「selective etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To form a fine pattern of an organic material film in an easy process and reduce the fringing capacitance of the gate electrode of a field effect transistor using a selective dry recess etching to improve the operating speed of a semiconductor device.例文帳に追加

容易なプロセスで有機材料膜の微細パターンを形成し、選択ドライリセスエッチングを用いて、電界効果型トランジスタのゲート電極のフリンジング容量を低減し、半導体装置の動作速度を向上することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device where an interlayer insulating film having a hollow structure and a relative permittivity as near as 1 is formed by employing an oxide film having a high selectivity and carrying out a selective etching process.例文帳に追加

高い選択性を有する酸化膜を使用して選択エッチング処理を行うことにより、比誘電率が限りなく１に近い中空構造の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The selective etching removes the damaged substrate material which exists adjacent to the laser cut region by dipping the die 30 in an ethylene diamine pyrocatechol(EDP) solution or a potassium hydroxide (KOH) solution.例文帳に追加

損傷した基板材料の選択性エッチングは、ダイをエチレン ジアミン ピロカテコール（ethylene diaminepyrocatechol：ＥＤＰ）、あるいは水酸化カリウム（ＫＯＨ）の溶液の中に浸し、レーザ切断領域に隣接して存在する損傷した基板材料を除去するものである。 - 特許庁

An impurity, for example oxygen, is introduced into a silicon substrate or a silicon layer, and heat treatment is carried out so that an impurity deposition region is formed, and highly selective ratio anisotropic etching is carried out by using the deposition region as a micromask 14.例文帳に追加

シリコン基板或いはシリコン層中に不純物、例えば酸素を導入し、熱処理することにより不純物析出領域を形成し、この析出領域をマイクロマスク１４として高選択比異方性エッチングを行う。 - 特許庁

The capacitive coupling of power to the plasma expedites the hot tail distribution of electronic energy and, consequently, the level of gas cracking and the generation of a fluorine group which is not material selective is reduced while semiconductor treatment, such as the oxide etching, etc., is performed.例文帳に追加

プラズマへの電力の容量結合が、電子エネルギのホット・テール分布を推し進め、その結果、ガス・クラッキングのレベル及び酸化物エッチングなどの半導体処理操作において材料選択的でないフッ素基などの生成が低減される。 - 特許庁

Thereafter, a selective etching treatment is performed on the surface of the SOI substrate using the organic monomolecular layer 8 as a resist, by which a source electrode 4, a gate electrode 5, a drain electrode 6, and aligned silicon islands 7A of nanometer size are formed at the same time.例文帳に追加

その後、上記有機単分子層８をレジストとして選択エッチング処理を施すことによって、酸化シリコン層３上にソース電極４,ゲート電極５,ドレイン電極６および整列したナノメートルサイズのシリコン島７Ａを同時に形成する。 - 特許庁

In the method, since metal copper is not reduced from an etching waste liquid, there is no need of using an extraction solution easily contaminating chemicals and an expensive ion selective membrane, and there is no need of using high temperature molten copper and purification which extremely consumes electric power.例文帳に追加

本発明の方法はエッチング廃液から金属銅を還元しないため、容易に薬品を汚染する抽出溶液や高価なイオン選択膜を使用する必要も、高温溶銅と非常に電力を消費する純化を用いる必要もない。 - 特許庁

Because the lower small magnetic pole part 74 whose pattern does not require high strictness is formed by the selective etching of the magnetic material substrate 70, the lower small magnetic pole part 74 having a large height can be formed in a short time.例文帳に追加

また、パターンがそれほど問題とならない下部小磁極部７４は磁性体基板７０の選択的エッチングにより形成した構造としているので、高さの大きい下部小磁極部７４を時間を要することなく形成することができる。 - 特許庁

For nitride layer formed under the oxide layer, SixNy seeds are formed and deposited on the nitride layer, to substantially balance the etching of the nitride layer, so that the oxide layer can be etched at a high selective ratio on the nitride layer.例文帳に追加

酸化物層の下に形成された窒化物層において、Ｓｉ_xＮ_y種が形成され、窒化物層のエッチングと実質的に平衡して窒化物層上に付着するので、酸化物層を窒化物層に対して高い選択比でエッチングすることが可能となる。 - 特許庁

This upper layer has on its top surface a plurality of well areas 103 of a 2nd conduction type a plurality of heavily doped source areas 104 of a 1st conductivity type, and a wavy part 202 which is formed by selective etching and parallel to the source areas.例文帳に追加

この上側層表面２０１に、第２導電型の複数のウエル領域１０３、第１導電型で高濃度ドープの複数のソース領域１０４、および選択エッチングで形成したソース領域に平行な波形部分２０２とを有する。 - 特許庁

A low resistant impurity including layer is formed by diffusion in the area to which a laser diode of a silicon substrate is fixed, thereafter the impurity including layer is removed by selective etching, and a difference in level is provided in the area in which the optical waveguide is formed.例文帳に追加

シリコン基板のレーザダイオードを固定する領域に低抵抗の不純物含有層を拡散により形成しておき、選択的エッチングで不純物含有層を除去して、光導波路を形成した領域との間に段差を設ける。 - 特許庁

A line of separated catalyst points is finally coupled into one by defining a side face for growing the nano-meter carbon tube by adding etching technology to a density of the catalyst points, and by growing horizontally in a catalyst side face with selective CVD.例文帳に追加

触媒点の密度にエッチング技術を加えてナノメータカーボンチューブを成長させる側面を画定し、選択性ＣＶＤで触媒側面にあって水平方向に成長させ、最後に一列の分離した触媒点を一つに連結する。 - 特許庁

A selective etching treatment step is provided after a plasma nitriding treatment step, and while a silicon nitride film 109 formed on an electrode layer 107 is left, a silicon nitrided oxide film 11 formed on surfaces of an element isolation film 103 and an insulating film 105 is removed.例文帳に追加

プラズマ窒化処理工程の後に、選択エッチング処理工程を設け、電極層１０７に形成された窒化珪素膜１０９を残しつつ、素子分離膜１０３および絶縁膜１０５の表面に形成された窒化酸化珪素膜１１１を除去する。 - 特許庁

For controlling contamination, a ferroelectric device material (contaminant related to a ferroelectric substance such as Pb, Zr, Ti and contaminant related to the electrode such as Ir) is removed from the base surface of the substrate and from the edge by selective etching.例文帳に追加

汚染をコントロールするため、強誘電体デバイス材料（例えば、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉのような強誘電体に関連した汚染物及びＩｒのような電極に関連した汚染物）が、基板の底部表面及びエッジから選択的エッチングによって除去される。 - 特許庁

After a photosensitive resin pattern is formed on a copper seed film on an insulating substrate and a buried wiring pattern of copper is formed at an opening part thereof, a peak part and a side face part of the buried wiring pattern are exposed from the photosensitive resin film through selective etching by a wet blast method.例文帳に追加

絶縁基板上に銅シード膜上に感光樹脂パターンを形成し、その開口部へ銅の埋め込み配線パターンを形成した後、ウエットブラスト法での選択的エッチングで、埋め込み配線パターンの頂部及び側面部を感光性樹脂膜から露出させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a III-nitride semiconductor structure and including the strategic modification of the local electrochemical potential of the semiconductor structure relative to the electrolyte so that highly-selective photo-induced etching is performed.例文帳に追加

選択性が高い光誘導性のエッチングを達成するために、電解質に対する半導体構造の局部的電気化学的ポテンシャルを戦略的に改変することを含む、ＩＩＩ−窒化物半導体構造を製造するための方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a new semiconductor optical waveguide element, having the excellent frequency characteristics and the manufacturing method thereof by processing a clad layer into an inverted mesa shape by the selective etching method, wherein a cap layer is the mask, and thereby decreasing the parasitic capacity around an active layer.例文帳に追加

クラッド層を、キャップ層をマスクとする選択性のエッチング法で逆メサ状に加工することで、活性層周辺の寄生容量を低減し、これにより、周波数特性の優れた新規な半導体光導波素子とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a laminated foil which shows high electric conductivity in the lamination direction and superb selective etching properties by using aluminum or an aluminum alloy as an intermediate layer and inhibiting the oxidation of the aluminum in a joint interface between the intermediate layer and a metallic foil arranged so that the intermediate layer is sandwiched between the metallic foils.例文帳に追加

中間層としてAlまたはAl合金を用い、中間層を挟持するように配置された金属箔との接合界面におけるAlの酸化を抑制することで、積層方向の電気導電率が高く、選択エッチング性に優れた積層箔を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor distortion multi-layer structure substrate having at least one sacrificial layer 6 and at least one distortion layer 7 having different lattice constants laminated therein, the beam or chip is formed by patterning the sacrificial layer 6 and the distortion layer 7 by photolithography, and etching-removing the sacrificial layer 6 by selective etching, resulting in the displacement of the remaining distortion layer 6.例文帳に追加

互いに格子定数の異なる犠牲層６と歪層７とが少なくとも１層ずつ積層されてなる半導体歪多層構造基板において、犠牲層６と歪層７とがフォトリソ技術によってパターニングされるとともに、犠牲層６が選択的エッチングによりエッチング除去され、残存する歪層６が変位することによりビームまたはチップが形成されている。 - 特許庁

To provide a composition allowing selective removal of photoresist and etching residues from a substrate without exerting a destructive chemical action on metal possibly also exposed to the composition, and to provide a composition exhibiting a very minute amount of silicon oxide and generally a low etching rate on an insulating material.例文帳に追加

基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

A film made of polymeric material is formed on the entire surface of a lower electrode connected to a thin transistor by a coating method, and then is etched by etching by plasma, thereby allowing selective forming of a polymeric material layer.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタと接続される下部電極上に塗布法により全面に高分子系材料からなる膜を形成した後、プラズマによるエッチングによって高分子系材料からなる膜をエッチングし、高分子系材料層の選択的な形成を可能にするものである。 - 特許庁

In manufacturing the printed wiring board, a clad composite material consisting of the lamination of the first copper layer, the different kind of metal layer, and the second copper layer is used as a starting material, and the selective etching characteristics of the different kind of metal layer and the copper layers are utilized effectively.例文帳に追加

そして、当該プリント配線板の製造は、第１銅層／異種金属層／第２銅層の３層が順次積層した状態のクラッド複合材を出発材料として、異種金属層と銅層との選択エッチング特性を有効利用した点に特徴を有する。 - 特許庁

After a silicon wafer is heat-treated in a wet oxygen atmosphere, the wafer surface is etched in a mixture acid solution of hydrofluoric acid and nitric acid to remove defects precipitated by the heat treatment in the wet oxygen atmosphere, and subsequently, the wafer is subjected to selective etching to determine the OSF.例文帳に追加

シリコンウェーハをウェット酸素雰囲気下で熱処理した後、前記ウェーハ表面をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングを行って前記ウェット酸素雰囲気下での熱処理により析出する欠陥を除去し、続いて、選択エッチングを行い、ＯＳＦを判別する。 - 特許庁

Isolation of a source region and a drain region is performed simultaneously with formation of a local interconnect by the gate electrode sidewall conductive film 120 by removing the gate electrode sidewall conductive film 120 appropriately through anisotropic etching selective for the gate electrode sidewall insulating film 119.例文帳に追加

このゲート電極側壁導電膜１２０をゲート電極側壁絶縁膜１１９に対して選択性のある異方性エッチングにより適宜除去することにより、ソース領域とドレイン領域との分離及びゲート電極側壁導電膜１２０による局所配線の形成が同時に行なわれる。 - 特許庁

The spacer layer has a relatively low refractive index, images the convex-shaped surface by treating a selective and isotropic etching through an opening in an etch mask, and forms an interface together with the convex-shaped lower side surface of the micro lens after the micro lens substance is adhesively formed conformably.例文帳に追加

スペーサー層は比較的低い屈折率を有しており、エッチマスクにおける開口を介して選択的な等方的エッチング処理して凸状表面を画定し、それは、その後のマイクロレンズ物質のコンフォーマルな付着形成の後に、マイクロレンズの凸状下側表面と共に界面を形成する。 - 特許庁

The combined material is provided with a rugged part formed on the surface of a copper based alloy material by treating the copper based alloy material with a selective chemical etching liquid and selectively removing easily corrodible components and oxides comprised in the copper based alloy in the copper based alloy material, and a film provided on the surface of the copper based alloy material with the rugged part formed.例文帳に追加

特に、銅系合金材表面にＰＴＦＥや二硫化モリブデンなどの固体潤滑剤が強固に密着固定され、無給油環境下や腐食性環境下においても良好な摺動性や耐焼付性を有する銅系合金材（複合材）を提供することである。 - 特許庁

A process to remove projected type exposure portions 51 of a columnar semiconductor defective portion is performed prior to a laminating process after a substrate removing process, wherein the semiconductor defective portion remains on a second main surface of a layer 50 subject to device forming, without being dissolved by selective chemical etching.例文帳に追加

基板除去工程後において素子化対象層５０の第二主表面に、選択化学エッチングにより溶解されずに残留した柱状半導体欠陥部の突起状露出部分１１を除去する突起除去工程を、貼り合わせ工程に先立って実施する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 115 is deposited, the sidewall of the polycrystalline silicon film 115 is formed on the gate electrode sidewall of a PMOS through selective etching, and an external base region 120a of the NPN transistor and a source/drain region 120b of the PMOS are formed at the same time.例文帳に追加

次に、多結晶シリコン膜１１５を堆積し、選択的エッチングによってＰＭＯＳのゲート電極側壁に多結晶シリコン膜１１５のサイドウォールを形成し、ＮＰＮトランジスタの外部ベース領域１２０ａとＰＭＯＳのソース／ドレイン領域１２０ｂを同時に形成する。 - 特許庁

Next, an insulating film is made on the element-forming region at the main face of the substrate and on an element isolating region, and the insulting film 11 is left on the element isolating region through selective anisotropic etching, and also a sidewall spacer A, on the sidewall of the gate electrode 7, and a connection hole 11B, on the semiconductor region, are made.例文帳に追加

次に基板主面の素子形成領域上と素子分離領域上に絶縁膜を形成し、異方性エッチングを選択的に行なって素子分離領域上に絶縁膜１１を残存させると共に、ゲート電極７の側壁にサイドフォールスペーサ１１Ａ、半導体領域上に接続孔１１Ｂを形成する。 - 特許庁

Disclosed is a semiconductor wafer 10 having at least two or more semiconductor layers formed on the semiconductor substrate 11 through epitaxial growth, the semiconductor wafer having the buffer layer 12 formed right on the semiconductor substrate 11 and a semiconductor layer having a selective etching property with respect to the buffer layer 12 and functioning as the peel layer.例文帳に追加

エピタキシャル成長によって半導体基板１１上に形成された少なくとも２層以上の半導体層を有する半導体ウェハ１０であって、前記半導体基板１１直上に形成されたバッファ層１２と、該バッファ層１２と選択的なエッチング性を備え、剥離層として機能する半導体層とを有する。 - 特許庁

The acicular projection is a silicon acicular cone, and the silicon acicular pyramid is a pyramidal structure formed by using a micromask as the apex obtained by subjecting a silicon substrate or a silicon layer to high selective anisotropy etching by using an impurity deposition region formed in the silicon substrate or the silicon layer as the micromask.例文帳に追加

針状突起はシリコン針状錘体であり、このシリコン針状錘体は、シリコン基板又はシリコン層中に形成された不純物析出領域をマイクロマスクとして、シリコン基板またはシリコン層を高選択比異方性エッチングすることにより、マイクロマスクを頂点として形成された錘型構造物である。 - 特許庁

The aluminum film is similarly formed as second layer aluminum wires in this state, the resist is drawn in a way that the second layer aluminum wires are overlapped on the first layer aluminum wires by using a resist film for a mask, and the first layer aluminum wires and the second layer aluminum wires are joined at the same time the second layer aluminum wires are formed through selective etching by using the reactant gas.例文帳に追加

その状態で、２層目にアルミニウムを同様に成膜し、レジスト膜をマスクとして２層目アルミ配線が１層目アルミ配線と重ね合わさる様にするレジストを描画し、反応ガスを用いて選択エッチングで２層目アルミ配線形成と同時に１層目アルミ配線と２層目アルミ配線を接続させる。 - 特許庁

The preparing method comprises both a process for removing the second metal film 4 including the metallic element to be measured by selective etching and a process for forming the third metal film 5 of the same composition as that of the first metal film 3 except the metallic element to be measured on the first metal film 3 exposed in the removing process and including the metallic element to be measured as an impurity.例文帳に追加

被測定金属元素を含む第２の金属膜４を選択エッチングにより除去する工程と、除去工程により露出した、被測定金属元素を不純物として含む第１の金属膜３上に、被測定金属元素を除いて第１の金属膜３と同一組成の第３の金属膜５を形成する工程とを有する。 - 特許庁

This acceleration sensor 1 is acquired by forming the supports 3 and the beams 14 on the substrate 2, then sticking a silicon substrate to be base substances for the weights 33, to the supports 3 and the beams 14 together through the connecting portions 34 made of metallic materials, and working the silicon substrate 44 into a structure having the weights 33 by selective etching.例文帳に追加

この加速度センサ１は、基板２上に支持部３とビーム１４とを形成した後、錘３３の基体となるシリコン基板を金属材料からなる連結部３４を介して支持部３およびビーム１４に貼り合わせ、そのシリコン基板４４を選択的なエッチングにより錘３３を有する構造に加工することにより得ることができる。 - 特許庁

The second thin film 13 is anisotropically etched through the etching masks 15b for the formation of fine patterns 13a, and after a selective oxidation process is carried out using the fine patterns 13a as an oxidation mask, the fine patterns 13a are selectively removed, the first thin film 12a is eliminated, and then a quantum fine wire 17 is epitaxially grown on a part where the semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加

エッチングマスク１５bを介して第２薄膜１３を異方性エッチングすることにより形成された微細パターン１３aを酸化用マスクとして選択酸化した後、微細パターン１３aを選択的に除去すると共に、第１薄膜１２aを除去して、半導体基板１１が露出した部分に量子細線１７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

An element isolation region is formed in a boundary of the element isolation region by forming a dielectric pattern locally in a boundary of an element region and carrying out etching using the dielectric pattern as a mask, and thereafter a semiconductor film is formed in an element region adjacent to the element isolation region by selective growth using the dielectric pattern as a mask.例文帳に追加

誘電体パターンを素子領域の境界部に局所的に形成し、前記誘電体パターンをマスクにエッチングを行うことで素子分離領域を前記素子領域の境界部に形成し、その後、前記素子分離領域に隣接する素子領域に半導体膜の成膜を、前記誘電体パターンをマスクとした選択成長によりに実行する。 - 特許庁

This method comprises a step for executing a selective etching process using TMAH (Tetra-Methyl-Ammonium-Hydroxide) to form a plurality of trenches with slow inclination of the side surface, and a step for forming a gate pattern at the top of the substrate so that at least the inclination part of the trench acts as a part of a channel.例文帳に追加

本発明は、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ−Ｍｅｔｈｙｌ−Ａｍｍｏｎｉｕｍ−Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を用いた選択的エッチング工程を実施し、側面の傾斜が緩慢な複数のトレンチを形成するステップと、少なくとも前記トレンチの傾斜部分がチャネルの一部になるように前記基板上部にゲートパターンを形成するステップとを含む。 - 特許庁

To realize a manufacturing method for a semiconductor optical element in which a mesa structure containing an active layer formed by a selective growth operation is used as a waveguide without being etched, in which a buried structure comprising a current blocking structure can be formed without a need of the strict control of an etching rate and without a need of an alignment operation in a photolithographic operation and whose reproducibility, uniformity and throughout are superior.例文帳に追加

選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Quantum thin lines of various sizes are formed on the single substrate by successively performing the processes of: vapor-depositing an oxide film on the semiconductor substrate; etching the oxide film so that areas where the oxide film is not formed have various sizes; and forming triangular epitaxial structures in the areas where no triangular epitaxial structure is present by using the selective epitaxial growing method.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を蒸着する段階と、酸化膜のない領域が多様な大きさを有するように前記酸化膜をエッチングする段階と、選択的エピタキシャル成長法を利用して前記酸化膜のない領域に三角形のエピタキシャル構造を形成する段階と、を順次行うことで、単一基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁

Then, after the metal gate substance layer is etched to form a metal gate pattern, a capping layer is formed on the metal gate pattern, and a selective oxidation process is performed for selectively oxidizing a substance containing silicon while suppressing oxidation of the metal layer included in the metal gate pattern in order to cure any damage occurring upon etching for forming the metal gate pattern.例文帳に追加

次いで、前記金属ゲート物質層をエッチングして金属ゲートパターンを形成した後、前記金属ゲートパターン上にキャッピング層を形成し、前記金属ゲートパターンを形成するためのエッチング時に発生したダメージをキュアリングするために前記金属ゲートパターンに含まれた前記金属層の酸化を抑制しつつ、シリコンを含有した物質を選択的に酸化させる選択的酸化工程を行う。 - 特許庁

A method for inspecting a semiconductor wafer which has a film to form device structures, including device patterns and may have crystal defects, comprises a process of exposing the crystal surface of the semiconductor wafer, by removing the device structure film with a chemical solution, a process of making apparent any crystal defects by selectively removing the surface layer of the semiconductor wafer through selective etching, and a process of quantitatively evaluating the crystal defects.例文帳に追加

デバイスパターンを含むデバイス構造を構成する膜を備え、結晶欠陥を有することがある半導体ウェーハを検査する方法において、上記デバイス構造膜を薬液で除去して半導体ウェーハの結晶表面を露出させる工程と、選択エッチングにより半導体ウェーハの表面層を選択的に除去して上記結晶欠陥を顕在化する工程と、上記結晶欠陥を定量的に評価する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To peel a plurality of sets of semiconductor layer groups from one semiconductor substrate by laminating a buffer layer right on the semiconductor device and a peel layer having a selective etching property with respect to the buffer layer, to obtain the semiconductor layer groups of high crystal quality, to save the labor for a substrate recycling stage by eliminating the need for a surface treatment for recycling the semiconductor substrate, and to make the semiconductor substrate not thinner.例文帳に追加

半導体基板直上のバッファ層と、該バッファ層と選択的なエッチング性を備える剥（はく）離層とを積層することによって、１枚の半導体基板から複数組の半導体層群を剥離することができ、高い結晶品質の半導体層群を得ることができ、半導体基板を再利用するために表面処理を行う必要がなく、基板再利用工程を省力化することができ、半導体基板の厚さが薄くなることがないようにする。 - 特許庁

A method of manufacturing an optical semiconductor device comprises the steps of: forming a semiconductor intermediate layer on a semiconductor substrate; forming a semiconductor stack including an optical waveguide layer above the semiconductor intermediate layer; forming trenches for exposing the semiconductor intermediate layer on their inner surfaces in the semiconductor stack; and forming a cavity by removing the semiconductor intermediate layer exposed on the inner surfaces of the trenches by using selective wet etching.例文帳に追加

光半導体素子の製造方法は、半導体基板上に、半導体中間層を形成する工程と、半導体中間層上に光導波層を含む半導体積層体を形成する工程と、その内面に半導体中間層が露出する溝を半導体積層体に形成する工程と、溝の内面に露出した半導体中間層を選択的ウェットエッチングによって除去することで、空隙を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁