「reaction processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, in order to promote silylating and improve processing efficiency, a quasi-catalyst surface acted as both of an activator making chemical species a high energy state or a high activate state and a scrubber removing the by- product of the possibility and reaction of catalyst breakage produced in silylating reaction is designed to be included.例文帳に追加

また、シリル化を促進し、処理効率を向上させるために、化学種を高エネルギー状態または活性の高い状態にする「活性化体」および、シリル化反応で発生する触媒破壊の可能性や反応性の副産物を除去する「スクラバ」の両方として作用する準触媒表面を含むよう設計される。 - 特許庁

The plasma processing device 1 includes: a processing chamber 3 structured to introduce a material gas and allow an A.C. voltage to be applied; and a shower plate 5 for partitioning the inside of the processing chamber into a gas introduction chamber 32 for introducing the material gas therein, and a reaction chamber 31 for arranging a substrate 10 therein, wherein a cooling device 50 is arranged in the gas introduction chamber.例文帳に追加

原料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成された処理室３と、処理室内を原料ガスが導入されるガス導入室３２と、基板１０が配置される反応室３１と、に区画するシャワープレート５と、を備えたプラズマ処理装置１において、ガス導入室内に、冷却装置５０が設けられている。 - 特許庁

To solve a matter that the electric energy being fed to plasma increases because a high voltage must be applied between the electrodes in order to generate and sustain uniform plasma between the electrodes at a second plasma processing step when a first plasma processing step and the second plasma processing step of higher discharge start voltage are performed in the same plasma reaction chamber.例文帳に追加

第１のプラズマ処理工程とその工程より放電開始電圧が高い第２のプラズマ処理工程を同一プラズマ反応室内において行う場合に、第２のプラズマ処理工程において均一なプラズマを電極間に発生および維持させるためには、電極間に高電圧を印加する必要があり、プラズマへの投入電力量が大きくなる。 - 特許庁

A plasma etching processing apparatus 1 comprises a nozzle head 10 for implementing an etching processing by spraying etching gas 4 to the surface of a silicon substrate 2 to be processed, and a cleaning head 20 for cleaning the silicon substrate 2 to remove residues such as ammonium silicofluoride and ammonium fluoride or the like formed by a reaction between a silicon compound produced by the etching processing and etching gas.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１は、被処理物であるシリコン基板２の表面にエッチングガス４を吹き付けてエッチング処理するノズルヘッド１０と、エッチング処理により生じたシリコン化合物とエッチングガスとが反応して形成されたケイフッ化アンモニウムやフッ化アンモニウム等の残渣物を除去するべくシリコン基板２を洗浄する洗浄ヘッド２０とを備える。 - 特許庁

Waste recording liquid discharged from a processing liquid delivery part 17 and waste processing liquid discharged from a recording liquid delivery part 16 are mixed immediately upon being contained in the housing 1 of a waste liquid container where neutralization reaction takes place to change the mixture liquid to the vicinity of neutral.例文帳に追加

処理液用吐出部１６から排出される記録液の廃液と記録液用吐出部１７から排出される処理液の廃液は、廃液収容体の筐体１に収容されると直ちに混合され、中和反応が起こり、混合液は中性付近に変化する。 - 特許庁

To facilitate the separation and connection of an electrode and a power supply by the cutting junction work of upper and lower chambers in a substrate-processing apparatus where the upper and lower chambers for demarcating a reaction chamber can be alienated, and the electrode for carrying out substrate processing is provided in the upper chamber.例文帳に追加

反応室を画成する上チャンバと下チャンバとが離反可能に設けられ、前記上チャンバに基板処理を行う為の電極が設けられた基板処理装置に於いて、上チャンバと下チャンバの離反接合作業で、電極と電源との切離し、接続を容易にする。 - 特許庁

The surface layer of the semiconductor substrate 1 exposed from the gate electrode 3a and the TEOS sidewall 5 is subjected to preprocessing based on a surface gas etching reaction in which processing of supplying a hydrofluoric acid gas and an ammonia gas and thermal processing are executed, thereby removing a natural oxidation film 6.例文帳に追加

ゲート電極３ａおよびＴＥＯＳサイドウォール５から露出された半導体基板１の表面層に対して、フッ酸ガスとアンモニアガスとを供給する処理とその後の熱処理とを行う表面ガスエッチング反応による前処理を行い、自然酸化膜６を除去する。 - 特許庁

To provide a substrate processing system capable of suppressing or preventing closure due to adhesion of a reaction byproduct in the inside of a piping gathering portion provided in one part of an exhaust system for exhausting an atmosphere in a processing chamber and having a plurality of exhaust pipings each coupled to a manifold.例文帳に追加

処理室内の雰囲気を排気する排気系の一部に設けられ、複数の排気配管がマニホールドにそれぞれ接続される配管集合部の内部で、反応生成物の付着による閉塞を抑制または防止することができる基板処理システムを提供する。 - 特許庁

To obtain a method of cleaning semiconductor processing equipment capable of treating a deposit comprising a high-permittivity oxide attaching inside a reaction vessel of the semiconductor processing equipment, and surely removing a boron compound secondarily generated by the treatment.例文帳に追加

半導体処理装置の反応容器内に付着した高誘電率酸化物からなる付着物をホウ素含有ハロゲン系ガスで処理し、この処理によって副次的に生成したホウ素化合物を比較的低温で確実に除去することができる半導体処理装置のクリーニング方法を得る。 - 特許庁

When the reaction time is detected to be a predetermined value or more, the predetermined range is enlarged and the recognition of the objects is carried out by making an image area corresponding to the enlarged predetermined range a processing object.例文帳に追加

反応時間が所定値以上であることを検出したならば、該所定範囲を拡大し、対象物の認識が、該拡大された所定範囲に対応する画像領域を処理対象として行われるようにする。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that prevents a substrate from metal contamination and also end-over-end location of an inner tube, and further prevents deposition of a reaction product, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

基板への金属汚染を抑制するとともに、インナチューブの転倒を抑制し、さらに、反応生成物の固着を防止することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a secondary battery or the like provided with a wound electrode body, which is capable of preventing or suppressing battery reaction variations depending on the position in the wound electrode body due to winding-stop processing.例文帳に追加

捲回型電極体を備える二次電池において、巻き留め処理に伴って捲回型電極体に場所による電池反応ムラが生じるのを防止又は抑制できる二次電池等を提供すること。 - 特許庁

By executing the multistage chemical reaction while the film N is heated and carried by the single heating drum 22, irregular processing caused by the transfer of the film N is prevented and the compact and simple device is constructed.例文帳に追加

このように、単一の加熱ドラム２２でフィルムＮを加熱搬送する間に、多段階の化学反応を行うことで、フィルムＮの受け渡しによる処理ムラがなくなり、また、小型でシンプルな装置を構築できる。 - 特許庁

Namely, each processing gas is introduced from a lower portion of a reaction chamber, and is adapted to rise vertically at a high speed and is prevented from passing through the position of the substrate supported below the boat before the mixing.例文帳に追加

すなわち、それぞれの処理用ガスが反応室の下方から導入され、高速で垂直方向に上昇してしまい、混合される以前にボートの下部に支持されている基板の位置を通過することを防止する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which can increase the rate of temperature increase of a wafer, by suppressing overshoot of a temperature detected by a thermocouple inside a reaction tube, relative to the target temperature during the increase of the wafer temperature.例文帳に追加

ウエハ昇温時における反応管内の熱電対による検出温度が目標温度に対してオーバーシュートするのを抑制し、ウエハの昇温速度を向上させることができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

With radiation of high frequency oxygen plasma, the surface of reaction product (4) is physically shocked and such reactive product can be removed easily with a post-processing (ashing and wet process with an organic solvent).例文帳に追加

この高周波を伴う酸素プラズマ照射により、反応生成物（４）の最表面が物理的な衝撃を受け、後処理（アッシング及び有機溶剤によるウエット処理）によって、容易に除去することができる。 - 特許庁

To provide an automatic analyzer optimally selectively using a method which distinguishes only a measurement item and a method which distinguishes not only the measurement item but also a reaction line, according to each processing process.例文帳に追加

測定項目だけを区別する方式と、測定項目だけでなく反応ラインも含めて区別する方式とを各処理過程に応じて最適に使い分けることができる自動分析装置を提供すること。 - 特許庁

In a step in which surface processing is conducted by irradiating a plasma jet 31 from a plasma jet gun 1 to quartz glass 24, light emitting portion 32 produced by a reaction of the plasma jet 31 with the quartz glass 24 is imaged with a CCD video camera 27.例文帳に追加

石英ガラス２４にプラズマジェットガン１からプラズマジェット３１を照射し、表面加工する工程において、プラズマジェット３１と石英ガラス２４との反応による発光部３２をＣＣＤビデオカメラ２７で撮像する。 - 特許庁

To provide an automatic analyzer capable of optimally selectively using a method distinguishing only a measurement item, and to provide a method which distinguishes not only the measurement item but also a reaction line, according to each processing process.例文帳に追加

測定項目だけを区別する方式と、測定項目だけでなく反応ラインも含めて区別する方式とを各処理過程に応じて最適に使い分けることができる自動分析装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing by an in-situ reaction of a simple processing a zirconium diboride-silicon carbide composite which has a fine structure, high density and high strength compared with a composite manufactured by a traditional method.例文帳に追加

簡単なプロセシングのその場反応により、伝統的方法で得られた複合体と比べて、微細な組織と高密度、高強度を有するホウ化ジルコニウム−炭化ケイ素複合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a water-soluble cutting liquid for silicon ingot slicing excellent in corrosion resistance relative to a metal part of a wire of a processing apparatus and capable of suppressing generation of hydrogen by a reaction of water with silicon although it contains water.例文帳に追加

水を含んでいるが、加工装置のワイヤーの金属部分に対する耐腐食性が良好かつ、水とシリコンとの反応による水素発生が抑制できる、シリコンインゴットスライス用水溶性切削液を提供する。 - 特許庁

The cover means is constituted by combining together a plate type shield portion which shields the weld zone from the gas chemical reaction by quartz and a cylindrical insert portion inserted into a gas intake opening in the processing chamber.例文帳に追加

カバー手段としては、例えば、石英によって、溶接部をガス化学反応から遮蔽する板状の遮蔽部と、処理室中へのガス導入開口に挿入する筒状の挿入部とを組合せて構成する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus and plasma treatment method for giving a uniform processing characteristics on a substrate plane, by offsetting the effect of the reaction products on the treatment characteristics in the plasma treatment of etching treatment, or the like.例文帳に追加

エッチング処理等のプラズマ処理における反応生成物の処理特性への影響を相殺して、基板面内において均一な処理特性の得られるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metallic material for a plastic working, which is capable of forming a lubrication film of a metallic soap on the metallic material by a chemical reaction on the metallic material, without performing a phosphate processing.例文帳に追加

リン酸塩処理を行なわず、金属材料上での化学反応によって金属石鹸の潤滑皮膜を金属材料上に形成することが可能な、塑性加工用金属材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus, with which costs are reduced by stable chemical reaction and polishing and the reduction of processing time and man-hours and cost are reduced by simplifying control.例文帳に追加

安定した化学反応と研磨加工、及び、処理時間、工数の削減による低コスト化、制御の簡易化による低コスト化を図る半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new silver salt exhibiting excellent processing performance composed of an inorganic silver salt and an organic amine and producing conductive silver readily through reaction to heat or light, and a process for forming conductive silver at a lower temperature.例文帳に追加

無機銀塩と有機アミンより成る、熱または光に反応することにより容易に導電性銀を生じる、加工性の良い新規な銀組成物と、さらに、より低温で導電性銀を形成するプロセスを提供する。 - 特許庁

In the film forming method, there is performed the film forming processing of a film forming recipe 1 wherein many sheets of wafers W are carried in a reaction container 2 by holding the wafers by a wafer boat 25, and e.g., Si_2 Cl_2 gas and NH_3 gas are used as film forming gases.例文帳に追加

多数枚のウエハＷをウエハボート２５に保持させて、反応容器２内に搬入し、例えばＳｉ_２Ｃｌ_２ガスとＮＨ_３ガスとを成膜ガスとして用いた成膜レシピ１の成膜処理を行う。 - 特許庁

This dry etching method is designed to cause a mass spectrometer to detect AlFx, which is a reaction product, one minute after the start of a dry etching process of an Al2O3 film, the processing of which comes after an SiO2 film has been completely dry-etched.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜がドライエッチングにより完全に堀り抜かれ、Ａ１_2Ｏ_3 膜のドライエッチングが開始されて１分が経過した後に、質量分析計において反応生成物であるＡ１Ｆｘが検出される。 - 特許庁

To provide a rare earth magnet having no risk to be decomposed due to hydrogen fragility when it is used in a hydrogen gas atmosphere and to contaminate a reaction vessel with a magnet surface processing film.例文帳に追加

水素ガス雰囲気中で使用される場合に、水素脆性により分解するおそれがなく、さらに磁石表面処理膜で反応槽を汚染するおそれのない希土類磁石を提供することを目的とする。 - 特許庁

The improved manufacturing process for the stabilized polyalkenylsulfonic acid stabilizes a product resulting from the reaction between a polyalkene and a sulfur trioxide by neutralizing with a neutralizing agent prior to storage or further processing.例文帳に追加

安定化ポリアルケニルスルホン酸の改良された製造方法であって、ポリアルケンと三酸化硫黄との反応から得られた生成物を、保存または更なる処理前に中和剤で中和することにより安定化する方法。 - 特許庁

To inhibit the heat generation in a regulator of a user interface part, to elongate a time from the electric power failure to the reset of a CPU by quickening the reaction in detecting the electric power failure, and surely performing the necessary processing in the electric power failure.例文帳に追加

ユーザインターフェイス部のレギュレータ発熱を抑えるとともに、停電検知の反応を素早くして停電からＣＰＵリセットまでの時間を長くし、停電時における必要な処理を確実に行えるようにする。 - 特許庁

To provide an automatic analyzer, capable of using differently a system for discriminating only measuring items and a system for discriminating not only measuring items but also reaction lines together, in the optimally suitable way, corresponding to each processing step.例文帳に追加

測定項目だけを区別する方式と、測定項目だけでなく反応ラインも含めて区別する方式とを各処理過程に応じて最適に使い分けることができる自動分析装置を提供する。 - 特許庁

By partially removing a polymer film deposited on the inner wall of a reaction chamber, using oxygen plasma after processing of a fixed lot, maintenance cycle can be prolonged and as a result, the manufacturing cost of a semiconductor device can be lowered.例文帳に追加

一定のロットを処理した後、酸素プラズマを用いて反応室内壁に堆積したポリマー膜を一部除去することによりメンテナンスサイクルを長くし、これによって半導体装置の製造コストを下げる。 - 特許庁

A processing apparatus for the ion exchange resin to be used for reactor water purification at a nuclear power plant, includes a reaction vessel which accumulates a mixture of the ion exchange resin and water as ion exchange resin slurry and heats the ion exchange resin slurry at a processing temperature of 100°C or more and under a processing pressure equal to or higher than a saturated steam pressure.例文帳に追加

本発明では、原子力発電所の炉水浄化に用いられるイオン交換樹脂の処理装置において、イオン交換樹脂と水の混合物をイオン交換樹脂スラリーとして貯留し、このイオン交換樹脂スラリーを１００℃以上の処理温度で且つ水の飽和水蒸気圧以上の処理圧力の下で加熱可能に構成される反応容器を備えるようにした。 - 特許庁

Regarding the method where a glass substrate is dipped into a chemical processing liquid, and the whole or a part of the surface in the glass substrate is processed, the chemical processing liquid comprises an anionic surfactant or an aminic amphoteric surfactant preventing the resticking of reaction products such as fluorides to the surface of the glass substrate, and grinding is performed at a processing speed of ≤10 μm/min.例文帳に追加

ガラス基板を化学加工液に浸漬してガラス基板表面の全部または一部を加工する方法であって、化学加工液がフッ化物等の反応生成物がガラス基板表面に再付着することを防止する陰イオン系界面活性剤またはアミン系両性界面活性剤を含有し、１０μｍ／分以下の加工速度で研磨加工する方法である。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing device includes a load lock chamber 40 having a lid 31 and a body 32 into which a substrate to be processed is carried, a reaction chamber 40 to which the substrate is carried from the load lock chamber 30 for processing the substrate, and a buffer chamber 1 for connecting the load lock chamber 30 with the reaction chamber 40 permitting the substrate being carried to pass through inside.例文帳に追加

本発明に係る半導体製造装置は、被処理基板が搬入され、蓋３１と本体３２とを有するロードロック室４０と、ロードロック室３０から被処理基板が搬送され、該被処理基板に処理を行う反応室４０と、ロードロック室３０と反応室４０を繋ぎ、搬送中の被処理基板が内部を通るバッファー室１とを具備する。 - 特許庁

The recording data preparation section 66 converts image data that is color converted by the color conversion section 62 and binarized by the image processing section 64 to a data structure which the image recording section 68 can decode and outputs to the image recording section 68, prepares a reaction liquid data that discharges a reaction liquid to prevent an ink from bleeding and outputs to the image recording section 68.例文帳に追加

記録データ作成部６６は、色変換部６２で色変換され、画像処理部６４で２値化された画像データを画像記録部６８が解読可能なデータ構造に変換して画像記録部６８へ出力すると共に、インクの滲みを防ぐための反応液を吐出する反応液データを作成して画像記録部６８へ出力する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing system equipped with means for enhancing safety furthermore by preventing vacuum processing gas from leaking out to the outside of the system upon occurrence of leakage and for lessening damage on the system by suppressing unintended abnormal reaction caused by air intruding through a leaked part.例文帳に追加

リークが発生した場合に、真空処理ガスの装置外部への漏出を防止し、更なる安全性の向上を図るとともに、リーク箇所から侵入する大気に起因する、意図しない異常反応を抑制して、装置損傷の軽減をも図ることを可能とする手段を具えた真空処理装置の提供。 - 特許庁

To provide a enzymolysis process for effective utilization of eel processing residue by applying enzyme reaction to backbones and meat adhered thereon, heads, bowels and the like of eel processing residue, so as to prepare bone, oil, oil-soluble component, and water-soluble peptide and amino acid, and recovering each separately.例文帳に追加

鰻の加工残さいを構成する中骨とそれに付着する肉、頭や内臓などに対して酵素反応を利用して、骨、油と油溶解成分、水溶性のペプチドやアミノ酸を作製し、それぞれを分離回収することにより、加工残さいを有効利用するための酵素分解プロセスを提供する。 - 特許庁

Metal impurity at the surface area of the substrate is removed by supplying a substrate processing liquid formed of alkali solution of 10 weight% or more including CyDTA (trans-1, 2-diaminocyclohexane 4 acetic acid) reaction of metal impurity dispersed into the substrate processing solution and CyDTA.例文帳に追加

ＣｙＤＴＡ（トランス−１,２−ジアミノシクロヘキサン４酢酸）を含む１０重量％以上のアルカリ溶液からなる基板処理液を基板に供給してこの基板の表面部にある金属不純物を除去し、基板処理液中に分散した金属不純物とＣｙＤＴＡとを反応させる構成とする。 - 特許庁

To provide a baking method capable of easily collectively baking a plurality of quartz products in removing metal contained in each of the quartz products by baking the quartz products as constituents of a heat processing apparatus for carrying semiconductor substrates into a reaction chamber to execute heat processing.例文帳に追加

半導体基板を反応容器内に搬入して熱処理する熱処理装置の構成部品である石英製品をベーク用の容器内にてベークし、石英製品に含まれる金属を除去するにあたって、複数の石英製品を容易に一括してベークすることができるベーク方法を提供すること。 - 特許庁

To simply suppress a chemical reaction with a metal which is a processing object and to maintain a front surface of the metal pure by using peculiar water, when a cleaning for dissolving a chemical residue on the front surface of the metal into water and for removing the chemical residue is performed, or when a treatment such as a subsequent storage or the like is performed, in a metallic processing method.例文帳に追加

金属の処理方法に関し、金属表面に於ける薬品残渣を水に溶解させて除去する為の洗浄、或いは、その後の保管などの処理を行なう場合、独特の水を用いることで、処理対象である金属との化学反応を簡単に抑止し、金属表面を清浄に維持しようとする。 - 特許庁

In this steering assist control, in order to compensate the operation delay of the steering assist device 40, the steering assist device 40 is controlled with a control variable obtained by performing inertial compensation processing and phase compensation processing of a reaction reduction value corresponding to the active steering to eliminate the delay of steering assist to the active steering.例文帳に追加

この操舵アシスト制御においては、操舵アシスト装置４０の作動遅れを補償するために、アクティブ操舵に対応した反力低減値を慣性補償処理および位相補償処理した制御量により操舵アシスト装置４０を制御して、アクティブ操舵に対する操舵アシストの遅れをなくす。 - 特許庁

In executing the software control processing, a control system corresponding to the combination of a portion on which the thermal error is generated and the sort of the application in operating is acquired from a reaction table 118 and the software is controlled by the acquired control system.例文帳に追加

ソフトウェア制御処理を行うのにあたっては、サーマルエラーが発生した部位、および動作中のアプリケーションの種別の組合せに応じた制御方式をリアクションテーブル１１８から取得して、取得した制御方式で制御する。 - 特許庁

To obtain the subject composition capable of preventing the occurrence of defective molded products caused by a reaction of a decomposition product of a bromine-based flame retardant with iron oxide sticking to an apparatus for molding and processing by including a thermoplastic resin, a flame retardant satisfying specific standards and a specified epoxy compound in specific amounts.例文帳に追加

含臭素難燃剤を含む難燃性熱可塑性樹脂組成物を成形する際に成形装置に発生した酸化鉄と接触し、臭化鉄が生成することに起因する不良成形品の発生を防止する。 - 特許庁