「resolution pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a positive radiation sensitive composition having such resolution as to enable sub-quarter micron patterning and also having high sensitivity and to provide a method for producing a resist pattern using the composition.例文帳に追加

サブクォーターミクロンのパターン加工が可能な解像度を持ち、高感度なポジ型感放射線性組成物を得る。 - 特許庁

To enhance resolution (dissolution contrast) in a resist film and to obtain a fine pattern having a good shape.例文帳に追加

レジスト膜における解像度（溶解コントラスト）を向上して、良好な形状を持つ微細パターンを得られるようにする。 - 特許庁

To provide a compound capable of producing a resist pattern having an excellent resolution, and a resist composition containing the compound.例文帳に追加

優れた解像度のレジストパターンを製造することができる化合物および該化合物を含むレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition excellent in sensitivity, resolution, dependency on pattern density distribution and surface smoothness.例文帳に追加

感度、解像度、パターン疎密度への依存性、表面平滑性に優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To enable the formation of a pattern having a bad profile to be prevented by further enhancing resolution resulting from liquid immersion lithography.例文帳に追加

液浸リソグラフィによる解像度をより向上させることにより、パターンの形状不良を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a resist composition that forms a pattern having good resolution, line width roughness, and line edge roughness.例文帳に追加

優れた解像度、ラインウィドゥスラフネス又はラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide conductive paste for producing a high-resolution printing pattern while imparting good conductivity.例文帳に追加

高解像度の印刷パターンが得られ、かつ良好な導電性を付与できる導電ペーストを提供することを目的とする。 - 特許庁

The slit 3 is composed of a line-and-space pattern P having a pitch smaller than the resolution limit of the reducing stepper.例文帳に追加

スリット３を、縮小投影露光装置の解像限界以下のピッチを有するラインアンドスペースパターンＰにより構成する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition excellent in sensitivity, resolution, pattern shape, etc., and ensuring small line edge roughness.例文帳に追加

感度、解像度、パターン形状等に優れ、かつラインエッジラフネスの小さい感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resin for a photoresist composition capable of forming a pattern having satisfactory resolution and exposure margin.例文帳に追加

優れた解像度及び露光マージンを有するパターンを形成することができるフォトレジスト組成物用の樹脂を提供する。 - 特許庁

To form a pattern including an aperiodic part finer than the resolution limit of a UV exposure apparatus efficiently.例文帳に追加

紫外光露光装置の解像限界よりも微細な非周期的な部分を含むパターンを効率的に形成する。 - 特許庁

To provide a resist composition that allows formation of a pattern having excellent resolution and a mask error factor (MEF).例文帳に追加

優れた解像度及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を有するパターンを形成することができるレジスト組成物等を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive polyimide precursor resin composition having high sensitivity and high resolution, a method for producing pattern using the composition, and electronic parts.例文帳に追加

高感度及び高解像度を示す感光性ポリイミド前駆体樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品。 - 特許庁

Then the magnification of a lens system 160 is adjusted to the irreducible visual field and a final image of the pattern is picked up with high resolution.例文帳に追加

次に、レンズシステム１６０の倍率を、この最低視界にあわせ、高解像度のパターンの最終画像が取込まれる。 - 特許庁

To obtain a photosensitive resin composition having high sensitivity and capable of forming a pattern having high resolution and a high aspect ratio.例文帳に追加

高解像性、高アスペクト比のパターンを形成でき、かつ高感度な感光性樹脂組成物を得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide an exposure device for exposing a circuit pattern while exposing an identification mark having a high resolution.例文帳に追加

分解能の高い識別記号を露光しながら回路パターンを感光させることができる露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new organic compound capable of being used as a resist material capable of producing a pattern having a high sensitivity and high resolution.例文帳に追加

高感度・高解像度パターンを作製可能なレジスト材料に使用できる新規有機化合物を提供する。 - 特許庁

A control circuit 17 controls the excitation pattern of a stepping motor 16 in coping with the selected read resolution.例文帳に追加

そして、選択された読み取り解像度に対応して制御回路１７がステッピングモータ１６の励磁パターンを規定する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an X-ray mask, which can improve resolution of the pattern of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のパターンの解像度を向上させることが可能なＸ線マスクの製造方法等を提供する。 - 特許庁

To expose a pattern in uniform resolution while supporting a work to be treated by front/rear double-sided processing so that it may not be damaged.例文帳に追加

表裏両面加工に付されるワークを傷が付かないように支持しつつパターンを均一解像度で露光する。 - 特許庁

SYSTEM FOR EXPOSURE OF SUBSTRATE WITH SEVERAL INDIVIDUALLY SHAPED PARTICLE BEAMS FOR HIGH RESOLUTION LITHOGRAPHY OF STRUCTURED PATTERN例文帳に追加

構造パターンの高解像度リソグラフィのための、複数の個々に成形された粒子ビームによって基板を照射する装置 - 特許庁

To provide a negative type resist composition having high sensitivity, excellent also in resolution and capable of forming a fine pattern.例文帳に追加

高感度で解像性にも優れた微細パターンを形成することができるネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To suppress degradation in pattern resolution caused by an exposure light component incident not perpendicular to a photomask face.例文帳に追加

フォトマスク面に非垂直入射する露光光成分などに起因して生じるパターン解像度の低下を抑制すること。 - 特許庁

The image composition part synthesizes the images while aligning a pattern with a plurality of the low-resolution images on the basis of the displacement.例文帳に追加

画像合成部は、位置ズレに基づいて複数の低解像度画像に対し絵柄の位置合わせを行って合成する。 - 特許庁

To transfer a crowded pattern having periodicity in two obliquely intersected directions with deep depth of focus and high resolution.例文帳に追加

斜めに交差する２つの方向に周期性を持つ密集パターンを深い焦点深度でかつ高解像度に転写する。 - 特許庁

To form a pattern with resolution exceeding that of a conventional exposure apparatus, in a method for forming fine pattern of a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子の微細パターンを形成する方法であって、現状露光設備における解像度能力を上回って、より微細なパターンの形成が可能となるようにする。 - 特許庁

To provide a chemically amplified photoresist composition which has superior resolution and line edge roughness and allows formation of a pattern free from pattern collapse.例文帳に追加

優れた解像度及びラインエッジラフネスを有し、かつパターン倒れが発生しないパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of exposure and an aligner, in which arbitrary high-resolution patterns are produced by double exposure which is obtained with periodic pattern exposure and ordinary pattern exposure.例文帳に追加

周期パターンの露光と通常のパターン露光の２重露光によって任意形状の高解像度のパターンが得られる露光方法及び露光装置を得ること。 - 特許庁

To obtain a method of exposure and an aligner by which a high- resolution pattern can be formed in an arbitrary shape by double exposure consisting of exposure of periodic patterns and normal pattern exposure.例文帳に追加

周期パターンの露光と通常のパターン露光の２重露光によって任意形状の高解像度のパターンが得られる露光方法及び露光装置を得ること。 - 特許庁

To provide a material for forming a pattern achieving high light shielding property and high resolution in a simplified process, and to provide a film element and a pattern forming method using the material.例文帳に追加

工程を簡略化し、高遮光性かつ高解像度であるパターン形成用材料、並びにそれを用いたフィルム状エレメント及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The image of the resolution-measuring pattern 90 is detected, based on a position of the pattern position specifying marker 92 detected in step S14 (step S16).例文帳に追加

その次に、上記ステップＳ１４において検出されたパターン位置特定用マーカ９２の位置に基づいて、解像度測定用パターン９０の画像が検出される（ステップＳ１６）。 - 特許庁

To provide a positive resist composition using a low-molecular-weight resin as a base resin and capable of forming a high-resolution resist pattern, and to provide a method of forming a resist pattern.例文帳に追加

ベース樹脂として低分子量の樹脂を用いて高解像性のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having excellent surface smoothness, high resolution to form a fine pattern, and a superior recovery rate and giving a pattern such as a photospacer.例文帳に追加

表面平滑性に優れ、微細なパターンまで解像可能で、更に、回復率に優れ、フォトスペーサーのようなパターンを形成しうる感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To form a dense hole pattern having a hole pitch of not more than a resolution limit and an isolated hole pattern while preventing the lowering of throughput and the deterioration of dimensional accuracy.例文帳に追加

スループットの低下や寸法精度の劣化を防止しつつ、解像限界以下のホールピッチを有する密集ホールパターンを孤立ホールパターンと共に形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin-film pattern having a fine pattern width with high accuracy without depending on the resolution limit of an aligner.例文帳に追加

露光装置の解像限界に依存せずに、微小なパターン幅を有する薄膜パターンを高精度に形成することが可能な薄膜パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer capable of forming a resist pattern having a high resolution and exhibiting excellent etching resistance, a positive resist composition and a resist pattern-forming method.例文帳に追加

高解像性で、しかもエッチング耐性にも優れたレジストパターンを形成できる重合体、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To form a high resolution pattern by preventing multiple exposures against the pattern by directing the light beam transmitted through a glass substrate to the direction away from the substrate without rereflection.例文帳に追加

ガラス基板を透過した光線を再反射せずに基板から遠ざかる方向に向け、パターンに対する多重露光を防ぎ、高い解像度のパターンを形成すること。 - 特許庁

To provide a salt which acts as an acid generator for a chemical amplification-type resist composition capable of forming a pattern having a good pattern shape and exhibiting a high resolution.例文帳に追加

良好なパターン形状を有するパターンを形成することができ、高い解像度を示す化学増幅型レジスト組成物を与える酸発生剤となる塩を提供する。 - 特許庁

Accordingly, without having to change the line width of the stripe part S1 of each light-shielding pattern, energy quantity contributing resist resolution in each light-shielding pattern can be balanced.例文帳に追加

これにより、各遮光パターンのストライプ部Ｓ１の線幅を変えることなく、各遮光パターンにおけるレジスト解像に寄与するエネルギー量をバランスさせることができる。 - 特許庁

If a second pattern (110) is formed by using an SOG film, a hard mask pattern (111) having a pitch of 30 nm can be formed by using ASML1400 ArF DRY equipment that has, for example, a resolution ability of 60 nm.例文帳に追加

SOG膜による第２パターン(110)を形成すれば、例えば、60nmの解像能力を有するASML1400 ArF DRY装備を用いて30nmのピッチを有するハードマスクパターン(111)を形成できる。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition which is a resist excellent in sensitivity and resolution, ensuring small line edge roughness of a pattern, and capable of well maintaining the pattern shape.例文帳に追加

感度、解像度に優れ、パターンのラインエッジラフネスが小さく、更にはパターン形状を良好に維持することが可能なレジストである感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a salt for use as an acid generating agent to give a chemical amplification type resist composition that can make up a pattern having a good pattern form and shows a high resolution.例文帳に追加

良好なパターン形状を有するパターンを形成することができ、高い解像度を示す化学増幅型レジスト組成物を与える酸発生剤となる塩を提供する。 - 特許庁

A correction data memory 17 stores only correction data with respect to a maximum magnification rate corresponding to the resolution of a received image and the resolution of a recording section 14 by each oblique line pattern.例文帳に追加

補正データメモリ１７には受信画像の解像度と記録部１４の解像度に対応して最大の変倍率に対応する補正データのみが各斜め線パターン毎に記憶されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including an embedded multilayer wiring structure wherein the occurrence of bad resolution of a resist pattern is suppressed, and the occurrence of bad wiring caused by the bad resolution is reduced.例文帳に追加

レジストパターンの解像不良の発生を抑制し、解像不良に起因す不良配線の発生を低減した埋め込み多層配線構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The image processing apparatus uses at least part of a document image for a processing object, applies low resolution processing to the processing object image, generates a pattern image on the basis of the low resolution image obtained by the low resolution processing, and composes the pattern image with the document image to generate a composite document image.例文帳に追加

ドキュメント画像の少なくとも一部の画像部分を処理対象として、当該処理対象画像部分を低解像度処理し、この低解像度処理により得られた低解像度画像に基づいてパターン画像を生成し、当該パターン画像をドキュメント画像に合成して、合成ドキュメント画像を生成する画像処理装置である。 - 特許庁