「selective etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, after the whole surface formation of a reflection preventing member film 12a, the ion implantation can be performed before the formation of the reflection preventing film 12 by selective etching.例文帳に追加

尚、反射防止材膜１２ａの全面形成より後、その選択的エッチングによる反射防止膜１２の形成前にそのイオン注入を行うようにしても良い。 - 特許庁

In the substrate 70, guide pin insertion through-holes 72, 74 are formed by selective etching processing or the like on one and the other sides of a lens column including the lenses L_11 to L_14.例文帳に追加

基板７０において、レンズL_１１〜L_１４を含むレンズ列の一方側及び他方側には、ガイドピン挿通孔７２，７４を選択エッチング処理等により形成する。 - 特許庁

In the p-type low resistance silicon single crystal substrate evaluating method, the final etching is conducted using an alkali solution after the selective etching of the silicon single crystal substrate using a selective etchant, and thereafter crystal defect of the silicon single crystal substrate is evaluated.例文帳に追加

Ｐ型低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、シリコン単結晶基板を選択エッチング液によって選択エッチングした後、アルカリ溶液によって仕上げエッチングし、その後、前記シリコン単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 - 特許庁

The first layer 7 is removed by selective chemical etching through the passage 10, and the passage 10 is sealed so as to obtain a metallic capsule for airtight sealing of the microsystems.例文帳に追加

通路１０を介して第１の層７を選択的な化学エッチングにより除去し、通路１０が各マイクロシステムを気密的に封入する金属カプセルを得るために密閉する。 - 特許庁

In a thin film forming step (i), a selective thin film 8 having an etching selectivity and a heat flowability is formed on the silicon, and the surface is flattened by reflowing process or the like.例文帳に追加

薄膜形成工程（ｉ）では、多結晶シリコンに対してエッチング選択性を持ち且つ熱流動性がある選択性薄膜８を成膜し、リフロー処理などによって表面を平坦化する。 - 特許庁

The rugged form 15 can be realized through a method wherein the rear surface 11B of the semiconductor chip 11 is subjected to a cutting process using a blade or the like or a selective chemical etching process.例文帳に追加

凹凸形状１５は例えば半導体チップ１１の裏面１１Ｂに対し、ブレード等による切削工程、または選択的に化学的にエッチングすることにより実現する。 - 特許庁

The wiring 30 is patterned so as to be separated into a drain electrode 32 and a source electrode 34 by selective etching for leaving the semiconductor layer 20 as it is through the left first part 24.例文帳に追加

残された第１部分２４を介して、半導体層２０を残す選択的エッチングによって、配線３０をドレイン電極３２及びソース電極３４に分離されるようにパターニングする。 - 特許庁

Following the etching of the upper dielectric layer, a metal selectively grows on each of exposed part of the metal layer to obtain an inverted mask pattern consisting of the selective metal growth.例文帳に追加

上側誘電体層のエッチングに続いて金属層の各露出した部分に選択的金属成長を適用して選択的金属成長からなる反転されたマスク・パターンが得られる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mold for forming a glass element, whereby mold life can be extended by eliminating occurrence of selective etching etc. based on crystal plane orientation and increasing number of recycle.例文帳に追加

結晶面配向による選択的エッチング等を排し、リサイクル回数を増やし金型寿命を延ばすことができるガラス素子用成形金型の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An opening is provided at a silicon layer of an SOI substrate, a void which is larger than the opening is formed by selective etching of an insulating layer through the opening, and the void is buried by depositing polysilicon.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン層に開口部を設け、これを介して絶縁層を選択エッチングにより開口部より大きな空洞を形成し、ポリシリコンを堆積して空洞を埋める。 - 特許庁

Further, the etching selective ratio of the first interlayer insulation layer 30 to the semiconductor layer 14 is made larger than the one of the second interlayer insulation layer 32 to the semiconductor layer 14.例文帳に追加

半導体層１４に対する第１の層間絶縁層３０のエッチング選択比は、半導体層１４に対する第２の層間絶縁層３２のエッチング選択比より大きい。 - 特許庁

Also, a difference in level is provided in the area in which the optical waveguide is formed by removing by selective etching a silicon layer of the area to which the laser diode is fixed by the use of an SOI substrate.例文帳に追加

また、ＳＯＩ基板を用い、レーザダイオードを固定する領域のシリコン層を選択的エッチングで除去して、光導波路を形成した領域との間に段差を設ける。 - 特許庁

A barrier metallic layer and an aluminum film are formed as a first layer on the semiconductor substrate by sputtering or CVD to form aluminum wires through selective etching by using a resist mask and a reactant gas.例文帳に追加

半導体基板上の１層目にバリアメタル層及びアルミニウムをスパッタもしくはＣＶＤで成膜し、レジストマスクにて反応ガスを用いて選択エッチングでアルミ配線形成する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method using a material for multilayer processing, capable of forming a film having a high etching selective ratio to a film formed from an organic material, at a low temperature.例文帳に追加

低温で、有機材料から形成される膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な多層プロセス用材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the gate electrode interconnection is also formed simultaneously because the gate electrode 118 is also removed appropriately through etching selective for the gate electrode sidewall insulating film 119.例文帳に追加

さらに、ゲート電極側壁絶縁膜１１９に対して選択性のあるエッチングによりゲート電極１１８も適宜除去されるから、ゲート電極配線も同時に形成される。 - 特許庁

A silicon oxide film 4 and a silicon nitride film 5 are film-formed to cover a gate electrode 3 formed on a silicon substrate 1, and a side wall is formed by selective etching of the silicon nitride film.例文帳に追加

シリコン基板１に形成されたゲート電極３を覆って、シリコン酸化膜４及びシリコン窒化膜５を成膜し、シリコン窒化膜の選択的エッチングによってサイドウォールを形成する。 - 特許庁

Subsequently, the SiGe crystal 504 is removed by selective etching to leave only single crystal microstructure of Si 506 thus fabricating an isolated single crystal planar microstructure of Si.例文帳に追加

その後、選択的エッチングによってＳｉＧｅ結晶５０４を除去し、単結晶のＳｉ微細構造５０６だけを残す事で、孤立した単結晶の板状Ｓｉ微細構造を製造する。 - 特許庁

To improve the yield in a manufacturing process step by gently sloping the pattern sectional shape of the pattern formation performed by using selective etching by dry etching and abating a shorting defect in manufacturing a liquid crystal display device of an active matrix type.例文帳に追加

アクティブマトリックス方式の液晶表示装置の製造に際し、ドライエッチングによる選択エッチングを用いて行なったパタン形成のパタン断面形状をなだらかにし、ショート不良を低減することにより製造工程における歩留まりを向上すること。 - 特許庁

The present invention provides a technique for protecting the surface layer part in selective etching and for evaluating the BMDs in the surface layer part, by forming nitride film (film having high resistance against hydrofluoric acid etching) in the silicon wafer with a surface coated with an oxide film.例文帳に追加

本発明は、酸化膜が表面を覆っているシリコンウェハに窒化膜（フッ酸エッチングに対する高い耐性を有する膜）を形成することで、選択エッチングを行った際に表層部を保護し、表層部のＢＭＤ評価が可能となる技術を提供する。 - 特許庁

A semiconductor layer is grown by selective epitaxial growth on a surface of a substrate 10 appearing on only an opening part T of a part in which an opening part T1 due to the first etching and an opening part T2 due to the second etching intersect, and finally a semiconductor device surface is flattened.例文帳に追加

第１のエッチングによる開口部T１と第２のエッチングによる開口部T２が交差する部分の開口部Tにのみ現れる基板10の表面に、選択エピタキシャル成長により半導体層を成長させ、最後に半導体装置表面を平坦化する。 - 特許庁

A mask pattern (selective mask) is formed on a nickel (Ni) film 1 after a desired pattern is formed on a resist film 3, a selective etching can be performed on a wafer W by merely dipping the wafer W on which the film 3 and the film 1 are coated into the process liquid to treat the wafers W with high throughput at the low cost.例文帳に追加

レジスト膜３に所望のパターンを形成した後、ニッケル(Ni)膜１にマスクパターン（選択マスク）を形成し、レジスト被膜３とニッケル膜１を被着したウエハＷを処理液に浸漬させるだけでウエハＷの選択的エッチングが可能であり、スループット高く低コストでウエハＷを処理できる。 - 特許庁

To provide a selective etching method capable of evaluating a crystal defect of an ultra-low resistant silicon single crystal substrate having electric resistivity of <10 mΩ cm, especially BMD (bulk micro defects) properties, which can not be easily detected by conventional methods, by selectively etching using a chromium-less etching solution which does not contain harmful chromium and utilizing the silicon single crystal substrate.例文帳に追加

従来容易には検出することができなかった電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満である超低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥、特にＢＭＤの特性を、有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて選択エッチングすることにより評価し、利用することを可能にする、選択エッチング方法を提供する。 - 特許庁

Selective growth layers 6 and 7, which have thickness that offsets the dependence on opening area of etching rate, are selectively grown in advance in each opening 4 and 5 of the etching mask 3 which has a plurality of openings 4 and 5 having different areas of openings on a semiconductor layer 2 to be etched.例文帳に追加

被エッチング半導体層２上に異なった開口部面積を有する複数の開口部４，５を有するエッチングマスク３の各開口部４，５に、エッチング速度の開口部面積依存性を相殺する厚さの選択成長層６，７をエッチング工程前に予め選択的に成長させる。 - 特許庁

The etching liquid for use in the selective etching of the silicon nitride contains water, a first liquid mixed with water in order to raise the boiling point of a mixture liquid to 150°C or higher, and a second liquid which can produce a proton (H^+).例文帳に追加

窒化シリコンの選択的なエッチングに用いるエッチング液であって、水と、前記水に混合させることにより混合液の沸点を１５０℃以上にすることができる第一の液体と、プロトン（Ｈ^＋）が生成可能な第二の液体と、を含むことを特徴とするエッチング液が提供される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor element region where a semiconductor element is formed by selectively etching a semiconductor layer and a monitor region which is made of the same material with the semiconductor layer and provided with a monitoring semiconductor element for inspecting an amount of selective etching on the semiconductor element.例文帳に追加

半導体層が選択エッチングされることにより半導体素子が形成される半導体素子領域と、前記半導体層と同じ材質からなり、前記半導体素子が選択エッチングされた量を検査するモニタ用半導体素子が設けられたモニタ領域とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an etching solution which does not damage polycrystal Si(poly-Si) and a Si oxide film (SiO_2), has a highly selective etching rate to a hafnium oxide film of a hardly-soluble high-dielectric material used as a gate insulation film, and does not include hydrofluoric acid.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、Ｓｉ酸化膜（ＳｉＯ_２）などにダメージを与えることなく、ゲート絶縁膜として用いられる難溶性の高誘電体材料であるハフニウム酸化膜等に対する選択エッチチングレートが大きく、なおかつフッ酸を含まないエッチング液を提供する。 - 特許庁

Although the etching rate of a tungsten is 4-5 times faster in a solution which is normally used, to raise the selective ratio of the titanium nitride, the mole ratio for H2O2/HCI is set at 1/100 or smaller with a solution temperature at 70°C or higher related to the mixed liquid of hydrochloric acid and hydrogen peroxide used for wet-etching.例文帳に追加

通常使用されている溶液ではタングステンのほうが４〜５倍速いエッチングレートを窒化チタンの選択比を高める方法としてウエットエッチングに用いる塩酸と過酸化水素の混合液においてＨ_２Ｏ_２／ＨＣｌのモル比を１／１００以下とし、且つ溶液温度を７０℃以上とする。 - 特許庁

To efficiently provide a transflective electrode substrate by simplifying a manufacturing process of the transflective electrode substrate by using etching liquids selective etching, and by making the process produce no waste of time by avoiding complicated repetitive works.例文帳に追加

選択的にエッチングできるエッチング液を用いて、半透過半反射型電極基板の製造工程を簡略化し、煩雑な繰り返し作業を回避することによって時間的なロスを発生しない工程とし、半透過半反射型電極基板を効率的に提供することである。 - 特許庁

For the purpose of preventing the damage to an oxide film at a termination time position, the residual film thickness of polysilicon is monitored by using a light interference real time film thickness monitor, and just before the termination position, changeover to a high selective etching condition is performed.例文帳に追加

ポリシリコンの終点時に起こる酸化膜の損傷を防止するため、光干渉式リアルタイム膜厚モニタでポリシリコン残膜を検知し、終点直前に高選択エッチング条件に切り換える。 - 特許庁

To provide an etching composition that can remove a silicon nitride at a low temperature of 100°C or less and at a selective and industrial speed without giving a damage to other semiconductor materials such as a silicon oxide or the like.例文帳に追加

酸化ケイ素等の他の半導体材料にダメージを与えることなく、窒化ケイ素を１００℃以下の低温で、選択的かつ工業的な速度で除去できるエッチング用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board which can cope with densification more cheaply by forming the wiring board by using a laminated foil having a barrier layer to utilize a both surfaces-exposing technique and a selective etching technique.例文帳に追加

バリア層を有する積層箔を用いて、両面露光技術及び選択エッチング技術を利用し配線板を形成することで、高密度化に対応できる配線板をより安価に提供する。 - 特許庁

In one or more embodiments, the selective epitaxy process includes a step of repeating, until an epitaxial layer grows to a desired thickness, a cycle composed of: the deposition, an etching process after the deposition, and a desired purge cycle.例文帳に追加

一つ以上の実施形態によれば、選択的エピタキシャルプロセスは、エピタキシャル層の所望の厚さが成長するまで、堆積と、その後のエッチングプロセスと、所望によるパージのサイクルを繰り返すステップを含む。 - 特許庁

A layer partly covering an SiC substrate 100 among layers constituting the graphene film 104 is heated at a prescribed temperature in a hydrogen gas atmosphere to perform selective etching from its edge.例文帳に追加

グラフェン膜１０４を構成する層のうちＳｉＣ基板１００を部分的に覆う層を、水素ガス雰囲気中で所定の温度に加熱することによって、そのエッジから選択的にエッチングする。 - 特許庁

The disclosed selective etching process is sufficiently suitable for ferroelectric memory device fabrication using a conductive oxide/ferroelectric interface having silicon nitride as a material for encapsulating a ferroelectric substance.例文帳に追加

開示された選択的エッチングプロセスは、強誘電体の封じ込め材料として窒化シリコンを有する導電性酸化物／強誘電体界面を用いる強誘電体メモリデバイス製造に十分適している。 - 特許庁

In the case of the wide area etching step, a selective power is impressed between both electrodes 30 and 12 for producing etching plasma in almost the whole area of a chamber at the first relatively low voltage and relatively wide electrode intervals while in the case of the local area etching step, the vacuum processing reactor can be adjusted at the second relatively high voltage and relativelly narrow electrode intervals.例文帳に追加

広域エッチングの場合、エッチング用プラズマをチャンバのほぼ全域にわたって生成するために、両電極間に選択した電力を印加し、比較的低い第１の圧力で、且つ比較的大きな電極間隔にし、次に局部エッチングの場合、比較的高い第２の圧力で、且つ比較的小さい電極間隔に調整することができる装置である。 - 特許庁

This unit 26 is composed of a mist generator 39 for atomizing an etching liquid 38 with introduced nitrogen gas and a selective plate 41, etc. for passing particles of 30 μm or less among a resultant mist M.例文帳に追加

フォグ発生ユニット２６を、窒素ガスを導入しながらエッチング液３８を微粒子化するミスト発生器３９や、そのミストＭのうち粒径３０μｍ以下のものを通過させる選択プレート４１等から構成する。 - 特許庁

To provide a production method of a porous glass in which treatment time can be shortened in selective etching step of a phase separated glass with an acid solution, and remaining and deposition of gel silica in the pores of an obtained porous glass are suppressed.例文帳に追加

分相ガラスの酸溶液による選択エッチングの工程で、処理時間が短縮でき、且つ多孔質の細孔中にゲル状シリカの残留、堆積が抑制された多孔質ガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To less expensively provide a wiring board which makes density higher by utilizing the conventional double side exposing technology and the selective etching technology to form the wiring board by using a four layer laminated foils with barrier layers.例文帳に追加

バリア層を有する四層積層箔を用いて、既存の両面露光技術及び選択エッチング技術を利用し配線板を形成することで、高密度化に対応できる配線板をより安価に提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device, forming a support-like spacer serving as an auxiliary role by restraining limitations in design of a display pixel without any increase in number of times of selective etching using photolithography technology.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術による選択エッチングの回数を増やさず、しかも、表示画素の設計上の制約を抑えて、補助的な役割をする支柱状スペーサを形成可能な液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In a method for forming a chip from wafer, a die 30 containing an integrated circuit removes a substrate material 32 damaged in a cutting process through selective etching, after the material 32 is separated (cut off) from a wafer with a CO2 laser beam in the cutting process.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、集積回路を含むダイがＣＯ_2レーザによりウェハから分離（切断）された後、この切断プロセスの間に損傷を受けた基板材料を、選択性エッチングプロセスで除去する。 - 特許庁

When the growth is interrupted, the etching rate at a thicker portion becomes higher than that at a thinner portion and the thickness distribution is eliminated, even if the distribution occurs during the course of the selective growth.例文帳に追加

成長時に膜厚分布を生じたとしても、成長中断を挿入すれば、膜厚が厚い部分におけるエッチング速度が、膜厚が薄い部分におけるエッチング速度を上回り、これを解消する方向に寄与する。 - 特許庁

By selective oxidation, a silicon oxide film 6 as thick as 3 nm or so is formed, a silicon nitride film 7 of thickness 10 nm or so is formed through a CVD method, and the silicon nitride film 7 is etched using the silicon board 10 as an etching stopper.例文帳に追加

選択酸化により、約３ｎｍのシリコン酸化膜６を形成し、ＣＶＤにより、約１０ｎｍのシリコン窒化膜７を形成した後、シリコン基板１０をエッチングストッパとしてシリコン窒化膜７がエッチングされる。 - 特許庁

To avoid this problem, selective etching is performed on a first cap layer 5 by using a phosphoric acid based etchant after the layer is subjected to etching using the hydrochloric acid-based etchant so as to remove the first cap layer 5 including a portion of the second cap layer 6 and the alteration product D that remain on the first cap layer 5 from a cladding layer 4.例文帳に追加

そこで、塩酸系エッチャントによるエッチングに引き続き、リン酸系エッチャントを用いて、第１のキャップ層５を選択エッチングすることにより、第１のキャップ層５に残留する第２のキャップ層６の一部と変質物Ｄとを、第１のキャップ層５と共にクラッド層４の表面から除去する。 - 特許庁

To improve controllability for an etching process, crystallinity at the time of regrowth and luminous efficiency in a surface emitting laser element of a selective oxidation current constrictive with a controlling system in an oxidation shape by arranging each semiconductor layer with different compositions in a current path and an oxidation area by means of etching and regrowth.例文帳に追加

エッチング及び再成長により電流通路と酸化領域にそれぞれ組成の違う半導体層を設けて酸化形状の制御を行う方式の選択酸化電流狭窄型の面発光型レーザ素子において、エッチング工程の制御性，再成長時の結晶性、および発光効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor manufacturing and etching methods that can (1) form a sidewall on condition of very high selective etching and reduce as much film decrease in an SOI layer as possible in a thin film SOI device, (2) have a stable and high current drive capability, and (3) realize a high yield.例文帳に追加

薄膜ＳＯＩデバイスにおいて、▲１▼超高選択比エッチング条件にてサイドウォールを形成し、ＳＯＩ層の膜減の量を極力低減すること、▲２▼安定した高い電流駆動能力を持つこと、▲３▼高歩留まりを実現することの可能な電解効果トランジスタの製造方法及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁