「substrate processing system」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

CIRCUIT SUBSTRATE WITH INTERNAL ORGANIC MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, ELECTRICAL ASSEMBLY UTILIZING THE CIRCUIT SUBSTRATE, AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM UTILIZING THE ELECTRICAL ASSEMBLY例文帳に追加

内部有機メモリ素子を有する回路基板、その回路基板の製造方法、前記回路基板を使用する電気組立体およびその組立体を使用した情報処理システム - 特許庁

A method and system for vapor deposition on a substrate that disposes a substrate in a process space of a processing system that is isolated from a transfer space of the processing system, processes the substrate at either of a first position or a second position in the process space while maintaining isolation from the transfer space, and deposits a material on the substrate at either the first position or the second position.例文帳に追加

基板上の蒸着のための方法およびシステムであって、処理システムの移送空間から分離（アイソレーション）された処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から分離が維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 - 特許庁

To provide a fault supervisory system of plasma processing apparatus which can supervise accurately a fault of plasma processing apparatus and can minimize the contamination of a substrate to be processed by quickly processing the fault if such fault is detected.例文帳に追加

プラズマ処理異常の精確に監視し、異常が検出された場合には、迅速に対処して、被処理基板の汚染を最小限に抑えることができるプラズマ処理の異常監視システムを提供する。 - 特許庁

The substrate processing system 1 comprises: a first detection unit 40 which detects a wafer W in the state before processing; and a second detection unit 50 which detects a wafer W in the state after processing.例文帳に追加

基板処理システム１は、処理前の状態のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０と、処理後の状態のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０とを備えている。 - 特許庁

To provide a substrate processing system and a heat treating method in which an article can be subjected to processing with high uniformity by making uniform the surface temperature of the article in a processing chamber.例文帳に追加

プロセス処理室内の被処理体の表面の温度分布を均一にして、被処理体に対して均一性の高いプロセス処理を施すことのできる基板処理装置と熱処理方法を提供すること。 - 特許庁

The substrate processing system 1 includes a first detection part 40 for detecting a wafer W, in a state before processing and a second detection part 50 for detecting the wafer W, in a state after the processing.例文帳に追加

基板処理システム１は、処理前の状態のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０と、処理後の状態のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０とを備えている。 - 特許庁

SUBSTRATE-PROCESSING DEVICE, LICENSE-MANAGING PROGRAM, LICENSE INFORMATION-PROVIDING DEVICE, LICENSE INFORMATION-PROVIDING PROGRAM, LICENSE-MANAGING SYSTEM, AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

基板処理装置、ライセンス管理プログラム、ライセンス情報提供装置、ライセンス情報提供プログラム、ライセンス管理システム及び記録媒体 - 特許庁

To provide a visual inspection system, equipped with a processing recipe that can cope with the mode of individual substrate or with the individual differences among inspectors.例文帳に追加

個々の基板の様態や検査者の個人的な差異に対応可能な処理レシピを備える外観検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a system and a method for substrate processing which suppress foam phenomena of an exposed photosensitive resin material.例文帳に追加

露光された感光性樹脂材料の発泡現象を抑制できる基板処理システム及び基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate repair system in which the tact time of repair is improved and efficient repair processing can be performed by preventing the conduction of an unnecessary repair processing.例文帳に追加

修復のタクトタイムを向上させるとともに、不要な修復処理を行うことを防止して、効率的な修復処理が行える基板修復システムを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a plasma processing system employing an electrostatic suction unit in which adhesion of particles to a semiconductor substrate is reduced.例文帳に追加

静電吸着装置を用いたプラズマ処理装置において、半導体基板へのパーティクルの付着が少ないプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A temperature measuring apparatus monitors temperature of a semiconductor substrate, which is housed inside a processing chamber so as to supply gas to the process chamber of a wafer processing system.例文帳に追加

ウエハ処理システムの処理チャンバ内にガスを送出することもできるように、処理チャンバ内に容れられた半導体基板の温度をモニタするための温度測定装置。 - 特許庁

To provide a plasma processing system, capable of uniformly conducting plasma processing, even for a thin substrate to be processed, without being influenced by the surface state of mounting base.例文帳に追加

薄型の被処理基板に対しても載置台の表面状態の影響を受けずに均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

A main gas nozzle 13 is provided for supplying Si system reaction gas and etching gas simultaneously from the upper part of a substrate processing region 203 for processing the mounted wafer 200.例文帳に追加

積載したウェハ２００を処理する基板処理領域２０３の上部から、Ｓｉ系反応ガス及びエッチングガスを同時に供給するメインガスノズル１３を備える。 - 特許庁

In the processing system and method for chemical treatment of substrate, the system includes a chemical treatment chamber placed under temperature control, and a substrate holder for supporting the substrate placed under the temperature control independent of chemical treatment.例文帳に追加

化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。 - 特許庁

In a processing system and a method for chemical treatment of a substrate, the system comprises: a chemical treatment chamber placed under temperature control; and a substrate holder for supporting the substrate placed under the temperature control independent of the chemical treatment.例文帳に追加

化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。 - 特許庁

To provide a system and a method for processing a substrate in which the quality of the substrate can be enhanced, processing cost can be reduced by enhancing recycling rate of chemical, and the facility can be simplified.例文帳に追加

基板の品質を向上することができるとともに、薬液の再生率の向上による処理コストの低減化を図りかつ設備の簡略化を図ることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The processing system for processing a substrate W comprises a processing section for processing the substrate W; a mount table 40 for mounting a storage vessel C for storing a plurality of substrates W; and a substrate carrier 60 for carrying the substrates W into or out of the storage vessel C via an opening 20 in the storage vessel C, while holding the substrates W in a nearly horizontal attitude.例文帳に追加

基板Ｗを処理する処理システムに，基板Ｗを処理する処理部と，複数枚の基板Ｗを収納する収納容器Ｃを載置する載置台４０と，基板Ｗを略水平な姿勢で保持し，前記収納容器Ｃの開口２０を介して収納容器Ｃ内に対して基板Ｗを搬入出させる基板搬送装置６０とを備えた。 - 特許庁

To provide a heat treatment system for substrate in which processing gas is prevented from touching a substrate under temperature rise to accelerate generation of a defect in the substrate through heat shock or touching a temperature raised substrate to deteriorate temperature distribution in the plane of the substrate so that uniform heat treatment can be ensured.例文帳に追加

昇温中の基板に処理ガスが触れて熱衝撃により基板に欠陥が発生するのを助長したり昇温後の基板に処理ガスが触れて基板面内における温度分布が悪くなり均一な熱処理を行えなくなることを防止できる装置を提供する。 - 特許庁

The sensing system 100 remotely controlled for processing a semiconductor substrate and loaded into a slot of a substrate holder is used to measure the alignment of the substrate holder such as a wafer boat in a batch reactor such as a furnace.例文帳に追加

半導体基板を処理するために、リモートコントロールされ、基板ホルダのスロット内に挿入されたセンサシステム１００が、リアクター等のバッチリアクター内において、ウェハボート等の基板ホルダのアライメントを測定するために用いられる。 - 特許庁

To stably manufacture a plurality of normal touch panels by executing processing to make thin a touch side substrate after adhering the touch side substrate and the deep side substrate in the touch panel in an ultrasonic system.例文帳に追加

超音波方式のタッチパネルにおいて、タッチ側基板と奥側基板とを貼り合せた後にタッチ側基板を薄くする処理を実行できるようにして、複数の正常なタッチパネルを安定して製造できるようにする。 - 特許庁

LITHOGRAPHIC PROCESS, EVALUATING METHOD FOR LITHOGRAPHY SYSTEM, ADJUSTING METHOD FOR SUBSTRATE-PROCESSING APPARATUS, LITHOGRAPHY SYSTEM, METHOD AND APPARATUS FOR EXPOSURE, AND METHOD FOR MEASURING CONDITION OF PHOTOSENSITIVE MATERIAL例文帳に追加

リソグラフィ・プロセス及びリソグラフィ・システムの評価方法、基板処理装置の調整方法、リソグラフィ・システム、露光方法及び装置、並びに感光材料の状態の測定方法 - 特許庁

The substrate processing system 100 is provided with a main conveying line 20 for conveying wafers W in the overall system, and a sub-conveying line 30 for conveying the wafers W in a photolithographic processing unit 1a.例文帳に追加

基板処理システム１００は、システムの全体にわたってウエハＷの搬送を行なう主搬送ライン２０と、フォトリソグラフィー処理部１ａ内でのウエハＷの搬送を行なう副搬送ライン３０とを備えている。 - 特許庁

To provide a substrate processing system capable of identifiably managing device data pieces acquired per main step and per sub-step.例文帳に追加

メインステップ及びサブステップで取得された装置データをそれぞれ識別可能に管理することが可能な基板処理システムを提供すること。 - 特許庁

A substrate processing system 1 is provided with planarizing equipment 18 that hardens a coated insulating film A before it is hardened in a heating furnace.例文帳に追加

基板処理システム１には，加熱炉において硬化される前に塗布絶縁膜Ａを硬化する平坦化装置１８が設けられる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for retaining a substrate, such as a semiconductor wafer, on an electrostatic chuck in a semiconductor wafer processing system.例文帳に追加

半導体ウェーハ処理装置内の静電チャック上に半導体ウェーハ等の基板を保持する方法、および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which can reduce sticking of products of process gas to an exhaust system and can suppress generation of particles.例文帳に追加

排気系へのプロセスガスの生成物の付着を低減でき、パーティクルの発生を抑制することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for monitoring the integrity of a ground member coupling a substrate support to a chamber body in a plasma processing system.例文帳に追加

プラズマ処理システムにおいて基板支持体をチャンバ本体部に連結している接地部材の完全性のモニタ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing device management system that reduces an analysis time for control parameters related to processing characteristics of a substrate.例文帳に追加

基板の処理特性に関する制御パラメータの解析作業時間を短縮する半導体製造装置管理システムを提供する。 - 特許庁

To provide an exposure device capable of accurately performing exposure processing by satisfactorily retaining a liquid between a projection optical system and a substrate.例文帳に追加

投影光学系と基板との間に液体を良好に保持して、精度良い露光処理を行うことができる露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a processing system for a substrate, in which interference of heat by gas flow between heating process units and cooling process units is suppressed.例文帳に追加

加熱処理装置と冷却処理装置との間で，気流による熱の干渉を抑制させる基板の処理システムを提供する。 - 特許庁

This plasma processing system is for depositing a film on a large-area substrate 17 by means of a CVD process in a reactor 10.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、反応容器１０でＣＤＶ過程によって大面積基板１７に成膜を行うためのものである。 - 特許庁

To provide a system and a method for processing a substrate in which a substrate can be processed using an electrochemical machining method such that a conductive material placed on the surface of the substrate is planarized while reducing the load of CMP processing as much as possible and matters adhering to the surface of the substrate can be removed (cleaned).例文帳に追加

例えばＣＭＰ処理の負荷を極力低減しつつ、基板表面に設けられた導電性材料を平坦に加工したり、更には基板の表面に付着した付着物を除去（洗浄）できるようにした電解加工方法を用いて基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Further, the processing system 1 includes a standby part 44 which holds the plurality of substrates W and makes them stand by, a substrate delivery device 43 which conveys the substrate W between the standby part 44 and the retention member, and a sheet type transport device 9 which conveys one substrate W at a time between the standby part 44 and the sheet type substrate processing devices 7A and 7B.例文帳に追加

さらに，複数枚の基板Ｗを保持して待機させる待機部４４と，待機部４４と前記保持部材との間で基板Ｗを搬送する基板受け渡し装置４３と，待機部４４と枚葉式基板処理装置７Ａ，７Ｂとの間で基板Ｗを一枚ずつ搬送する枚葉搬送装置９とを備えた。 - 特許庁

At the time of processing a substrate 9 electrostatically attracted on an electrostatic chucking stage 4 within a processing chamber 1, a detection gas is introduced into a gap between the stage 4 and the substrate 9 through a detecting gas inlet system 71.例文帳に追加

処理チャンバー１内の静電吸着ステージ４に基板９を静電吸着しながら処理するに際し、静電吸着ステージ４と基板９との隙間に検知用ガス導入系７１により検知用ガスを導入する。 - 特許庁

While a vacuum state is being maintained, the substrate P which has been stored inside the cassette body 10, is carried among two or more processing apparatuses, and the shutter plate 16 is opened at each processing system and the substrate P is taken out with a robot hand and processed.例文帳に追加

カセット本体１０の内部に基板Ｐを収納して真空状態を維持したままで複数の処理装置間を搬送し、各処理装置においてシャッタープレート１６を開いて基板Ｐをロボットハンドにより取り出し、処理を行う。 - 特許庁

The thin-film solar cell manufacturing system is provided with a first common substrate storage rack 40-1, a second common substrate storage rack 40-2 and a plurality of processing apparatuses 1 to 16-2.例文帳に追加

薄膜太陽電池製造システムは、第１共通基板保管ラック４０−１と第２共通基板保管ラック４０−２と複数の処理装置１〜１６−２とを具備する。 - 特許庁

To provide an exposure system, an exposure apparatus, a substrate processing apparatus, a pattern forming method, and a semiconductor device manufacturing method for enhancing the uniformity of line width of a resist film formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成されるレジスト膜の線幅均一性を向上させる露光システム、露光装置、基板処理装置、パターン形成方法、及び半導体デバイス製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing system capable of previously preventing the generation of a fault due to mismatching between individual software modules when a software module is installed in a substrate processor.例文帳に追加

基板処理装置にソフトウェアモジュールがインストールされたときの各ソフトウェアモジュール間の不整合に起因した障害を未然に防止することができる基板処理システムを提供する。 - 特許庁

On the substrate processing system 100 side, pure water supplied from a pure water supply source 200 to a substrate processing system 100 contains nitrogen supersaturated by nitrogen dissolution units 58 and 78, thus producing rinse liquid containing nitrogen over solubility limit.例文帳に追加

純水供給源２００から基板処理装置１００に供給される純水は、基板処理装置１００側において、窒素溶解ユニット５８、７８によって純水に窒素が過飽和に添加されることで窒素が溶解限度を超えて含まれるリンス液が生成される。 - 特許庁

To provide a substrate processing system capable of effectively transferring a plurality of substrates between a substrate accommodating part for accommodating the substrates and respective substrate processing units disposed in a plurality of tiers in the up and down direction, to thereby increase the number of substrates to be processed per unit time.例文帳に追加

基板を収容するための基板収容部と、上下方向に複数段設けられた各基板処理ユニットとの間で複数の基板を効率的に搬送することができ、このため単位時間あたりの基板の処理枚数を多くすることができる基板処理システムを提供する。 - 特許庁

An inspection device constituted as an inline device for a substrate processing system includes a conveyance unit for conveying a substrate as the inspection object at substantially constant conveyance speed, a line camera 21 for imaging the substrate under conveyance, an imaging control part 300, and an image processing part 301.例文帳に追加

基板処理システムのインライン装置として構成される検査装置に、検査対象物としての基板を実質的に一定の搬送速度で搬送する搬送ユニットと、搬送中の基板を撮像するラインカメラ２１と、撮像制御部３００と、画像処理部３０１とを設ける。 - 特許庁

To provide a surface processing system for substrate in which interference between a chuck and a rinse ring is reduced by employing independently power sources for operations thereof, precision processing process of a substrate can be stabilized by stabilized accurate motion of the chuck, and different processing liquids can be collected or discarded separately.例文帳に追加

チャックとリンスリングの各動作の動力源を別にして、相互間の干渉を低減し、チャックの安定した正確な動作により基板の安定した精密処理工程ができ、異なる処理液を別々に分けて回収あるいは廃棄出来るようにした基板の表面処理装置の提供にある。 - 特許庁

The load lock system includes: a load lock chamber 3 disposed between a storage port 10 for storing a substrate and a processing chamber 1 for processing the substrate in a processing space of which pressure is maintained lower than the external pressure; and a dehumidifying unit 97 for forming a dehumidified atmosphere in the load lock chamber 3.例文帳に追加

ロードロックシステムは、基板を格納する格納ポート１０と外部の圧力より低い圧力に維持された処理空間内で該基板を処理するための処理室１との間に配置されるロードロック室３と、ロードロック室３内に除湿された環境を形成する除湿ユニット９７と、を備える。 - 特許庁

To provide a substrate dryer capable of controlling the flow of an exhaust gas current corresponding to the type of substrate, a substrate processing system, a manufacturing method of an electro-optical device, an electro-optical device and an electronic instrument.例文帳に追加

基板の種別に応じて排気気流の流れ方を調整することができる基板乾燥装置、基板処理システム、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供することを課題としている。 - 特許庁