「resolution pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To form an isolated pattern such as a contact hole in high resolution with an enough depth of focus.例文帳に追加

コンタクトホールのような孤立的なパターンを、良好な解像度で且つ十分な焦点深度で形成する。 - 特許庁

To ensure excellence in roughness, etching resistance, sensitivity and resolution and to accurately and stably form a fine pattern.例文帳に追加

ラフネス、エッチング耐性、感度、解像度に優れ、微細パターンを高精度にかつ安定して形成できる。 - 特許庁

Since this bridge 63 is in a shape narrower than the resolution, it is not left in the transferred pattern.例文帳に追加

このブリッジ６３は解像度以下の細い形状であるので、転写されたパターンに残ることはない。 - 特許庁

To provide a resist composition which can form a pattern having excellent resolution and shape.例文帳に追加

優れた解像度及び形状を有するパターンを形成することができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition which enables a resist pattern having superior resolution to be obtained.例文帳に追加

優れた解像度を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To ensure a high resolution for a resist layer having a predetermined composition so as to form a resist pattern.例文帳に追加

レジストパターンを形成するために、所定の組成を有するレジスト層に対して高い解像度をもたらす。 - 特許庁

To provide a negative radiation-sensitive resin composition excellent in resolution, pattern profile and dimensional fidelity.例文帳に追加

解像性、パターン形状、寸法忠実性に優れるネガ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a density distribution mask which has a pattern with higher resolution, and accurately control light exposure of low exposure.例文帳に追加

濃度分布マスクのパターンの解像度を高くし、かつ、低露光の露光量を精密に制御する。 - 特許庁

An resolution pattern is created, its density is detected and the exposing condition is set based on the detected density.例文帳に追加

解像度パターンを作成してその濃度を検知し、検知濃度に基づいて露光条件を設定する。 - 特許庁

To provide a resist material giving high resolution responding to the recent tendency of demanding increased fineness of resist pattern.例文帳に追加

近年のレジストパターンの高精細化に対応し得る高解像度を得られるレジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a resist layer having both high adhesion and high resolution in relation to a resist pattern forming method.例文帳に追加

レジストパターンの形成方法に関し、高密着性と高解像性を両立するレジスト層を提供する。 - 特許庁

To provide a dot pattern of simple search algorithm, allowing reading-out even in a frame buffer of low resolution.例文帳に追加

探索のアルゴリズムが簡易でかつ低解像度のフレームバッファでも読み取りが可能なドットパターンを実現する。 - 特許庁

A resolution conversion method is selected on the basis of a pattern of a particular pattern among a plurality of resolution conversion methods for detecting a pattern in a particular color and extracting, binarizing the particular color from received multi-valued image data and converting the binarized image data to have a lower resolution.例文帳に追加

特定色のパターンを検出する画像認識方法において、入力多値画像データから特定色を抽出して２値化し、次に、２値化画像データをより低い解像度に変換する複数の解像度変換方法の中から、特定パターンの絵柄に応じて１つの解像度変換方法を選択する。 - 特許庁

In the case where the resolution of recording by a recording head for recording a pattern is 600 dpi and a resolution of reading the recorded pattern is 300 dpi, when the pattern is recorded, two lines of recording is performed by each ejection nozzle of the recording head so that the apparent resolution in the recording is made to be 300 dpi.例文帳に追加

パターンを記録する記録ヘッドによる記録の解像度が６００ｄｐｉで、その記録されたパターンを読取る際の解像度が３００ｄｐｉであるときは、パターンを記録する際記録ヘッドのそれぞれの吐出口で２ライン分を記録し、見かけ上記録の解像度を３００ｄｐｉとする。 - 特許庁

To provide a pattern formation method and a method of manufacturing a semiconductor device, capable of forming a pattern in which a pattern region where pattern elements are periodically arrayed and a pattern region without such periodicity coexist with a high resolution.例文帳に追加

パターン要素が周期的に配列されたパターン領域と、このような周期性のないパターン領域とが混在しているパターンを高い解像度で形成することができるパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A burst pattern and a step pattern are scrolled to be tracked and imaged, and imaged image data are captured at a length of a periodic pattern part of the burst pattern and subjected to a frequency analysis, whereby moving image resolution is accurately evaluated.例文帳に追加

バーストパターンとステップパターンをスクロールさせ、追従撮影し、パースとパターンの周期パターン部分の長さで撮影画像データを切り出して周波数解析することにより、高精度で動画解像度の評価を行う。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern, the method capable of responding to formation of various types of resist patterns and allowing formation of a resist pattern excellent in depth of focus, a pattern profile, resolution, CDU (critical dimension uniformity) and resistance to pattern collapse.例文帳に追加

種々のレジストパターンの形成に対応でき、焦点深度、パターン形状、解像性、ＣＤＵ及びパターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

By using a photomask with a pattern that has a line width being equal to or less than a resolution limit for the surface of the resist pattern 12, a groove (dummy pattern) with a depth that does not reach the substrate 11 is formed, and the volume of the resist pattern 12 is reduced.例文帳に追加

レジストパターン１２の表面には、解像限界以下の線幅のパターンを有するフォトマスクを用いることにより、基板１１に達しない深さの溝（ダミーパターン）を形成し、レジストパターン１２の体積を小さくする。 - 特許庁

In the method of forming a mask pattern for exposure, a first pattern in which a plurality of kinds of patterns are intermingled and a second pattern whose dimensions are smaller than those of the first pattern are arranged on the mask in such a manner that the first pattern is resolved and the resolution of the second pattern is suppressed.例文帳に追加

複数種類のパターンが混在する第１のパターンと、当該第１のパターンよりも寸法が小さい第２のパターンとを、前記第１のパターンが解像され、且つ、前記第２のパターンの解像が抑制されるようにマスク上に配置する露光用マスクパターンの形成方法。 - 特許庁

To provide a pattern forming material having high resolution, less liable to deteriorate the maintenance of tent film strength even after long-time development, and capable of forming a higher-definition pattern, a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material and a pattern forming method using the pattern forming material.例文帳に追加

解像度が高く、長時間現像を行ってもテント膜強度が維持低下しにくく、より高精細なパターンを形成可能であるパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a pattern forming material having high exposure sensitivity, excellent resolution and a high prevention effect against light fog by a light source such as a safelight, and resulting in formation of a high definition pattern, and to provide a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material, and a pattern forming method using the pattern forming material.例文帳に追加

露光感度が高く解像度に優れ、かつ、セーフライトなどの光源での光カブリの防止効果が高く、高精細なパターンを形成可能なパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A circuit pattern is used by an electron beam projection exposure method by using the stencil reticle provided with an opening pattern 21 surrounding an island-like central pattern 23 and a support pattern 22 having a pattern width of a resolution limit or less of an electron beam exposure system and supporting the opening pattern 21.例文帳に追加

島状の中心パターン２３を囲む開口パターン部２１と、電子線描画装置の解像限界以下のパターン幅を有し、開口パターン部２１を支持する支持パターン部２２と、を備えたステンシルマスクを用いて、電子線投影露光法により回路パターンを形成する。 - 特許庁

Next, the process advances to S166, and when the pattern is a prescribed pattern, the process advances to S167 and performs resolution conversion that is different from that of S163 into a pattern of 4 pixels × 2 pixels.例文帳に追加

次にＳ１６６に進み、そのパターンが、所定のパターンの場合にはＳ１６７に進んで、４画素×２画素のパターンへの、Ｓ１６３とは異なる解像度変換が行なわれる。 - 特許庁

Or the pattern 24 is formed by a method, where the film 21 is exposed using a photomask formed with a reticulate pattern having a pattern size smaller than the limit of resolution of an exposure wavelength and thereafter, the film 21 is developed.例文帳に追加

もしくは、露光波長の解像限界以下のパターンサイズを有する網目状パターンを形成したフォトマスクを用いてレジスト膜を露光した後、現像することによって作製する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having high sensitivity, giving a high contrast pattern, capable of shortening a development time and excellent in the resolution, adhesiveness and pattern shape of a minute pattern.例文帳に追加

高感度で高コントラストのパターンを得られると同時に、現像時間を短縮でき、微細パターンの解像性及び接着性、パターン形状に優れた感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an image pattern collation device and method, allowing accurate acquisition of a relative displacement amount between a first image pattern and a second image pattern with resolution less than a pixel pitch.例文帳に追加

第１画像パターンと第２画像パターンとの間の相対変位量をピクセルピッチ未満の分解能で正確に求めることができる画像パターン照合装置および方法を提供する。 - 特許庁

(2) In each track, a distance from a data pattern in the data part to another data pattern formed adjacently to the data pattern is natural number times as long as resolution in the detector.例文帳に追加

（２）各々のトラック内において、データ部内のデータパターンから、該データパターンと隣接して形成された別のデータパターンまでの距離が、検出器における分解能の自然数倍である。 - 特許庁

To enable an action by a first main scan direction resolution, and to suppress formation of a zigzag pattern when acting in a second main scan direction resolution of half of the first main scan direction resolution.例文帳に追加

第１の主走査方向解像度で動作が可能であるとともに、第１の主走査方向解像度の半分の第２の主走査方向解像度で動作する際にジグザグ状の文様の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition which can give a high-contrast pattern at a high sensitivity and is excellent in the resolution of a fine pattern and in adhesion.例文帳に追加

高感度で高コントラストのパターンを得られると同時に、微細パターンの解像性及び接着性に優れたポジ型感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a formation method of a hard mask pattern of fine pitch by which pattern formation of fine pitch exceeding the resolution limit in a photo lithography process can be achieved.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程での解像限界を超える微細ピッチのパターン形成を実現可能とする、微細ピッチのハードマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having high resolution and giving a resist pattern of good rectangularity and a pattern forming method using the positive resist composition.例文帳に追加

高解像性で、矩形性の良好なレジストパターンが得られるポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition excellent in resolution of an isolated pattern and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

孤立パターンの解像性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The image of the reference pattern 11 is formed through the optical system 2 onto the imaging device 10, and the resolution of image of this reference pattern 11 is detected.例文帳に追加

基準パターン１１の画像を光学系２を介して撮像素子１０上に結像させ、この基準パターン１１の像の解像度を検出する。 - 特許庁

To provide a negative type resist composition excellent in pattern shape, having low dependency of pattern size on post-exposure baking temperature and excellent also in sensitivity and resolution.例文帳に追加

パターン形状に優れ、パターン寸法の露光後ベーク温度依存性が小さく、また、感度や解像性にも優れたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The resolution of the pattern can be enhanced and ≤0.25μm resist pattern can be resolved and ≤0.25μm track width can be formed by using the phase shift mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いることにより、パタ−ンの解像度の向上が図れ、0.25μｍ以下のレジストパタ−ンを解像でき、0.25μｍ以下のトラック幅が形成可能となる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for forming a resist pattern with sufficiently high sensitivity and resolution and ensuring sufficiently excellent peeling property of the formed resist pattern.例文帳に追加

十分に高い感度及び解像度でレジストパターンを形成できると共に、形成されたレジストパターンの剥離特性に十分に優れる感光性樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition having good resolution even in the case of a contact hole pattern and a trench pattern in the production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、コンタクトホールパターンやトレンチパターンについても良好な解像性を有するポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming a hard mask pattern of a semiconductor device whereby the hard mask pattern has a pitch not larger than the resolution limit of exposure equipment.例文帳に追加

露光装備の解像能力以下のピッチを持つハードマスクパターンを形成するための、半導体素子のハードマスクパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a detector of projecting and recessed pattern capable of detecting a fine and dense projecting and recessed pattern with an image sensor of low resolution.例文帳に追加

低い解像度を有するイメージセンサであっても細かく密集した凹凸パターンを検知することができる凹凸パターン検知装置を提供すること。 - 特許庁

To increase resolution in a pattern even in an end portion of a line-and-space pattern, and to suppress decrease in a lithographic margin or increase in a CAD processing time.例文帳に追加

ライン＆スペースのパターンの端部においてもパターンの解像性を高めることができ、且つリソグラフィマージンの低下やＣＡＤ処理時間の増大を抑制する。 - 特許庁

The image recognition apparatus then repeats operations from resolution reduction in the first step to the pattern matching determination until a threshold value is reached in the pattern matching determination.例文帳に追加

そして、画像認識装置は１段階目の低解像度化からパターン照合判定までの動作をパターン照合判定において閾値に達するまで繰り返す。 - 特許庁

To provide a product semiconductor wafer that secures high pattern precision, by preventing a pattern from decreasing in resolution and depth of focus owing to gravitational flexure.例文帳に追加

自重を原因としたたわみによるパターンの解像度、焦点深度の低下を防ぎ、高いパターン精度を確保可能な製品半導体ウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which has high resolution and enables to form a resist pattern of good shape with small LWR, and a method for forming a resist pattern.例文帳に追加

高い解像性で、ＬＷＲが小さく、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the image quality of formed images from being extraordinarily worsened by a moire fringe pattern generated by a dither pattern and a density irregularity caused by a pitch of imaging control electrodes due to a resolution increase process of setting a higher resolution than a resolution of imaging control electrodes.例文帳に追加

画像形成制御電極の解像度より高い解像度にする高解像度化処理により画像形成制御電極のピッチで発生する濃淡むらと、ディザーパターンとにより発生するモアレ縞模様にて形成画像の画質が極端に悪化するのを防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a color filter for obtaining a colored pattern of higher resolution in comparison with a conventional method while keeping or lowering resolution required for a patterning method.例文帳に追加

パターニング法に求められる解像度を維持もしくは抑えつつ、従来より高い解像度の着色パターンが得られるカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁