金属酸化物またはシリコンチッ化物系化合物からなる絶縁バリア層3が介在されている。 - 特許庁
In an exposure method in which a resist layer is selectively exposed with UV and patterned in a prescribed shape, a polymeric material having an introduced cyclopentane group in which one or more of hydrogen atoms combining to each of adjacent two carbon atoms have been replaced with fluorine atoms is used as a polymeric material forming the resist layer.例文帳に追加
レジスト層を選択的に紫外線で露光して所定の形状にパターニングする露光方法において、上記レジスト層を構成する高分子材料として、隣り合う2つの炭素原子に結合した水素原子のそれぞれ1以上がフッ素原子により置換されたシクロペンタン基が導入された高分子材料を用いることを特徴とする。 - 特許庁
Alternatively, a silicon oxide of having a thickness becoming a gap is formed by thermal oxidation on a silicon wafer where impurities are implanted heavily to the diaphragm substrate 1 on the side being bonded to the electrode substrate 2 and then it is patterned into a desired shape before being bonded to the electrode substrate 2.例文帳に追加
第2実施例)振動板基板1に半導体基板の電極基板2の接合面側に高濃度の不純物が注入されたシリコンウエハを用いて、このシリコンウエハに熱酸化によってギャップとなる厚さのシリコン酸化膜を形勢した後、接合面側のシリコン酸化膜を所望の形状にパターニングして電極基板2と接合した。 - 特許庁
Insulation layers are formed among the patterned pixel electrodes on the substrate, and the hole transport layer is formed by printing hole transport ink prepared by dissolving or stably dispersing a hole transport material in a solvent on the pixel electrodes located among the insulation layers from projecting parts of a relief printing plate by a relief printing method.例文帳に追加
基板上のパターニングされた画素電極の間に絶縁層を形成し、凸版印刷法により正孔輸送材料を溶媒に溶解または安定に分散させた正孔輸送インキを凸版の凸部から絶縁層の間にある画素電極に印刷し正孔輸送層を形成することにより、上記課題を解決することができた。 - 特許庁
In an exposure method in which a resist layer is selectively exposed with UV and patterned in a prescribed shape, a polymeric material having an introduced adamantane group in which two or more hydrogen atoms have been replaced with at least one selected from a fluorine atom, a trifluoromethyl group and a difluoromethylene group is used as a polymeric material forming the resist layer.例文帳に追加
レジスト層に選択的に紫外線で露光して所定の形状にパターニングする露光方法において、上記レジスト層を構成する高分子材料として、2以上の水素原子がフッ素原子、トリフロロメチル基、ジフロロメチレン基から選ばれる少なくとも1種により置換されたアダマンタン基が導入された高分子材料を用いる。 - 特許庁
In an exposure method in which a resist layer is selectively exposed with UV and patterned in a prescribed shape, a polymeric material having an introduced cyclopentane group in which one or more hydrogen atoms have been replaced with at least one selected from a fluorine atom, a trifluoromethyl group and a difluoromethylene group is used as a polymeric material forming the resist layer.例文帳に追加
レジスト層に選択的に紫外線で露光して所定の形状にパターニングする露光方法において、上記レジスト層を構成する高分子材料として、1以上の水素原子がフッ素原子、トリフロロメチル基、ジフロロメチレン基から選ばれる少なくとも1種により置換されたシクロペンタン基が導入された高分子材料を用いる。 - 特許庁
To provide a blank suitable for the manufacture of a halftone type phase shift mask having a halftone type phase shift film which has a refractive index and an extinction coefficient for exposure light satisfying the requirements as a phase shift mask, which has controlled reflectance for the exposure light and controlled transmittance at the inspection wavelength and which is accurately patterned, and to provide a halftone type phase shift mask.例文帳に追加
位相シフトマスクとして露光光での屈折率及び消衰係数が満たされ、露光光での反射率や検査波長での透過率が制御され、正確なパターニングがされたハーフトーン型位相シフト膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造に好適なハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス、及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供すること。 - 特許庁
To provide a plastic film on which a metal film used for forming the electrode of an electronic part by transferring is formed or an electronic part metal film transfer film which is equipped with the plastic film that can be easily released from a metal film or a patterned release layer which is much improved in shape transfer accuracy.例文帳に追加
電子部品を構成する電極を転写によって形成する金属膜を成膜したプラスチックフィルムを提供することであり、特にプラスチックフィルムと金属膜との離型性、すなわちパターン形状を有する離型層の形状転写精度が著しく向上する特徴を有する電子部品用金属膜転写フィルムを提供する。 - 特許庁
To provide a composition for forming a layer to be plated which is superior in plating deposition characteristics and achieves high adhesion to a plated layer (metal film) formed thereon, and also on which a polymer layer that may achieve a superior reliability for insulating patterned metal wiring formed on the surface thereof is formed.例文帳に追加
本発明の目的は、めっき析出性に優れると共に、その表面上に形成されるめっき膜(金属膜)と高密着性を達成し、さらにその表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性を達成しうるポリマー層を形成する被めっき層形成用組成物を提供することにある。 - 特許庁
The liquid crystal display device, which includes first and second substrates, open portions located on the second substrate and corresponding to pixel regions, a black matrix having holes disposed adjacent to the open portions, color filter layers formed on the black matrix, and patterned spacers located between the first and second substrates so as to correspond to the holes, is provided.例文帳に追加
第1基板、第2基板と;前記第2基板上に位置して、画素領域に対応するオープン部と、前記オープン部に近接するように位置するホールがあるブラックマトリックスと;前記ブラックマトリックス上に形成されたカラーフィルター層と;前記第1基板、第2基板間で、前記ホールと対応するように位置するパターン化スペーサーを含む液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
The problem is solved by providing lithographic equipment which comprises a lighting system for supplying a projection beam of radiation, a projection system for projecting a patterned beam on a target position of a substrate, a substrate table for holding the substrate, and a controller for adjusting the spectrum distribution of radiation intensity of the projection beam.例文帳に追加
本発明は、放射の投影ビームを提供するための照明システムと、パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、基板を保持するための基板テーブルと、投影ビームの放射強度のスペクトル分布を調整するためのコントローラとを備えたリソグラフィ装置を提供することによってこの問題に対処している。 - 特許庁
This gradation blow molding container A is a blown container, which is manufactured by an injection blowing system and patterned by shade of color due to partially different wal thicknesses t1, t2 and t3 by blowing a parison of a semitransparent and colored resin and injected in advance so as to have partially different wall thicknesses T1, T2 and T3.例文帳に追加
本発明にかかるグラデーションブロー容器Aは、インジェクションブロー方式で製造されるブロー容器であって、半透明の有色樹脂による射出にパリソン51に予め肉厚差T1、T2、T3を設け、その後ブローすることにより、部分的に肉厚t1、t2、t3を異ならせて色の濃淡による模様を付けることにより上記課題を解決する。 - 特許庁
Alternatively, a nitride film is formed in contact with an organic insulating film having an opening, the nitride film is patterned to expose a semiconductor film or a conductive film underlying the nitride film, a first conductive layer having barrier properties is formed in contact with the nitride film, and a second conductive film containing aluminium is formed in contact with the first conductive film.例文帳に追加
又は、開口部が形成された有機絶縁膜に接するように窒化膜を形成し、窒化膜の下層の半導体膜又は導電膜が露出するように窒化膜をパターニングし、窒化膜に接するようにバリア性を有する第1の導電膜を形成し、第1の導電膜に接するようにアルミニウムを含む第2の導電膜を形成する。 - 特許庁
A substrate of an electrooptical device has: a substrate 20 facing a substrate 10 on which switching elements are mounted; a patterned light shading film 23 formed on the above substrate 20; a film 83 with a flattened surface formed on the above substrate 20 which includes the light shading film 23; and the electrodes 21 formed on the above planarized film 83.例文帳に追加
スイッチング素子が形成された基板10に対向する対向基板20と、前記基板20上に形成されるパターン化された遮光膜23と、前記遮光膜23を含む前記基板20上に形成されて、表面が平坦化された平坦化膜83と、前記平坦化膜83上に形成される電極21とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁
Stacked capacitor lower electrodes 7 of the memory cells of a dynamic semiconductor semiconductor memory device(DRAM) are patterned, and an insulating oxide film 9 is filled into a gap between the lower electrodes 7 to be flush with the top surface of the lower electrode 7, and then a rugged polysilicon (HSG-Si) 7a is formed on the top surfaces of the lower electrodes 7.例文帳に追加
ダイナミック型半導体記憶装置(DRAM)のメモリセルのスタックキャパシタ下部電極7をパターニング後、隣接するスタックキャパシタ下部電極7間にキャパシタ下部電極7の上面と同一高さに絶縁酸化膜9を埋設し、次いでスタックキャパシタ下部電極7上面にポリシコンからなる凹凸ポリシコン(HSG−Si7a)の形成する。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive composition having high radiation sensitivity and a development margin that achieves formation of a preferable pattern feature even a developing time exceeds the optimum developing time in a developing process, and capable of forming a patterned thin film with excellent adhesiveness, and to provide an interlayer insulating film and a microlens formed from the composition.例文帳に追加
高い感放射線感度を有し、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような現像マージンを有し、密着性に優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる感放射線性組成物およびそれから形成された層間絶縁膜およびマイクロレンズを提供することにある。 - 特許庁
The distance T2 of a pixel electrode 103 from wiring 102 and a lower electrode 107 is designed smaller than the maximum dimensional change quantity T1 of a resin substrate 106 during manufacturing a liquid crystal display device, and the wiring 102, lower electrode 107 and pixel electrode 103 are patterned at a time in one photoetching process based on the design.例文帳に追加
配線102および下部電極107と画素電極103との間隔T2を、液晶表示装置の製造程時における樹脂基板106の最大寸法変化量T1よりも小さく設計し、この設計に基づいて、配線102と下部電極107と画素電極103とを、一回のフォトエッチング工程によって同時にパターン形成する。 - 特許庁
The semiconductor device has an evaluating element 5ab for inspection which is formed by double exposure by second exposure on a peripheral edge of at least one chip region 1 patterned by first exposure in a wafer-like semiconductor substrate, and electrically measures the alignment shift amount in horizontal and vertical directions in the first and second exposures.例文帳に追加
半導体装置は、ウェハ状の半導体基板における、第1の露光でパターニングされる少なくとも1つのチップ領域1の周縁部に、第2の露光によって二重露光されてなり、第1の露光及び第2の露光における縦方向又は横方向の互いの位置の合わせずれ量を電気的に測定する検査用評価素子5abを有している。 - 特許庁
A liquid crystal composition for a patterned retardation film contains (A) 70-99 pts.wt of polymerizable liquid crystal monomer, (B) 1-30 pts.wt of polymerizable non-liquid crystal monomer, (C) 0.1-10 pts.wt of photopolymerization initiator, and (D)0.01-1 pts.wt of a surfactant including fluorine.例文帳に追加
パターン位相差フィルム用液晶組成物に、(A)重合性液晶モノマー70重量部以上99重量部以下と、(B)重合性非液晶モノマー1重量部以上30重量部以下と、(C)光重合開始剤0.1重量部以上10重量部以下と、(D)フッ素を含む界面活性剤0.01重量部以上1重量部以下とを含有させる。 - 特許庁
The transparent conductive film 10 comprises the patterned transparent conductive layer 3 formed on the single face of a transparent film substrate 1, and a colored layer 5 provided on at least one of the transparent conductive layer 3 on the opposite side to the transparent film substrate 1 and the transparent film substrate 1 on the opposite side to the transparent conductive layer 3.例文帳に追加
本発明の透明導電性フィルム(10)は、透明フィルム基材(1)の片面にパターン化された透明導電層(3)が形成されており、透明導電層(3)における透明フィルム基材(1)とは反対側、及び透明フィルム基材(1)における透明導電層(3)とは反対側の少なくとも一方に設けられた着色層(5)を含む。 - 特許庁
The heat control apparatus for wafer treatment has (a) a platform for placing heating objects in various size, (b) at least one shaft extending approximately perpendicular to the platform, and (c) a plurality of resistance heating elements patterned into a plurality of circuits defining at least one zone for independently performing controlled heating to the objects having different sizes on the platform.例文帳に追加
a)加熱される様々なサイズの対象物を載せるためのプラットフォームと、b)このプラットフォームとほぼ垂直に延びる1以上のシャフトと、c)プラットフォーム上の異なるサイズの対象物を独立に制御加熱するための、1以上のゾーンを画成する複数の回路にパターン化された複数の抵抗加熱素子とを備えるウェハ処理用熱制御装置。 - 特許庁
A metal base layer 12, that serves as the catalyst of a reduced metal wet process of electroless plating, is formed on a diode chip to be formed with a metal layer or on a predetermined section of a wafer 10, a resist layer 16 for determining a metal layer pattern 18 is provided thereon, and a patterned metal layer 14 is formed by the reduced metal wet process.例文帳に追加
金属層を形成しようとするダイオードチップ或いはウエハ10の所定区域に無電解メッキの還元金属湿式プロセスの触媒となる金属下地層12を形成し、その上に金属層パターン18を定めるレジスト層16を設けて還元金属湿式プロセスにより、パターン化された金属層14を形成する。 - 特許庁
The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of forming an amorphous silicon layer 13 on a substrate such as a plastic substrate 11, a process of patterning the amorphous silicon layer 13 and forming a prescribed pattern to be a thin film transistor, and a process of crystallizing the patterned amorphous silicon layer 13 thereafter, and the semiconductor device provided with the thin film transistor is manufactured.例文帳に追加
プラスチック基板11等の基板上にアモルファスシリコン層13を形成する工程と、アモルファスシリコン層13をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層13を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁
The patterned magnetic recording medium has a substrate, a ferromagnetic recording layer formed on the substrate and formed in projecting patterns and the non-magnetic embedding layer embedded in recessed parts between the projecting patterns of the ferromagnetic recording layer and composed of an SiOC film containing Si, O and C and having ≤0.05at% C content.例文帳に追加
基板と、前記基板上に形成された、凸パターンをなす強磁性記録層と、前記凸パターンをなす強磁性記録層の間の凹部に埋め込まれた、Si、O、およびCを含有し、Cの含有量が0.05at%以下であるSiOC膜で形成された非磁性埋め込み層とを具備したことを特徴とするパターンド磁気記録媒体。 - 特許庁
To use traffic prediction information, immediately after allowing a user to get on and starting a navigation system by finding a start prediction time and a destination on the basis of patterned life information of a user and preparing the traffic prediction information, corresponding to the time range including the start prediction time and a geographical range including the destination.例文帳に追加
パターン化されたユーザの生活情報に基づいて出発予測時刻及び目的地を求め、前記出発予測時刻を含む時間的範囲及び前記目的地を含む地理的範囲に対応した交通予測情報を作成することによって、ユーザが乗車してナビゲーション装置が起動した後、直ちに交通予測情報を使用することができるようにする。 - 特許庁
The ombre-patterned plush fabric essentially comprises nonshrinkable fibers and 25-75 wt.% of shrinkable fibers ≥20% in shrinkage dyeable with a dye of a different kind from that for the nonshrinkable fibers, wherein part of the shrinkable fibers is such that the tip thereof differs in color from the foot thereof.例文帳に追加
少なくとも非収縮性繊維および該繊維とは異なる種類の染料で染色可能であり且つ収縮率が20%以上の収縮性繊維25〜75重量%で構成される立毛を有する立毛布帛において、該収縮性繊維の一部は繊維の先端部分と根元部分で異なる色を有していることを特徴とするぼかし柄立毛布帛。 - 特許庁
Afterwards, an upper electrode layer 5 is deposited on the ferrodielectric film 3, and the upper electrode layer 3, the ferrodielectric film 3 and the lower electrode layer 2 are successively patterned, and a capacitor 10a having the thick ferrodielectric film 3a is formed in the region formed into a thin film and a capacitor 10b having a thick ferrodielectric film 3b is formed in a region whose etching is not carried out.例文帳に追加
その後、強誘電体膜3の上に上部電極層5を堆積し、上部電極層3、強誘電体膜3及び下部電極層2を順次パターニングして、薄膜化した領域に厚い強誘電体膜3aを有するキャパシタ10aを、エッチングされない領域に厚い強誘電体膜3bを有するキャパシタ10bを形成する。 - 特許庁
When an insulation layer 3 is formed between pixel electrodes 2 which is patterned on the substrate, and transport materials are printed by letterpress printing method and hole transport inks are printed on a pixel electrode 2 which exists between the insulation layers 3 from the convex parts 32 of letterpress printing 30, the convex parts 32 of letterpress printing 30 is made to have an inside-protruded shape.例文帳に追加
基板上のパターニングされた画素電極2の間に絶縁層3を形成し、凸版印刷法により正孔輸送材料を溶媒に溶解または安定に分散させた正孔輸送インキを凸版30の凸部32から絶縁層3の間にある画素電極2に印刷する場合、凸版30の凸部32を中凸形状にする。 - 特許庁
Therefore, the planar heating element can be provided inexpensively so that an electrode structure for feeding power to the resistor composition 6 is not necessary to be a comb-shaped electrode structure and the electrode wires can be arranged at wide intervals and an amount of used electrode wires as an electrode can be reduced and the resistor composition 6 is not necessary to be patterned.例文帳に追加
したがって、抵抗体組成物6に給電する電極構成を櫛形電極構成とする必要性はなく、広い間隔で電極線を配置することが可能となり、電極としての電極線の使用量を低減するとともに、抵抗体組成物6をパターン化する必要がないため、低コストの面状発熱体を提供できる。 - 特許庁
When a gate electrode 8a is patterned, once a first gate electrode is extended through the upper part of a contact hole to the upper part of a gate insulating film 3 with a first photo resist film 21 as a mask, and then, etching in the transverse direction with a second photo resist film 22 as a mask to retreat a pattern to a desired position, a gate electrode 8a is formed.例文帳に追加
ゲート電極8aをパターニング形成する際に、一旦、第1のホトレジスト膜21をマスクにして最初のゲート電極をコンタクト孔上を経てゲート絶縁膜3上まで延在させた後、第2のホトレジスト膜22をマスクにして横方向にエッチングして、所望位置までパターンを後退させてゲート電極8aを形成することを特徴とする。 - 特許庁
The nano-scale carbon tube paste contains nano-scale carbon tubes, a dispersion promoting agent, a binder, and solvent, and the electron emission source comprises (A) a base plate having conductivity at least at a part thereof, or a patterned base plate; and (B) the electron emission material layer formed by baking a painted film of the nano-scale carbon tube paste formed on the above base plate.例文帳に追加
ナノスケールカーボンチューブ、分散促進剤、バインダー及び溶媒を含むことを特徴とするナノスケールカーボンチューブペースト、並びに、(A)少なくとも一部が導電性を有する基板又はパターニングされた基板、及び(B)該基板上に形成され、且つ、上記ナノスケールカーボンチューブペーストの塗膜を焼成してなる電子放出材料層を備えた電子放出源。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal displaying apparatus that can form a low molecular organic semiconductor material with very weak moisture resistance, without using a shadow mask, by a micro pattern that is adjustable up to several μm, and then utilizes the low molecular organic semiconductor material without damaging a micro patterned low molecular organic semiconductor layer.例文帳に追加
本発明は、水分に非常に弱い特性を有する低分子有機半導体物質をシャドーマスクを利用しないで数μmまで調節可能な微細パターンで形成することができ、微細パターンされた低分子有機半導体層の損傷なしに低分子有機半導体物質を利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
A method includes: forming an insulation film 13 composed of SiO_2 film or SiN film according to a sputtering method on the common electrode 12; and forming the patterned pixel electrode 14 on the insulation film 13, whereby liquid crystal 8 is arranged on the pixel electrode 14 and the alignment of the liquid crystal 8 is changed by parallel electric field formed in the liquid crystal 8 to display letters and images.例文帳に追加
共通電極12上に、スパッタリング法によってSiO_2膜又はSiN膜から成る絶縁膜13を形成し、その絶縁膜13上にパターニングした画素電極14を形成し、画素電極14上に液晶8を配置し、液晶8中に形成する平行電界によって液晶8の配向を変え、文字や画像を表示する。 - 特許庁
An insulating film 12 is formed on a silicon substrate 11 made of single-crystal silicon, an opening 12a is formed in the insulating film 12, and an amorphous silicon film is formed on the insulating film 12 in contact with the silicon substrate 11 through the opening 12a, and subjected to solid-phase epitaxial growth starting at the silicon substrate 11 as a starting point, and then patterned.例文帳に追加
単結晶のシリコンからなるシリコン基板11上に絶縁膜12を形成し、絶縁膜12に開口部12aを形成し、絶縁膜12上に開口部12aを介してシリコン基板11と接触するようにアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜をシリコン基板11を起点として固相エピタキシャル成長させて、その後パターニングする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a laminated electronic component that can inhibit a support sheet from being deformed due to heat during a drying step after printing, make lamination slippage of an internal electrode layer and/or of a margin patterned layer hard to happen no matter how much miniaturization or layer thinning advances, and inhibit delamination between sheets, deformation of a laminated body, etc., thus improving a manufacturing yield.例文帳に追加
印刷後の乾燥工程での熱による支持シートの変形を抑制し、小型化や薄層化が進んだとしても、内部電極層および/または余白パターン層の積層ズレが生じにくく、シート間のデラミネーションや積層体の変形などを抑制し、製造歩留まりを向上させることができる積層型電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a negative photosensitive resin composition for forming a hardened film with excellent transparency and heat resistance as a flattening film of a TFT substrate in an organic field emission element or a liquid crystal display element, an insulation film of a semiconductor device, or an optical material such as a core and a clad material in an optical waveguide, and for forming a patterned hardened film with excellent sensitivity.例文帳に追加
有機電界発光素子や液晶表示素子などにおけるTFT基板用平坦化膜や半導体素子の絶縁膜、光導波路のコアやクラッド材などの光学材料などとして透明性、耐熱性に優れた硬化膜、および感度に優れたパターン硬化膜形成が可能なネガ型感光性樹脂組成物を得ること。 - 特許庁
As a barrier rib formation process to form the barrier rib 110 on a rear substrate of the PDP, a first process to form a barrier rib forming material layer 120, a second process to pattern the barrier rib forming material layer 120, and a third process to form the barrier rib 110 by calcining the patterned barrier rib forming material layer 120 are implemented.例文帳に追加
PDPの背面基板103に隔壁110を形成する隔壁形成工程として、隔壁形成材料層120を形成する第1工程と、隔壁形成材料層120をパターニングする第2工程と、パターニングされた隔壁形成材料層120を焼成して隔壁110を形成する第3工程と、を実施する。 - 特許庁
A resin layer in which a space is prepared on a function region and a metal layer are laminated, wherein the metal layer is composed by separating an identical material into a portion forming a lid to cover the space and a portion forming an external terminal, the identical structure can be easily obtained by cutting a whole surface plating to a predetermined thickness after the whole surface plating on the patterned resin layer.例文帳に追加
機能領域上に空間を設けた樹脂層と、金属層を積層し、金属層は、空間を覆う蓋を形成する部分と、外部端子を形成する部分に同一の材料が分離されて成るもので、パターン化された樹脂層上に全面めっきした後、所定の厚みまで切削することで容易に同一構造が得られる。 - 特許庁
To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.例文帳に追加
半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面(エッチング面)上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁
This anode substrate of a carbon nanotube (CNT) field emission display used in this application includes: a glass substrate; a plurality of phosphor layers patterned on the glass substrate; a flattened Al film covering the phosphor layers; and a metal sheet having the same potential as that of the Al film, and having a plurality of openings, by covering the Al film, corresponding to the respective phosphor layers.例文帳に追加
ガラス基板と、前記ガラス基板上にパターニングされた複数の蛍光体層と、 前記蛍光体層を覆う平坦化されたAl膜と、前記Al膜と同電位を有し、前記Al膜を覆って複数の開口を有し、前記開口が前記蛍光体層にそれぞれ対応する金属シートとを含むカーボンナノチューブ(CNT)フィールドエミッション・ディスプレイのアノード基板を用いた。 - 特許庁
The substrate of the display filter includes a transparent substrate 11, a conductive pattern part 13 provided on one side surface of the transparent substrate 11 and patterned in a predetermined shape, and a black light shielding part 211 provided between the transparent substrate 11 and the conductive pattern part 13 to shield visible light going from the transparent substrate 11 side to the conductive pattern part 13.例文帳に追加
ディスプレイ用フィルタ用の基材は、透明基材11と、透明基材11の一方の面側に設けられ、所定の形状にパターニングされた導電パターン部13と、透明基材11と、導電パターン部13との間に透明基材11側から導電パターン部13に向かう可視光を遮光する黒色の遮光部211を備える。 - 特許庁
A first region requiring a high driving capacity is irradiated with CW laser light at a low rate under a state where an a-Si film is patterned by lithography and etching into an island pattern 11 (or a ribbon pattern) whereas a second region not requiring a high driving capacity is irradiated with the CW laser light in the form of a solid a-Si film.例文帳に追加
高い駆動能力を要する第1の領域には、a−Si膜をアイランドパターン11(又はリボンパターン)にリソグラフィー及びエッチングによりパターニングした状態でCWレーザ光を低速で照射し、高い駆動能力を要しない第2の領域には、a−Si膜のベタ膜のままCWレーザ光を高速で照射する。 - 特許庁
The offset printer includes: a printing roller; a coating unit for applying a print substance to the printing roller; a patterning unit for patterning the print substance applied to the printing roller; a printing unit for transferring the patterned print substance to a printing medium; and a cleaning unit for cleaning the print substance remaining on the printing roller by dry cleaning.例文帳に追加
オフセット印刷装置は、印刷ロールと、前記印刷ロールに印刷物質を塗布するコーティング部と、前記印刷ロールに塗布されている印刷物質をパターニングするパターン部と、前記印刷物質を被印刷物に印刷する印刷部と、前記印刷ロールに残っている前記印刷物質を乾式洗浄する洗浄部とを備える。 - 特許庁
By the method for manufacturing an optical element, a liquid composition for the formation of an optical element is stuck to the forming surface of a base material having a patterned surface as the forming surface having regularly arranged regions having high wettability and regions having low wettability, then the composition is hardened to form projections in the regions having high wettability.例文帳に追加
濡れ性の大きな区域と濡れ性の小さな区域とが規則的に配列されているパターン表面を成形表面として有する基材の成形表面に光学素子形成用液状組成物を付着させ、次いで前記組成物を硬化して前記濡れ性の大きな区域に凸部を形成させる光学素子の製造方法である。 - 特許庁
In the method for manufacturing the TFT array substrate provided with at least a first conductive film, an insulation layer, a semiconductor layer, a second conductive film and a third conductive film (or a reflector film) on an insulation substrate, the second conductive film, the semiconductor layer and the insulation layer are patterned with one photoengraving step and the second conductive film is over-etched.例文帳に追加
絶縁性基板上に少なくとも第1の導電膜、絶縁膜、半導体層、第2の導電膜および第3の導電膜(または反射膜)を有するTFTアレイ基板の製造方法において、第2の導電膜、半導体層および絶縁膜を1回の写真製版工程でパターニングするとともに、第2の導電膜をオーバーエッチする。 - 特許庁
A method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of forming a resin layer 4a, getting round the electrodes, patterning the conductive layer 5 on the electrodes and on the resin layer 4a in correspondence with the projections 4, and forming the projections 4 by removing the resin layer 4a located between the conductive layers 5, with the patterned conductive layer 5 as a mask.例文帳に追加
半導体装置1に電極を避けて樹脂の層4aを形成する工程と、電極上及び樹脂の層4a上に導電層5を突起体4に応じてパターニングする工程と、パターニングされた導電層5をマスクとし、導電層5の間に位置する樹脂の層4aを除去して突起体4を形成する工程とを有する。 - 特許庁
While the bumps 21 abut against the 1st metallic film 11, one or both of the 1st metallic film 11 and 2nd metallic film 12 are patterned to partially expose the surface of the 1st resin film 16 In this state, a heat treatment is carried out to emit a solvent and moisture from the exposed part, thereby hardening the 1st resin film 16.例文帳に追加
第1の金属膜11にバンプ21が当接した状態で、第1の金属膜11又は第2の金属膜12のいずれか一方又は両方をパターニングし、第1の樹脂フィルム16の表面を部分的に露出させた状態で熱処理し、溶剤や水分を露出部分から放出させ、第1の樹脂フィルム16を硬化させる。 - 特許庁
A probe 5, a terminal 6, and a ground pattern 7 are patterned severally at one side of a dielectric substrate 2, and also this ground pattern 7 is led conductively through a ground pattern 9 and a plurality of through holes 10 made at the other side of the dielectric substrate 2, and this dielectric substrate 2 is arranged in parallel with its tube axis, within a waveguide conduit 1.例文帳に追加
誘電体基板2の片面にプローブ5と終端部6およびアースパターン7をそれぞれパターン形成すると共に、このアースパターン7を誘電体基板2の他面に形成したアースパターン9と複数のスルーホール10を介して導通し、この誘電体基板2を導波管路1の内部にその管軸と平行に配設した。 - 特許庁
In the manufacturing method of the magnetic recording medium, the magnetic film is formed on a substrate, a resist is applied on the magnetic film, a stamper is imprinted to the resist to transfer a rugged pattern and the magnetic film is worked by ion-milling to form a magnetic film pattern while the resist residue is left in the recessed part of the patterned resist after the stamper is removed.例文帳に追加
基板上に磁性膜を形成し、前記磁性膜上にレジストを塗布し、前記レジストに対してスタンパをインプリントして凹凸パターンを転写し、前記スタンパを除去した後、パターン化されたレジストの凹部にレジスト残渣を残したままイオンミリングにより前記磁性膜を加工して磁性膜パターンを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁
The image recorder comprises the intermediate transfer member where an ink-philic part and ink-phobic part are patterned depending on the resolution of a recording image, a means for ejecting ink to the intermediate transfer member depending on the recording image, and a means for transferring the ink, ejected from the ink ejecting means to the intermediate transfer member, to a recording medium.例文帳に追加
親インク部および撥インク部が、記録画像の解像度に応じてパターンニングされた中間転写体と、記録画像に応じて中間転写体にインクを吐出するインク吐出手段と、インク吐出手段から中間転写体に吐出されたインクを、被記録媒体に転写する転写手段とを有することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁
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