「reaction processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

On the other hand, when a part of the reaction tube 203 constituting the plasma generating space 237 is coated with a desired film 500, the second processing gas and a third processing gas are supplied into the plasma generating space 237 through the nozzle 233.例文帳に追加

他方、反応管２０３のプラズマ生成空間２３７を構成する部位を所望の膜５００でコーティングするときは、ノズル２３３から第２の処理ガスと第３の処理ガスとをプラズマ生成空間２３７に供給する。 - 特許庁

When no reaction is similarly detected, an interruption signal is transmitted to the minute processing chip 4, and the processing chip 4 changes the computer system 1 to an energy-saving mode according to the energy-saving setting content 320 of the energy-saving program control code 310.例文帳に追加

同じく反応のない場合は、割込み信号を微処理チップ４に送信し、処理チップ４が省エネルギープログラム制御コード３１０の省エネルギー設定内容３２０に従って、コンピュータシステム１を省エネルギーのモードに変更させる。 - 特許庁

A method for processing the substrate includes the steps of setting the container 10 on a cooling stage 24, introducing a microwave via a cover 15, introducing a reaction gas from a gas valve 17, generating a plasma P therein, and plasma processing the substrate S.例文帳に追加

基板処理容器１０を冷却ステージ２４上にセットし、蓋体１５を介してマイクロ波を導入すると共にガスバルブ１７から反応ガスを導入し、内部でプラズマＰを発生させて基板Ｓに対してプラズマ処理を行う。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus provided with a gas feed means which feeds gas in pulses into a reaction chamber, where the processing speed and shape of a sample can be set uniform through all its surface, even if an ultrasonic free flow is not established.例文帳に追加

反応室にパルス的にガスを供給する手段を備えたプラズマ処理装置において、超音速自由流が成立しない場合においても試料の処理速度および形状の試料面内での均一化を図る。 - 特許庁

Relative movements with reaction solution with the vertical rocking of the object itself of the film-forming processing and the equation of the composition of reaction solution which is stirred by the vertical operation of the stirring means acts synergistically as the lateral frame spirally operate, and thus a film having uniform characteristic and thickness is formed.例文帳に追加

成膜処理対象物自身の上下の揺動に伴う反応溶液との相対運動と、横枠を兼ねた攪拌手段の上下動で攪拌される反応溶液の組成の均一化とが相乗的に作用し、均一な特性と厚みの成膜が形成される。 - 特許庁

To provide a vacuum treating apparatus for diffusing reaction gas across the whole surface of a substrate to be treated with uniform distribution by easily and quickly adjusting and controlling the feeding of reaction gas at the changing of the dimensions or processing condition of the substrate to be treated.例文帳に追加

被処理基板の寸法や処理条件などの変更に際しても反応ガスの供給を容易、且つ迅速に調節制御して、被処理基板の表面全体にわたり反応ガスを均等な分布で分散させることのできる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

In the reaction force processing apparatus 1, a working point is different in height between the counter thrust forces R_1 and R_2 in the platen 11, and the control section 31 controls the counter thrust forces R_1, R_2 so that the reaction forces F_1, F_2 can be canceled as a resultant force or a resultant moment.例文帳に追加

この反力処理装置１では、定盤１１におけるカウンタ推力Ｒ_１，Ｒ_２の作用点高さが互いに異なっており、制御部３１が反力Ｆ_１，Ｆ_２を合力及び合モーメントとして相殺するように、カウンタ推力Ｒ_１，Ｒ_２を制御する。 - 特許庁

The gas supply system 32 supplies the reaction gas to the nozzles 43, 44, and 45 at film forming, and supplies cleaning gas to the nozzle 43, 44, and 45 when are removed reaction products which accumulated on the inner walls of the nozzles 43, 44, and 45 due to the film formation processing.例文帳に追加

ガス供給系３２は、成膜処理を行う場合は、ノズル４３、４４，４５に反応ガスを供給し、成膜処理によってノズル４３、４４，４５の内壁に堆積した反応生成物を除去する場合は、ノズル４３、４４，４５にクリーニングガスを供給する。 - 特許庁

To provide an autonomic nerve activity monitoring device capable of predicting the generation of abnormal reaction (side reaction) accompanying the activity of autonomic nerves at the time of a medical action or the like for instance, and a blood processing apparatus and a blood collecting apparatus provided with the autonomic nerve activity monitoring device.例文帳に追加

例えば医療行為等に際して、自律神経の活動に伴う異常反応（副反応）の発生を予測し得る自律神経活動モニター装置、かかる自律神経活動モニター装置を有する血液処理装置および採血装置を提供すること。 - 特許庁

The processing gas supplying method comprises a first step for evaporating and sublimating a raw material comprising the organic compound, a second step for generating a first reaction for monomerizing the monomer to a multimer or a second reaction for polymerizing the monomer to the polymer by controlling the pressure or the temperature of the processing gas, and a third step for supplying the processing gas to the predetermined processing space.例文帳に追加

有機化合物よりなる原料を気化または昇華し、単量体と多量体を含む処理ガスを生成する第１の工程と、前記処理ガスの圧力または温度を制御することにより、前記多量体を単量体化させる第１の反応、または、前記単量体を多量体化させる第２の反応を生じさせる第２の工程と、当該処理ガスを所定の処理空間に供給する第３の工程と、を有することを特徴とする処理ガス供給方法。 - 特許庁

The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加

製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁

To provide a microdevice capable of reducing the thicknesses of respective fluids in a mixing reaction flow channel by the same technique as a special precise micro-processing technique without using the precise micro-processing technique, capable of achieving the shortening of a manufacturing period or the reduction of a manufacturing cost and capable of performing more rapid and uniform mixing or reaction than before.例文帳に追加

特殊な精密微細加工技術を必要とせずに混合反応流路での各流体の厚みを精密微細加工技術を使用したと同様に薄くでき、しかも製作期間の短縮や製作費用の低減を図ることができると共に、従来に増して迅速且つ均一な混合又は反応を行うことができる。 - 特許庁

In the case where reset processing that responds to a reset signal received via first communication means and command processing that responds to a command signal on a service request received via second communication means occur at the same time, UIM 13 executes reaction to a controller 11 and minimum preparation processing among the reset processing, executes command processing in accordance with the received command signal, and then executes preparation processing other than the minimum preparation processing.例文帳に追加

第一の通信手段を介して受信されたリセット信号に応じたリセット処理と、第二の通信手段を介して受信された、サービス要求に係るコマンド信号に応じたコマンド処理が同時に発生した場合に、ＵＩＭ１３は、上記リセット処理のうち、コントローラ１１に対するリアクション、及び必要最低限の準備処理を実行した後、上記受信されたコマンド信号に応じたコマンド処理を実行し、その後に必要最低限の準備処理以外の準備処理を実行するように構成した。 - 特許庁

An LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) device 1 is provided with: a processing chamber 11; and a reaction cooling means 25 which is arranged outside the processing chamber 11, produces hydrogen fluoride gas by reacting hydrogen gas with fluorine gas, and cools the hydrogen fluoride gas.例文帳に追加

ＬＰＣＶＤ装置１において、処理チャンバー１１を設け、処理チャンバー１１の外部に配置され、水素ガスとフッ素ガスとを反応させてフッ化水素ガスを生成すると共に、このフッ化水素ガスを冷却する反応冷却手段２５を設ける。 - 特許庁

With introduction of this carrier gas, a reaction capability of the deposited substance and plasma within the processing chamber 1 can be enhanced, the gas stays in the processing chamber 1 within a shorter period of time, i.e., it is quickly exhausted from the chamber, and thereby byproducts with plasma can be exhausted quickly.例文帳に追加

このキャリアガスを導入し流すことで、処理チャンバ１内の堆積物とプラズマの反応性を高めるとともに、処理チャンバ１内でガスの滞在時間が短くなりガス排出を速くし、プラズマとの反応生成物の排気を速くする。 - 特許庁

To provide a capillary array sheet holder which can be assembled easily and cleanable efficiently and surely, in a short time, capable of protecting a fine gel part exposed onto the surface so as not to be damaged during a reaction processing, a cleaning processing, detection, or the like.例文帳に追加

反応処理、洗浄処理、検出時等において、表面に露出した繊細なゲル部を損傷しないよう保護すると共に、組立てが容易で、短時間で効率よく確実な洗浄が可能なキャピラリー・アレイ・シートホルダを提供すること。 - 特許庁

Conventional structures of the ceiling portion of a plasma processing chamber are so reconsidered with respect to the places and portions in the processing chamber whereto reaction products are stuck especially easily and a plasma is concentrated easily as to provide a ceiling-board outer-periphery ring made of a resin-based raw material in the outer-periphery portion of the ceiling board.例文帳に追加

処理室内の特に反応生成物の付着しやすい場所及びプラズマの集中しやすい箇所に対し従来の天板部の構造を見直し天板の外周部に樹脂系素材からなる天板外周リングを設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor processing apparatus and a diagnostic method for the semiconductor processing apparatus capable of diagnosing a defect of reassembling of a process chamber after wet cleaning or a state of the process chamber such as deposition of reaction products and shaved components.例文帳に追加

ウエットクリーニング後の処理室再組み立ての不都合、あるいは反応生成物の堆積、部品の削れ等の処理室の状況を診断することのできる半導体処理装置及び半導体処理装置の診断方法を提供する。 - 特許庁

The calculation processing data is collated with a specified range of calculation processing data that has been obtained in advance concerning a specific fluorescent reaction in which specific microorganisms or viruses develop at excitation times, to detect microorganisms or viruses in the sample (S7-S11).例文帳に追加

演算処理データを、特定の微生物又はウイルスが励起時に発生する特定蛍光反応について予め求めた演算処理データの規定範囲と照合して、試料中における微生物又はウイルスを検出する（Ｓ７〜Ｓ１１）。 - 特許庁

In the processing method of low-level radioactive waste of organic polymer group, the low-level radioactive waste is decomposed to be gas and liquid, by processing with supercritical water reaction of ruthenium oxide (IV) catalysis method and nitrate oxidizing method.例文帳に追加

有機ポリマー系の低レベル放射性廃棄物を、酸化ルテニウム（IV）触媒法や硝酸塩酸化法の超臨界水反応処理を行うことにより、低レベル放射性廃棄物を分解気化・液状化させる低レベル放射性廃棄物の処理方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus, which is provided with a reaction chamber processing a substrate and an exhaust pump for exhausting the reaction chamber and in which the down time of the device is shortened, device managing cost is reduced, and the life time of the exhaust pump is improved.例文帳に追加

基板を処理する反応室と前記反応室内を排気する排気ポンプとを備えた半導体製造装置において、装置のダウンタイムの短縮と装置運営コストの低減と排気ポンプの寿命向上とを可能とする半導体製造装置を提供すること。 - 特許庁

Subsequently, the controller 100 controls the heater 16 to heat the inside of the reaction tube 2 to a predetermined temperature, and then controls the MFC control unit to supply ethylene into the heated reaction tube 2 from a processing gas introduction tube 17, so that amorphous carbon films are formed on the semiconductor wafers W.例文帳に追加

そして、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給することにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜を形成する。 - 特許庁

To provide a mixing and reacting device capable of continuously cleaning deposits deposited to the inside of a mixing and reacting pipe of the mixing and reacting device which mixes and reacts a plurality of raw material solutions without temporarily interrupting mix and reaction during processing of the mix and reaction, and to provide its method.例文帳に追加

複数の原料溶液を混合反応する混合反応装置の、混合反応管内部に付着した付着物の洗浄を、混合反応を一時中断することなく、混合反応のプロセス中に連続的に行うことができる混合反応装置と混合反応方法を提供する。 - 特許庁

The control part 100 controls the heating heater 16 to heat the inside of the reaction tube 2 to a predetermined temperature, and controls the MFC control part to supply ethylene into the heated reaction tube 2 from a processing gas introduction tube 17, whereby an amorphous carbon film is formed on the semiconductor wafer W.例文帳に追加

そして、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給することにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜を形成する。 - 特許庁

Data obtained by the quantitative PCR method are analyzed using this method characterized by including an arithmetic processing in which a fluorescence intensity value during the nucleic acid elongation reaction is corrected using a fluorescence intensity value when the thermal denaturation reaction is terminated.例文帳に追加

すなわち、定量的ＰＣＲ方法で得られるデーターを解析する際、核酸伸長反応時の蛍光強度値を、熱変性反応終了時の蛍光強度値を用いて補正する演算処理過程を有することを特徴とするデータ解析方法を用いて求めることができる。 - 特許庁

The method for processing the plant comprises forming a film of a liquid coating material containing a hydrolyzable organometallic compound and a reaction catalyst on the surface of the plant and carrying out hydrolysis and dehydration condensation of the organometallic compound in the presence of the reaction catalyst and water at ≤60°C to vitrify the film.例文帳に追加

植物の表面に、加水分解可能な有機金属化合物と、反応触媒とを含む液状のコーティング材の膜を形成し、前記有機金属化合物を、前記反応触媒および水の存在下でかつ６０℃以下の温度で、加水分解、脱水縮合させて、ガラス化させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shadow mask which is capable of preventing the occurrence of variations in the pattern dimensions of a resist film after development processing in consequence of the differences in the degrees of progression of the dark reaction and residual reaction in the resist film along the longitudinal direction of a long-sized metallic thin film which is a shadow mask blank.例文帳に追加

シャドウマスク素材である長尺の金属薄板の長手方向に沿ったレジスト膜中の暗反応及び残反応の進行度合いの差に起因して、現像処理後のレジスト膜のパターン寸法にばらつきが発生することを防止できるシャドウマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

Since reaction between the etching gas and the radical takes place on the surface of the substrate 15, and intermediate products of reaction between the etching gas and the radical react quickly on the etching object, the intermediate products are not discharged excessively from the processing chamber 12 and high etching efficiency is ensured.例文帳に追加

また、エッチングガスとラジカルとの反応は基板１５表面で起こるため、エッチングガスとラジカルとの反応により生成される中間生成物は速やかにエッチング対象物と反応するため、中間生成物が過剰に処理室１２から排気されることなく、エッチング効率が高い。 - 特許庁

To appropriately control the motion of a moving body in such a manner that a total floor reaction force actually acting on the moving body follows a target total floor reaction force without requiring processing which determines correction amounts from the target motion of a position and a posture of an end of each leg link.例文帳に追加

移動体に実際に作用する全床反力を目標全床反力に追従させるように該移動体の運動を制御することを、各脚リンクの先端部の位置や姿勢の目標運動からの修正量をそれぞれ決定する処理を必要とせずに適切に行う。 - 特許庁

Subsequently, the control unit 100 controls the temperature rising heater 16 to heat the interior of the reaction tube 2 housing the semiconductor wafer W to the film deposition temperature, before a thin film is formed on the semiconductor wafer W by supplying a film deposition gas into the reaction tube 2 from a processing gas introduction tube 17.例文帳に追加

次に、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して半導体ウエハＷを収容した反応管２内を成膜温度に加熱した後、処理ガス導入管１７から反応管２内に成膜用ガスを供給して半導体ウエハＷに薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a resist releasing apparatus using a pulse laser in which a resist is released at a practical processing speed in the atmosphere, a reaction gas excluding apparatus is not required since a reaction gas is not used and further, the resist is released without residue.例文帳に追加

本発明は、大気中で実用的な処理速度でレジスト剥離を行なうことが可能であり、また、反応ガスを用いるないために反応ガスの除害装置が不要であり、さらに、残渣の無いレジスト剥離を可能とするパルスレーザを用いたレジスト剥離装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a thermal decomposition reaction furnace capable of effective thermal decomposition for waste in a thermal decomposition reaction apparatus in a waste processing apparatus by detecting the states of partial decomposition and thermal decomposition along a rotation axis of the furnace and supplying a required amount of air required for partial combustion to a necessary location.例文帳に追加

廃棄物処理装置における熱分解反応器において、炉の回転軸方向に沿った部分燃焼及び熱分解の状態を検知して、部分燃焼に必要な空気を必要な場所に必要量供給し、廃棄物を効率よく熱分解できる熱分解反応炉を提供する。 - 特許庁

Under these processing conditions, the distance between the catalytic substance 3 and the substrate 10 is larger and a film-forming pressure is lower than the conventional film- forming conditions, increasing a mean free path of a reaction gas while suppressing the gas phase reaction thereof, resulting in the formation of an insulation film having prosper coverage.例文帳に追加

このようなプロセス条件下では、従来の成膜条件に比較して触媒体３と基板１０との距離が大きく、成膜圧力が低圧化されるため、反応ガスの平均自由行路が増加され、反応ガスの気相反応が抑制され、カバレッジのよい絶縁膜を形成できる。 - 特許庁

The inside of an interface station S3 located between a processing station S2, at which a development process is carried out and an exposure system S4 is cooled down to a temperature of 10 to 15°C at which a resolution reaction hardly proceeds, and a heating section 31 promoting a resolution reaction in resist is provided inside the interface station S3.例文帳に追加

現像処理等を行う処理ステ−ションＳ２と露光装置Ｓ４との間のインターフェイスステーションＳ３内をレジストの解像反応の進行を抑える程度の温度例えば１０〜１５℃程度に冷却すると共に、ここにレジストの解像反応を促進させる加熱部３１を設ける。 - 特許庁

The film-forming device has a rotary table 2 for placing a plurality of substrates W along a rotary direction, and a separation region D is provided between processing regions P1, P2 to separate the atmosphere of the first processing region P1 from that of the second processing region P2 to which each reaction gas is supplied.例文帳に追加

成膜装置は回転方向に沿って複数の基板Ｗを載置する回転テーブル２を備え、分離領域Ｄは各反応ガスが供給される第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２との雰囲気を分離するために、これらの処理領域Ｐ１、Ｐ２の間に設けられている。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes: a reaction chamber for generating plasma and applying plasma processing to an object to be processed; an extract section for extracting an emission amount from the plasma; and a control section for variably controlling one of groups of parameters used for controlling the plasma on the basis of the emission amount within a predetermined range of processing conditions to control the state of the plasma.例文帳に追加

プラズマを発生し、被処理物をプラズマ処理する反応チャンバと、前記プラズマからの発光量を抽出する抽出部と、予め定められた処理条件の範囲内で、前記発光量に基づいて前記プラズマ密度をするパラメータ群の一つを可変制御してプラズマ状態を制御する。 - 特許庁

The image data processing part 18 includes both an extraction processing part 18a for extracting the contours of reaction images of blood and a detection processing part 18b for determining whether points on a line segment connecting two points to each other on a contour are points inside a body constituting the contour and detecting an image not derived from the blood on the basis of determination results.例文帳に追加

画像データ処理部１８は、血液の反応像の輪郭を抽出する抽出処理部１８ａと、輪郭上の２点を結ぶ線分上の点が、輪郭を構成する塊の内部の点であるかどうかを判定し、判定結果に基づいて、血液に由来しない像を検知する検知処理部１８ｂとを備えている。 - 特許庁

In the photo interrupter diagnosis processing, it is determined whether or not a manipulation knob is moved and when the manipulation knob is moved, reaction force toward the center is applied to the manipulation knob.例文帳に追加

フォトインタラプタ診断処理では、操作ノブの移動があったか否かを判断し、操作ノブの移動があった場合、操作ノブの移動量に合わせ、操作ノブに中央へ向かう反力を付与する。 - 特許庁

The reaction rate of the process can be increased, since the process temperature can be made almost the same as that of the substrate surfaces, while preventing lowering of the dissolved concentration of ozone due to temperature rise of the processing liquid.例文帳に追加

処理液の温度上昇によるオゾンの溶存濃度の低下を防止しつつ処理温度を基板表面の温度とほぼ同じにできるので処理の反応速度を高められる。 - 特許庁

In a reaction tube 2 the internal pressure of which is reduced to a prescribed degree of vacuum, film formation is performed on the surfaces of wafers at a prescribed processing temperature by introducing an N2O gas and an SiH2Cl2 gas into the tube 2.例文帳に追加

所定の真空度に減圧された反応管２内において、Ｎ2ＯガスとＳｉＨ2Ｃｌ2ガスとを導入して所定のプロセス温度にてウエハ表面に成膜を行う。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for processing a substance such as semiconductor wafer, which can prevent deposition of a reaction by-product on a substrate transportation outlet and prevent partial contamination.例文帳に追加

基板搬入出口への反応副生成物の付着を防止し、パーティクル汚染等を防止できる半導体ウエハ等の基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an automatic analyzer whose processing capacity hardly drops even in the mixed presence of a plurality of analyses differing in reaction time.例文帳に追加

本発明は、上記の課題に鑑み、反応時間が異なる複数の分析が混在している場合でも、処理能力が低下しにくい自動分析装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The exposure of a wall surface rising from the surface of the base layer 34 is blocked on the MR film 41 during the etching processing, and the reaction of etching gas and the MR film 41 is surely evaded.例文帳に追加

エッチング処理中にＭＲ膜４１では基礎層３４の表面から立ち上がる壁面の露出は阻止され、エッチングガスとＭＲ膜４１との反応は確実に回避される。 - 特許庁

To surely end cleaning processing, when film etching which is conducted only through the reaction of an accumulated film with gas is ended.例文帳に追加

堆積膜とガスとの反応だけで行う膜エッチングが終了した時点で確実にクリーニング処理を終了させることができるＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

Uniform processing is possible by promoting the reaction of the chemical for the peripheral part of the substrate 12 in which the etching is easily insufficient to the center due to the temperature drop.例文帳に追加

温度低下により中央部に対してエッチング処理が不十分になりやすい基板12の周辺部に対して、薬液の反応を促進することにより、均一な処理が可能になる。 - 特許庁