「resolution pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a positive photoresist composition having high heat resistance and dissolving property and capable of forming a pattern with excellent resolution and perpendicularity, and to provide a method for forming a resist pattern.例文帳に追加

耐熱性、溶解性が高く、且つ解像性、垂直性に優れるパターンを形成することができるポジ型フォトレジスト組成物、及びレジストパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide for forming a fine pattern of a semiconductor device utilizing a double patterning process, which achieves a contact hole pattern of a fine pitch exceeding the resolution limit in a photolithography process.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程での解像限界を超える微細ピッチのコンタクトホールパターンを実現可能な、ダブルパターニング工程を利用する半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in sensitivity, resolution, and moreover, a pattern profile and line edge roughness relating to pattern formation by irradiation of X-rays, electron beams or ion beams.例文帳に追加

Ｘ線、電子線又はイオンビームの照射によるパターン形成に関して、感度、解像力に優れ、更にはパターン形状、ラインエッジラフネスにも優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist composition suitable for exposure with light having a wavelength shorter than 200 nm and forming a high resolution resist pattern, and also to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

２００ｎｍより短波長の光による露光に好適で高解像度のレジストパターンを形成することができるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To highly accurately measure a pattern dimension of a photomask upon measuring a dimension with the use of a microscope even when the objective pattern for measurement or adjacent patterns cause insufficient resolution.例文帳に追加

顕微鏡を用いた寸法測定において、測定対象パターンや隣接するパターンにて解像度不足が生じる場合にあっても、フォトマスクのパターン寸法を精度良く測定する。 - 特許庁

High pattern precision is therefore secured, by suppressing the decreases in resolution and depth of focus of the pattern due to flexure of the wafer center portion due to the weight of the product semiconductor wafer.例文帳に追加

よって、製品半導体ウェーハの自重を原因としたウェーハ中心部のたわみによるパターンの解像度や焦点深度の低下を抑制でき、高いパターン精度を確保できる。 - 特許庁

To provide a photosensitive electrically conductive paste capable of easily forming an electric conductor pattern excellent in both electric conductivity and high-definition pattern forming property (resolution) without passing through a complex step.例文帳に追加

導電性と高精細パターン形成性（解像性）が共に優れる導電体パターンを複雑な工程を経ることなく容易に形成し得る感光性導電ペーストを提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element, capable of forming a gate pattern by using a hard mask pattern having a pitch not more than a resolution of an exposure apparatus.例文帳に追加

本発明は、露光装備の解像力以下のピッチを有するハードマスクパターンを用いてゲートパターンを形成することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive element which reduces the trailing amount of a resist pattern while having excellent resolution, and can form a resist pattern having a good shape of a lateral face thereof.例文帳に追加

優れた解像度を有しつつ、レジストパターンの裾引き量を低減し、且つ、レジストパターン側面の形状が良好なレジストパターンを形成することが可能な感光性エレメントを提供すること。 - 特許庁

To provide a relief pattern forming method capable of obtaining a pattern excellent in adhesion to a substrate, excellent in heat resistance, mechanical properties and thermal dimensional stability, and excellent also in resolution and sensitivity.例文帳に追加

基材との密着性に優れ、耐熱性、機械特性及び熱寸法安定性に優れ、かつ解像度、感度に優れたパターンが得られるレリーフパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

An image identifying device is provided with a roughly visualizing part 106 for identification for applying spatial filtering with different spatial resolution to image data and a face identifying part 102 for identifying a face pattern for each spatial resolution.例文帳に追加

画像データに空間解像度の異なる空間フィルタを施す識別用粗視化部１０６を備え、各空間解像度には顔パターンを識別する顔識別部１０２が設けられている。 - 特許庁

To provide a regeneration method of an elimination plate for reverse offset printing forming an image pattern having a low resolution part and a high resolution part mixed therein, and an elimination plate for the reverse offset printing.例文帳に追加

低解像度部と高解像度部が混在した画像パターンを形成することが可能な反転オフセット印刷用除去版の再生方法および反転オフセット印刷用除去版を提供する。 - 特許庁

The photomask 10 includes a long main pattern 11 having a dimension equal to or more than the resolution limit of exposure optical conditions and long shaped auxiliary patterns 12a, 12b having a dimension less than the resolution limit of the exposure conditions, extended parallel to the main pattern 11.例文帳に追加

フォトマスク１０は、露光光学条件の解像限界以上の寸法を有する長尺状の主パターン１１と、主パターン１１と平行に延在し、露光光学条件の解像限界未満の寸法を有する長尺状の補助パターン１２ａ，１２ｂとを有する。 - 特許庁

For generating hierarchization data, in a cell 22 which is fully laid in a space, for each resolution level, in a periodic lattice pattern, a node 24 the resolution and the spatial position of which match the resolution level and the spatial position of the cell within a predetermined range, respectively is stored.例文帳に追加

本発明は、階層化データを生成する際、解像度レベルごとに空間に周期格子状に敷き詰められたセル２２に、解像度および空間位置がこのセルの解像度レベルおよび空間位置とそれぞれ所定の範囲内で一致するノード２４を格納する。 - 特許庁

To provide a colored photosensitive resin composition having non- tackiness of a coating film, excellent in developability, resolution, pattern adhesion, development margin, curability and accuracy of pattern dimensions and suitable for ink for a color filter capable of forming a good pattern.例文帳に追加

塗膜のタックフリー性を備え、現像性、解像度やパターン密着性、現像マージン、硬化性、パターン寸法精度に優れ、良好なパターン形成が可能なカラーフィルター用インキに適した着色感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Since the silicon oxynitride film pattern 16 widening a lower part can be formed on a forward taper shape, the wiring layer pattern 17 can be formed at a very narrow interval even when the interval does not form the resist pattern exceeding the resolution limit.例文帳に追加

順テーパー形状に下部が広がったシリコン酸窒化膜パターン１６を形成できるので、間隔が解像限界を超えるレジストパターンを形成しなくても非常に狭いパターン間隔で配線層パターン１７の形成ができる。 - 特許庁

To provide a pattern forming technique capable of preventing a rectangular minute pattern having a size approximate to the limit resolution from easily becoming round, and forming minute pattern matching a target shape without causing shape collapse.例文帳に追加

本発明は、限界解像度に近いサイズの矩形状の微細パターンであっても円形になり難く、目的の形状に合致した微細パターンを型くずれすることなく形成できるパターン形成技術の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming material capable of giving a high resolution resist pattern adaptable to a fine pattern which is required when a semiconductor device is manufactured by a via first dual damascene method and producing no resist residue.例文帳に追加

ビアファーストのデュアルダマシン法により半導体デバイスを製造する場合に要求される微細パターンに対応可能な高解像性のレジストパターンを与えることができ、しかもレジスト残りを生じないレジストパターン形成材料を提供する。 - 特許庁

To provide an alkali developing solution giving a stable pattern shape because of a long allowed time of development time, capable of forming a resist pattern with little residue on development, a good pattern shape and good resolution and having high developing capacity in a colored pattern forming step using a photosensitive composition.例文帳に追加

感光性組成物を用いた着色パターン形成工程において、現像処理時間の許容時間が長く安定したパターン形状が得られ、現像残りが少なく、パターン形状、解像度が良好なレジストパターンを得ることができ、現像処理能が大きい現像液を提供すること。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition having a low refractive index and also less development residue and allowing formation with high resolution of a pattern excellent in dry etching resistance, a pattern forming material, and a photosensitive film, a pattern formation method, a pattern film, a low refractive index film, an optical device and a solid imaging element using the same.例文帳に追加

屈折率が低く、更には、現像残渣が少なく、ドライエッチング耐性に優れたパターンを高解像度で形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive component for giving a cured relief pattern having a high resolution on copper or a copper alloy as a coat film useful for producing an electric/electronic material, a pattern forming method using the photosensitive resin component, and a semiconductor device having a pattern of polyimide formed by the pattern forming method.例文帳に追加

電気・電子材料の製造に有用な塗膜として、銅又は銅合金上で高い解像度の硬化レリーフパターンを与える感光性樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、及び該パターン形成方法により形成されたポリイミドのパターンを有する半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in sensitivity and resolution and satisfying even a rectangular pattern shape and good edge roughness.例文帳に追加

感度と解像性に優れ、更には矩形なパターン形状、良好なエッジラフネスの特性をも満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To suppress deterioration of resolution by erroneous correction by suppressing defect correction at an edge of an image pattern.例文帳に追加

画像パターンのエッジではキズ補正を抑制することで誤補正による解像度低下を抑制することを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

To provide a resist composition having good resolution of a pattern obtained therefrom, and to provide a salt and an acid generator for obtaining the composition.例文帳に追加

得られるパターンの解像度が良好なレジスト組成物、これを実現する塩及び酸発生剤を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent the occurrence of residue in a part with no formed resist pattern on a substrate in a positive type surface resolution process.例文帳に追加

ポジ型の表面解像プロセスにおいて、基板上におけるレジストパターンが形成されていない部分に残渣が発生しないようにする。 - 特許庁

To provide a paste composition for conductor/dielectric formation having high resolution even in a large film thickness and capable of forming a fine pattern.例文帳に追加

高膜厚でも高解像度が得られ、ファインパターン形成を可能とする導体／誘電体形成のためのペースト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition excellent particularly in pattern shape as a chemical amplification type resist and excellent also in sensitivity, resolution, etc.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして、特にパターン形状に優れ、かつ感度、解像度等にも優れた放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplifying positive resist composition excellent in decrease in line edge roughness, resolution and a cross-sectional profile of the resist pattern.例文帳に追加

ラインエッジラフネスの低減、解像性及びレジストパターン断面形状に優れる化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a system and a method of an interference lithography, in which a high resolution pattern is produced with desired contrast over the field as a whole.例文帳に追加

高分解能パターンをフィールド全体にわたり所望のコントラストで生成する干渉リソグラフィのシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition formable of a pattern having excellent resolution and line edge roughness (LER).例文帳に追加

優れた解像度及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するパターンを形成することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a resist composition which shows high resolution, good pattern collapse resistance and a good mask error factor (MEF).例文帳に追加

高い解像度、良好なパターン倒れ耐性、良好なマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を示すレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a resin for a photoresist composition capable of forming a pattern having satisfactory resolution, focus margin and exposure margin.例文帳に追加

優れた解像度、フォーカスマージン及び露光マージンを有するパターンを形成することができるフォトレジスト組成物用の樹脂を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern having excellent resolution and excellent line edge roughness by using a salt for a resist composition.例文帳に追加

本発明の塩をレジスト組成物に用いることにより、優れた解像度及びラインエッジラフネスを有するパターンを得ることを目的とする。 - 特許庁

To reduce necessary exposure at the time of forming a resist pattern showing a desired resolution by using a resist layer having a prescribed composition.例文帳に追加

所定の組成を有するレジスト層を用いて、所望の解像度を示すレジストパターンを形成する際の必要露光量の低減。 - 特許庁

To ensure excellence in roughness of side faces and flatness of a top face of a resist pattern, resolution, adhesion and alkali developability, and to reduce mouse bites.例文帳に追加

レジストパターンの側面ギザ性、上面の平坦性、解像度、密着性、アルカリ現像性に優れ、マウスバイトの少い感光性エレメント。 - 特許庁

To provide a method of effectively forming a high-resolution pattern having a high aspect ratio while holding down a consumption of a function ink M.例文帳に追加

機能性インクＭの消費を抑えつつ、高アスペクト比を有する高解像度パターンを効率よく形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive color composition or the like suppressing exposure illuminance dependency, having a high residual film ratio and little development residue and stably forming a pattern of excellent resolution.例文帳に追加

露光照度依存性を抑え、残膜率が高くかつ現像残渣が少なく、解像性に優れたパターンを安定的に形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photo-sensitive polyimide precursor which is capable of high sensitivity, high resolution pattern formation with alkaline developing solution.例文帳に追加

アルカリ現像液による高感度・高解像度のパターン形成が可能な感光性ポリイミド前駆体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type radiation-sensitive composition having simultaneously superior characteristics, with respect to sensitivity, resolution, pattern section shape, etc.例文帳に追加

感度、解像度、パターン断面形状などについて同時に優れた特性を有するポジ型感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive composition exhibiting high sensitivity and high resolution in pattern formation by irradiation with active light.例文帳に追加

活性光線の照射によるパターン形成において、高感度、高解像度を示すポジ型感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resist composition having high resolution, ensuring improved edge roughness of a resist pattern and excellent in aging stability.例文帳に追加

高解像度およびレジストパターンのエッジラフネスが改善され、さらに経時安定性が優れた感放射線性レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photoresist composition which improves the shape of a resist pattern, that is, rectangularity and line edge roughness while retaining high resolution.例文帳に追加

高解像性は維持しつつ、レジストパターンの形状、すなわち、矩形性およびラインエッジラフネスを改善したホトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To measure a distance from a subject in a relatively long range to an object in a short range and to image a pattern recognition at superior resolution.例文帳に追加

比較的遠くにある被写体から近距離にある被写体の距離計測やパターン認識を優れた解像度で計測、撮像する。 - 特許庁

To obtain a density distribution mask which can form a pattern giving the exposure value for a region in which a low amount of exposure is obtained with high resolution.例文帳に追加

低露光量を得る領域において、その露光量を与えるパターンを、高い解像度で形成できる濃度分布マスクを得る。 - 特許庁

To provide an inexpensive positive photosensitive composition by having high sensitivity and high resolution and having wide development latitude, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

高感度かつ高解像度であり、現像ラチチュードも広く、安価なポジ型感光性組成物及びパターン形成方法の提供。 - 特許庁