「selective etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The mirrors are formed by thin films deposited on angled glass surfaces formed by selective plasma etching of the wafers.例文帳に追加

ウエハの選択的プラズマエッチングによって形成される傾斜したガラス表面上に付着形成した薄膜によってミラーが形成される。 - 特許庁

The antenna elements are formed on both sides of the first insulating material layer by applying selective etching to the conductive material layer.例文帳に追加

それらアンテナエレメントは、導電材料層に選択的エッチング法を施すことによって、第１絶縁材料層の両面に形成される。 - 特許庁

In the chamber of an inductive coupling type plasma etching apparatus, selective etching is made to the second insulating film 105 by a first etching gas using a fluorocarbon gas having a ring structure as a main constituent, and an upper section 108a of the hole is formed.例文帳に追加

誘導結合型プラズマエッチング装置のチャンバー内において、第２の絶縁膜１０５に対して、環構造を有するフルオロカーボンガスを主成分とする第１のエッチングガスにより選択的エッチングを行なって、ホールの上部１０８ａを形成する。 - 特許庁

Then a mixture of gas including carbon and fluoro-compound is supplied as an etching gas into the chamber for the reactive ion etching, and CH2F2 gas is introduced as a factor for increasing etching selective ratio between the material film and a lower film.例文帳に追加

次に、反応性イオンエッチング用チャンバ内にエッチングガスとして 炭素及びフルオロを含む混合ガスを供給し、物質膜と下部膜との間のエッチング選択比を増加させるための選択比増加ガスとしてＣＨ２Ｆ２ガスを供給する。 - 特許庁

The production of the air bridge 100 includes a step that performs first local etching being selective so that the sub-collector layer is etched in a horizontal direction under the bridge, and a step that performs second local etching being selective so that at least the collector layer is etched in a vertical direction.例文帳に追加

エアブリッジ１００の作成がブリッジの下で、サブコレクタ層を横方向にエッチングするように選択的である第１の局所エッチングを実施するステップと、ブリッジの下で、少なくともコレクタ層を縦方向にエッチングするように選択的である第２の局所エッチングを実施するステップとを含む。 - 特許庁

To provide techniques which raise selective etching characteristics by use of a proper metal as a barrier layer, widen a selection range of materials of a conductive layer and a carrier layer, and can easily manufacture a high functionality wiring substrate in a wiring forming strip material to be used for the selective etching technique.例文帳に追加

選択エッチング技術に用いられる配線形成用帯材において、バリア層として適切な金属を用いることで、選択エッチング特性を高め、導電層およびキャリア層の材料の選択範囲を広げ、高機能な配線板を容易に製造できる技術を提供する。 - 特許庁

Then, in the same chamber, the selective etching is carried out to the first insulating film 104 by a second etching gas using an oxygen gas as the main constituent, and a lower section 108b of the hole is formed.例文帳に追加

次に、同じチャンバー内において、第１の絶縁膜１０４に対して、酸素ガスを主成分とする第２のエッチングガスにより選択的エッチングを行なって、ホールの下部１０８ｂを形成する。 - 特許庁

When etching is carried out furthermore using hydrofluoric acid of 3-6% concentration, selective etching by acid progresses because only the part of a latent image 14A is crystallized selectively and a nozzle 20 is formed as a through hole.例文帳に追加

さらに濃度３〜６％の弗酸でエッチングを行うと、潜像１４Ａの部分だけ選択的に結晶化しているので酸による選択エッチングが進行し、ノズル２０が貫通孔として形成される。 - 特許庁

Neutral chemical species generally provide higher isotropic and material-selective etching than charged particles, so that this magnetic field tends to increase etching isotropy and material selectivity.例文帳に追加

中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。 - 特許庁

Then, the exposed part of the BARC 120 on the IMD 110 is etched with the high polymeric gas, added to the selective etching chemicals.例文帳に追加

次いで、ＩＭＤ１１０上のＢＡＲＣ１２０の露出部分を、選択性エッチング化学薬品に加えた高重合性ガスを用いてエッチングする。 - 特許庁

Through the selective etching step, the silicon nitrided oxide film 111 formed on the surfaces of the element isolation film 103 and insulating film 105 is removed.例文帳に追加

選択エッチング工程により、素子分離膜１０３および絶縁膜１０５の表面に形成された窒化酸化珪素膜１１１が除去される。 - 特許庁

When the size-selective light etching method is applied to nanoparticles, pH on a size-selective photoetching reaction is controlled, so that the preparation of the monodispersed semiconductor nanoparticles having high reproducibility is made possible.例文帳に追加

ナノ粒子に対してサイズ選択光エッチング法を適用する際に、サイズ選択光エッチング反応時のｐＨを制御することにより、再現性の高い単分散半導体ナノ粒子の調製が可能となった。 - 特許庁

To provide an etching method which allows for selective wet etching for dissolving a layer composed of a specific metal material such as Ti preferentially, and also allows for effective cleaning and removing of residues produced by etching, ashing, or the like, and to provide an etching liquid for use therein, and a manufacturing method of a semiconductor element using the same.例文帳に追加

Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device having a fin structure which comprises a step of etching a silicon substrate with a recess gate mask, and performing a selective etching process on a device isolation film having a double oxide film structure with a rapid oxide film etching speed and a slow oxide film etching speed to form the fin structure, thereby simplifying the process and maximizing a current driving operation.例文帳に追加

リセスゲートマスクを利用してシリコン基板を食刻し食刻速度の速い酸化膜と、食刻速度の遅い酸化膜の二重酸化膜構造の素子分離膜に対し選択的食刻を行いフィン構造を形成することにより、工程を単純化し電流駆動能力を最大化する。 - 特許庁

An etching stop film having an etching selective ratio different from a layer insulating film on prescribed etching conditions at the intermediate height of low layer wiring and high layer wiring is formed together with both the low layer wiring and the high layer wiring inside the layer insulating film on a wafer.例文帳に追加

半導体基板の上において層間絶縁膜の中に低層配線と高層配線と、この両者の中間の高さに所定のエッチング条件に対して層間絶縁膜とは異なるエッチング選択比を有するエッチング停止膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which removes etching residues resulting from a selective etching of a silicon nitride film or a silicon oxide film formed as a hard mask, without giving damage to the base and without greatly etching the remaining hard mask.例文帳に追加

ハードマスク用として形成されたシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を選択的にエッチングした際の残渣を、下地にダメージを与えず、かつ残存しているハードマスクを大きくエッチングすることなく除去することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A metal layer 14 which can be removed is laminated by the selective etching process, over an oxide conductive layer 12 of this laminated substrate 10.例文帳に追加

この積層基板１０の酸化物導電層１２上に、これに対して選択エッチングにより除去可能な被除去金属層１４を積層する。 - 特許庁

A PVD method enables film formation at a temperature lower than that in a CVD method, results in no growth of crystal grains and eliminates occurrence of selective etching of particular crystal planes.例文帳に追加

また、ＰＶＤ法は成膜温度もＣＶＤに比べて低く、結晶粒も成長せず、特定の結晶面の選択エッチングも排除できる。 - 特許庁

Then, the p-type upper clad layer 18 is exposed by forming a stripe-like opening 24 in the GaAs cap layer 20 by performing selective etching only on the layer 20.例文帳に追加

次に、ＧａＡｓキャップ層のみに選択エッチングを行い、ストライプ状の開口２４を設け、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層を露出させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor sample where no bending distortion is introduced into a thin-film part by pretreatment, namely selective etching.例文帳に追加

前処理である選択エッチングにより薄膜部１６に曲げ歪みが導入されることのない半導体試料１３の製造方法を提供する。 - 特許庁

By such a method, the Schottky barrier transistor can be manufactured without passing a selective wet etching process which removes a non-reacted metal after the silicide reaction.例文帳に追加

このような方法によれば、シリサイド反応後に未反応金属を除去する選択的ウェットエッチング工程を経ずにショットキー障壁トランジスタが製造できる。 - 特許庁

After an impurity is ion implanted to the polysilicon, the polysilicon is heat treated, and a nitride film capacitor 5 and a second polysilicon resistor 10b are formed by the selective etching.例文帳に追加

そして、ポリシリコンに不純物をイオン注入後、熱処理を行い、選択的エッチングにより窒化膜キャパシタ５、第２のポリシリコン抵抗１０ｂを形成する。 - 特許庁

To suppress the variation in the quality of monodispersed semiconductor nanoparticles prepared by a size-selective light etching method, and to uniformize the optical properties thereof.例文帳に追加

サイズ選択光エッチング法により調製された単分散半導体ナノ粒子の品質のばらつきを抑制し、その光学特性を均一化する。 - 特許庁

For example, when InGaP is used for an emitter layer 2, since selective etching is conducted by hydrochloric acid to expose the base layer 1, a device manufacturing process becomes easy.例文帳に追加

例えば、ＩｎＧａＰをエミッタ層２とした場合に、塩酸で選択エッチングしてベース層１を露出させることができるので、デバイス製造プロセスが容易となる。 - 特許庁

An exposed portion of the anti-reflective coating or selective emitter is etched away using an inorganic acid containing etching liquid to expose the semiconductor surface.例文帳に追加

無機酸含有エッチング剤を用いて、反射防止コーティングおよび選択的エミッタの露出部分がエッチング除去されて、半導体基体を露出させる。 - 特許庁

To provide an organic siloxane insulating film of low permittivity and high etching selective ratio against resist where no peeling problem occurs even with no silicon oxide protective film.例文帳に追加

低誘電率で、対レジストエッチング選択比が高く、かつ酸化珪素保護膜なしでも剥離の問題を生じないような有機シロキサン系絶縁膜を提供する。 - 特許庁

Gate electrodes are formed by selective dry etching and the upper limit value of the in-substrate average value of the thicknesses of the photoresist in substrate coating is confined to 1.5 μm.例文帳に追加

ゲート電極を選択ドライエッチングにより形成し、基板コーティング時におけるフォトレジストの厚みの基板内平均値の上限値を１．５μｍとした。 - 特許庁

An etching preventing layer is provided in a multilayer circuit layer by a selective method so that an impurity is outgassed during the manufacturing process.例文帳に追加

製造工程中不純物がアウトガシングされるようにエッチング阻止層を選択的な方式により多層回路層の間に選択的に提供する。 - 特許庁

In this method, it is preferable that the metal layer is formed of the first and second metal layers and the conductive layer is removed with the selective etching of the second metal layer.例文帳に追加

金属層は第一、第二金属層から構成し、第二金属層の選択的エッチングにより導電層を除去することがより好ましい。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device having a video signal line of a bottom gate type TFT meeting respective required conditions of low resistance, dry etching resistance, selective wet etching of a gate insulating film, ≤2 laminated layers, and tapering of section.例文帳に追加

低抵抗、ドライエッチング耐性，ゲート絶縁膜との選択ウェットエッチング、積層数２層以下、断面のテーパ加工の各要件を満たすボトムゲート型ＴＦＴの映像信号線を有する液晶表示装置の提供。 - 特許庁

By forming a buried clad layer and a contact layer by selective growth, a narrow mesa structure formed by etching a part of the carrier trap layer and semi-insulating block layer can be formed without etching the buried clad layer.例文帳に追加

埋め込みクラッド層及びコンタクト層を選択成長により形成することにより、埋め込みクラッド層をエッチングすることなくキャリアトラップ層および半絶縁性ブロック層の一部がエッチングされた狭メサ構造を形成する。 - 特許庁

The p- and n-type leading layers 300, 400 are formed by selectively etching off only either the polycrystalline silicon or silicon-germanium mixed crystal, utilizing a high etching selective ratio of both.例文帳に追加

ｐ型の引き出し層３００とｎ型の引き出し層４００とは、多結晶シリコンとシリコン・ゲルマニウム混晶との高いエッチング選択比を利用し、片方のみを選択的にエッチング除去することによって形成される。 - 特許庁

In a layer under an interference filter FB for blue color selective reflection and an interference filter FR for red color selective reflection, the first and the second transparent etching stopper layers 54B composed of alumina or magnesium oxide are inserted.例文帳に追加

青色用選択反射の干渉フィルタＦ_B と赤色用選択反射の干渉フィルタＦ_R の下層にはアルミナ又は酸化マグネシウムから成る第１の透明エッチングストッパ層５４Ｂと第２の透明エッチングストッパ層５４Ｂが挟まれている。 - 特許庁

To achieve high selective etching which enables SiO_2 and Si to be etched simultaneously at very different etching rates in a state where plasma is efficiently generated, in an etching apparatus where a substrate as a processing target is etched with plasma extracted from a plasma generating chamber where the plasma is generated by a high-frequency induction field or the like.例文帳に追加

高周波誘導電場などによりプラズマ生成室で生成したプラズマを引き出して処理対象の基板をエッチングするドライエッチング装置において、効率よくプラズマが生成される状態で、ＳｉＯ_2／Ｓｉの高選択比エッチングが実現できるようにする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of conducting dry etching at an upper interlayer insulating film 7 for the stopper film 6 with a resist pattern 11, as a mask under the conditions of higher selective etching selection ratio of 10 or more than prior art, and etching the film 7 to the film 6, thereby forming the wiring groove 12.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして、上部層間絶縁膜７が溝用ストッパー膜６に対して、従来よりさらに高選択な、エッチング選択比が１０以上の条件でドライエッチングを行い、上部層間絶縁膜７を溝用ストッパー膜６までエッチングして配線溝１２を形成する。 - 特許庁

For a wet etching liquid for selective etching of a semiconductor layer, containing Al in a multilayer film of AlGaInP-based compound semiconductor, a mixed solution composed of hydrochloric acid as the main component and a dicarboxylic acid or an optically-inactive oxycarboxylic acid is used.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体多層膜のうち、Ａｌを含む半導体層を選択エッチングする湿式エッチング液として、主成分が塩酸と、ジカルボン酸または光学不活性のオキシカルボン酸との混合溶液を用いる。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided which has the video signal line of the bottom gate type TFT meeting the respective required conditions of low resistance, dry etching resistance, selective wet etching of the gate insulating film, ≤2 laminated layers, and tapering of section.例文帳に追加

低抵抗，ドライエッチング耐性，ゲート絶縁膜との選択ウェットエッチング，積層数２層以下、断面のテーパ加工の各要件を満たすボトムゲート型ＴＦＴの映像信号線を有する液晶表示装置が提供される。 - 特許庁

To provide a method for effectively, easily and inexpensively producing carbonyl sulfide which is an important compound attracting attention as an etching gas for highly anisotropic and highly selective etching by a plasma of an organic reflection preventing film.例文帳に追加

有機系反射防止膜のプラズマによる高異方性および高選択性エッチング用のエッチングガスとして注目される重要な化合物である硫化カルボニルを効率よく簡便にかつ安価に製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a selective etching treatment method for a metallic oxide film by which the prescribed part of a metallic oxide film containing indium as the main component of metallic atoms is selectively subjected to etching, and finer working can be performed thereto.例文帳に追加

インジウムを金属原子の主成分とする金属酸化物膜の所定部位を選択的にエッチングして、より一層微細な加工を施すことができる金属酸化物膜の選択的なエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

After that, a side wall forming film 7a is formed over the entire surface, and the selective etching of the side wall forming film is carried out on the basis of an etching selectivity ratio, thereby forming side walls 7 on side faces of the readout electrode via the second insulating film.例文帳に追加

次に、全面にサイドウォール形成膜７ａを形成し、エッチング選択比に基づくサイドウォール形成膜の選択的エッチングにより、読み出し電極の側壁に第二絶縁膜を介してサイドウォール７を形成する。 - 特許庁

To obtain a nitride semiconductor device with a current constriction layer which facilitates selective etching with a lower crystalline layer, while having high optical characteristics.例文帳に追加

高い光学特性を有しながら、下層の結晶性層との選択エッチングを容易に行うことができる電流狭窄層を備えた、窒化物半導体素子を得ること。 - 特許庁

A frame part 141, a central island 142, and a spring part 143 are integrally formed from the spring material layer 104 by photolithography and selective etching (S103).例文帳に追加

フォトリソグラフィ法および選択性エッチングを用いることで、バネ材料層１０４から、枠体部１４１、中央島部１４２およびバネ部１４３を一体形成する（Ｓ１０３）。 - 特許庁

Next, a second active layer 30b is grown on the semiconductor substrate 10 on which the first active layer 30a is etched using the etching mask 42 as a selective growing mask.例文帳に追加

次に、エッチングマスク４２を選択成長マスクとして用いて、第１活性層３０ａがエッチングされた半導体基板１０上に、第２活性層３０ｂを成長する。 - 特許庁

In the magnetic sensor, an oxide film 35 is formed on the substrate 1 with a wiring layer including a via A formed, and the selective etching of the oxide film is made to form a plurality of protrusions 8.例文帳に追加

ビア部Ａを有する配線層が形成された基板１に酸化膜３５を形成し、この酸化膜を選択エッチングして複数の突起部８を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a silica-based washability working film, where a part that is worked and exposed by selective etching treatment has washability by an acid solution.例文帳に追加

選択的エッチング処理により加工され露出した部分が酸水溶液による洗浄耐性を有するシリカ系耐洗浄性加工被膜の形成方法を提供する。 - 特許庁