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reaction processingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 605件
To improve the throughput of the substrate processing of removing reaction products generated by the alteration of a resist film present on a substrate.例文帳に追加
基板に存在するレジスト膜が変質して生じた反応生成物を除去する基板処理のスループットを向上させること。 - 特許庁
To reduce a reaction gas remaining in a chamber, after ending a plasma processing using a rotary electrode.例文帳に追加
回転電極を用いたプラズマ処理において、プラズマ処理終了後にチャンバ内に残存する反応ガスを低減することができる。 - 特許庁
To eliminate reaction of oxidation by controlling flow of oxygen in the atmosphere, into a substrate processing chamber when the substrate is transferred.例文帳に追加
基板搬送時、基板処理室へ大気中の酸素が流入するのを抑制して、酸化反応を無くすことを可能とする。 - 特許庁
Removing process is progressed through reaction of cleaning gas plasma (F*: fluorine radical) and a deposited substance within the processing chamber 1 (substance to be cleaned).例文帳に追加
クリーニングガスのプラズマ(F*:フッ素ラジカル)と処理チャンバ1内の堆積物(被クリーニング物)とが反応して除去処理が進行する。 - 特許庁
A fluorine-contg. waste water is continuously introduced into the reaction tank 1, and a calcium soln. is added at the same time as a fluorine processing agent.例文帳に追加
反応槽1には、フッ素含有排水が連続的に投入され、同時にフッ素処理剤としてカルシウム溶液を添加する。 - 特許庁
To provide a catalytic reaction apparatus allowing convenient fabrication at low costs without processing of electrodes by etching.例文帳に追加
電極をエッチング処理で加工することなく簡単且つ低コストで製作することができる触媒反応装置を提供する。 - 特許庁
By this processing, Nd2O3 contained in the alloy magnet powder is turned into hydroxide such as Nd(OH)3 by chemical reaction.例文帳に追加
この処理により、合金磁石粉末に含まれているNd_2O_3は、化学反応により水酸化物であるNd(OH)_3となる。 - 特許庁
A control part 100 controls a heater for heat-up 16 to heat the interior of a reaction tube 2 to a predetermined temperature and supplies a cleaning gas containing a fluorine gas, a hydrogen fluoride gas, and a chlorine gas from a processing gas introduction tube 17 to the reaction tube 2 with the reaction tube 2 heated to the predetermined temperature.例文帳に追加
制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して反応管2内を所定の温度に加熱した状態で、処理ガス導入管17から反応管2内にフッ素ガスとフッ化水素ガスと塩素ガスとを含むクリーニングガスを供給する。 - 特許庁
The substrate processing system comprises the reaction pipe 203 which forms a space where a substrate is housed and processed, and a pipe 275 which extends penetrating the wall constituting the reaction pipe 203 from inside to outside the reaction pipe 203.例文帳に追加
この様に反応管から突出した管は、ウェット洗浄時に開口端部から薬液が侵入したり、又、反応管の保管時や搬送時に前記突起部が破損したり、又、反応管の保管時や搬送時に前記開口端部から異物が侵入したりする虞があった。 - 特許庁
This method for processing a nanotube is characterized in that the method comprises a first process for bringing the nanotube 2 into contact with a first substance to form a reaction product 3 obtained by the reaction between the nanotube 2 and the first substance 1 and a second process for separating the nanotube 2 from the reaction product 3.例文帳に追加
ナノチューブ2を第1の物質1と接触させ、ナノチューブ2と第1の物質1が反応してなる反応生成物3を生成する第1の工程と、ナノチューブ2を反応生成物3から分離する第2の工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
The substrate processing apparatus 10 includes a reaction tube 52 having a downward opening 54 and a lower vessel 56 for occuluding the opening 54 while supporting the reaction tube 52 from a lower side in the direction of gravity.例文帳に追加
基板処理装置10は、下向きの開放部54か形成された反応管52と、この反応管52を重力方向下側から支持しつつ、開放部54を塞ぐ下側容器56とを有する。 - 特許庁
To assure airtightness between a reaction tube and a manifold without inserting an additional buffer even when the thickness of a flange in a reaction tube is reduced by chemical cleaning in a vertical type wafer processing apparatus.例文帳に追加
縦型ウエハ処理装置において、反応管のフランジの厚みが薬液洗浄により減少した場合であっても、追加で緩衝材を挿入することなく、反応管とマニホールドの気密性を確保する。 - 特許庁
To provide a plasma processing apparatus with which there occurs no lowering of uniformity of reaction due to blockage of an electrode plate gas dispersion hole caused by accumulation of a reaction product.例文帳に追加
本発明により解決すべき課題は、反応生成物の堆積による電極板ガス分散孔の閉塞による、反応の均一性低下が起こらないプラズマ処理装置を提供することである。 - 特許庁
To prevent a substrate from being shaved off and from dimensional variation due to deposits in a reaction chamber in batch processing which performs a plurality of processes successively in an identical reaction chamber of a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加
半導体製造装置の同一の反応室で複数の工程を連続して行う一括加工において、反応室内の堆積物に起因する基板削れや寸法変動を防止する。 - 特許庁
A component of the operating gas in the initial stage of a compression process used for the chemical reaction SIM is read in from a chemical reaction DB 12 on the basis of a result of the CFD operation in the intake stroke (result processing *1).例文帳に追加
吸気行程でのCFD演算の結果等に基づいて、化学反応DB12から化学反応SIMに用いる圧縮過程初期の作動ガスの成分を読み込む(結果処理*1)。 - 特許庁
The substrate processing apparatus is provided with a nearly cylindrical reaction tube 203 wherein a processing chamber 201 is provided inside to process a substrate while holding a plurality of substrates by a substrate holding jig so that they may be vertical to the processing face of the substrate, and a nearly cylindrical heater that is provided surrounding the outer periphery of the reaction tube 203.例文帳に追加
基板処理装置は、基板の処理面に対して垂直方向に複数枚配置するよう基板保持具で基板を支持しつつ処理可能な処理室201を内部に有する略筒状の反応管203と、該反応管203の外周を囲うように設けられる略筒状の加熱装置とを備える。 - 特許庁
To provide a film forming method for reducing the generations of gases and particles, by performing after a film forming processing the purging processing of the inside of a reaction container by a purging recipe corresponding to the film forming processing, e.g., when forming a silicon nitride film, and by removing the surface layer of a film whereby the stuck gases and the stuck particles are caused to the inside of the reaction container.例文帳に追加
例えば窒化シリコン膜を形成する際、成膜処理後に当該成膜処理に対応したパージレシピにより反応容器内のパージ処理を行って、反応容器内に付着したガスやパーティクルの原因となる膜の表層部を除去し、ガスやパーティクルの発生を低減する成膜方法を提供する。 - 特許庁
The microparticles produced from a reaction by-product deposited film 20 in a reaction furnace are forcibly removed and discharged before the film deposition processing by removing particles with a purge gas to which an elastic wave 21 is applied, so production of the microparticles is suppressed in the film deposition processing and the film deposition processing of high quality is carried out.例文帳に追加
弾性波21を印加したパージガスによりパーティクルを除去することにより、成膜処理前に反応炉内の反応副生成堆積膜20から発生する微細パーティクルを強制的に除去排出するので、成膜処理時には微細パーティクルの発生を抑制でき、高品質の成膜処理を行うことができる。 - 特許庁
The fuel cell system is provided with a wetting processing means for humidifying a reaction gas supplied to a fuel cell and put it into a wet state, and a drying processing means for putting the reaction gas supplied to the fuel cell into a dry state of lower humidity than the wet state.例文帳に追加
この燃料電池システムは、燃料電池に供給する反応ガスを、加湿して湿潤状態とする湿潤処理手段と、燃料電池に供給する反応ガスを、湿潤状態よりも湿度の低い乾燥状態とする乾燥処理手段と有する。 - 特許庁
To provide an apparatus for processing substrates which can enhance cleaning capability and coating-film removing capability, by increasing the reaction rate of the process and raising the activity of the processing liquid.例文帳に追加
処理の反応速度を高めるとともに処理液の活性度を高めることによって、洗浄能力や被膜除去能力を向上できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁
To enable batch processing of a larger number of substrates to be processed by loading a larger number of substrates to be processed with respect to a reaction chamber of a limited volume in a vertical type substrate processing apparatus.例文帳に追加
縦型基板処理装置において、限られた容積の反応室に対してより多くの被処理基板を搭載することでより多くの被処理基板の一括処理を可能にする。 - 特許庁
To provide a substrate processing technique which can form a tungsten-containing film on a substrate with good productivity even in a hot wall type substrate processing apparatus whose reaction tube is made of quartz.例文帳に追加
反応管が石英で構成されたホットウォール型の基板処理装置においても、基板上にタングステン含有膜を生産性よく形成することのできる基板処理技術を提供する。 - 特許庁
When the inside of the reaction tube 2 is heated at 400°C, the controller 100 activates chlorine contained in processing gas including chlorine supplied from a processing gas introducing tube 17.例文帳に追加
反応管2内が400℃に加熱されると、制御部100は、処理ガス導入管17から、塩素を含む処理ガスを供給することにより処理ガスに含まれる塩素を活性化させる。 - 特許庁
The fuel cells system conducts shutdown processing to supply the reaction gas to the fuel cell when an operation of the fuel cell is shut down.例文帳に追加
燃料電池システムが、燃料電池の運転を停止する際は、燃料電池に反応ガスを供給する停止処理を行なう。 - 特許庁
A plurality of wafers 200 as a substrate are mounted and stored on a boat 217 in a processing chamber 201 formed inside a reaction tube 11.例文帳に追加
反応管11内に形成される処理室201に、複数の基板としてのウェハ200がボート217上に積載収容される。 - 特許庁
A phase locked loop PLL realizes a counter reaction 35 between an output section of the 2nd processing block 34 and the interpolation block 33.例文帳に追加
位相同期ループPLLは、第2処理ブロック34の出力部と補間ブロック33との間にカウンタ−リアクション35を実現する。 - 特許庁
To provide a dry processing device which is small in storage of charge and at the same time fast in reaction speed, and is suitable for etching and ashing treatment, or the like.例文帳に追加
電荷の蓄積が少なくかつ反応速度が速い、エッチング処理やアッシング処理等に適したドライプロセッシング装置を提供する。 - 特許庁
To provide a joined structure of a reaction rod in a slip form construction method which dispenses with thread processing to simplify a connection.例文帳に追加
ねじ加工の要がなく、接続を簡単に行えるようにしたスリップフォーム工法における反力ロッドの接合構造を提供する。 - 特許庁
Then, hydrogen fluoride gas cooled by the reaction cooling means 25 is supplied to the inside of the processing chamber 11 as cleaning gas.例文帳に追加
そして、反応冷却手段25によって冷却されたフッ化水素ガスを、クリーニングガスとして処理チャンバー11の内部に供給する。 - 特許庁
To provide a specimen processing reagent composition for correctly performing immunological measurement by suppressing a nonspecific reaction without reducing the sensitivity.例文帳に追加
感度を低下させずに非特異的反応を抑制して免疫学的測定を正確に行うための検体処理試薬組成物の提供。 - 特許庁
The plasma processing device includes a reaction container 2 open at one side to form a nozzle 1, and a plurality of plasma-generating electrodes 3 and 4.例文帳に追加
片側が吹き出し口1として開放された反応容器2と複数のプラズマ生成用電極3、4とを具備して構成される。 - 特許庁
A dual-chamber plasma processing apparatus comprises two reaction spaces which are equipped with different gas inlet lines and different RF systems.例文帳に追加
デュアル反応チャンバプラズマ処理装置は、異なるガス流入ライン及び異なるRFシステムが取り付けられた2つの反応チャンバから成る。 - 特許庁
To detect sticking of a substrate in a reaction chamber for processing the substrate placed on a surface of a holding body for processing which includes a lift pin for elevating the substrate from the surface of the holding body for processing.例文帳に追加
処理用支持体であって、該処理用支持体の表面から基板を昇降させるためのリフトピンを含む処理用支持体の表面上に置かれた基板を加工する反応チャンバにおいて、基板の貼り付きの発生を検出する。 - 特許庁
To provide a film-forming device, or the like that obtains high throughput and can perform appropriate processing by preventing a plurality of reaction gases from being mixed on a substrate when forming a thin film of a reaction product laminated by successively supplying the plurality of reaction gases onto the surface of the substrate.例文帳に追加
基板の表面に複数の反応ガスを順番に供給して積層された反応生成物の薄膜を形成するにあたり、高いスループットが得られ、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる成膜装置等を提供する。 - 特許庁
To provide a fuel cell capable of ensuring reaction gas channels as well as gas sealability at reaction gas inlet and outlet parts, while suppressing the complication of processing process and an increase in size of the fuel cell.例文帳に追加
加工工程の煩雑化や燃料電池の大きさの増大を抑制しつつ、反応ガス導出入部における反応ガス流路の確保とガスシール性の確保との両立を達成した燃料電池を提供する。 - 特許庁
To provide a reactor and a method that provides a uniform distribution of a reaction gas over the entire processing surface of a substrate carrier and can avoid turbulent flow caused by the speeds of the reaction gas being different.例文帳に追加
基板キャリアの処理面の全体にわたって、反応ガスの均一な分布をもたらし、反応ガスの速度が異なることによって引き起こされる乱流を回避することができる反応器及び方法を提供する。 - 特許庁
Temperature in a reaction chamber for processing silicon wafer in the furnace is kept at a prescribed film-forming temperature and a gas for forming film is introduced into the reaction chamber and prescribed films, such as Poly-Si film on the wafer are formed.例文帳に追加
炉内部でシリコンウェハを処理する反応室内の温度を所定の成膜温度に維持し、反応室内に成膜用ガスを導入してウェハの上に所定のPoly−Si膜などの膜を形成する。 - 特許庁
To correct well color variation caused by a two-liquid reaction in performing image formation of a two-liquid reaction type using a processing liquid which insolubilizes or coagulates an ink, thereby obtaining a stable color reproducibility.例文帳に追加
インクを不溶化または凝集させる処理液を用いて2液反応型の画像形成を行う場合に、2液反応に起因した色変動が良好に補正され、安定した色再現性が得られること。 - 特許庁
Consequently, release processing of the clutch at an engagement side continued to switching in the reaction force direction can be quickly started by switching the reaction force direction based on the hydraulic servo during the engagement control, and the response characteristics can be improved.例文帳に追加
従って、係合制御中に油圧サーボによる反力方向を切換えることで、該反力方向の切換えに続く係合側のクラッチの解放処理を素早く開始することができ、応答性が向上する。 - 特許庁
To provide an apparatus and method for forming an image, an image processing apparatus, and a program, wherein reaction liquid droplets are uniformly discharged, and a reaction liquid is adequately discharged according to an image to be formed.例文帳に追加
反応液滴を偏り無く吐出することができると共に、形成する画像に応じて適切に反応液を吐出することができる画像形成装置、画像形成方法、画像処理装置、及びプログラムを提供する。 - 特許庁
To provide a structure forming device for processing the surface of a substrate, which is provided with a substrate chamber for placing the substrate therein and a reaction chamber for enabling gas reaction at a given operation pressure.例文帳に追加
基板(SB)を取付ける基板チャンバ(VC)および所与の動作圧力でガス反応を可能にする反応チャンバ(GC)から成る基板(SB)の表面を加工する構造形成装置(SD)を提供することを目的とする。 - 特許庁
Heat is recovered from the heated product stream and recycled back to the endothermic reaction zone, while the resulting cooled product stream containing the corresponding alkene may be subjected to further reaction and/or processing.例文帳に追加
熱は加熱生成物流れから回収され、発熱反応領域に戻され再利用され、さらに対応するアルケンを含む得られる冷却された生成物流れがさらなる反応および/または処理にかけられうる。 - 特許庁
In the ashing processing method of a semiconductor wafer for making resist on a semiconductor wafer react with reaction gas in plasma for ashing elimination, the mixed gas of O_2, N_2 and H_2O is used as the reaction gas.例文帳に追加
半導体ウェハ上のレジストをプラズマ中で反応ガスと反応させて灰化除去するための半導体ウェハのアッシング処理方法において、上記反応ガスとして、O_2と、N_2と、H_2Oとの混合ガスを用いる。 - 特許庁
This processing method for waste plastics reclaims a catalytic reaction product by vaporizing waste plastics in a pyrolizing tank 2 by a pyrolysis reaction and then contacting the pyrolysis product gas with a silicate catalyst containing gallium in a catalytic reactor 3.例文帳に追加
廃プラスチックを熱分解槽2において熱分解により気化させ、得られた熱分解ガスを触媒反応槽3においてガリウム含有珪酸塩触媒に接触させ、触媒反応生成物を回収する。 - 特許庁
To provide an aqueous processing solution for a fixed abrasive grain wire saw, which controls the thickening of a processing solution contaminated by swarf, also controls the reaction between the processing solution and the swarf as well as the generation of hydrogen, even further controls the thickening and gelation of the processing solution contaminated by the swarf.例文帳に追加
切り屑が混入した加工液の増粘を抑制でき、加工液と切り屑との反応を抑制して水素の発生を抑制でき、さらに、切り屑が混入した加工液の増粘・ゲル化を抑制できる、固定砥粒ワイヤソー用水溶性加工液を提供する。 - 特許庁
To provide a method of processing a plasma CVD apparatus which can obtain a high productivity by performing simultaneously cleaning in a reaction chamber and processing a semiconductor substrate by safe process with a low cost without etching in the reaction chamber or without taking a time and effort in handling.例文帳に追加
反応室内がエッチングされたり、取り扱いに手間がかかったりすることのない安全で低コストのプロセスによって、反応室内をクリーニングと半導体基板の処理を同時に実施して高い生産性を得ることができるプラズマCVD装置の処理方法を提供する。 - 特許庁
To suppress that, in a vertical tube processing device, a reaction gas ejected from a gas supply port provided to an uppermost part of a gas supply nozzle flows into a space above an upper surface of a wafer boat, which causes the change in the flow rate and the flow quantity of the reaction gas in a processing chamber.例文帳に追加
縦型チューブ処理装置において、ガス供給ノズルの最上部にあるガス供給口から噴出された反応ガスがウェハボートの上面より上の空間にも流れてしまい処理室内で反応ガスの流速や流量が変わってしまうことを抑制する。 - 特許庁
To provide an analytical processing and detection device, enabling the detection of detecting signals in the fluid of a reaction container under the presence of magnetic particles.例文帳に追加
磁性粒子の存在下で反応容器の流体中の検出信号を検出可能にする分析処理および検出装置の提供。 - 特許庁
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