「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(703ページ目) - Weblio英語例文検索

The composition for the alignment layer is used for manufacturing an optical element consisting of a substrate 1, an alignment layer 2 and a liquid crystalline compound, and contains at least (A) a polymer, (B) a monomer or an oligomer having ethylenic unsaturated bond, (C) and water and/or a lower alcoholic solvent.例文帳に追加

【解決手段】 支持体１、配向膜２、及び液晶性化合物からなる光学機能層３で構成される光学素子の製造に使用される配向膜用組成物であって、該配向膜用組成物は、Ａ）ポリマー、Ｂ）エチレン性不飽和結合を有するモノマーあるいはオリゴマー、及び、Ｃ）水及び／又は低級アルコール系溶剤を少なくとも含む。 - 特許庁

The electroluminescent element is characterized by satisfying n_S<n_M<n_E, when it is assumed that the refraction index of the transparent substrate, that of the middle-refraction-index layer, and that of the first electrode layer are n_S, n_M and n_E, respectively.例文帳に追加

本発明は、透明基板上に中間屈折率層、第一電極層、発光層、第二電極層を順次積層したエレクトロルミネッセンス素子であって、前記透明基板の屈折率をｎ_Ｓ、中間屈折率層の屈折率をｎ_Ｍ、第一電極層の屈折率をｎ_Ｅとした時、ｎ_Ｓ＜ｎ_Ｍ＜ｎ_Ｅであることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の提供である。 - 特許庁

The step of forming the protective member 110 below the semiconductor package 100 by separating the semiconductor package 100 from the carrier substrate includes a step of removing an adhesive layer disposed on a bottom surface of the semiconductor package 100 by separating from a release layer and a step of forming the protective member on the bottom surface of the semiconductor package 100.例文帳に追加

キャリア基板から半導体パッケージ１００を分離して、半導体パッケージ１００の下部に保護部材１１０を形成する段階は、離型層から分離して半導体パッケージ１００の下部面に配置される接着層を除去する段階と、及び半導体パッケージ１００の下部面に保護部材を形成する段階を含む。 - 特許庁

In the heat-sensitive recording body with a heat-sensitive recording layer containing a leuco dye, a developing agent and an adhesive on a substrate, as one of means for solving the above described problem, a compound of the below described general formula (1) is used as the developing agent and a paraffin wax is incorporated in the heat-sensitive recording layer.例文帳に追加

支持体上に、ロイコ染料、顕色剤および接着剤を含有する感熱記録層を有する感熱記録体において、上記の課題を解決するための一つの手段として、本発明は、顕色剤として下記一般式（１）で示される化合物を用い、かつ感熱記録層中にパラフィンワックスを含有させるものである。 - 特許庁

To provide a thermal transfer image receiving sheet enabling formation of an ink receiving layer of which a polyester resin is in a state of being crosslinked moderately for receiving ink and which is capable of absorbing and holding the ink sufficiently and is hydrophobic and uniform, in regard to the thermal transfer image receiving sheet having the ink receiving layer formed on the surface of a thermal transfer substrate.例文帳に追加

熱転写基板の表面にインク受容層を形成する熱転写受像シートにおいて、インク受容層のポリエステル樹脂がインクを受容するのに適度に架橋された状態であり、インクを十分に吸収保持することができ、疎水性であり、均一なインク受容層を形成できる熱転写受像シートの提供 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor chip 20 having bumps 22, a substrate 30 facing the semiconductor chip 20, on which interconnection patterns 32 are formed for electrical connection to the bumps 22, and the bonding member 10 having a first layer 11 comprising an insulating filler (e.g. silica filler 14) and a second layer 12 without comprising the insulating filler.例文帳に追加

半導体装置は、バンプ２２を有する半導体チップ２０と、半導体チップ２０と対向してバンプ２２と電気的に接続する配線パターン３２が形成された基板３０と、絶縁性のフィラー（例えばシリカフィラー１４）を含む第１の層１１と絶縁性のフィラーを含まない第２の層１２とを含む接着部材１０と、を有する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board substrate film which has the same level of the coefficient of linear expansion as a conductor layer such as a copper foil, does not cause curing even when laminated with a conductor layer, possesses good elongation properties, deflection properties, heat resistance, adhesion processability to a metallic conductor and the like, and has durability and high reliability over a long period of time.例文帳に追加

本発明は、銅箔等の導体層と同程度の線膨張係数を有し、導体層と積層してもカールを起こすことがなく、良好な伸び特性、たわみ特性、耐熱性、金属導体との接着加工性等を備え、長期に亘って耐用性及び高い信頼性を有するプリント配線板用の基材フィルムを提供することを課題とする。 - 特許庁

In addition, a silicon oxide film 106 is formed on the surface of end of the aperture of the ONO film 102 by conducting heat treatment to the semiconductor substrate 101 in an atmosphere including an oxygen and halogen compound, and a bit line oxide film 107 is simultaneously formed to the upper part of each n-type diffusing layer 104 by oxidizing the upper part of the n-type diffusing layer 104.例文帳に追加

さらに、酸素およびハロゲン化合物を含む雰囲気で半導体基板１０１に熱処理を行なって、ＯＮＯ膜１０２の開口部の端部表面にシリコン酸化膜１０６を形成すると同時に、各ｎ型拡散層１０４の上部を酸化することにより、各ｎ型拡散層１０４の上部にビットライン酸化膜１０７を形成する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material which is for a multilayer resist process, especially for a double layer resist process or a triple layer resist process, which functions as an excellent antireflection film especially against exposure with short wavelength light, that is, having high transparency and most suitable n and k values, and further is excellent in etching resistance in substrate working.例文帳に追加

多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用又は三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

The optical recording medium, in which a recording layer is provided on a substrate, is characterized in that the recording layer contains at least one kind of the styryl dye, which has a prescribed chemical structure, and at least one kind of formazan metal chelate compound (formazan dye) which is composed of a metal and a formazan compound having a prescribed chemical structure.例文帳に追加

本発明は、基板上に記録層を設けてなる光記録媒体において、記録層中に所定の化学構造を有するスチリル色素と、所定の化学構造を有するホルマザン化合物と金属からなるホルマザン金属キレート化合物（ホルマザン色素）とを、少なくとも一種類ずつ含有していることを特徴とする光記録媒体である。 - 特許庁

The quantum dot semiconductor laser comprises a semiconductor substrate, an active layer 6 having a quantum dot 24 such that a TM mode gain of base level is larger than a TE mode gain and a semiconductor layer 21 which is formed connecting with the quantum dot 24 and made of a semiconductor material having the same substance and composition with the quantum dot 24, and a diffraction grating.例文帳に追加

量子ドット半導体レーザを、半導体基板と、基底準位におけるＴＭモード利得がＴＥモード利得よりも大きい量子ドット２４と、量子ドット２４に連なるように形成され、量子ドット２４と同一の材料・組成の半導体材料からなる半導体層２１とを有する活性層６と、回折格子とを備えるものとする。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor with at least a photosensitive layer on an electrically conductive substrate, the photosensitive layer contains an electric charge generating material, an electric charge transferring material, a polyester resin, a polycarbonate resin having an alkoxycarbonyl group in each constituent unit and a ≥20C wax obtained by the ester linkage of a carboxylic acid and an alcohol.例文帳に追加

導電性基体上に少なくとも感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が、電荷発生物質、電荷輸送物質、ポリエステル樹脂、構成単位中にアルコキシカルボニル基を有するポリカーボネート樹脂、及びカルボン酸とアルコールとがエステル結合してなる炭素数２０以上のワックスを含有する電子写真感光体。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step of forming a low dielectric constant film on a substrate to be processed, and a step of forming the adhesion reinforcing layer by using the material for forming the adhesion reinforcing layer at least before or after the step for forming a low dielectric constant film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工基材上に低誘電率膜を形成する低誘電率膜形成工程と、該低誘電率膜形成工程の前及び後の少なくともいずれかに、前記密着強化層形成用材料を用いて密着強化層を形成する密着強化層形成工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a metal-clad plastic substrate, having a metal layer formed by sputtering on a polyimide film surface comprises treating the surface of the polyimide film surface with an alkali water solution of 0.001-10 mol/L concentration, prior to forming the metal layer, and then treating it with a polar organic solvent held at 20-40°C.例文帳に追加

ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法によって金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、前記金属層を形成するに先だって、ポリイミドフィルム表面を濃度０．００１〜１０ｍｏｌ／Ｌのアルカリ水溶液で処理した後、その後２０〜４０℃の温度に保持した極性有機溶媒で処理することを特徴とする。 - 特許庁

This original plate for planographic printing comprises a hydrophilic layer and a substrate; the hydrophilic layer includes a photothermal conversion agent and a microcapsule wherein a hydrophobic compound is encapsulated; and a shell of the microcapsule is formed by reaction of a silane coupler with molecule containing an active hydrogen atom, a polyfunctional isocyanate, and a compound containing two or more active hydrogen atoms.例文帳に追加

親水性層と支持体とを有し、親水性層が疎水性化合物を内包するマイクロカプセルと光熱変換剤とを含む平版印刷用原版において、マイクロカプセルのシェルを、活性水素原子を分子内に有するシランカップリング剤、多官能イソシアナートおよび２個以上の活性水素原子を含む化合物の反応により形成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive manufacturing method for a thin-film EL element and the thin-film EL element provided with an alkaline-earth metal sulfide EL luminescent layer preventing adsorption of carbon dioxide and vapor, etc., into the surface of a substrate, and having an excellent luminance and a long life without heat treatment after the formation of the luminescent layer.例文帳に追加

基板表面への炭酸ガスや水蒸気などの吸着を防ぎ、発光層成膜以後の熱処理を行うことなく、発光輝度、寿命特性に優れるアルカリ士類金属硫化物ＥＬ発光層を備えた薄膜ＥＬ素子を安価に得る製造方法や、そのようなすぐれた特性を持つ薄膜ＥＬ素子を提供すること。 - 特許庁

To enhance conversion efficiency of a solar cell by forming a transparent conductive film by wet coating between a photoelectric conversion layer and a sealing material film, in a silicon heterojunction solar cell or a substrate type thin film solar cell, thereby reducing reflection of light passed through the sealing material film and reflected on the surface of the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

シリコンへテロ接合太陽電池、またはサブストレート型薄膜太陽電池等において、光電変換層と封止材料膜の間に、湿式塗工法で透明導電膜を形成することにより、封止材料膜を通過した光の光電変換層表面での反射光を低減させ、太陽電池の変換効率を向上させることを目的とする。 - 特許庁

A region 2 made of a compound semiconductor layer and a region 3 made of an insulating oxide film are formed on a surface of a compound semiconductor substrate 1, an antenna 4 made of a metal film is provided in the insulating oxide film region 3, and a semiconductor circuit connected to the antenna 4 is formed in the compound semiconductor layer region 3.例文帳に追加

化合物半導体基板１の表面に化合物半導体層からなる領域２と絶縁性酸化膜からなる領域３とが形成され、この絶縁性酸化膜領域３には金属膜からなるアンテナ４が設けられ、上記化合物半導体層領域３にはアンテナ４に接続された半導体回路が形成されたものである。 - 特許庁

In a method for manufacturing the compound semiconductor substrate 10 for MOVPE, on which an epitaxial layer 20 made of a material including GaAlAs is grown according to MOVPE method, and the compound semiconductor wafer using the same, when a surface 1 where the epitaxial layer 20 is formed is placed face up, a central part 3 is bent at a high position and a peripheral part 4 is bent at a low position.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法によりＧａＡｌＡｓ等のエピタキシャル層２０を成長させるＭＯＶＰＥ用化合物半導体基板１０及びそれを用いた化合物半導体ウェハの製造方法において、エピタキシャル層２０が形成される表面１を上側に向けたとき中央部３が高く、かつ周辺部４が低く湾曲するように形成する。 - 特許庁

The optical device used for the liquid crystal device for transflective type has the phase difference layer comprising the liquid crystal phase part formed directly or indirectly on a top surface of the substrate, the isotropic phase part formed adjacently thereto, and a transmissive flattening layer formed covering top surfaces of both the parts and having a flat surface.例文帳に追加

半透過半反射用の液晶表示装置に用いられる光学素子において、基板上面において直接または間接に形成される液晶相部位と、これに隣接して形成される等方相部位と、これら両部位の上面を覆って形成される透過性且つその表面が平坦な平坦化層とから構成される位相差層を形成する。 - 特許庁

The method for producing the polymer mirror includes a process of continuously manufacturing a polymeric substrate, and a process of applying a reflective layer; the reflective layer may be of a polymer whose surface has been metallized to make it a reflective film or a multilayered film wherein the combined refractive indices of the layers give characteristics of a mirror surface.例文帳に追加

ポリマー鏡を生成するための方法であって、この方法は、ポリマー基材を連続的に製造する工程、反射層を適用する工程を包含し、この反射層は、反射するフィルムもしくは複数層のフィルムにするために、その表面が金属被覆されたポリマーであり得、ここで、層の組み合わされた屈折率が鏡表面の性質を与える。 - 特許庁

In the liquid crystal element having a light controlling layer containing a liquid crystal material and a polymer gelatinizer (organosiloxane having at least one hydrogen bondable part) between a pair of substrates provided with electrodes, the light controlling layer has light scattering properties to visible light and at least one substrate of a pair of the substrates is subjected to alignment treatment.例文帳に追加

電極を備えた一対の基板間に液晶物質と高分子ゲル化剤（水素結合性部位を少なくとも１箇所以上有するオルガノシロキサン）とを含む調光層を有する液晶素子であって、該調光層は、可視光に対して光散乱性を有し、また、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板には配向処理が施されている。 - 特許庁

In the method for manufacturing the liquid crystal device holding a liquid crystal between a pair of substrates 10 and 20 arranged oppositely, a great number of grooves 10 are formed in the surface of a metal film M1 after forming the metal film M1 on the surface of the substrate in an inorganic alignment layer forming process for forming an inorganic alignment layer on the surfaces of the substrates 10 and 20.例文帳に追加

対向配置された一対の基板１０、２０の間に液晶を保持した液晶装置の製造方法において、基板１０、２０の表面に無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程では、基板表面に金属膜Ｍ１を形成した後、金属膜Ｍ１の表面に多数条の溝Ｍ１０を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device also comprises a first region of the first conductivity type, which is formed in the depth direction along the side face of the trench formed in the semiconductor layer, with the bottom connected to the semiconductor substrate, and a second region of the first conductivity type, which is formed on the surface of the semiconductor layer near the side face of the trench and is connected to the first region.例文帳に追加

また、半導体層内の溝の側面に前記溝に沿って深さ方向に形成され、且つ下部が半導体基板と接続された、第１導電型の第１領域と、半導体層の表面で且つ溝の側面の近傍に形成され、且つ第１領域と接続された、第１導電型の第２領域と、を具備する。 - 特許庁

During the vapor deposition of a photoconductive layer for recording which is relatively thick as large as 100-2,000 μm in thickness, by making the temperature of the substrate higher than a temperature during normal vapor deposition in the first half part of the vapor deposition time during which the influence of the bumping strongly appears, the surface of the vapor deposition layer is smoothed while preventing the crystallization of the amorphous selenium.例文帳に追加

膜の厚さが１００μｍ以上、２０００μｍ以下と比較的厚い記録用光導電層の蒸着時において、突沸の影響が大きく表れる蒸着時間の前半部で基板の温度を通常蒸着時温度よりも上昇させることにより、アモルファスセレンの結晶化を防止しつつ蒸着層の表面をなだらかにさせる。 - 特許庁

To provide a mask blank for charged particle beam exposure which improves the yield of mask manufacture, by removing selectively the eaves of a curvature adjustment layer generated when forming an opening by the wet etching method, in the manufacture of the mask for charged particle beam exposure using an SOI substrate with a curvature adjustment layer, and to provide a mask for charged particle beam exposure and a pattern exposure method.例文帳に追加

反り調整層を有したＳＯＩ基板を用いた荷電粒子線露光用マスクの製造にて、ウェットエッチング法により開口部形成を行った際に発生する反り調整層のひさしを選択的に除去し、マスク製造の歩留まりを向上させる荷電粒子線露光用マスクブランク、荷電粒子線露光用マスク、パターン露光方法を提供する。 - 特許庁

A display device 1A forms a gate electrode 12a on a substrate 11 and then forms a semiconductor layer 14, a first protection film 15, a second protection film 16, a planarizing film 17, a source/drain electrode layer 18, and a pixel separation film 19 on the gate electrode 12a through a gate insulating film 13 during a process of forming a laminated film 24 using a photolithographic technique.例文帳に追加

表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。 - 特許庁

After an offset spacer formation step (S104), the thickness of an alteration layer formed on the surface of a silicon substrate is measured (S106); the injection parameter of impurity elements is calculated from a relationship among the in-advance acquired injection parameter, sheet resistance, and the thickness of the alteration layer (S108); and then an extension area is formed by ion implantation by using the injection parameter.例文帳に追加

オフセットスペーサ形成工程（Ｓ１０４）の後に、シリコン基板表面に形成された変質層の厚さを測定し（Ｓ１０６）、予め取得した注入パラメータとシート抵抗と変質層の厚さとの関係から、不純物元素の注入パラメータを算出し（Ｓ１０８）、その注入パラメータを用いてイオン注入法によりエクステンション領域を形成する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.1-1.2, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．１を越え１．２以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The inkjet recording medium comprises the ink receiving layer on a substrate, wherein the ink receiving layer is a layer formed by using a coating liquid at least comprising a cation-modified latex resin and a dimethylamine-epichlorohydrin polycondensate, and the content of the dimethylamine-epichlorohydrin polycondensate is less than 40 mass% to the solid content of the cation-modified latex resin.例文帳に追加

支持体上にインク受容層を有するインクジェット記録用媒体であって、 前記インク受容層が、カチオン変性されたラテックス樹脂とジメチルアミン−エピクロルヒドリン重縮合物とを少なくとも含む塗布液を用いて形成された層であり、前記ジメチルアミン−エピクロルヒドリン重縮合物の含有量が、前記カチオン変性されたラテックス樹脂の固形分に対して４０質量％未満であることを特徴とするインクジェット記録用媒体、及びその製造方法。 - 特許庁

The negative type original plate for planographic printing has a non-photosensitive resin layer on a substrate and the developing speed of the non-photosensitive resin layer is higher than the developing speed of the non-image area of the photosensitive layer.例文帳に追加

赤外線レーザによる露光工程、加熱工程、及び現像工程を有する製版システムにおいて、支持体上に感光層を備えてなる赤外線レーザ対応平版印刷版原版と併用する平版印刷用捨版原版であって、該平版印刷用捨版原版は支持体上に非感光性樹脂層を備え、該非感光性樹脂層の現像速度が前記感光層の非画像部の現像速度より速いことを特徴とする平版印刷用捨版原版。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.0-1.1, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．０を越え１．１以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.2-1.3, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．２を越え１．３以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.3-1.4, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．３を越え１．４以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

To provide an electrode for photoelectric conversion, and its manufacturing method enhancing power generation efficiency and improving productivity of the electrode for photoelectric conversion to attain mass production by bonding an inorganic semiconductor layer with inorganic semiconductor particles made firmly dense, to a conductive layer of a light transmitting flexible substrate having the conductive layer, in a short time with high adhesive strength.例文帳に追加

本発明は、無機半導体粒子間を強固に緻密化した無機半導体層と、この無機半導体層と、導電層を備えた光透過性を有する可撓性基板の導電層の接着を、短時間に且つ大きな接着力にすることで、発電効率を高めかつ可撓性に富んだ光電変換用電極の生産性を向上させ、大量生産を可能とし安価にできる光電変換用電極及びその製造方法関する。 - 特許庁

The method for producing an SOI substrate comprises a step for preparing an Si basic body 21 produced by floating zone(FZ) method, a step for forming an ion implantation layer 24 in the Si basic body 21 by implanting oxygen ions from the surface side thereof, and a step for forming a buried Si oxide layer 25 beneath a single crystal Si layer on the surface side by heat treating the Si basic body.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の作製方法において、フローティング・ゾーン法（ＦＺ法）により作製したＳｉ基体２１を用意する工程と、該Ｓｉ基体２１の該主表面側から酸素をイオン注入し、該Ｓｉ基体中にイオン注入層２４を形成する工程と、該Ｓｉ基体を熱処理して、該種表面側の単結晶Ｓｉ層の下方に埋め込まれた酸化Ｓｉ層２５を形成する埋め込み酸化Ｓｉ層形成工程とを有する。 - 特許庁

The pixel 24 includes a first conductive type semiconductor layer 28 formed on the substrate 22, a photoelectric conversion part 18 formed in the semiconductor layer 28, and a separation part formed in the semiconductor layer 28, surrounding the photoelectric conversion part 18 in planar view, and having a first conductive type first semiconductor region 31 and a first conductive type second semiconductor region 32 formed in a position shallower than the first conductive region 31.例文帳に追加

画素２４は、基板２２上に形成された第１導電型の半導体層２８と、半導体層２８内に形成された光電変換部１８と、半導体層２８内に形成され、平面的に見て光電変換部１８を囲み、第１導電型の第１の半導体領域３１と第１の半導体領域３１よりも浅い位置に形成された第１導電型の第２の半導体領域３２とを有する分離部とを含む。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor which has a photosensitive layer on a conductive substrate, has the extreme surface layer containing a compound polymerized with a hole transferable compound having ≥2 chain polymerizable functional groups within the same molecule on the electrophotographic photoreceptor and in which the calorific value in the differential scanning thermal analysis of the extreme surface layer is ≤60 mj/mg, the process cartridge having such electrophotographic photoreceptor and the electrophotographic device.例文帳に追加

導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該電子写真感光体の最表面層が、同一分子内に二つ以上の連鎖重合性官能基を有する正孔輸送性化合物を重合した化合物を含有し、かつ該最表面層が示差走査熱分析での発熱量が６０ｍｊ／ｍｇ以下である電子写真感光体、その電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置。 - 特許庁

The thin film transistor 1 mounted on a substrate 10 includes a source electrode 20a and drain electrode 20b separately disposed each other, an organic semiconductor layer 30 disposed between the source electrode 20a and drain electrode 20b, a gate insulating layer 40 disposed between the organic semiconductor layer 30 and gate electrode 50.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１は、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂ間に介在する有機半導体層３０と、有機半導体層３０とゲート電極５０との間に位置するゲート絶縁層４０とを有する構造をしており、さらに基板１０上に搭載されており、ゲート絶縁層４０は、金属イオンを補足し得るイオン捕捉物質４１を含有している。 - 特許庁

The transparent conductive film is formed by applying an absorbent-containing liquid containing an absorbent absorptive to laser light to a surface of a transparent conductive film precursor which is formed on a substrate to form a transparent film by sintering, followed by drying, thereby forming an absorbent layer, and irradiating the absorbent layer with laser light having a wavelength to be absorbed by the absorbent layer, thereby sintering the transparent conductive film precursor.例文帳に追加

基材上に形成され焼結によって透明導電膜を形成する透明導電膜前駆体の表面に、レーザー光に対して吸収のある吸収剤を含む吸収剤含有液を塗布し乾燥させることにより吸収剤層を形成し、該吸収剤層に吸収のある波長を有するレーザー光を該吸収剤層に照射することにより、前記透明導電膜前駆体を焼結させて透明導電膜を形成する。 - 特許庁

The stable hologram color filter without slant angle variation of the diffraction grating in a heating process is provided by arranging a hologram lens layer going ≥1.5 mm inward from the edges of a supporting glass substrate and by using an adhesive with a glass transition temperature ≥50° higher than the heating temperature added in the manufacturing process of the spatial optical modulation element as the adhesive layer covering the hologram lens layer.例文帳に追加

本発明は、ホログラムカラーフィルタに関し、ホログラムレンズ層を支持基板であるガラス基板の縁辺より１．５ｍｍ以上内側に設けること、およびホログラムレンズ層を覆う接着剤層として空間光変調素子の製造工程で加わる加熱温度より５０度以上高いガラス転移点を有する接着剤を用いることにより、加熱工程に対して回折格子のスラント角が変化することのない安定なホログラムカラーフィルタを提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display which is constituted by sandwiching a liquid crystal layer between a couple of opposite substrates and has a plurality of pixel areas formed by a couple of electrodes formed on the internal surface of the substrate has a reflection layer provided corresponding to the pixel area; and the reflection layer is sectioned into a plurality of reflection sections which are formed of different constituent components in the pixel area.例文帳に追加

対向する一対の基板間に液晶層を挟持してなり、前記基板の内面に形成された一対の電極によって形成される画素領域を複数有する液晶装置において、前記画素領域に対応して設けられた反射層を具備し、前記反射層は、前記画素領域内において各々構成材料が異なる複数の反射区画に区分されてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 特許庁

A method for forming a resist pattern includes steps of: forming on a substrate 1 a resist layer 3 containing a polymer of α-chloromethacrylate and α-methylstyrene and not containing a fluorine atom; performing rendering or exposure of a predetermined pattern shape by irradiating the resist layer with an energy beam; and developing the rendered or exposed resist layer with a fluorocarbon-containing developer having a dissolution rate of an insoluble part of less than about 0.5 Å/h.例文帳に追加

基板１上に、α−クロロメタクリレートとα−メチルスチレンとの重合体を含みかつフッ素を含有しないレジスト層３を形成する工程と、前記レジスト層にエネルギービームを照射することにより、所定のパターン形状の描画又は露光を行う工程と、非溶解部の溶解速度が１時間あたり約０．５Å未満であるフルオロカーボンを含む現像剤によって、前記描画又は露光されたレジスト層を現像する現像工程と、を含む。 - 特許庁

The nitride based compound semiconductor light emitting element comprising a first ohmic electrode, a first bonding metal layer, a second bonding metal layer and a second ohmic electrode formed in this order on a conductive substrate is provided with a nitride based compound semiconductor layer on the second ohmic electrode, and one surface of the second ohmic electrode is exposed.例文帳に追加

本発明は、導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記第二のオーミック電極の一表面が露出していることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The method includes: a step of removing a chemically stable first impurity-containing layer by performing dry etching to a Zn polar face (+c face) in the surfaces of the substrate; and a step of removing a second impurity-containing layer lying at a position deeper than the first impurity-containing layer.例文帳に追加

）」で表される組成を有する酸化亜鉛系基板の処理方法であって、前記基板の表面のうち、Ｚｎ極性面（＋ｃ面）をドライエッチングすることにより、化学的に安定な第一の不純物含有層を除去する工程と、前記ドライエッチング面をさらにウェットエッチングすることにより、前記第一の不純物含有層よりも深い位置にある第二の不純物含有層を除去する工程と、を有することを特徴とする酸化亜鉛系基板の処理方法。 - 特許庁