「reaction processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The reaction force processing actuator 2 is arranged below an upper surface 11c of the table 11 so as to be covered with the table 11.例文帳に追加

そして、この反力処理アクチュエータ２は、定盤１１が被さるように当該定盤１１の上面１１ｃよりも下方に配置されている。 - 特許庁

To provide a gaseous reactor capable of efficiently advancing a prescribed gaseous reaction such as the processing of exhaust gas containing nitrogen monoxide.例文帳に追加

一酸化窒素を含む排ガスの処理など所定の気体反応を効率良く進行させることができる気体反応装置を提供する。 - 特許庁

To provide a decompression processing apparatus equipped with a gas discharge mechanism which can securely collect reaction products being difficult to collect under a reduced pressure.例文帳に追加

減圧下で捕集が困難な反応生成物を確実に捕集することが可能な排気機構を備えた減圧処理装置を提供する。 - 特許庁

The static mixer having the mixing element 12 of this type is in particular used in natural gas processing, in automotive construction and in chemical reaction technology.例文帳に追加

このタイプの混合要素１２を有する静的混合器は、特に天然ガス処理、自動車構成、或いは化学反応技術で使用される。 - 特許庁

To supply gas at a specified rate of flow stably into a reaction chamber, in a semiconductor manufacturing device which performs processing making use of a plasma.例文帳に追加

プラズマを利用した処理を行なう半導体製造装置において、反応室内に所望の流量のガスを安定して供給する。 - 特許庁

To recover/remove metal ions contained in a processing solution by the use of an oxidation-reduction reaction so as to prevent them from affecting a substrate adversely.例文帳に追加

酸化還元反応を利用することにより、処理液中の金属イオンを回収・除去して基板への悪影響を防止することができる。 - 特許庁

A second processing unit 120 recognizes "reaction" of the user included in the primary list when communication related to business of a content establisher is performed.例文帳に追加

さらに、第２処理ユニット１２０が、コンテンツ開設者の業務に関する連絡がされたときの１次リストに含まれるユーザの「反応」を認識する。 - 特許庁

With such an arrangement, the ratio of ozones contributive to processing can be increased by making thin the ozone gas flow layer and reaction efficiency can be enhanced.例文帳に追加

これにより、オゾンガス流の層厚を薄くして、処理に寄与するオゾンの割合を増やすことができ、その反応効率を高めることができる。 - 特許庁

The method for processing a substrate comprises a reaction furnace 11, a plurality of boats 21a and 21b, and a means for identifying the boat wherein a substrate is processed by specifying a boat depending on the content of processing.例文帳に追加

反応炉１１と、該反応炉内で基板を保持する為の複数のボート２１ａ，２１ｂと、該ボートの識別手段を有し、基板処理の内容に応じてボートを指定して基板処理を行う。 - 特許庁

To provide a shower head structure which can improve and maintain reproducibility of film forming processing high, and can easily remove a reaction byproduct attached in the film forming processing in a short time.例文帳に追加

成膜処理の再現性を向上させて高く維持することができると共に、成膜処理時に付着した反応副生成物の除去も短時間で容易に実施できるシャワーヘッド構造を提供する。 - 特許庁

To promote processing by opening one or a plurality of liquid containers with the aim of fastness of processing to bring immunoreaction and to check with eyes the result of reaction, in the follow-through method.例文帳に追加

フォロースルー法において、免疫反応を成立させかつ反応結果を目視確認するために、処理の迅速化を目的として、１個又は２個以上の液容器を開いて処理を速やかに進める。 - 特許庁

To treat wastewater discharged from a semiconductor wafer processing process at a lower cost than ever by effectively utilizing peculiar discharged matters from the semiconductor wafer processing process in treatment reaction mutually to obtain water dischargeable to rivers.例文帳に追加

半導体ウェーハ加工工程で排出する特異な排出物を相互に有効利用して処理反応に使用し、従来よりも低コストで、河川に放流可能な水質に処理すること。 - 特許庁

The obtained road surface reaction force is subjected to a processing made by a filter processing part 24, and the value subjected to the gain adjustment by an amplification part 26 is added to the fundamental target amperage so that the target amperage is decided.例文帳に追加

この路面反力に対してフィルタ処理部２４による処理を施し、さらに増幅部２６でゲイン調整した値が、基本目標電流値に加算されて、目標電流値が定められる。 - 特許庁

To provide a gas sensor for suppressing a reaction between combustible gas and oxygen in the first processing chamber, introducing the combustible gas into the adjacent second processing chamber with its unchanged concentration, and detecting accurately the concentration of the combustible gas in the second processing chamber.例文帳に追加

第１処理室で可燃性ガスと酸素の反応を抑制して、可燃性ガスの濃度を変化させないまま隣接する第２処理室へ導入し、第２処理室で可燃性ガスの濃度を正確に検出することができるガスセンサを提供する。 - 特許庁

A substrate processing method includes: a first step of carrying a substrate into a reaction chamber, supplying a material gas into the reaction chamber, irradiating the supplied material gas with the ultraviolet light, processing the substrate with an induced gas, and then carrying the substrate out; and a second step of supplying an etching gas into the reaction chamber after the first step and irradiating the supplied etching gas with the ultraviolet light.例文帳に追加

基板を反応室内へ搬入し、材料ガスを反応室へ供給し、供給された材料ガスに紫外光を照射し、誘起されたガスで基板を処理し、その後基板を搬出する第一のステップと、第一のステップの後、反応室内にエッチングガスを供給し、供給されたエッチングガスに紫外光を照射する第二のステップを有する基板処理方法。 - 特許庁

The substrate processor has a reaction chamber 10 for processing a substrate 41, process-gas feeding means 11, 12, 13 for feeding a process gas into the reaction chamber 10, and heat sources 20 for activating the process gas to generate active species in it.例文帳に追加

基板４１に処理を施す反応室１０と、反応室１０内に処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段１１、１２、１３と、処理用ガスを活性化して活性種を生成するための熱源２０とを備える。 - 特許庁

A processing apparatus 1 as the vapor deposition apparatus comprises a susceptor 5, a reaction tube 3, a cooling member (a gap between an outer periphery member 6 and an inner periphery member 8 of an upper wall 4 of the reaction tube, and a cooling material 10), and a heater 9.例文帳に追加

気相成長装置としての処理装置１は、サセプタ５と反応管３と冷却部材（反応管上壁４の外周部材６と内周部材８との間の間隙および冷却材１０）とヒータ９とを備える。 - 特許庁

Successively, an etching gas containing a fluorine-based reaction component and an oxidative reaction component is brought into contact with a surface of the object 9 to be processed in a processing space 19 on a downstream side on the conveyance path 11 and a semiconductor film 94 is dry etched.例文帳に追加

続いて、搬送経路１１の下流側の処理空間１９において、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含むエッチングガスを被処理物９の表面に接触させ、半導体膜９４をドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a light-weight reaction absorption device and a high-quality semiconductor assembly device having short processing time and high productivity by use of the reaction absorption device.例文帳に追加

本発明は、軽量化を図った反動吸収装置を提供すること、あるいは軽量化を図った反動吸収装置を用い、更に処理時間を短い生産性或いは品質の高い半導体組立装置を提供することである。 - 特許庁

According to this plasma processing method, a chlorine-containing gas containing helium, chlorine, nitrogen, and argon is introduced into a reaction vessel 1 from a gas introduction line 8, and the pressure inside the reaction vessel 1 is made the same as atmospheric pressure or close to it.例文帳に追加

このプラズマ加工方法では、ガス導入ライン８から反応容器１の中にヘリウム、塩素、窒素、アルゴンを含む塩素含有ガスが導入され反応容器１の内部の圧力は大気圧または大気圧近傍の圧力とされる。 - 特許庁

A thermal processing apparatus 1 comprises: a cylindrical reaction tube 3; a boat 5 for loading a wafer W to hold it; a heater 2 installed at an outer periphery of the reaction tube 3; and a vacuum insulating layer formation body 10 installed at an outer periphery of the heater 2.例文帳に追加

熱処理装置１は筒状の反応管３と、ウエハＷを装填して保持するボート５と、反応管３の外周に設けられたヒータ２と、ヒータ２の外周に設けられた真空断熱層形成体１０とを備えている。 - 特許庁

To prevent a drop of working rate, and a deposition of reaction by-products on a processing chamber and an exhaust passage, which become a reason of increasing of a maintenance cost in a film deposition apparatus.例文帳に追加

成膜装置において稼働率の低下とメンテナンス費用アップの原因となる処理室や排気経路への反応副生成物の堆積を防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that realizes a slimming processing method by plasma etching that requires no removal of resist reaction product materials by enhancing accuracy of dimensions in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程における寸法精度を向上させ、レジスト反応生成物の除去が必要でないプラズマエッチングによるスリミング処理方法を実現する。 - 特許庁

To prevent the overshoot phenomenon of a flow rate, that the gas of not less than a set flow rate flows at the time of starting supplying reaction gas to a vacuum processing chamber.例文帳に追加

真空処理室に反応ガスを供給し始める際に、設定流量以上のガスが流れ込む流量のオーバーシュート現象を防止すること。 - 特許庁

An initial state of exhaust gas in the CFD operation is determined on the basis of the result of the chemical reaction SIM in the compression and expansion strokes (result processing 2).例文帳に追加

圧縮及び膨張行程での化学反応ＳＩＭの結果に基づいて、ＣＦＤ演算における排気の初期状態を求める（結果処理２）。 - 特許庁

This method for determining the quantity of a compound includes the oxidative reaction processing of a specimen and the determination of the quantity of a compound existing in the specimen and expressed by the expression.例文帳に追加

下記工程：試料を酸化反応処理すること、及び、該試料中の式（Ｉ）：の化合物を定量することを含む、上記化合物の定量方法。 - 特許庁

The porous boehmite molding is manufactured by the hydrothermal processing at 140°C to less than 350°C of a mixture consisting of aluminium hydroxide, a reaction accelerator and water.例文帳に追加

多孔質ベーマイト成形体は、水酸化アルミニウムと反応促進剤と水とからなる混合物を１４０℃〜３５０℃未満で水熱処理して得らることができる。 - 特許庁

The plasma processing device comprises a light source 5 for starting discharge by irradiating a light in the reaction container 2 in the state wherein a voltage is impressed between the electrodes 3, 4.例文帳に追加

電極３、４間に電圧を印加した状態で、反応容器２内に光を照射して放電を開始させるための光源部５を備える。 - 特許庁

A control unit 100 of a thermal processing apparatus 1 heats the inside of a reaction tube 2 stored with a semiconductor wafer W having the natural oxide film formed to 400°C.例文帳に追加

熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a reaction tube 203 having an inner space sectioned by a barrier wall 236 into a film forming space and a plasma generating space 237.例文帳に追加

基板処理装置は、内部空間が隔壁２３６により成膜空間とプラズマ生成空間２３７とに区画される反応管２０３を有している。 - 特許庁

A plurality of such gas inlets are formed in an upper wall 6 of the processing chamber 4 along a reaction-gas flowing direction (shown by arrows 11, 12).例文帳に追加

ガス導入部は、処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向（矢印１１、１２に示す方向）に沿って複数形成されている。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processor with which the removal of reaction products and organic substances is completed in a short time.例文帳に追加

反応生成物や有機物の除去処理を短時間に完了することが可能な基板処理方法および基板処理装置を提供するこを目的とする。 - 特許庁

To provide a machine tool capable of restricting deformation quantity relatively small of a bed and a column due to processing reaction and moving load without enlarging the bed or the column.例文帳に追加

ベッドやコラムを大形化しなくても、加工反力や移動荷重によるベッドやコラムの変形量が比較的少ない工作機械を提供する。 - 特許庁

To provide a method for processing a substrate which realizes the formation of a desired resist pattern by suppressing the reaction of a chemical amplification type resist film and a conductive film.例文帳に追加

化学増幅型レジスト膜と導電性膜との反応を抑制して、所望のレジストパターンの形成を実現する基板処理方法を提供する。 - 特許庁

In response to these strong field regions, plasmas are generated in a processing chamber 2 of a reaction vessel 1, and dispersed to provided a uniform plasma.例文帳に追加

これらの強電界領域に対応して反応容器１の処理室２内にてプラズマが生成され、それらが拡散して均一なプラズマが得られる。 - 特許庁

To eliminate an influence of disturbed air flow due to a heat produced in a reaction furnace within a processing chamber and to prevent in advance an adhesion of dust to the surface of a wafer.例文帳に追加

処理室内での反応炉からの熱による気流の乱れの影響を抑えてウエハ表面へのダストの付着を未然に防止すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus, in which the gas mixture ratio of a reaction gas will not change, even if the gas is introduced from the central side of a rotation and which obtains the desired film quality and desired film formation rate.例文帳に追加

回転中心側からガスを導入しても、反応ガスのガス混合比率が変ることがなく、所望の膜質、成膜速度を得る。 - 特許庁

By a controller 100 of a thermal processing device 1, the inside of a reaction tube 2 is heated at 400°C storing a semiconductor wafer W where a native oxide film is formed.例文帳に追加

熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。 - 特許庁

To provide an MOCVD device that surely performs detoxification processing on various harmful gases included in an exhaust gas discharged from a reaction furnace.例文帳に追加

反応炉から排出される排ガス中に含まれる各種有害成分の除害処理を確実に行うことができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an inkjet image forming device capable of obtaining high quality images with less feathering, bleeding, or beading and with image density in ordinary paper at high speed without using reaction liquid or processing liquid.例文帳に追加

反応液や処理液等を使うことなく、普通紙に高速で、画像濃度が高く、フェザリングやブリーディング、ビーディングの少ない高画質な画像を得る。 - 特許庁

In a plasma reaction vessel for plasma processing provided with a Faraday shield arranged between an inductive coil and a dielectric, the Faraday shield and the dielectric are integrally formed.例文帳に追加

誘導コイルと誘電体との間にファラデーシールドが設けられたプラズマ処理用のプラズマ反応容器において、ファラデーシールドを誘電体と一体的に形成する。 - 特許庁

This signal detector relays the inquiry signal only when an inquiry signal level is higher than a prescribed reaction threshold value, and sends the inquiry signal to the next processing stage.例文帳に追加

この信号検出器は、問い合わせ信号レベルが所定の反応しきい値より高いときだけ問い合わせ信号を中継して次の処理段階に送る。 - 特許庁

To provide a reliable operation method and a device of an exhaust gas processing system for avoiding superheating of exhaust gas constituting parts by minimizing consumption of a reaction agent.例文帳に追加

反応剤の消費を最小化し、排気ガス構成部分の過熱を避ける、信頼性のある排気ガス処理装置の作動方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Each of the rectifying plates 20 guides a purge gas supplied from the associated gas inlet into the processing chamber such that the purge gas flows along the reaction-gas flowing direction.例文帳に追加

整流板２０は、ガス導入部から処理室の内部に供給されるパージガスを、反応ガスの流れる方向に沿った方向に流れるように案内する。 - 特許庁

To provide a method and a system for ensuring maximum reaction times between a safe input signal and a corresponding safe output signal in a data processing system.例文帳に追加

データ処理システムで、安全入力信号と対応する安全出力信号との間の最大反応時間を保証する方法およびシステムを提供する。 - 特許庁