「side- etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the semiconductor device further comprises the steps of: forming an amorphous Si layer 26 on the opposite surface side of the epitaxial semiconductor layer 4 after the etching step; and forming an anti-reflection film and a color filter on the amorphous Si layer 26 in this order.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層４の前記反対面側にアモルファスＳｉ層２６を形成する工程と、前記アモルファスＳｉ層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。 - 特許庁

The semiconductor wafer W (Si) is etched until an oxide film is exposed, a bottom oxide film is also removed by an etching, the circuit formed on the A surface side is exposed, the resist is removed by an ashing, and a contact hole is formed by a washing by chemicals.例文帳に追加

次いで半導体ウェーハＷ（Ｓｉ）を酸化膜が露出するまでエッチングし、更にボトム酸化膜もエッチングにて除いてＡ面側に形成されている回路を露出させ、前記レジストをアッシングにて除去し薬品洗浄することでコンタクトホールとする。 - 特許庁

The areas of a gate oxide films 2a, 2b of two transistors are set the same, and side areas of sixth metal-wiring layers 15a, 15b which are exposed due to being the uppermost layers are also set the same in a metal- wiring forming process carried out by a plasma treatment such as a plasma etching.例文帳に追加

２つのトランジスタのゲート酸化膜２ａおよび２ｂの面積を同一に設定し、プラズマエッチング等のプラズマ処理による金属配線形成工程で、その時点で最上層のため露出する第６の金属配線層１５ａおよび１５ｂの側面の面積をも同一に設定している。 - 特許庁

In the laminated film, pretreatment by reactive ion etching (RIE) is applied to at least one side of a polyethylenenaphthalate (PEN) substrate 1, a transparent primer layer 2 is laminated on the surface of the pretreated substrate, and an inorganic compound layer 3 is laminated on the transparent primer layer.例文帳に追加

ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）からなる基材１の少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）による前処理を施し、前記前処理を施した基材面上に透明プライマー層２を積層し、前記透明プライマー層上に無機化合物層３を積層することを特徴とする積層フィルム。 - 特許庁

With regarad to a group of semiconductor solid pieces 90 on a protection sheet 89 divided along dicing lines 17, damage areas h1 and h2 are removed by etching from surfaces 90a and 90b subjected to machining including the side faces subjected to dicing.例文帳に追加

ダイシングライン１７に沿って分割された保護シート８９上の半導体固片９０群を対象とし、それらのダイシング加工した側面を少なくとも含む機械加工面９０ａ、９０ｂにつき、ダメージ域ｈ１、ｈ２をエッチング処理して除去することにより、上記の目的を達することができる。 - 特許庁

The manufacturing method for the optical switch having movable micromirrors which are supported through the beam formed integrally with the silicon substrate and enabled to move to projection positions and sinking positions by the beam includes forming an embossed beam precursor by etching one surface side of a 1st silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板に一体に形成された梁を介して支持されその梁により突出位置及び没入位置に移動可能に構成された可動マイクロミラーを有する光スイッチの製造方法を、第１のシリコン基板の一方面側をエッチングすることにより浮き彫り状の梁前駆体を形成する。 - 特許庁

A crystal substrate 70 and an auxiliary substrate 72 are successively dry-etched from a second surface 70b side of the crystal substrate 70 in a state where the auxiliary substrate 72 having approximately the same etching rate as the crystal substrate 70 is bonded to a first surface 70a of the crystal substrate 70.例文帳に追加

水晶基板７０の第１面７０ａに、水晶基板７０と略同一のエッチングレートを有する補助基板７２が接合された状態で、水晶基板７０の第２面７０ｂ側から、水晶基板７０および補助基板７２を連続してドライエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

When the ITO film to be an pixel electrode 4 is deposited after that, oxygen transfer at the interface between the interlayer insulating film and the ITO film is prevented and side etching of the ITO at the interface can be suppressed, because the oxygen ratio of the film surface in the nitrogen plasma treatment is lower than that in oxygen plasma treatment.例文帳に追加

その後、絵素電極４となるＩＴＯ膜を成膜する際に、窒素プラズマ処理では膜表面の酸素割合が酸素プラズマ処理よりも低いため、層間絶縁膜とＩＴＯとの界面における酸素移動を防いで界面でのＩＴＯのサイドエッチングを抑制することができる。 - 特許庁

At the same time, a high frequency power is supplied from a high frequency power supply 32 to a susceptor 12, and the plasma of etching gas is generated by high frequency discharge between the susceptor (lower electrode) and an upper electrode 38 whereby the electric field [E] orthogonal to the upper electrode 38 from the side of the plasma is generated.例文帳に追加

一方、高周波電源３２からの高周波電力がサセプタ１２に供給され、サセプタ（下部電極）と上部電極３８との間の高周波放電によってエッチングガスのプラズマが生成し、プラズマ側から上部電極３８に向って垂直方向の電界［Ｅ］が生ずる。 - 特許庁

Thereafter, on the surfaces of a metal support substrate 2, a base insulating layer 3 and the conductor pattern 4, a semiconductive layer 5 composed of an oxidized metal is formed by sputtering from the upper part in the thickness direction of the conductor pattern 4 so as to form a cut 10 at the side etching part 9.例文帳に追加

その後、金属支持基板２の表面、ベース絶縁層３の表面および導体パターン４の表面に、導体パターン４の厚み方向上方からのスパッタリングにより、酸化金属からなる半導電性層５を、サイドエッチング部分９に切り目１０が形成されるように、形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed wiring board in which scattered pieces of copper can be securely removed without excessively etching a copper layer of an inner layer disposed at a via bottom nor a copper layer surface on the side of a multilayer stacked plate surface when vias are formed in a multilayer stacked plate by direct laser machining.例文帳に追加

ダイレクトレーザー加工で多層積層板にビアを形成する場合に、ビア底に位置する内層の銅層や多層積層板表面側の銅層表面を過剰にエッチングすることなく銅の飛散り物を確実に除去できるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Electrodes 14 are formed at the bottom of a penetration hole 13, etched anisotoropically in a semiconductor material having a crystal plane of (100), capable of anisotropic etching and a wire 18 is bonded to the electrode 14 from the etched penetration hole side 13 for the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置には、異方性エッチング可能な結晶面が（１００）である半導体材料１１に異方性エッチングされた貫通穴１３の底部に電極１４が形成され、エッチングされた貫通穴側１３から電極１４に対してワイヤ１８がボンディングされる。 - 特許庁

Namely, while a pixel electrode in double structure including a transparent electrode and a reflective electrode is formed using one photomask, a photosensitive film is reflowed by baking to be formed even on a lateral side of a conductive layer, thereby preventing the transparent electrode from being undercut owing to double etching.例文帳に追加

即ち、一つのフォトマスクを用いて透明電極と反射電極を含む二重構造の画素電極を形成すると同時に、感光膜をベーキングでリフローして導電層の側面にも形成することによって、二重エッチングによる透明電極のアンダーカットを防止することができる。 - 特許庁

When the surface of crystalline semiconductor film is removed by etching, a crystalline semiconductor film having a side face covered with the sidewall of the recess and not containing a crystal grain boundary other than a twin is formed in the recess region.例文帳に追加

この結晶性半導体膜の表面をエッチング除去することで、凹部領域には、側面が凹部側壁によって覆われ、双晶以外の結晶粒界を含まない結晶性半導体膜が形成され、これをチャネル領域とする半導体素子およびＴＦＴを作製することが可能となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of surely preventing short-circuit defects without generating deposited foreign matters when removing a side wall formed when using fluorine-based gas for dry-etching a metal film containing titanium, and the semiconductor device.例文帳に追加

チタンを含む金属膜のドライエッチにフッ素系ガスを使用する際に形成される側壁を除去する際に析出異物が生成されることがなく、短絡不良の発生を確実に防止することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises applying a photosensitive resist 4 on one side of a substrate 1, carrying out laser lithography to the photosensitive resist 4, developing the drawn image to form a mask pattern 5 having a desired opening pattern 5a, and etching the substrate 1 through the mask pattern 5 to a desired depth to obtain a mold 11.例文帳に追加

基板１の一方の面に感光性レジスト４を塗布し、この感光性レジス４トにレーザ描画を行い、その後、現像を施して、所望の開口パターン５ａを有するマスクパターン５を形成し、このマスクパターン５を介して基板１を所望の深さまでエッチングしてモールド１１とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flexible printed board by which metal residues between wiring lines are removed through an inexpensive and easy process without performing side etching of a copper layer and even a microwiring processed article has sufficient insulation reliability, and also to provide the printed wiring board obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

安価でかつ簡単な工程で銅層のサイドエッチングなしに配線間の金属残りを除去でき、微細配線加工品でも十分な絶縁信頼性を有するフレキシブルプリント基板の製造方法、および該製造方法により得られたプリント配線基板を提供する - 特許庁

The method of manufacturing a diode device (30) such as PIN diodes comprises a step for forming an upper and lower regions (38, 40) having opposite conductivities, and a step for anisotropically etching into the upside to form a pit (32) having side walls (56, 58 and 60) extending and converging toward the downside.例文帳に追加

PINダイオードのようなダイオードデバイス(30)を製造する方法であって、反対の導電性からなる上部領域と下部領域(38,40)を形成すること、及び底面に近づきながら収束する側壁(56,58,60)を有するピット(32)を形成するために上面内へ異方性エッチングすることを含む。 - 特許庁

An exposure part of a silicon oxide film 37 which is a sacrifial layer left behind as the anchor below a fixing part 2C is coated with a stopper(polysilicon thin film) 38 for preventing sideetching, thereby eliminating the side-etching of the sacrificial layer silicon oxide film 37 and preventing the entering in of chip fractures and of particles.例文帳に追加

固定部２Ｃの下にアンカーとして残される犠牲層であるシリコン酸化膜３７の露出部がサイドエッチングを防止するためのストッパ（ポリシリコン薄膜）３８で覆われ、これにより、犠牲層用シリコン酸化膜３７のサイドエッチングを無くし、チップの欠損およびパーティクルの入り込みを防止する。 - 特許庁

The plurality of recording element substrates 3 each include a first surface 13 arranged with a plurality of inkjet ports 7 where each flow path opens, and a second surface 15 which forms the side surface of the recording element substrates 3 by intersecting with the first surface 13 and is at least partially formed by etching.例文帳に追加

各記録素子基板３は、各流路が開口する複数のインク吐出口７が配された第１の面１３と、第１の面１３と交差して記録素子基板３の側面を形成するとともに、少なくとも一部がエッチング処理によって形成された第２の面１５と、を有する。 - 特許庁

The spacer layer has a relatively low refractive index, images the convex-shaped surface by treating a selective and isotropic etching through an opening in an etch mask, and forms an interface together with the convex-shaped lower side surface of the micro lens after the micro lens substance is adhesively formed conformably.例文帳に追加

スペーサー層は比較的低い屈折率を有しており、エッチマスクにおける開口を介して選択的な等方的エッチング処理して凸状表面を画定し、それは、その後のマイクロレンズ物質のコンフォーマルな付着形成の後に、マイクロレンズの凸状下側表面と共に界面を形成する。 - 特許庁

The method further includes a step of forming an etching mask in the trench to mask partially the basal surface of the trench, and successively a step of removing the semiconductor material of the substrate exposing in the basal surface which has been partially masked and demarcating a second side wall which deepens the trench and has been narrowed.例文帳に追加

この方法はさらに、トレンチ内にエッチング・マスクを形成してトレンチの基底面を部分的にマスクするステップと、これに続いて、部分的にマスクされた基底面の露出した基板の半導体材料を除去して、トレンチを深くする狭められた第２の側壁を画定するステップとを含む。 - 特許庁

After this, the first insulating film 120a is left as it is in the N-type transistor formed region and a first space is selectively formed on the side of the P-type gate pattern 110b by means of the anisotropic etching of the first insulating film in the P-type transistor formed region.例文帳に追加

次いで、前記Ｎ型トランジスタ形成領域には前記第１絶縁膜１２０ａをそのまま残し、Ｐ型トランジスタ形成領域には前記第１絶縁膜を異方性食刻して前記Ｐ型ゲートパターン１１０ｂの側面に選択的に第１スペーサを形成する。 - 特許庁

The electrically conductive light shielding film 124 is circularly left on the outer peripheral part of the TFT substrate 110 in order to make the upper light shielding film of a scribe line side hard to peel during etching and cleaning when the upper light shielding film is formed on the TFT substrate 110.例文帳に追加

導電性遮光膜１２４は、ＴＦＴ基板１１０に上層遮光膜を形成する場合に、スクライブライン側の上層遮光膜がエッチング時や洗浄時に剥離しにくくするため、ＴＦＴ基板１１０の外周部に環状に残すようにしたものである。 - 特許庁

A bridge element 26 is extended to the air gap 24, and the element 26 has an electric suspension connection line 28, which electrically connects the first and the second regions 23 and 45, and the protective structure 29 made of etching resist material and surrounding the electric connection line 28 on the whole side face.例文帳に追加

エアギャップ（２４）上にブリッジ素子（２６）が延び、この素子は第１および第２の領域（２３、４５）を電気的に接続する懸垂電気接続ライン（２８）と、全側面において電気接続ライン（２８）を取り囲むエッチングレジスト材料の保護構造（２９）とを有している。 - 特許庁

A groove 22 is formed by etching a resist layer 18 at a space between a coating component 12 and a noncoating component 16, and also a barrier rib 24 is formed of a component mark forming resin for printing a component mark 20 along the edge portion of the groove 22, which is on the side of the component 16.例文帳に追加

コーティング部品１２と非コーティング部品１６との間の空間でレジスト層１８をエッジングして溝２２を形成すると共に、前記溝２２の非コーティング部品１６側の溝外縁に沿って、部品マーク２０を印刷する部品マーク形成樹脂で隔離壁２４を形成する。 - 特許庁

After having formed a metal film 19 on a silicon oxide film 12, a plug 16 and a SiN film 18, by anisotropically etching the metal film 19 by using a photo resist film, the metal film 19 is left on the side wall of the protruded portion from the silicon oxide film 12 of the plug 16.例文帳に追加

酸化シリコン膜１２、プラグ１６およびＳｉＮ膜１８上にメタル膜１９を形成した後、フォトレジスト膜を用いてメタル膜１９を異方的にエッチングすることにより、プラグ１６の酸化シリコン膜１２から突出した部分の側壁にメタル膜１９を残す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which forms a protection film on a side wall of a via hole in the middle of etching process of a trench in order to reduce a faceting of the via hole, while which makes it possible to effectively protect an object to be protected by selecting its forming process properly.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、ビアホールに於ける肩落ちを低減させる為、トレンチのエッチング加工途中でビアホールの側壁に保護膜を形成するのであるが、その形成工程段階を適切に選定することで、保護対象を有効に保護できるようにする。 - 特許庁

When wall spacers are formed on both side surfaces of a gate pole, the distance between a silicide and a channel can be shortened, by advancing a silicide process, after removing a fixed width of a semiconductor substrate both sides of the wall spacers by adjusting the amount of etching gas.例文帳に追加

ゲート電極の両側面に側壁スペーサを形成する時、エッチングガスの量を調節して側壁スペーサの両側の半導体基板の一定厚さを除去した後、シリサイド工程を進行することにより、シリサイドとチャネルとの間の距離を短縮させることができる。 - 特許庁

In order to locate the recess on the side of the metal wiring layer, after the current density of an intermediate process is made lower than a current density of before/after process to form a plating layer of a fine metal crystal when depositing the metal wiring layer by plating, the recess can be obtained by carrying out an etching treatment.例文帳に追加

金属配線層の側面に窪みを設けるには、金属配線層をメッキにより析出させるに際して、中間工程の電流密度を前後の工程の電流密度よりも低くして微細金属結晶のメッキ層とした後、エッチング処理を行うことにより得られる。 - 特許庁

An ink outlet 56 is provided near an ink guide 52 which is manufactured in such a manner that a tip part is sharpened by anisotropic wet etching of a monocrystalline substrate, and such an ink flow 14 as to cross a side surface of a sharpened part 54 is formed by using ink flowing out from the ink outlet 56.例文帳に追加

単結晶基板の異方性ウエットエッチングによって先端部が先鋭化されて作製されたインクガイド５２の近傍にインク流出口５６が設けられ、インク流出口５６から流出するインクにより先鋭部５４の側面を横切るようなインク流１４が形成される。 - 特許庁

In a region with a given length from each edge face of the semiconductor laser element 100, a part with a given depth from the p-type contract layer 9 to the n-type GaN layer 4 is removed by etching to form a step part 300 with a flat side face 41 and a bottom face 42.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００の両端面から所定幅の領域においてｐ−コンタクト層９からｎ−ＧａＮ層４の所定深さまでがエッチングにより除去され、平坦な側面４１および底面４２を有する段差部３００が形成されている。 - 特許庁

The method further comprises the subsequent steps of: forming a conductive film; anisotropically etching the conductive film thereby to form word lines 111a to 111d on side faces of the third insulator 106a to 106c; and forming a second contact plug 115b for connecting to a capacitor on an apex portion of the third insulator 106b.例文帳に追加

その後、導電性膜を形成し、これを異方性エッチングすることで、第３絶縁体１０６ａ乃至１０６ｃの側面にワード線１１１ａ乃至１１１ｄを形成し、第３絶縁体１０６ｂの頂部にキャパシタへ接続するための第２コンタクトプラグ１１５ｂを形成する。 - 特許庁

To restrain the formation of a recess in a device separation region and to restrain the deterioration of the accuracy of dimension due to undercut of an oxide film mask, by enabling to remove a part of an oxide film existing on side walls of stepped parts by only anisotropic etching, with respect to a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、段差部側壁に在る酸化膜を異方性エッチングのみで除去することを可能にして、素子分離領域に沈み込みが発生することを抑止し、また、酸化膜マスクのアンダーカットに依る寸法制度の劣化を抑止できるようにする。 - 特許庁

The cover insulating film 6 is removed only from the PMOS region by etching back, and then the resist is removed, by which a thin side wall film 7 is formed on the gate electrode 4 in the PMOS region, and a hard mask 8 which is used for implantation of ions when a PMOS extension is formed in the NMOS region is formed.例文帳に追加

ｐＭＯＳ領域のみエッチバックによってカバー絶縁膜６を除去した後、レジストを除去することで、ｐＭＯＳ領域のゲート電極４に薄膜のサイドウォール７が形成され、ｎＭＯＳ領域にｐＭＯＳエクステンションを形成する際のイオン注入のハードマスク８が形成される。 - 特許庁

In the semiconductor device which does not adopt a SAC structure, a bit contact interlayer film 13, other than the place where a bit line 6 is formed, is removed by etching, and a direct nitride film 19 is then formed all over the upper surface and the side surface of the bit line 6 to cover the bit line 6.例文帳に追加

ＳＡＣ構造を採用していない半導体装置に対して、ビット線６が形成されている場所以外のビットコンタクト層間膜１３をエッチング処理により除去した後に、ダイレクト窒化膜１９をビット線６の上面および側面の全面にビット線６を覆うようにして形成する。 - 特許庁

The process for fabricating a nitride-based semiconductor laser element comprises a step for etching the backside (nitrogen surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE, and a step for forming an n-side electrode 8 on the backside (nitrogen surface) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To prevent a side etching of the interface between layers of metal wiring and to reduce voids occurred when an interlayer insulation film is formed and to stabilize contact resistance even if a contact hole for connection with a metal wiring layered on the insulation film has a borderless structure.例文帳に追加

積層構造の金属配線界面のサイドエッチング発生を防止して、層間絶縁膜成膜時のボイドを抑制すると共に、その上層のメタル配線との接続のためのコンタクトホールがたとえボーダレス構造であっても、コンタクト抵抗を安定化させることを目的とする。 - 特許庁

The contamination of the dielectric top plate 4 caused by the deposition of the by-product produced during the plasma treatment or an etching material to be etched is prevented by arranging a dielectric deposition preventing plate 2 having many through holes 5, 6 and 7 having the tilted angle, the bending point or the curved part to be in contact with the vacuum side of the dielectric top plate.例文帳に追加

誘電体天板２の真空側に接するように斜度、屈曲点、又は湾曲部を持つ多数の貫通穴５，６，７を有する誘電体防着板２を配設して、プラズマ処理中に生じる副生成物や被エッチング材の付着による誘電体天板４の汚染を防止する。 - 特許庁

In the method for patterning, a photo-curable resin 24 is applied on a face of the member 10 to be etched with the hollow 13 on which the dry etching is applied, and a mold 50 having a pattern corresponding to a mask 24a with taper-shaped side face to be formed on the member to be etched is pressed on the photo-curable resin.例文帳に追加

空洞１３を有する被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に光硬化性樹脂２４を付与し、被エッチング部材上に形成すべきテーパー形状の側面を有するマスク２４ａに対応したパターンを有するモールド５０を光硬化性樹脂に押し付ける。 - 特許庁

Each of the recording element substrates 3 includes: a first surface 13 having a plurality of ink discharge ports 7 with opened channels; and a second surface 15 that intersects with the first surface 13 to form a side of the recording element substrate 3 and is at least partially formed by etching.例文帳に追加

各記録素子基板３は、各流路が開口する複数のインク吐出口７が配された第１の面１３と、第１の面１３と交差して記録素子基板３の側面を形成するとともに、少なくとも一部がエッチング処理によって形成された第２の面１５と、を有する。 - 特許庁

To prevent breakdowns of an insulating film between stacked gates and a gate insulating film of a transistor in an NAND cell, even if an etching residue of a polysilicon film for forming a floating gate is generated in the column direction along a projection side face of an STI region at an end in the row direction of a cell array of an NAND type flash memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリのセルアレイの行方向端におけるSTI 領域の突出側面に沿って列方向に浮遊ゲート形成用ポリシリコン膜のエッチング残りが発生しても、NANDセル内のトランジスタの積層ゲート間絶縁膜およびゲート絶縁膜の破壊を防止する。 - 特許庁

By performing dry etching to the film by the metal mask 5 having a first tilt angle, a conductive section 6 formed on the surface of the base material 1 is exposed, and a hole having a second tilt angle according to the first tilt angle to the conductive section 6 of the open side face 5a is formed.例文帳に追加

第１の傾斜角度を有する金属マスク５を用いて膜をドライエッチングすることで、基材１の表面に形成された導電部６を露出させるとともに、開口側面５ａが導電部６に対して第１の傾斜角度に応じた第２の傾斜角度を有する孔を形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer of gallium nitride is formed on a heavily doped silicon substrate, and an active region passing a main current surrounded by a mesa groove formed by etching the gallium nitride layer down to a depth of 80% or more is provided on the gallium nitride semiconductor layer side surface.例文帳に追加

高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、窒化ガリウム層の８０％以上の深さにエッチングしたメサ溝によって囲まれる主電流の流れる活性領域をそなえる構成の半導体装置とする。 - 特許庁

To provide a photoresist peeling solution easy to handle, excellent in work efficiency and safety, requiring neither troublesome discharge air treatment nor waste liquor treatment and capable of peeling a photoresist film that remains after dry etching and photoresist residue such as a side wall protecting film without causing a problem such as corrosion of a metal.例文帳に追加

取り扱いが容易で作業性、安全性に優れ、煩雑な排気処理、廃液処理を必要とせず、ドライエッチング後に残存するフォトレジスト膜及び側壁保護膜等のフォトレジスト残渣を金属腐食などの問題もなく剥離することができるフォトレジスト剥離液を提供すること。 - 特許庁