「reaction processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

WASHING METHOD OF ANIMAL AND PLANT RESIDUE PROCESSING UNIT BY HYDROTHERMAL REACTION AND ITS UNIT例文帳に追加

水熱反応による動植物残渣処理装置の洗浄方法及びその装置 - 特許庁

To provide a downsized reaction force processing mechanism, a stage apparatus provided with the reaction force processing mechanism, and a semiconductor inspection apparatus provided with the stage apparatus.例文帳に追加

小型化を図ることができる反力処理機構、その反力処理機構を備えたステージ装置、及びそのステージ装置を備えた半導体検査装置を提供する。 - 特許庁

When the shutdown processing is conducted, the fuel cell system can select either a wetting processing mode in which the reaction gas is put into a wetting state or a drying processing mode in which the reaction gas is put into a drying processing condition.例文帳に追加

この燃料電池システムでは、停止処理が実行される際、反応ガスを湿潤状態とする湿潤処理モード、及び反応ガスを乾燥状態とする乾燥処理モードのうち、いずれかのモードとすることができる。 - 特許庁

The substrate processing apparatus has a reaction tube 4 for storing and processing a substrate, a heating means provided around the reaction tube, a gas nozzle 14 for supplying the process gas into the reaction tube, and an air exhaust means for exhausting atmospheric air in the reaction tube, wherein at least a part penetrating the reaction tube on the gas nozzle has radial thickness.例文帳に追加

基板を収納し、処理する反応管４と、該反応管の周囲に設けられる加熱手段と、前記反応管内に処理ガスを供給するガスノズル１４と、前記反応管内の雰囲気を排気する排気手段とを具備し、前記ガスノズルの少なくとも前記反応管を貫通する部分を厚肉とした。 - 特許庁

To provide a data processing device capable of shortening reaction intervals by expanding pass bands.例文帳に追加

通過帯域を拡大して反応時間を短縮できるデータ処理装置を提供すること。 - 特許庁

METHOD, SYSTEM, AND REACTION VESSEL FOR PROCESSING BIOLOGICAL SAMPLE CONTAINED IN LIQUID例文帳に追加

液体に含まれている生物学的試料を処理する方法、システム及び反応容器 - 特許庁

To provide a reactor for processing a reaction medium having a viscosity that increases as the medium flows through the reactor in the process of the reaction.例文帳に追加

反応に従って反応器中を流れる反応媒体の粘度が増加する反応媒体を処理するための反応器の提供。 - 特許庁

To prevent an object to be subjected to processing from being contaminated due to the reaction of processing fluids of different kinds, to improve the processing efficiency, and to reduce the size of an apparatus.例文帳に追加

異なる種類の処理流体の反応による被処理体の汚染防止、処理効率の向上、装置の小型化を図れるようにすること。 - 特許庁

This vapor-phase growth device includes a reaction chamber 50 for holding substrates 15 being processing objects, and a gas introduction part 21 for supplying a reaction gas to the reaction chamber 50.例文帳に追加

当該気相成長装置は、処理対象物である基板１５を保持する反応室５０と、反応室５０に反応ガスを供給するためのガス導入部２１とを備えている。 - 特許庁

The raw material gas is introduced into a reaction chamber to generate plasma, and a substrate support part 1, on which a semiconductor substrate as the processing object is placed, is arranged within the reaction chamber in the plasma processing apparatus provided for the plasma processing.例文帳に追加

反応室内に原料ガスを導入し、プラズマを発生させて、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、反応室の内部に、処理対象となる半導体基板が載置される基板支持部１を配置する。 - 特許庁

The system also includes a processing chamber employing an intake exhaust system so specially designed that a gas curtain of a reaction gas can be formed between each of the processing stations in the processing chamber, the uniformity among the processing stations can be improved, and mutual interference of reaction gas between different processing stations can be avoided.例文帳に追加

処理チャンバ内の各処理ステーションの間に反応ガスのガス幕が形成されて、各処理ステーション間の均一性が改良され、異なる処理ステーション間の反応ガスの相互干渉が避けられるように、特別に設計された吸排気システムを採用した処理チャンバも開示している。 - 特許庁

To provide an exhaust gas processing method and a plasma processing method and apparatus, which can improve the processing capability of a chemical reaction generating means for processing an unreaction gas or by-product.例文帳に追加

未反応ガスや副生成物を処理する化学反応生起手段の処理能力を向上させることができる排気処理方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A developing processing sheet 24 and a fixing processing sheet 34 are successively overlapped on/peeled from the film N in accordance with a chemical reaction stage, so that the multistage chemical reaction is executed.例文帳に追加

このフィルムＮには、化学反応工程に応じて現像処理シート２４、定着処理シート３４が順次重ね合わされては剥離され、多段階の化学反応が行われる。 - 特許庁

To provide a reaction force processing mechanism that enhances reliability, and to provide a stage device equipped with the reaction force processing mechanism, and a semiconductor inspection device equipped with the stage device.例文帳に追加

本発明は、信頼性の向上を図ることができる反力処理機構、その反力処理機構を備えたステージ装置、及びそのステージ装置を備えた半導体検査装置を提供する。 - 特許庁

Further, it is preferable that reaction products are continuously removed from the chemical processing liquid, or the chemical processing liquid is exchanged before its quality is deteriorated by the increase of reaction products.例文帳に追加

また、化学加工液から反応生成物を連続的に除去することや、化学加工液を反応生成物の増加により品質が劣化する前に交換することが好ましい。 - 特許庁

When a desired film is formed on a substrate contained in the reaction tube 203, first processing gas and second processing gas are supplied into the reaction tube 203 through nozzles 233, 249.例文帳に追加

反応管２０３に収容される基板に所望の膜を形成するときは、ノズル２３３，２４９から第１の処理ガスと第２の処理ガスとを反応管２０３内に供給する。 - 特許庁

The vanishing processing of the inspection object in the reaction container 141 is performed before and/or after cleaning the reaction container 141, namely, after measuring the characteristic of the reaction liquid in the reaction container 141 and before despensing a sample again.例文帳に追加

反応容器１４１内の検査対象を消失させる処理は、反応容器１４１内の反応液の特性を測定後、再び試料が分注される前までであって、反応容器１４１を洗浄する前または／および後に行う。 - 特許庁

To effectively remove reaction by-products from a region where a gas line contacts the processing chamber.例文帳に追加

プロセスガスラインが処理室に接する箇所における反応副生成物を効果的に除去する。 - 特許庁

A two frequency power simultaneous supply batch type plasma processing device includes a decompressed reaction vessel 11.例文帳に追加

二周波電力同時供給バッチ式プラズマ処理装置は減圧反応容器１１を備える。 - 特許庁

A substrate processor is equipped with a heater 206 provided outside a reaction container for processing substrates.例文帳に追加

基板処理装置は、基板を処理する反応容器の外側に設けられたヒータ２０６を有する。 - 特許庁

To provide an electrode assembly for a plasma reaction chamber used in semiconductor substrate processing.例文帳に追加

半導体基板処理に使用されるプラズマ反応チャンバのための電極アセンブリを提供する。 - 特許庁

A blowing port 4 for blowing the plasma P, generated within the reaction vessel 1 to the processing object 7 in the form of plasma jet, is formed in the reaction vessel 1.例文帳に追加

反応容器１内に生成されたプラズマＰを被処理物７に向かってジェット状に吹き出すための吹き出し口４を反応容器１に形成する。 - 特許庁

To provide a reaction chip processing device capable of easily blocking a passage in a reaction chip with a simple method without degrading chemicals.例文帳に追加

薬品等を劣化させることなく簡易な手法でもって反応チップ内の流路を容易に閉塞することができる反応チップ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a processing system to process an object using a reaction gas activated by a particle beam which uses a small gas supply device, inspects the object during the processing to monitor and control the processing state.例文帳に追加

粒子ビームによって活性化された反応ガスを用いて物体を加工する加工システムであって、小型のガス供給装置を用いた加工システムを提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that can quickly switch the processing gas and suppress or prevent the generation of particles due to reaction of the processing gases.例文帳に追加

処理ガスの切り換えを迅速に行えると共に、処理ガス同士が反応してパーティクルが生じるのを抑制または防止できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma discharge tube (discharge tube) 11 is installed inside a reaction processing chamber 1, penetrating through the wall of the processing chamber 1.例文帳に追加

反応処理槽１内部に反応生成堆積物除去を目的としてプラズマ放電管（放電管）１１を壁面貫通設置する。 - 特許庁

To provide an ozone processing system in which reaction efficiency of ozone is enhanced by making the ozone gas flow layer thin.例文帳に追加

オゾンガス流の層厚を薄くすることで、オゾンの反応効率を高めたオゾン処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an improved gas supply system used in a reaction chamber used in semiconductor substrate processing.例文帳に追加

半導体基板処理に用いられる反応チャンバーで用いられるガス供給システムの改良に関する。 - 特許庁

To detect the completion of a reaction in a plasma apparatus which is used for processing of semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの処理に用いられるプラズマ装置の反応の終点を検出するようにすること。 - 特許庁

The substrate processor has a vertical-type reaction furnace 40 for processing wafers W mounted on a boat 41.例文帳に追加

基板処理装置は、ボート４１に搭載されたウェハＷを処理する縦型の反応炉４０を備える。 - 特許庁

To provide a microwave reactor which promotes chemical reaction by heating with microwaves with little danger, and can perform processing in a short time even in the case of batch processing.例文帳に追加

危険が少なく、またバッチ処理であっても短時間で処理できる、マイクロ波で加熱して化学反応を促進させる装置を提供する。 - 特許庁

This apparatus 100 for processing wafers arranges wafers 7 loaded on a boat 6 an inner reaction tube 2 which is surrounded by an outer reaction tube 1, heats the wafers by a heater located outside the outer reaction tube 1, and measures the temperature of the wafers 7 by a thermocouple 11 arranged inside the reaction tube to optimally process the wafer with reaction gas.例文帳に追加

本発明の基板処理装置１００は、ボート６に装填したウェーハ７を外部反応管１に囲まれた内部反応管２の中に配置し、外部反応管１の外側に配置したヒータで加熱し、処理ガスで最適に処理するために、反応管の中に配置した熱電対１１でウェーハ７の温度を検出する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which increases strength in a part penetrating a reaction tube on a gas nozzle for leading the process gas into the reaction tube, and which prevents breakage of the gas nozzle due to external force as well as breakage of the reaction tube caused by breakage of the gas nozzle.例文帳に追加

反応管内に処理ガスを導入するガスノズルの反応管貫通部での強度を増大し、外力によるガスノズルの破損、更にガスノズルの破損に起因する反応管の破損の防止しようとする。 - 特許庁

The processing device is equipped with a light source part which irradiates the substrate of a reaction tank part with light and the reaction tank part where the substrate to be processed is arranged and irradiates the substrate with the light by the light source part and processes the substrate by using a light-excited electrochemical reaction method.例文帳に追加

光を反応槽部の基板に照射する光源部と、加工する基板を配置する反応槽部とを具備し、光源部より光を照射し光励起電気化学反応法を用いて基板を加工する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method enhancing plasma processing characteristics, reproducibility of the plasma processing characteristics, and reducing plasma processing cost by stably achieving matching adjustment of high frequency power in the plasma processing method for processing a workpiece set in a reaction vessel by introducing a plurality of high frequency powers having different frequencies into the reaction vessel and decomposing raw gas in the reaction vessel, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

周波数の異なる複数の高周波電力を反応容器中に導入し、前記反応容器中で原料ガスを分解することにより、前記反応容器中に設置した被処理物に処理を施すプラズマ処理方法において、高周波電力のマッチング調整が安定して達成され、その結果、プラズマ処理特性の向上、プラズマ処理特性の再現性向上、更にはプラズマ処理コストの低減が可能なプラズマ処理方法、プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In this inductively coupled plasma processing device, a coiled high frequency antenna 21 is installed in a housing constituting a processing chamber, and reaction gas is introduced into the processing chamber to generate a plasma to form or etch a film on a substrate in the processing chamber.例文帳に追加

従って、処理装置の大型化に伴って高周波アンテナの長さが長くなっても、アンテナ電位を均等かつ低下させることができる誘電結合プラズマ処理装置を提供することにある。 - 特許庁

A control part 80 is connected to a reaction force processing operation part 90 and has a signal route 86 branched so as to supply a stage drive command (b) from a controller 82 to the reaction force processing operation part 90.例文帳に追加

制御部８０は、反力処理演算部９０と接続されており、反力処理演算部９０にコントローラ８２からのステージ駆動指令ｂを供給するように分岐された信号経路８６を有する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus by which reaction products are prevented from flowing from a processing chamber to another processing chamber, such as a carrying chamber, generation of foreign matter is suppressed and the quality of a process is improved.例文帳に追加

処理室から搬送室等の他の処理室へ反応生成物が流入する事を防止し、異物発生の抑制、プロセスの高品質化が可能な基板処理装置を実現する。 - 特許庁

When any one of reaction areas 30 is operated by an input medium 28, an MFP executes processing corresponding to the operated reaction area 30.例文帳に追加

ＭＦＰは、いずれかの反応領域３０内が入力媒体２８により操作されると、操作された反応領域３０に割り当てられている処理を実行する。 - 特許庁

A reaction promoting catalyst is disposed in a conversion reaction processing section 2 for performing conversion reaction for converting hydrocarbon and water contained in thermally decomposed gas produced by thermally decomposing waste in a thermal decomposition furnace 1 of waste processing equipment to carbon monoxide and hydrogen.例文帳に追加

廃棄物処理設備の熱分解炉１で廃棄物を熱分解して発生した熱分解ガス中に含まれる炭化水素と水分とを一酸化炭素と水素とに転化させる転化反応を行わせる転化反応処理部２に反応促進用触媒を配設しておく。 - 特許庁

The sample processing device, in which a reaction vessel with two or more reaction sections can be disposed, includes a nozzle mechanism which has a dispensation tip for dispensing a solution to the reaction sections of the reaction vessel and a nozzle removable for a magnetic tip, generating a magnetic field for moving magnetic beads between the two or more reaction sections of the reaction vessel and a drive control device which controls driving of the nozzle mechanism.例文帳に追加

複数の反応部を有する反応容器を配置することができ、上記反応容器の反応部に対して溶液を分注する分注チップ及び上記反応容器の複数の反応部の間に磁性ビーズを移動させる磁界を発生する磁性チップの着脱が可能なノズルを有するノズル機構と、ノズル機構の駆動を制御する駆動制御装置とを有する。 - 特許庁

To obtain a method for producing a semiconductor, in which reaction gas processing, e.g. selective epitaxial growth, is carried out with high accuracy by regulating conditions accurately at the time of processing.例文帳に追加

半導体製造方法において、プロセス時の条件を正確に調整して選択エピタキシャル成長等の反応性ガス処理を高精度に行うこと。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of processing the whole region of a processed object easily and uniformly even when the reaction gas containing C4F8 gas as the base gas is used.例文帳に追加

Ｃ_4 Ｆ_8 ガスをベースガスとした反応ガスを用いた場合であっても、容易に被処理物の全領域を均一に処理し得るプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing device which provides a high processing capability for a processed object by suppressing unwanted reaction, without increase in the size and cost.例文帳に追加

大型化、高コスト化することなく、不要な反応を抑えて、被処理物に対する高い処理能力が得られる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

Then, a purging recipe 1 corresponding to the film forming processing is so selected automatically as to perform the purging processing of the reaction container 2 according to the purging recipe 1.例文帳に追加

次いでこの成膜処理に対応するパージレシピ１を自動的に選択し、当該パージレシピ１に従って反応容器２のパージ処理を行う。 - 特許庁