「second source」に関連した英語例文の一覧と使い方(102ページ目) - Weblio英語例文検索

A coil 23 is wound in a part of the second circular plate 22 and both ends of the coil 23 are connected to two electrodes 24 rotating together with the circular plate 22, and a brush 25 contacting with the electrodes 24 is connected with an external power source through an electric line 26.例文帳に追加

第２の円板２２の一部にはコイル２３が巻いてあり、コイル２３の両端は円板２２と一体となって回転する二つの電極２４に接続し、電極２４にはブラシ２５が接触し、ブラシ２５は電線２６を介して外部電源に接続する。 - 特許庁

Afterwards, when the power source is turned on, in the second mode, correcting processing is applied to an audio signal on the basis of setting information set in the first mode by supplying a voltage to the entire vehicle power amplifier, and the audio signal is amplified by a power amplifier part and outputted.例文帳に追加

しかる後、電源が投入されて第2モードであれば、全体の車載パワーアンプに電圧を供給し、第1モードで設定した設定情報に基づいてオーディオ信号に補正処理を施すと共に、該オーディオ信号をパワーアンプ部で増幅して出力する。 - 特許庁

The semiconductor device 70A is provided with a plurality of general-purpose logic cells 60', power source lines 11 connected to the plurality of general-purpose logic cells 60', ground lines 12 connected to the plurality of general-purpose logic cells 60', first wiring 81A, and second wiring 82A.例文帳に追加

半導体装置７０Ａは、複数の汎用ロジックセル６０´と、それら複数の汎用ロジックセル６０´に接続された電源線１１と、それら複数の汎用ロジックセル６０´に接続された接地線１２と、第１配線８１Ａと、第２配線８２Ａとを備える。 - 特許庁

The designing method of the semiconductor device comprises a first step (A) of arranging a power supply line 1 and a ground line 2 in the direction of an X axis and a second step (B) of arranging a capacitor cell 10 containing bypass capacitors connected between the power source line 1 and the ground line 2.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の設計方法は、（Ａ）電源線１とグランド線２をＸ方向に沿って配置するステップと、（Ｂ）電源線１とグランド線２との間に接続されるバイパスコンデンサを含む容量セル１０を配置するステップとを有する。 - 特許庁

The organic EL element requires voltage between anode and cathode of about 4-6V for light emission, each element of the pixel circuit is usually considered as the breakdown voltage of 6V, however, source/drain breakdown voltage required by second and third transistors at the time of normal operation becomes about a half of anode power supply voltage.例文帳に追加

有機ＥＬ素子は、発光のため４〜６Ｖ程度のアノード・カソード間電圧が必要で、通常、画素回路の各素子は６Ｖ耐圧とされるが、通常動作時の第２，第３のトランジスタの必要なソース・ドレイン耐圧は、アノード電源電圧の半分程度となる。 - 特許庁

A semiconductor layer 1 has a first non-diffusion region 12 and a second non-diffusion region 13 respectively in contact with one width-direction end and the other width-direction end of a diffusion region 11 involving a source region 1s, a channel region 1ch and a drain region 1d.例文帳に追加

半導体層１は、ソース領域１ｓ、チャネル領域１ｃｈおよびドレイン領域１ｄを含む拡散領域１１の幅方向の一方端および他方端にそれぞれ接する第１非拡散領域１２および第２非拡散領域１３を有する。 - 特許庁

A pressure fluid is not led to first and second pistons 64, 74 during the failure of the pressure fluid source, so that a driven member 56 is rotated at low speed, but since an asphalt finisher performs civil engineering and construction work when traveling at low speed, the work can be continued without any problem.例文帳に追加

圧力流体源の故障時、第１、第２ピストン64、74に圧力流体が導かれなくなるため、被駆動部材56は低速回転するが、アスファルトフィニッシャは低速走行時に土木建設作業を行うため、この作業を問題なく継続できる。 - 特許庁

A piece 30 of post-installed capturing equipment is arranged on the estimation zone line X of the outbreak sources to determine an estimation zone line Y of the second outbreak source by the ratio of the number of captures N3 and N4 between the post-installed capturing equipment 30 and one 10 of the pieces of pre-installed capturing equipment.例文帳に追加

次に、この発生源推定域線Ｘ上に後付捕獲機器３０を配置して、この後付捕獲機器３０と、一方の先付捕獲機器１０の間において、それぞれ捕獲数Ｎ３，Ｎ４の比率によって第二発生源推定域線Ｙを求める。 - 特許庁

The apparatus comprises: a front member 1 including the outer shape of a first pattern and including a light transmission section 2 which has the shape of a second pattern; a light control film 4 which is arranged in an area corresponding to the light transmission section 2; and a main light source 6 arranged at the back of the light control film 4.例文帳に追加

第１パターンの外形を持ち且つ第２パターンの形状の光透過部２を持つ前面部材１と、光透過部２に対応する領域に配置された光制御フィルム４と、光制御フィルム４の背後に配置された主光源６とを備えている。 - 特許庁

In addition, the movable optical system 24 is constituted, in such a manner that the luminous flux from the second light source 2 is transmitted by the wave front converting element 10, which is smaller than the parallel flat plate 13, and thereafter, is reflected by the parallel plate 13 and is guided to the objective lens 11.例文帳に追加

可動光学系２４では、前記第２の光源２からの光束が前記平行平板１３より小さな前記波面変換素子１０を透過後に、前記平行平板１３で反射され、前記対物レンズ１１に導かれる構成に特徴を有している。 - 特許庁

An X-ray source is equipped with a first supporting member 10 and a second supporting member 12, and the two members are connected together so that a cavity 17 is formed between them and that they are insulated electrically from each other.例文帳に追加

本発明は、第一の支持部材１０と、第二の支持部材１２とを備え、上記第一及び第二の支持部材が、該部材の間にキャビティ１７を形成し、またこれらの部材が互いに電気的に絶縁されるように共に接続されたＸ線源に関する。 - 特許庁

The magnetron is made to include a second insulation body forming an electrically extended insulation distance by geometrically blocking a jointing part jointing a negative electrode part to an external power source, from the bottom surface of a yoke, or an insulation plate is stuck to the bottom surface of the filter box.例文帳に追加

陰極部に外部電源を連結する連結部とヨークの底面との間を幾何学的に遮断して、電気的に延長された絶縁距離を形成させる第２絶縁体を含むか、又は前記フィルタボックスの底面に絶縁板を付着させる。 - 特許庁

Second, third, fourth, fifth, sixth and seventh reflecting plate members 102, 103, 104, 105, 106 and 107 showing a trapezoidal shape are combined in a polyhedral state around a first reflecting plate member 101 having a regular hexagonal shape to form the light source unit 30.例文帳に追加

正六角形の第１反射板部材１０１の周囲に、台形を呈する第２、第３、第４、第５、第６および第７反射板部材１０２、１０３、１０４、１０５、１０６および１０７を多面体状に組み合わせて光源ユニット３０を形成する。 - 特許庁

The second matching unit 38 in the lower frequency side is formed of a T-type circuit in which a coil 62 is provided in the final output stage and the coil 62 is also operated as a high-cut filter for shielding the radio frequency (13.56 MHz) from the first radio frequency power source 40.例文帳に追加

低周波側の第２の整合器３８は、最終出力段にコイル６２を有するＴ型回路で構成されており、該コイル６２に第１の高周波電源４０からの高周波（１３．５６ＭＨｚ）を遮断するためのハイカットフィルタを兼用させている。 - 特許庁

Thus, an external FET 31 is arranged in the sensor unit 1, the source of the FET 31 is connected to the second terminal 22, the FETs 11, 31 configure a differential amplifier circuit, and the differential amplifier circuit amplifies an output of the sensor element and provides an amplified output.例文帳に追加

これにより、外部のＦＥＴ３１を設け、第２の端子２２にＦＥＴ３１のソースを接続し、ＦＥＴ１１とＦＥＴ３１とにより差動増幅回路を構成し、前記センサ素子の出力を差動増幅回路により増幅させて出力させることができる。 - 特許庁

Then, when a power detecting circuit 22 detects that the connection between the terminals 6 and 8 and the power source for charge is canceled, the first charging/discharging control circuit 25 turns off the transistor A1, and the second charging/ discharging control circuit 26 turns on the transistors Q2 and Q3.例文帳に追加

その後、電源検出回路２２が、端子６、８と充電用電源との接続が解除されたことを検出すると、第１充放電制御回路２５はトランジスタＱ１をオフにし、第２充放電制御回路２６はトランジスタＱ２、Ｑ３をオンにする。 - 特許庁

The illuminator consists of a light source part 1, a collimate lens 2, a rotary elliptic mirror 6, a spherical semiconductor 4 respectively making to coincide a center with the second focus F2 of the rotary elliptic mirror 6 to be arranged, a spherical microlens array 3 and a spherical mask 5.例文帳に追加

照明装置は、光源部１と、コリメータレンズ２と、回転楕円ミラー６と、この回転楕円ミラー６の第２焦点Ｆ２にそれぞれ中心を一致させて配置した球状半導体４、球状マイクロレンズアレイ３及び球状マスク５からなっている。 - 特許庁

By allowing the exhaust sucked from the livestock barn 20 by a suction fan 34 to pass through a first filter wall 202 and a second wall 204 made by stacking water-absorbing filter material, dusts and a malodorous source such as ammonia are separated.例文帳に追加

畜舎２０から吸引ファン３４により吸引した排気を、吸水性の濾過材が積層されて成る第１フィルタ壁２０２および同第２フィルタ壁２０４を通過させることにより排気中から粉塵およびアンモニア等の悪臭源を分離処理する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit comprises pads, a first power source I/O cell connected to an external unit via corresponding pads, and a second power supply I/O cell which is not connected to the external unit via the corresponding pad but to which the power is supplied from the first I/O cell.例文帳に追加

半導体集積回路は、パッドと、対応するパッドを介して外部に接続される第１の電源Ｉ／Ｏセルと、対応するパッドを介して外部には接続されず第１のＩ／Ｏセルから電源を供給される第２の電源Ｉ／Ｏセルを含む。 - 特許庁

In a static optimization part 1051, a counting part 112 counts the number of accessed parts by analyzing the source program, a first calculation part 114 calculates a basic block access frequency estimation value and a second calculation part 116 calculates a function access frequency estimation value.例文帳に追加

静的最適化部１０５１において、計数部１１２はソースプログラムを解析することによりアクセス箇所数を計数し、第１算出部１１４は基本ブロックアクセス頻度推定値を算出し、第２算出部１１６は関数アクセス頻度推定値を算出する。 - 特許庁

The second source/drain region includes a third n-type impurity layer having an impurity concentration lower and a depth shallower than those of the first n-type impurity layer, and a fourth n-type impurity layer having an impurity concentration higher and a depth deeper than those of the third n-type impurity layer.例文帳に追加

さらに、第２のソース・ドレイン領域が、第１のｎ型不純物層よりも不純物濃度が低く深さの浅い第３のｎ型不純物層と、第３のｎ型不純物層よりも不純物濃度が高く深さの深い第４のｎ型不純物層を備える。 - 特許庁

The 17a of the second comb-shaped wiring 17 and the part 16a of the first comb-shaped wiring 16 are arranged alternately, and arranged vertically to a channel direction for connecting the drain regions 7, 9 and the source region 8 of the MOS capacitor 4.例文帳に追加

第２の櫛型配線１７の延出部１７ａは、第１の櫛型配線１６の延出部１６ａと交互に並んで配置されているとともに、ＭＯＳキャパシタ４のドレイン領域７、９とソース領域８を結ぶチャネル方向に対して垂直に配置されている。 - 特許庁

A first interlayer dielectric is formed on a pair of dopant regions functioning as a source region or a drain region of a semiconductor film formed on an insulating substrate, and the first interlayer dielectric and a second interlayer dielectric are formed on the gate electrode.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された半導体膜の、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の不純物領域上に、第１の層間絶縁膜を形成し、ゲート電極上に第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The microwave generation source device 1 extracts a power of a predetermined microwave frequency band from a thermal noise power generated from a resistor 3 by means of a filter means 4, and outputs the power amplified through a first amplifier 5 and a second amplifier 7.例文帳に追加

マイクロ波発生源装置１は、抵抗体３で発生する熱雑音電力からフィルタ手段４により所定のマイクロ波周波数帯域の電力を抽出し、それを第１の増幅器５および第２の増幅器７を介して増幅して出力する。 - 特許庁

A plurality of the dots formed in an area adjacent to the light source are constituted of a first portion that scatters the light that propagates through the light guide plate, and a second portion that is surrounded by the first portion and is less apt to scatter light, than the first portion, and are arranged in a zigzag manner.例文帳に追加

光源近傍に形成される複数のドットは、導光板を伝播する光を散乱する第１部分とこの第１部分で囲まれ且つ第１部分より当該光を散乱しにくい第２部分から成り、光源近傍に千鳥配置される。 - 特許庁

A base pattern 10 having predetermined thickness is formed at a position corresponding to the contact hole 7, and a connection part (source region 3a and drain region 3b) to the second wiring 8 of the multi-crystal semiconductor layer 3 is formed on the base pattern 10.例文帳に追加

コンタクトホール７に対応する位置に所定の厚さを有する下地パターン１０が形成され、この下地パターン１０上に多結晶半導体層３の第２配線８との接続部分（ソース領域３ａ及びドレイン領域３ｂ）が形成されている。 - 特許庁

The first and second galvanomirrors 3, 4 are arranged between a condensing lens 2 for expanding the beam diameter D1 of the laser beams L from the laser beam source 1 and a collimator lens 5 which condenses the laser beams L with its beam diameter expanded by the condensing lens 2 into nearly parallel beams.例文帳に追加

レーザ光源１からのレーザ光Ｌのビーム径Ｄ１を広げるための収束レンズ２と収束レンズ２にてビーム径が拡大されたレーザ光Ｌを収束させ略平行光にするコリメータレンズ５との間に第１及び第２のガルバノミラー３，４が配される。 - 特許庁

In the regions, on both sides of the top face of the film in contact with the first electrode film 16 out of the multilayer film 18 with the second electrode film 17 in-between, a source electrode 12 and a drain electrode 13 are formed in contact with the ferroelectric film 15, respectively.例文帳に追加

積層膜１８のうちの第１の電極膜１６と接する膜の上面における第２の電極膜１７を挟んで両側の領域には、強誘電体膜１５と接するソース電極１２及びドレイン電極１３とが形成されている。 - 特許庁

This switching power supply circuit generates DC input voltage Ei from an AC power source AC, and its primary side functions as a converter which has two sets of current resonance circuits of the first primary series resonance circuit and the second primary series resonance circuit and a primary voltage resonance circuit.例文帳に追加

交流電源ＡＣから直流入力電圧Ｅｉを生成し、１次側は、１次側第１直列共振回路と１次側第２直列共振回路の２組の電流共振回路と１次側電圧共振回路とを有するコンバータとして機能する。 - 特許庁

In the air conditioning system, ground heat is used as a cold/heat source in the first heat storage tank, and natural energy such as solar heat or wind power energy is used in the second heat storage tank, and natural raw material such as water or air is used as a heat transfer medium.例文帳に追加

上記空調システムは、冷温熱源を第１熱貯留水槽においては地熱、第２熱貯留水槽においては太陽光熱又は風力エネルギー等の自然エネルギーとし、熱媒体を水及び空気等の自然素材とすることを特徴とする。 - 特許庁

The body-contacting region 30 is provided in the field region 20B on the side of the second portion 24B2 of the L-shaped gate 25 opposite to the first portion 24B12, and a low-resistance layer 29 is formed on the surfaces of the source region 28A and body-contacting region 30.例文帳に追加

Ｌ型ゲート２５の第２部分２４Ｂ２を挟んで第１部分２４Ｂ１２とは反対側のフィールド領域２０Ｂにボディコンタクト領域３０が設けられ、ソース領域２８Ａとボディコンタクト領域３０との表面に低抵抗層２９が形成されている。 - 特許庁

Not only a first air conditioner 50 as heat source is arranged outside of the building but also a second air conditioner 70 which is connected to the first air conditioner 50 and at least contains a heat exchanger 720 and a blowing means 710 is arranged outside of the building.例文帳に追加

熱源となる第１の空調機５０を建物の外部に配置するだけでなく、その第１の空調機５０に連ながり、熱交換器７２０および送風手段７１０を少なくとも含む第２の空調機７０をも建物の外部に配置する。 - 特許庁

A MOS thyristor 100 comprises a p+ type anode layer (first semiconductor layer) 10, an n- type base region (second semiconductor layer) 14, a p+ type base region (third semiconductor layer) 16, and an n+ type impurity diffused layer (fourth semiconductor layer) 18 functioning as a source region.例文帳に追加

ＭＯＳサイリスタ１００は、ｐ^+型アノード層（第１半導体層）１０、ｎ^-型ベース領域（第２半導体層）１４、ｐ^-型ベース領域（第３半導体層）１６、およびソース領域として機能するｎ^+型不純物拡散層（第４半導体層）１８を有する。 - 特許庁

The casing of the optical scanner is composed of two casings: a first casing 14 which holds a light source 1, a coupling lens 2, an aperture 3, a cylindrical lens 4, an optical deflector 5 and a scanning lens 6; and a second casing 15 which holds a bending mirror 7 being a guiding optical element.例文帳に追加

光走査装置の筐体は、光源１、カップリングレンズ２、アパーチャ３、シリンドリカルレンズ４、光偏向器５及び走査レンズ６を保持する第１筐体１４と、導光用光学素子である折り曲げミラー７を保持する第２筐体１５の２筐体から成っている。 - 特許庁

The pressure distributions on the first and second measurement cross-sections are estimated based on the memorized time-series data, and based on the pressure distribution on the two measurement cross-sections, the pressure distribution on the car body surface is estimated by using a source distribution method of fluid dynamics.例文帳に追加

記憶された時系列データに基づき、第１及び第２の測定断面における圧力分布を推定し、２つの測定断面での圧力分布に基づき、流体力学の湧き出し分布法を用いて車体表面の圧力分布を推定する。 - 特許庁

When it is determined in S11 that monochromatic reading is selected (N in S11), the quantity of light from the light source is set to a second quantity of light which is a half of a quantity of light for color reading, for example, by the non-temporal system control means (S13).例文帳に追加

また、Ｓ１１でモノクロ（単色）での読取が選択されたと判断すると（Ｓ１１でのＮ）、非時間系調整手段により光源の光量を例えばカラーでの読取光量の半分の第２の光量に低下するように設定をする（Ｓ１３）。 - 特許庁

The light emission duration time of the light sources in the frame housings is specified to 1/2,000 to 1/5,000 seconds and the intensity of the light sources in so determined as to flicker the light sources 42 to 50 times per second and to prevent the occurrence of flickering by constituting lamps cooperatively with the correction values of the light source duration time.例文帳に追加

フレームハウジング内の光源の発光持続時間は１／２，０００秒〜１／５，０００秒にし、光源の強度は光源持続時間の補正値に連動して、ランプを構成し、１秒に４２〜５０回の光源が点滅して、ちらつきが発生しないようにする。 - 特許庁

The sensing apparatus further includes a first reflector 20 for receiving the input light, from a light source and transmitting it to the resonator, a second reflector 22 for receiving the output light from the resonator, and a photodetector 26 for detecting the resonance shape from the output light.例文帳に追加

発光源から前記入力光を受けて共振器に入力光を伝える第１の反射器２０と、共振器から出力光を受ける第２の反射器２２と、出力光から共振形状を検出する光検出器２６とをさらに備える。 - 特許庁

When a second operation unit 6b is operated in any one of the fire alarm devices TR, the fire alarm (alarm sound) which is notified (sounded) from the alarm unit 5 of all of the other fire alarm devices TR, except for the fire alarm device TR of the fire source, is stopped all at once.例文帳に追加

また、何れかの火災警報器ＴＲにおいて第２操作部６ｂが操作されると火元の火災警報器ＴＲを除く他の全ての火災警報器ＴＲの警報部５から報知（鳴動）されている火災警報（警報音）が一斉に停止する。 - 特許庁

The light guide plate 2 has the first light guide plate emission part 22 and the second light guide plate emission part 27 for emitting the light from the light source received by a light receiving part and guided inside the light guide plate toward the dial plate emission part 33 and the design 31 respectively.例文帳に追加

また、導光板２は、受光部で受光され導光板内を導かれた光源からの光を、文字板出射部３３及び意匠３１に向けてそれぞれ出射する第１導光板出射部２２及び第２導光板出射部２７、を有している。 - 特許庁

The ZnO sintered compact that is suited for using as a source material for an ion-plating comprises a first ZnO region and a second ZnO region which have a different average degree of oxidation and a different average particle size from each other.例文帳に追加

イオンプレーティングのソース材料として用いるのに適したＺｎＯ焼結体は、平均酸化度の異なる第１のＺｎＯ領域と第２のＺｎＯ領域とを含み、前記第１のＺｎＯ領域と前記第２のＺｎＯ領域とは平均粒径が異なる。 - 特許庁

In a semiconductor device, a first conductivity source region 301 and a drain region 401, a second conductivity channel region 501, and gate electrode regions 201 and 202 coexist in a plane 101 parallel to the surface of a single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

この半導体装置では、第１導電型のソース領域３０１およびドレイン領域４０１と、第２導電型のチャネル領域５０１と、ゲート電極領域２０１,２０２とが、単結晶半導体基板の表面に平行な面１０１内に並存している。 - 特許庁

The matching circuit 7 is constituted of a first parallel resonance circuit 8 provided between the output side of the power amplifier 6 and a bias power source Vcc, and a second parallel resonance circuit 9 provided between the output side of the power amplifier 6 and a ground.例文帳に追加

そして、整合回路７は、電力増幅器６の出力側とバイアス電源Ｖccとの間に設けられた第１の並列共振回路８と、電力増幅器６の出力側とグランドとの間に設けられた第２の並列共振回路９とによって構成する。 - 特許庁

The compound semiconductor portion 3 has a cutting groove 21, formed in a region between the source electrode 4 and auxiliary electrode 7 that cuts the two-dimensional gas layer 12a to divide the compound semiconductor portion 3 into a first portion 51A and a second portion 51B.例文帳に追加

化合物半導体部３には、ソース電極４と補助電極７との間の領域に２次元電子ガス層１２ａを切断し、化合物半導体部３を第１の部分５１Ａと第２の部分５１Ｂに分断する切断溝２１が形成されている。 - 特許庁

The third MOSFET is an enhancement type P-channel MOSFET with one terminal connected to the current source 10, with the other terminal connected to the fixed voltage terminal, and with the gate connected to a connection point N between the first transistor M1 and the second transistor M2.例文帳に追加

第３ＭＯＳＦＥＴは、その一端が電流源１０と接続され、その他端が固定電圧端子と接続され、かつそのゲートが第１トランジスタＭ１と第２トランジスタＭ２の接続点Ｎ１と接続されたエンハンスメント型のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁