「substrate interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

An n^+-buried impurity region 4 is formed in an interface between an n^--semiconductor layer 2 and a p^--semiconductor substrate 1 below an n^+-impurity region 7 connected to the drain electrode 14 of the nMOS transistor 103.例文帳に追加

ｎＭＯＳトランジスタ１０３のドレイン電極１４に接続されるｎ^＋不純物領域７の下方においては、ｎ^−半導体層２とｐ^−半導体基板１との界面にｎ^＋埋め込み不純物領域４が形成されている。 - 特許庁

When the projection 52 is detected in the first process, an interface part between the transparent substrate 54 and the opaque film 56 is observed from the opposite surface side opposite to the film-formation surface by the second camera 16.例文帳に追加

第１工程で突起５２が検出された場合に、その突起５２の位置において、第２カメラ１６により、成膜表面とは反対の反対面側から透明な基板５４と不透明な膜５６との界面部を観察する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device and a semiconductor device capable of repairing any crystal defect caused in the inner wall layer of a trench formed in a substrate and reducing an interface level of the inner wall layer.例文帳に追加

基板に形成されたトレンチの内壁層に生じる結晶欠陥を修復するとともに、内壁層の界面準位を低減することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the optical multilayer filter includes a step for forming a resin layer on the substrate, a step for forming a multilayer film on the resin layer, and a peeling step for peeling the multilayer film from the interface with the resin layer.例文帳に追加

基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層上に多層膜を形成する工程と、前記多層膜を樹脂層との界面から剥離する剥離工程とを有する光学多層膜フィルタの製造方法。 - 特許庁

Nitrogen peaks 3, 4 are formed in an interface between a gate oxide film 2 and a silicon substrate 1 and in the gate oxide film 2, by repeating alternately a thermal oxidation treatment process and a heat treatment process in gas containing NO or N2O.例文帳に追加

熱酸化処理工程と、ＮＯ或いはＮ_2 Ｏを含むガス中での熱処理工程を交互に繰り返すことによって、ゲート酸化膜２とシリコン基板１との界面と、ゲート酸化膜２中の２か所に窒素ピーク３，４を設ける。 - 特許庁

To provide a charging member, a process cartridge and an electrophotographic apparatus, which can suppress the occurrence of a black haze-like image generated by peeling at the interface between a conductive substrate and an adhesion layer in a charging member of an electrophotographic apparatus.例文帳に追加

電子写真装置の帯電部材において、導電性基体と接着層界面の剥離によって生じる黒もや状の画像の発生を抑制できる帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供する。 - 特許庁

The substrate treating apparatus 500 includes an indexer block 9, a bevel treatment block 10, a treatment block 11 for an antireflection film, a treatment block 12 for a resist film, a development treatment block 13, a treatment block 14 for a resist cover film, and an interface block 15.例文帳に追加

基板処理装置５００は、インデクサブロック９、ベベル処理ブロック１０、反射防止膜用処理ブロック１１、レジスト膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。 - 特許庁

To increase the effective dielectric constant of a gate insulating film by manufacturing a layer where the density of mixed elements is increased at the interface of a semiconductor substrate and a gate insulating film, and to reduce physical film thickness necessary at the gate insulating film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜の界面部分に、混入元素の濃度を高めた層を作製することでゲート絶縁膜の実効誘電率を高め、ゲート絶縁膜として必要な物理膜厚を低減することを目的とする。 - 特許庁

Al is deposited through a CVD method on the entire surface of a resultant substrate, having the interface adjustment layer 42 formed therein to form a contact lug within the contact hole and also to form a wiring layer on the film 20 connected with the plug.例文帳に追加

界面調節層が形成された結果物上にＣＶＤ方法によってＡｌを全面蒸着してコンタクトホール内にコンタクトプラグを形成すると同時に層間絶縁膜上にコンタクトプラグと連結される配線層を形成する。 - 特許庁

To provide a laminate substrate using conductive paste having a low melting point metal, which does not cause a void on an interface between copper foil and the conductive paste having the low melting point metal and is highly reliable in connection.例文帳に追加

低融点金属を含む導電性ペーストを使用した積層回路基板において、銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面にボイドが発生せず、接続信頼性の高い積層回路基板を提供する。 - 特許庁

At this time, the fifth step is performed while such a flux ratio (V/III ratio) of a group V raw material to a group III raw material that a propagation direction in the interface between the reversed region and the non-reversed region is substantially the normal direction of the substrate is held.例文帳に追加

この際、第５のステップは、Ｖ族原料とIII族原料のフラックス比（Ｖ／III比）を反転領域と非反転領域との間の界面の伝搬方向が実質的に基板の法線方向となるフラックス比を保持して行われる。 - 特許庁

The connection of the packet switches and TDM switches and connection of the ATM switches and TDM switches share same connection wirings between TDM interface processing units and TDM switches (for example, a wiring pattern with slots (connectors) in a packaging circuit substrate).例文帳に追加

前記のパケットスイッチ及びＡＴＭスイッチと、ＴＤＭスイッチとの接続が、ＴＤＭ・Ｉ／Ｆ処理部とＴＤＭスイッチの間と同一の接続配線（例えば、スロット（コネクタ）を設けた実装回路基板における配線パターン）を共用する。 - 特許庁

To provide a capacitive sensor which realizes a structure not having a feedthrough in the junction interface of a substrate, which eliminates the mixture of a foreign body into the inside of a cavity, which prevents a malfunction due to the mixture of the foreign body and whose reliability can be enhanced.例文帳に追加

基板の接合界面にフィードスルーのない構造を実現して、キャビティ内部へに異物の混入をなくし、この異物の混入による誤動作を防止して信頼性を向上させ得る静電容量型センサを提供する。 - 特許庁

Next, laser beams are irradiated on an interface relative to the base material 11 in the semiconductor layer 13 and the semiconductor layer 13 is separated from the base material 11, thereby forming a nitride semiconductor substrate 13A from the semiconductor layer 13.例文帳に追加

次に、半導体層１３における母材基板１１との界面にレーザ光を照射して、半導体層１３を母材基板１１から剥離することにより、半導体層１３から窒化物半導体基板１３Ａを形成する。 - 特許庁

Since chemical bond in an ion implantation layer 11 is cut easily when external impact is applied, exfoliation of silicon takes place along the ion implantation interface 12 and a strained silicon layer 13 is obtained on the supporting substrate 20.例文帳に追加

したがって、外部衝撃を付与すると、イオン注入層１１中の化学結合の切断が容易に生じる結果、イオン注入界面１２に沿ってシリコンの剥離が生じ、支持基板２０上に歪シリコン層１３が得られる。 - 特許庁

To provide a thermosetting adhesive composition that can improve flexibility and high temperature reliability by increasing the interface adherence between the substrate film and the adhesive and provide a thermosetting adhesive composition that is useful for a flexible printing circuit board.例文帳に追加

基材フィルム及び接着剤間の界面密着性を増大させて耐屈曲性及び高温信頼性の物性を改善することが可能な、フレキシブルプリント回路基板に有用な熱硬化性接着剤用組成物を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the dangling bond of silicon is terminated with fluorine atoms by diffusing the fluorine contained in the source and drain regions 24 and 26 to the interface between the insulating film 14 and substrate 10 below the electrode layer 16 by performing heat treatment.例文帳に追加

この後、ソース領域２４及びドレイン領域２６中のフッ素を熱処理により電極層１６の下方で絶縁膜１４と基板１０との界面に拡散させてシリコンのダングリングボンドをフッ素原子で終端させる。 - 特許庁

To provide a wire-bonding connecting structure in which an interface between a substrate and metal being formed thereon can obtain sufficient strength without being destroyed by ultrasonic power in connecting an electrode drawing portion with wire-bonding.例文帳に追加

電極取出部のワイヤボンディングによる接続において、基板とその上に形成された金属との界面が、超音波のパワーにより破壊されずに、十分な強度を得ることのできるワイヤボンディング接続構造を提供する。 - 特許庁

To provide a high-speed nonvolatile semiconductor storage device where the rise of both of an interface property between a semiconductor substrate and an insulating layer and a ferroelectric property can be expected, and the dispersion of property is small, and the voltage is low.例文帳に追加

半導体基板と絶縁体層間の界面特性と強誘電特性の両方の向上が望め、特性のばらつきが小さく低電圧で高速不揮発性の半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an interface substrate that can make an electro-optical device small-sized and reduce the manufacturing stages and manufacturing cost of the electro-optical device, and provide the electro-optical device, a manufacturing method, and electronic equipment.例文帳に追加

電気光学装置の小型化を図ることができるとともに、電気光学装置の製造工程及び製造コストの削減を図ることができるインターフェース基板、電気光学装置及び製造方法、並びに電子機器を提供すること。 - 特許庁

The method for producing laminate includes a process of heating the sapphire substrate at a temperature of 1,350 to 1,750°C in an atmosphere of a mixed gas of nitrogen-source gas having a nitrogen atom and hydrogen gas to form the aluminum nitride single crystal layer on the surface of the sapphire substrate, wherein, by adjusting conditions, the laminate having a gap on the interface between the sapphire substrate and the aluminum nitride single crystal layer can be produced.例文帳に追加

窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 - 特許庁

To provide an aluminum-ceramic joined substrate capable of suppressing generation of minute joining defects (voids) at an interface between a metal member and a ceramic substrate when joining the metal member formed of aluminum or aluminum alloy to the ceramic substrate in a melt joining method and capable of easily removing a step caused at a surface of a metal plate when the metal member is the metal plate, and also to provide a manufacturing method for the same.例文帳に追加

溶湯接合法によってアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材をセラミックス基板に接合する際に、金属部材とセラミックス基板との界面に微小な接合欠陥（ボイド）が生じるのを抑制することができるとともに、金属部材が金属板の場合に金属板の表面に生じる段差を容易に除去することができる、アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the information recording medium, having a substrate and a recording layer for recording information by a phase change reaction by the application of laser beams, a first interface layer containing at least one element among Bi, Sn, and Pb is provided in contact with the recording layer, and a first protective layer containing Sn and oxygen is provided at a side opposite to the recording layer of the first interface layer.例文帳に追加

基板と、レーザービームの照射による相変化反応により情報の記録が行われる記録層とを備えた情報記録媒体において、記録層と接してＢｉ、Ｓｎ、Ｐｂのうち少なくともいずれか一つの元素が含有された第１界面層を設けると共に、当該第１界面層の記録層とは反対側に、Ｓｎと酸素が含有された第１保護層を備える。 - 特許庁

The method for controlling the surface topography of an adhesion plane comprises a step in which a microreplicated topography is formed from contacting a microembossed pattern to a layer of an adhesive so that the topography of the adhesive surface controls the performance of the adhesion interface when the adhesion interface is established between the layer of an adhesive and a supporting substrate.例文帳に追加

接着面の表面形態を制御する方法であって、接着剤層と支持基材との問に接着界面が確立されると、接着面の表面形態がその接着剤と前記支持基材との間の接着界面の性能を制御するように、微細エンボスパターンを接着剤層に接触させて、微細複製接着面を形成するステップを含む方法を開示する。 - 特許庁

The concentration of nitrogen in the silicon oxynitride film has a distribution in the film thickness direction, and the concentration is low near the interface with the silicon substrate while high near the interface with the high dielectric insulating film, relative to the average value of the concentration of the nitrogen in the silicon oxynitride film.例文帳に追加

シリコン基板の上に形成されたシリコン酸窒化膜と、このシリコン酸窒化膜の上に形成された高誘電率絶縁膜とを有する半導体装置において、シリコン酸窒化膜中の窒素濃度が膜厚方向に分布を持ち、このシリコン酸窒化膜中の窒素濃度の平均値に対してシリコン基板との界面付近で低く、高誘電率絶縁膜との界面付近で高くなることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor integrated device 10 includes a plurality of core chips CC0 to CC7, and an interface chip IF for controlling the core chips CC0 to CC7, and each of the core chips CC0 to CC7 and the interface chips CC0 to CC7 includes a plurality of through-electrodes TSV put through the semiconductor substrate and a plurality of pads P0 to P3 connected to the through-electrodes TSV.例文帳に追加

半導体装置１０は、複数のコアチップＣＣ０〜ＣＣ７と、コアチップＣＣ０〜ＣＣ７を制御するインターフェースチップＩＦとを備えており、コアチップＣＣ０〜ＣＣ７及びインターフェースチップＣＣ０〜ＣＣ７の各々は、半導体基板を貫通する複数の貫通電極ＴＳＶと、貫通電極ＴＳＶとそれぞれ接続される複数のパッドＰ０〜Ｐ３とを備えている。 - 特許庁

A thin insulating layer are sandwiched between a substrate of semiconductor containing no impurity and a metal layer in contact with each other, a voltage is applied between the semiconductor and the metal layer so that the metal layer becomes negative, and a hole is induced in a thin layer just below an interface of the semiconductor on the interface of the insulating layer and semiconductor to produce the superconductivity by hole conduction due to hole inducement.例文帳に追加

不純物を含まない半導体の基板と金属層との間に薄い絶縁層を接触挟持させ、更に半導体と金属層の間に金属層を負になるように電圧をかけ、絶縁層と半導体の境界面に於いて、半導体の境界面直下の薄い層内にホールを誘起させ、ホール誘起によるホール伝導で超伝導を出現させる。 - 特許庁

This semiconductor memory using the flash(F) ROM being non-volatile and programmable semiconductor storage elements is provided with an interface means for forming an interface circuit between the storage elements and outside circuits by using an FPGA capable of loading of a program on a substrate and a program loading means for loading the program corresponding to the FROM to the FPGA at the time of power supply.例文帳に追加

不揮発性でありかつプログラム可能な半導体記憶素子であるフラッシュ（Ｆ）ＲＯＭを使用した半導体記憶装置において、基板上においてプログラムのロードが可能なＦＰＧＡを使用し、前記記憶素子と外部回路とのインターフェイス回路を形成するインターフェイス手段と、電源投入時に、前記ＦＲＯＭと対応したプログラムをＦＰＧＡにロードするプログラムロード手段とを備える。 - 特許庁

In the field effect transistor of a top gate type or a bottom gate type which has a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer on the surface of a substrate, an interface between the gate insulating layer and the organic semiconductor layer exists at a gate electrode side from an interface at the gate insulating layer, the source electrode, and the drain electrode.例文帳に追加

基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有するトップゲート型あるいはボトムゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。 - 特許庁

The circuit board 14 includes: a single-layer substrate 14a on which an analog circuit 20b and a digital circuit 20a are mounted; and multilayer substrates 14b and 14c which have connectors (an interface 30 for HDMI and a panel output interface 33) for communication with external devices at one end and wiring patterns 31 and 34 for electrically connecting the connectors with the digital circuit 20a.例文帳に追加

回路基板１４において、アナログ回路２０ｂとデジタル回路２０ａとを実装する単層基板１４ａと、一端側に外部との交信を行うコネクタ（ＨＤＭＩ用インターフェース３０、パネル出力インターフェース３３）を実装すると共に、それらコネクタとデジタル回路２０ａとの間を電気的に接続する配線パターン３１、３４が形成された多層基板１４ｂ、１４ｃとを、備える。 - 特許庁

For this copper clad silicon nitride substrate, a copper plate is brazed to the at least one side of itself, and the universal hardness at a position of 100 μm from the interface between the silicon nitride and the copper to the side of the above copper plate is 1,200 HU or lower.例文帳に追加

本発明の銅貼り窒化珪素基板は、窒化珪素基板の少なくとも一方の面に銅板がろう接されたものであり、窒化珪素／銅界面から上記銅板側に１００μｍの位置におけるユニバーサル硬さが１２００ＨＵ以下のものである。 - 特許庁

The substrate-treating device 500 comprises: an indexer block 9; a treatment block 10 for reflection prevention films; a treatment block 11 for resist films; a development treatment block 12; a treatment block 13 for resist cover films; a removal block 14 of resist cover films; and an interface block 15.例文帳に追加

基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。 - 特許庁

To enlarge the area of pn junction interface by preventing the short circuit between an n-electrode and a p-type nitride semiconductor layer and reducing the area of occupation of the n-electrode, in a pn junction type nitride semiconductor element made on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に形成されたｐｎ接合型窒化物半導体素子において、ｎ電極とｐ型窒化物半導体層の短絡を防止すると共にｎ電極の占有面積を減少することにより、ｐｎ接合界面の面積を広げる。 - 特許庁

The interactive device in which the image processing circuit and the image sensor are integrated on the substrate includes a processing module and a control circuit which controls an operation of the interactive device by a static image parameter of an image object outputted to a transmission interface of the processing module.例文帳に追加

画像処理回路と画像センサーを基板に統合したインタラクティブ装置は、処理モジュールと、処理モジュールの伝送インターフェイスに出力された画像物件の静的画像パラメーターでインタラクティブ装置の動作を制御する制御回路とを含む。 - 特許庁

In a thin film transistor on a glass substrate, the number of atoms is set at 3×1011/cm2 or less for any impurity element existing on the interface between the channel region 13a of a p-Si thin film 13 and a gate insulation film 14.例文帳に追加

ガラス基板上の薄膜トランジスタにおいて、ｐ−Ｓｉ薄膜１３のチャネル領域１３ａとゲート絶縁膜１４との界面に存在する不純物元素のいずれについても、その原子数量が１ｃｍ^2当たり３×１０^11個以下とする。 - 特許庁

Interface oxide films 5 and 5a, a gate insulating film 6, a metal gate electrode 7 and a polysilicon gate electrode 8 are successively formed on an Si substrate 1 and are patterned, and a silicon oxide film 10 is formed on a side surface, and furthermore, a side wall 17 is formed.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、界面酸化膜５，５ａ、ゲート絶縁膜６、金属ゲート電極７およびポリシリコンゲート電極８を順次形成してパターニングし、側面にシリコン酸化膜１０を形成し、さらにサイドウォール１７を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming an insulating film, an apparatus for forming an insulating film, and a plasma processing unit, those of which can successfully implement film quality control at an interface between a silicon substrate and an SiN film, and can form a high quality SiN film, in a short time.例文帳に追加

シリコン基板とＳｉＮ膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のＳｉＮ膜を形成することのできる絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及びプラズマ処理ユニットを提供する。 - 特許庁

The upper surface of the film 4 is positioned at the level of the main surface of the substrate 1 or is positioned under the level of the main surface and is positioned over the level of the junction interface between the regions 2 and 11b.例文帳に追加

分離絶縁膜４の上部表面は、半導体基板の主表面のレベルとほぼ同じか、主表面のレベルより下に位置し、かつ、第１導電型領域２と第２導電型領域１１ｂとの接合界面よりも上に位置する。 - 特許庁

By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film.例文帳に追加

このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。 - 特許庁

To provide a surface modification method whereby a high-quality silicon oxynitride film with decreased damage is formed in a short treatment time by sufficiently decreasing the nitrogen concentration at the interface between a silicon oxide film and a silicon substrate and increasing the nitrogen concentration in the silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜とシリコン基板界面の窒素濃度を十分小さくし、かつ、シリコン酸化膜中の窒素濃度を高め、ダメージを減らした高品位のシリコン酸窒化膜を、短い処理時間で生成する表面改質方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crystal Si solar battery electrode that can reduce a resistance for having a sufficient sintering property in a general production process of a crystal Si-type solar battery, and has a small resistance of an interface with a Si substrate at low cost.例文帳に追加

安価で、結晶Ｓｉ型太陽電池の一般的な作製プロセスにおいて十分な焼結性を有するため低抵抗化が実現でき、Ｓｉ基板との間の界面抵抗が少ない結晶Ｓｉ太陽電池用電極を提供する。 - 特許庁

To add a metal capable of forming an electric dipole for reducing a threshold voltage at the interface of an oxide film formed on the surface of a semiconductor substrate and a high electric constant insulating film, while suppressing increase in EOT and decrease in carrier mobility.例文帳に追加

ＥＯＴの増大及びキャリア移動度の低下を抑制しつつ、半導体基板表面に形成されている酸化膜と高誘電率絶縁膜との界面に、しきい値電圧を低減する電気双極子を形成可能な金属を添加する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is not reduced in the nitrogen introducing amount, suppressed in the introduction of damage to an insulating film, and is suppressed in an increase of the nitrogen concentration at the interface between the insulating film and a semiconductor substrate.例文帳に追加

窒素導入量を低減させることなく、絶縁膜へのダメージの導入を抑制し、かつ絶縁膜と半導体基板との界面における窒素濃度の増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device includes nitrogen in a gate insulation film 205 of an insulated gate field effect transistor formed in a region of width less than 1.5 μm in the length direction of the gate, and in the interface between a semiconductor substrate 201 and the gate insulation film 205.例文帳に追加

この半導体装置は、ゲート長手方向の幅が１.５μｍ以下の領域に形成された絶縁ゲート型電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜２０５中および、半導体基板２０１とゲート絶縁膜２０５界面に窒素を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device, which suppresses the occurrence of a void on a bonding interface between a light-emitting operation layer and a support substrate to prevent luminous efficiency, lifetime and bonding strength from decreasing; and to provide the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

発光動作層と支持基板との接合界面においてボイドの発生を抑制し、発光効率、寿命及び接合強度の低下を防止することができる半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。 - 特許庁