「structure element」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a solid-state image pickup element which has a global shutter function of suppressing noise without using a solid-state image pickup element special in structure, and applicable to moving image photographing as well, and to provide a solid-state image pickup device using the same.例文帳に追加

特殊構造の固体撮像素子を用いなくてもノイズを抑圧でき、また動画撮影にも適用し得るグローバルシャッタ機能を備えた固体撮像素子及びそれを用いた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal element which is improved in helical structure, twisted orientation and lowering of transmittance, includes a cell thickness for being mass-produced, and does not use a surface stabilized alignment state, and to provide a method for manufacturing the liquid crystal element.例文帳に追加

螺旋構造、捩れ配向、透過率低下を改善した量産可能なセル厚を有し、表面安定化配向状態を用いない液晶素子及び当該液晶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sheet heater used in cooking having a structure in which heat from a heating element is hard to be transferred to a heat insulator and which can obtain high radiating amount and prevents the heating element from being corroded by salt.例文帳に追加

調理器等に用いる面状ヒータにおいて、発熱体の熱が断熱材等に伝わりにくい構造とし、高輻射量が得られ、発熱体に食塩等が付着して発熱体を腐食から防止すること。 - 特許庁

To solve the problem that the entire structure becomes tall in height and hence it is difficult to reduce the height of a piezoelectric oscillator since the piezoelectric oscillator is composed by connecting a vessel body into which a piezoelectric vibration element is stored onto the upper surface of a substrate where an integrated circuit element is mounted.例文帳に追加

集積回路素子が搭載された基体の上面に、圧電振動素子が収容されている容器体を接続することにより、圧電発振器を構成しているため、全体構造が高背化してしまう。 - 特許庁

The magnetic sensor is equipped with a giant magnetoresistance element (GMR element) 12, 13 and a reference resistance 14, 15 in structure wherein nonmagnetic layers 21a and 21b and ferromagnetic layers 22a and 22b are laminated by turns on a substrate 11.例文帳に追加

磁気センサは、基板１１上に非磁性層２１ａ，２１ｂと強磁性層２２ａ，２２ｂとを交互に積層した構造体にて巨大磁気抵抗素子（ＧＭＲ素子）１２，１３と基準抵抗１４，１５を備える。 - 特許庁

The structure comprises a first member 100 containing a compound between an element A except both Si and Ge, and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1), and a second member 101 containing one of the element A and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1).例文帳に追加

Si及びGeの双方を除く元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)との間の化合物を含む第一の部材１００と、元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)のいずれか一方を含む第二の部材１０１とで構成される構造体。 - 特許庁

The inclusion layer 12 is constructed of a compound containing both a metal element contained in the positive electrode layer 13 and a metal element contained in the positive electrode current collector 11 and has the same crystal structure as that of the positive electrode layer 13.例文帳に追加

この介在層12は、正極層13に含有される金属元素と正極集電体11に含有される金属元素の両方を含む化合物で構成され、且つ、正極層13と同じ結晶構造を有する。 - 特許庁

The frame structure is comprised of a ring beam 9 for transferring the load of an element-rotary air preheater 8 as new equipment, to load bearing portions P1 of an element-fixed air preheater as existing equipment which has been mounted on the frame 6.例文帳に追加

架構６上における既設機器としてのエレメント固定式の空気予熱器の荷重支持点Ｐ１に対し新設機器としてのエレメント回転式の空気予熱器８の荷重を伝達するリング梁９を備える。 - 特許庁

To provide an insulating gate type semiconductor element capable of establishing compatibility between both the operation uniformity and high reliability of an element region when employing a stacked structure, and to provide a semiconductor device provided with the same.例文帳に追加

積層構造とした場合に、素子領域の動作均一性と高い信頼性との双方を両立可能な絶縁ゲート型半導体素子およびこれを備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

In this display element structure, a light-emitting element for white light excitation is made to be the main constituting means, and three kinds of light colors of red, green, and blue are obtained by transpermeating through the color filter, and then the full color OLED display is formed.例文帳に追加

この表示素子の構造は白光の光励起発光素子を主要な構成手段とし、カラーフィルタを透過して、赤、緑、青の三種類の光色を得て、フルカラーのＯＬＥＤディスプレイを形成する。 - 特許庁

The light-emitting device has a structure wherein the light-emitting diode element is flip chip mounted on a substrate, with the anisotropic conductive film being arranged between a connection terminal on the substrate and a connection bump of the light-emitting diode element.例文帳に追加

発光装置は、この異方性導電フィルムを、基板上の接続端子と、発光ダイオード素子の接続用のバンプとの間に配し、基板と発光ダイオード素子とをフリップチップ実装した構造を有している。 - 特許庁

A positioned element 8 is detached from a positioning element 15 of a positioning member 3 by tilting a position adjusting plate 5 with the force overcoming the action of a resilient member 9, so that the moving-side structure 12 is movable.例文帳に追加

位置調整板５を弾性部材９の作用に打ち勝つ力で傾動させて、その被位置決め要素８を、位置決め部材３の位置決め要素１５から離脱させて移動側構造体１２を移動可能にする。 - 特許庁

To surely draw out electrodes taking out voltages having different polarities generated in a detection element by application of an accelerator respectively to both ends of a case member in an acceleration sensor having the detection element having a cantilever structure.例文帳に追加

片持ち構造の検出素子を持つ加速度センサにおいて、加速度の印加によって検出素子に発生する異なる極性の電圧を取り出す電極を、それぞれケース部材の両端部へ確実に引き出すこと。 - 特許庁

The gel electrolyte contains an electrolyte salt, a solvent, a polymer compound having a structure in which polyvinyl acetal and its derivative or the like are polymerized, and a compound or the like containing a group III element and a group IV element of the periodic table.例文帳に追加

電解質塩及び溶媒と、ポリビニルアセタール及びその誘導体などを重合した構造を有する高分子化合物と、周期表３族元素や４族元素を含む化合物などを含むゲル電解質である。 - 特許庁

A periodical structure dielectric film 3d formed on the back of the semiconductor optical amplifying element 3 effectively captures a stimulation light source from the semiconductor laser 1, and reflects a light generated from the semiconductor optical amplifying element 3.例文帳に追加

半導体光増幅素子３の裏面に形成している周期構造誘電体膜3dは、半導体レーザ１からの励起光源を効率良く取り込み、かつ、半導体光増幅素子３から発生する光を反射する。 - 特許庁

Although the shaft 4 is further obliquely arranged to the throttle flow passage 1, the throttle valve element 5 is easily installed by adopting a structure for installing the throttle valve element 5 in the end part of the shaft 4.例文帳に追加

さらに、シャフト４がスロットル流路１に対して斜めに設けられてしまうが、シャフト４の先端部にスロットル弁体５を取り付ける構造を採用することで、スロットル弁体５の組付けを容易に行なうことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element attaching structure capable of attaching/detaching a semiconductor element to/from a heat radiation fin without being influenced by peripheral apparatuses.例文帳に追加

本発明は半導体素子の取付構造に係り、周辺機器に影響されることなく放熱フィンへの半導体素子の取付け／取り外しが可能な半導体素子の取付構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor micro actuator and a semiconductor micro valve using the same capable of eliminating a problem of inclination of a movable element occurring with rotation movement in a structure which the movable element is cantilever-supported.例文帳に追加

可動エレメントを片持支持する構造において、回転動作に伴って生じる可動エレメントの傾斜の不具合を解消することができる半導体マイクロアクチュエータ、及びこれを用いた半導体マイクロバルブを提供する。 - 特許庁

As the entire surface of the optical element array 100 is uniformly irradiated with an ion beam having a controlled energy state, the antireflection structure 51 on the optical element array 100 can be made homogeneous.例文帳に追加

また、エネルギー状態の制御されたイオンビームが光学要素アレイ１００表面全体に均一に照射されるため、光学要素アレイ１００上の反射防止構造体５１を均質なものとすることができる。 - 特許庁

The optical semiconductor element 10 is also provided on the semiconductor substrate 11 with an electrostatic breakdown voltage element 40 having a layer structure identical to that of the photodetector 30 and protecting the surface emission semiconductor laser 20 against electrostatic breakdown.例文帳に追加

また、光半導体素子１０は、光検出素子３０と同一の層構造を有し、面発光型半導体レーザ２０を静電破壊から保護する静電耐圧素子４０を半導体基板１１上に備える。 - 特許庁

The optical semiconductor element 10 is also provided on the semiconductor substrate 11 with an electrostatic breakdown voltage element 40 having a layer structure different from that of the photodetector 30 and protecting the surface emission semiconductor laser 20 against electrostatic breakdown.例文帳に追加

また、光半導体素子１０は、光検出素子３０とは異なる層構造を有し、面発光型半導体レーザ２０を静電破壊から保護する静電耐圧素子４０を半導体基板１１上に備える。 - 特許庁

To provide a full-area air-fuel ratio sensor element, having a new structure that can be designed freely, and to provide a full-area air-fuel ratio sensor equipped with the element.例文帳に追加

本発明の全領域空燃比センサによると、新規な構造であり、より自由に構造を設計できる全領域空燃比センサ素子及びこのような全領域空燃比センサ素子を備える全領域空燃比センサを提供する。 - 特許庁

To provide a composite resistor structure in which the variation rate of resistance is decreased in the boundary region of a high resistance element and a low resistance element by increasing widths and lengths of both resistance elements only in the boundary region.例文帳に追加

高抵抗素子と低抵抗素子との境界領域においてのみ両抵抗素子の幅および長さを大きくして、境界領域における抵抗値変動率を小さくした複合抵抗構造体を提供する。 - 特許庁

When the two cases contain a circuit board 4, the support structure is configured to elastically fix the upper element part and the lower element part of the antenna by clamping them with the two projections and a head of the support of the opposite case.例文帳に追加

２つのケースで回路基板４を収容したとき、２つの突起部と反対側ケースの支柱の頭部とで、それぞれアンテナの上側素子部分と下側素子部分を挟んで弾力固定するように構成した。 - 特許庁

A sensor having a magnetic impedance effect element is moved along the iron-based structure while the exciting current is carried to the magnetic impedance effect element and bias magnetic field obtained by superimposing an alternating current component on a direct current component.例文帳に追加

磁気インピーダンス効果素子を備えたセンサを、磁気インピーダンス効果素子に励磁電流を通電すると共に直流分に交流分を重畳したバイアス磁界をかけながら鉄系構造物に沿い走行させる。 - 特許庁

Then, the layered structure 20 is fired in the state of a load being applied thereon in an atmosphere of the metal element or in an atmosphere of a compound containing the nonmetal element, to thereby make a joined body 1.例文帳に追加

次に積層構造体２０に荷重を加えた状態で、該非金属元素の雰囲気下又は該非金属元素を含む化合物の雰囲気下に焼成を行なって該積層構造体２０を接合体１となす。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device comprising a semiconductor element in which fixing work is facilitated, structure is simplified, device mounting performance is improved and adhesion between a semiconductor element mounting substrate and a radiator is enhanced.例文帳に追加

半導体素子を備える半導体装置の素子放熱構成において、組付の容易化、構造の簡素化、装置の搭載性向上、半導体素子を搭載基板と放熱体との密着性向上を実現する。 - 特許庁

The EL panel 10 of a preferable embodiment has a structure of a substrate 2, an EL element 4, a passivation film 5 provided on the upper surface, a protective layer 6 covering the EL element 4, and a sealing plate 8 in this order.例文帳に追加

好適な実施形態のＥＬパネル１０は、基板２、ＥＬ素子４、その上面に設けられたパッシベーション膜５、ＥＬ素子４を覆う保護層６、及び、封止板８をこの順に備えた構成を有している。 - 特許庁

The piezoelectric type sensor is equipped with a piezoelectric structure such as a piezoelectric bimorph element 1 or the like including a piezoelectric element disposed to perform the deformation motion corresponding to the motion of the object of motion detection 13 and a light emitting element 2 which uses the electric energy generated by the deformation motion and emits light corresponding to the deformation motion.例文帳に追加

圧電式センサは、運動検出対象１３の運動に応じて変形運動を起こす様に設置された圧電素子を含む圧電バイモルフ素子１などの圧電構造体と、変形運動により生じる電気エネルギーを用いて変形運動に対応して発光する発光素子２を備える。 - 特許庁

To properly control the transmission torque capacity of each frictional engagement element corresponding to the inertia torque in a structure capable of executing the shifting-down by switching the frictional engagement elements capable of fastening the frictional engagement element for low-speed stage, while releasing the frictional engagement element for high-speed stage.例文帳に追加

高速段用摩擦係合要素を解放する一方、低速段用摩擦係合要素を締結させる摩擦係合要素の掛け替えによってダウンシフトを行う構成において、イナーシャトルクに応じて各摩擦係合要素の伝達トルク容量を適切に制御する。 - 特許庁

To provide a rare earth element added semiconductor laminate structure for a light emitting element in which luminosity of rare earth element is high and light emission wavelength does not fluctuate depending on the temperature, as well as a light emitting diode, semiconductor laser diode, and semiconductor optical amplifier using the same, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

希土類元素による発光強度が強く、かつ、発光波長が温度により変動しない、発光素子用希土類元素添加半導体積層構造及びそれを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード、半導体光増幅器並びにそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

Preferably, the rod-shaped element has an amphiphatic mode, the film has either one of a flat film mode and a spherical film mode and shows a gel-like mode, and the capturing structure has a mode bonded to one end of the rod-shaped element and shows a mode bonded to the peripheral side surface of the rod-shaped element.例文帳に追加

棒状体が、両親媒性である態様、膜が、平膜及び球状膜のいずれかである態様、膜が、ゲル状である態様、捕捉構造体が、棒状体の一端に結合された態様、捕捉構造体が、棒状体の周側面に結合された態様等が好ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor element favorably reduced in thickness as the semiconductor element capable of preventing a warp of a substrate caused by the grinding of the substrate from its rear face side after forming a semiconductor element structure on a substrate surface, and capable of performing dicing processing and being packaged with high integration.例文帳に追加

基板表面上に半導体素子構造を形成した後に、基板を裏面側から研削した場合に生じる基板の反りを防止でき、容易にダイシング処理を行うことができ、高集積でパッケージングされる半導体素子として好適な厚みの薄い半導体素子を提供する。 - 特許庁

The multilayer electronic component 1 is a PTC thermistor having a stack 4 including an element body 2 made of ceramics and a plurality of internal electrodes 3 formed in the element body 2, namely, having at least one unit structure 10 wherein the element body 2 and internal electrodes 3 are stacked.例文帳に追加

積層電子部品１は、セラミックスからなる素体２と、素体２内に形成された複数の内部電極３とを含む積層体４を有するＰＴＣサーミスタであり、素体２と内部電極３が積層された単位構造１０を少なくとも１つ備えたものである。 - 特許庁

To provide a color imaging element in which color unevenness does not occur as a whole by improving a color separation capability while preventing color mixture from occurring in a photoelectric conversion element, even when a structure improving photo-sensitivity is adopted, and to provide a method of manufacturing such a color imaging element.例文帳に追加

光感度を向上させる構造を採用しても光電変換素子に混色を生じさせず色分離能力が高くカラー撮像素子全体で色むらを生じさせないカラー撮像素子、及びこのようなカラー撮像素子の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To improve breakdown endurance during recovery while ensuring element breakdown voltage in a semiconductor device including an element region having an MOSFET of trench structure formed thereon, a conductive region and an outer peripheral region, in which an element region outer peripheral end has an outward convex-shaped corner part in the vicinity of the conductive region.例文帳に追加

トレンチ構造のＭＯＳＦＥＴが形成された素子領域、導電領域、及び外周領域を有し、素子領域外周端が導電領域近傍に外向き凸の角部を有する半導体装置において、素子耐圧を確保しつつリカバリ時の破壊耐量を向上する。 - 特許庁

(2) An element isolated from the human body or otherwise produced by means of a technical process, including the sequence or partial sequence of a gene, may constitute a patentable invention even if the structure of that element is identical to that of a natural element. 例文帳に追加

(2) 遺伝子の配列又は部分配列を含め，人体から分離され，又はそれ以外に技術的手段によって生産された構成要素は，その構成要素の構造が自然の構成要素の構造と同一であるとしても，特許可能な発明を構成することができる。 - 特許庁

Furthermore, a current constriction structure is disposed in the laser element 30, and thicknesses of an n-type optical guide layer 22 and a p-type optical guide layer 24 in the laser element 20 are larger than those of an n-type optical guide layer 32 and a p-type optical guide layer 34 in the laser element 30.例文帳に追加

そして、レーザ素子部３０には電流狭窄構造が設けられており、レーザ素子部２０のｎ型光ガイド層２２およびｐ型光ガイド層２４の厚みがレーザ素子部３０のｎ型光ガイド層３２およびｐ型光ガイド層３４の厚みよりも大きくなっている。 - 特許庁

The resistance change type element has a recording layer containing a metal oxide, and two electrodes, and the structure of the resistance change type element is made asymmetric to make a threshold current for higher resistance different by directions of a current flowing by application of a voltage to the resistance change type element.例文帳に追加

金属酸化物を含む記録層と２つの電極を有する抵抗変化型素子で、抵抗変化型素子の構造を非対称とし、抵抗変化型素子への電圧の印加により流れる電流の方向毎に、高抵抗化させるためのしきい電流を異ならせる。 - 特許庁

To provide an optical integrated element such as an integrated DFB laser in which a DFB laser element and an optical element are integrated, having a structure capable of reducing internal reflection generated between elements without using a new manufacturing step of an inclined waveguide or the like.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ素子と光学素子を集積した集積型ＤＦＢレーザなどの光集積素子において素子間に生じる内部反射を、斜め導波路などの新たな作製工程を用いずに低減させることができる構造の光集積素子を提供する。 - 特許庁

A capacitor 26 being the bound structure includes: a capacitor element 28 and a case 30 having the different thermal expansion coefficient; the dowel pins 32 for positioning the capacitor element 28 to the case 30; and a plurality of bolts 34 for fastening the positioned capacitor element 28 by the dowel pins 32 and the case 30.例文帳に追加

結合構造物であるコンデンサ２６は、熱膨張率が異なるコンデンサ素子２８及びケース３０と、ケース３０に対するコンデンサ素子２８の位置を決定するノックピン３２と、ノックピン３２により位置決めされたコンデンサ素子２８及びケース３０を締結する複数のボルト３４とを有する。 - 特許庁

In the fuse 1 having a meltable section 2, the meltable section 2 has an element wire structure wherein conductive element wires 3a in the longitudinal direction and conductive element wires 3b in the lateral direction are arranged at a meshed state, and both ends of the meltable section 2 are arranged between a pair of terminal sections 10 at a pulling-apart state.例文帳に追加

可溶部２を有するヒューズ１であって、当該可溶部２は、縦方向の導電性素線３ａと横方向の導電性素線３ｂがメッシュ状に配置された素線構造体であり、且つ、その両端が引っ張られた状態で一対の端子部１０間に配置されている。 - 特許庁

To provide such a structure that a light emitting diode element can be brought as close as possible to a reflector while avoiding interference with a bonding wire connecting the light emitting diode element and a pattern part in a light emitting diode light source unit comprising a printed wiring board for surface mounting the light emitting diode element.例文帳に追加

発光ダイオード素子を表面実装するプリント配線基板を備えた発光ダイオード光源ユニットにおいて、発光ダイオード素子とパターン部とを接続しているボンディングワイヤとの干渉を避けながらもできるだけ発光ダイオード素子に反射体を近づけることができる構造と提供する。 - 特許庁

To provide a fixing structure for a solid-state imaging element by which it is easy to fill an adhesive agent with high viscosity in a gap between an outer periphery surface of the solid-state imaging element and an inner periphery surface of a fixing plate, and which can reduce deterioration of positioning accuracy of the solid-state imaging element and the fixing plate after hardening of the adhesive agent.例文帳に追加

粘度の高い接着剤を固体撮像素子の外周面と固定板の内周面との隙間に充填しやすく、かつ、接着剤の硬化後の固体撮像素子と固定板とを位置合わせ精度の悪化を低減できる固体撮像素子の固定構造を提供する。 - 特許庁

Related to a cooling structure of an electronic element wherein an electronic element 3 which heats during operation and a heat-radiation member 7 allocated away from the electronic element 3 are connected together with a heat pipe 2, a heat pipe 1 is embedded along a support member 1 whose rigidity is higher than the heat pipe 2.例文帳に追加

動作することによって発熱する電子素子３と、その電子素子３から離れて配置された放熱部材７とをヒートパイプ２によって連結した電子素子の冷却構造であり、ヒートパイプ２よりも剛性の高い支持部材１に添ってヒートパイプ１が埋め込まれている。 - 特許庁