「surface active」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

A nitride semiconductor laser element 100 (the nitride semiconductor element) includes a GaN substrate 10 with a grown main surface 10a, and an active layer 14 formed on the grown main surface 10a of the GaN substrate 10 and having a quantum well structure including a well layer 14a and a barrier wall layer 14b.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成され、井戸層１４ａと障壁層１４ｂとを含む量子井戸構造を有する活性層１４とを備えている。 - 特許庁

The surface emitting type semiconductor laser element is an oxidized constriction type surface emitting semiconductor laser element including, on a GaAs substrate 12, a pair of semiconductor multilayer film reflecting mirrors and an active layer positioned between the pair of semiconductor multilayer film reflecting mirrors, and emitting laser light in a direction perpendicular to the substrate.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板１２上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する酸化狭窄型面発光型半導体レーザ素子である。 - 特許庁

In particular, since aluminum or an aluminum alloy having aluminum hydride on the surface is used as the negative electrode active material of the negative electrode, the aluminum hydride on the surface properly suppresses corrosion reaction of aluminum by the protonic electrolytic liquid, and as a result, high energy density of the battery can be obtained properly.例文帳に追加

特に、水素化アルミニウムを表面に有するアルミニウム又はアルミニウム合金が、負極の負極活物質として使用されるので、表面の水素化アルミニウムが、プロトン性電解質液によるアルミニウムの腐食反応を好適に抑制し、その結果、電池の高エネルギー密度化を好適に図ることができる。 - 特許庁

A good-surface functional aluminum material having a metallic color of the aluminum anode oxide film and restraining pitting caused by using the iodine compound can be produced by making the concentration of the iodine compound 0.1 g/l to 50 g/l and the concentration of the surface active surfactant 0.5 to 10 g/l.例文帳に追加

該ヨウ素化合物の濃度を、０．１ｇ／ｌ〜５０ｇ／ｌとし、界面活性剤の濃度を０．５〜１０ｇ／ｌとすることによって、アルミ陽極酸化皮膜の金属色を有し且つ該ヨウ素化合物使用によって生じるピッティングの発生を抑止して表面状態の良好な機能性アルミ材とすることができる。 - 特許庁

The composition for the overcoat layer for forming an overcoat layer on the surface of an ink layer formed by an inkjet system on the surface of a recording medium comprises an epoxy compound A, an oxetane compound P and a photocationic polymerization initiator X and is cured by an active energy ray.例文帳に追加

記録媒体の表面にインクジェット方式により設けられたインク層の表面にオーバーコート層を形成するためのオーバーコート層用組成物であって、エポキシ化合物Ａ、オキセタン化合物Ｐ、及び、光カチオン重合開始剤Ｘを含有し、活性エネルギー線により硬化するものであるオーバーコート層用組成物。 - 特許庁

The method includes manufacturing a laminated body in which a lower semiconductor DBR, a resonator structure including an active layer, an upper semiconductor DBR including a selectively oxidized layer etc., are laminated on a substrate; and etching the laminated body from an upper surface to form a mesa structure having at least the selectively oxidized layer exposed at a side surface.例文帳に追加

基板上に下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層された積層体を作成し、該積層体を上面からエッチングし、少なくとも被選択酸化層が側面に露出しているメサを形成する。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery having a positive electrode mixture layer with excellent electron conductivity and having excellent battery characteristics as an in-vehicle high output power supply, by reducing the ratio of a positive electrode active material of which the surface is not coated with a conductive material on the surface of a positive electrode plate.例文帳に追加

導電材が表面に被覆されていない正極活物質が正極板の表面に存在する割合を減少させることにより、電子伝導性に優れた正極合材層を有する、車両搭載用高出力電源として優れた電池特性を備えるリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

The solid feed is given with desired floating properties or settlement properties in water by the HLB value mainly of the outermost coating layer, regardless of the feed composition, by forming on the surface of solid feed, at least one coating layer solid at normal temperature, heat meltable, and composed of a surface active agent for food addition.例文帳に追加

固形飼料の表面に常温で固形で加熱溶融可能である食品添加用界面活性剤からなる少なくとも１層のコーティング層を形成して主として最外層のコーティング層のＨＬＢ値で飼料組成に関係なく、所望の水中浮上性または沈下性が付与された固形飼料が提供される。 - 特許庁

The optical sheet comprises a flexible supporting body, a molding layer which is formed on a front surface of the flexible supporting body and contains an active energy ray-curable resin and an 0.03 to 40.0 mg/m^2 of a surfactant and an antistatic layer which is formed on a rear surface of the flexible supporting body and contains 0.02 to 30.0 mg/m^2 of the surfactant.例文帳に追加

可撓性支持体と、可撓性支持体の表面に、活性エネルギー線硬化性樹脂、及び０．０３〜４０．０ｍｇ／ｍ^２の界面活性剤を含有する成形層と、可撓性支持体の裏面に、０．０２〜３０．０ｍｇ／ｍ^２の界面活性剤を含有する帯電防止層とを有する光学シート。 - 特許庁

In the optical semiconductor element, where an optical semiconductor chip having an active layer which radiates or absorbs a light is bonded on a substratum by using a bonding member, the bonding member is formed so as to have a light-reflecting surface which makes an acute angle with a side surface of the optical semiconductor chip, on the outside the optical semiconductor chip.例文帳に追加

光を放射又は吸収する活性層を備えた光半導体チップが接合部材を用いて基材上に接合されてなる光半導体素子において、接合部材を光半導体チップの外側に光半導体チップの側面と鋭角をなす光反射面を有するように形成した。 - 特許庁

To provide a photonic crystal laser which has a photonic crystal period structure where refractive indexes are two-dimensionally, periodically located near an active layer emitting by injection of carriers and resonates with the photonic crystal to surface-emit; a method of manufacturing the photonic crystal; a surface-emitting laser array; a light transmission system; and a writing system.例文帳に追加

キャリアの注入により発光する活性層の近傍に、２次元的に屈折率周期を配置したフォトニック結晶周期構造体を備え、フォトニック結晶により共振して面発光するフォトニック結晶レーザ、フォトニック結晶レーザの製造方法、面発光レーザアレイ、光伝送システム、及び書き込みシステムを提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet for temporarily surface-protecting use excellent in antistatic performance when peeled off from the adherend, and also excellent in coating film transparency, to provide a self-adhesive for temporarily surface-protecting use suitable for the adhesive sheet, and to provide an active energy-ray-curable resin composition suitable for producing the self-adhesive.例文帳に追加

被着体から剥離した際に粘着シートの帯電防止性能に優れ、塗膜透明性にも優れた一時表面保護用粘着シート、その粘着シートに好適な一時表面保護用粘着剤、その粘着剤の製造に好適な活性エネルギー線硬化用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

On the surface of an opposite side to an active layer 3 of a second conduction type semiconductor crystal layer 4, a penetrating dislocation defective 11 is exposed, the internal surface of the penetrating dislocation defective 11 and its periphery are covered with a material (a coating portion 13) which has non-ohmic contact nature to a second conduction type semiconductor crystal layer 4.例文帳に追加

第２導電型半導体結晶層４の活性層３とは反対側の表面に貫通転位欠陥１１が露出し、貫通転位欠陥１１の内表面及びその周囲を、第２導電型半導体結晶層４に対して非オーミックコンタクト性の材料で被覆（被覆部１３）した。 - 特許庁

The non-dusting, solvent-containing uniform pigment formulation comprises ≥70 wt.% one or two or more effective pigments, from 0.1 to 30 wt.% organic solvent or solvent mixture having an evaporation number(EN) of from 10 to 100 and a surface tension(ST) of ≤35 mN/m and from 0 to 5 wt.% surface-active substance.例文帳に追加

一種または二種以上の効果顔料70重量％以上、蒸発数（ＥＮ）が10〜100であり表面張力（ＳＴ）が35mN/m以下である有機溶媒または溶媒混合物0.1〜30重量％、および界面活性物質０〜５重量％を含んでなる非粉塵性溶媒含有均質顔料製剤。 - 特許庁

The backlight system according to the present invention includes a light guide (100; 160) that has first and second main surfaces and an edge surface and an attachment structure (120; 150) that are insert molded together at the edge surface of the light guide, and an optically active element (126; 166) attached to the attachment structure.例文帳に追加

本発明のバックライトシステムは、第１及び第２主表面と端部表面を有する光導波路（100；160）と、光導波路の端部表面において光導波路に挿入成形されている取付構造体（120；150）と、取付構造体に取り付けられている光学能動素子（126；166）とからなることを特徴とする。 - 特許庁

Therefore, some of the light that is generated by the active layer 68 for traveling toward the surface reaches a range except the light-emitting regions 86 and is absorbed by the light-absorbing layer 72, so that light is not projected from the surface 58, and only the light reaching the light-emitting regions 86 is projected from them.例文帳に追加

そのため、活性層６８で発生して表面５８に向かって進む光のうち発光領域８６を除く範囲に到達した光は光吸収層７２に吸収されることからその表面５８から射出されず、発光領域８６に到達した光だけがそこから射出される。 - 特許庁

Also disclosed is a method for reducing the wear rate of the polymeric supporting material of the medical implant when it articulates against a hard counterface in the presence of a synovial fluid, the method comprising providing a surface active agent in the synovial fluid in close proximity to the supporting surface, the counterface, or both.例文帳に追加

医療用インプラントのポリマー支持材料が滑液の存在下で硬質対向面に関節接合する場合、ポリマー支持材料の磨耗率を減少させる方法であって、支持面、対向面またはその両方に近接した滑液中への界面活性剤の提供を含む方法も開示される。 - 特許庁

The adsorbent for oral administration comprises surface-modified spherical active carbon having 50-200 μm average particle diameter, ≥700 m^2/g specific surface area determined by the BET method, 0.30-1.20 mequivalents/g total acidic groups and 0.20-0.9 mequivalents/g total basic groups.例文帳に追加

経口投与用吸着剤は、平均粒子径が５０〜２００μｍであり、ＢＥＴ法により求められる比表面積が７００ｍ^２／ｇ以上であり、全酸性基が０．３０ｍｅｑ／ｇ〜１．２０ｍｅｑ／ｇであり、そして全塩基性基が０．２０ｍｅｑ／ｇ〜０．９ｍｅｑ／ｇである表面改質球状活性炭からなる。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte secondary battery uses, as an active material for the anode, particles wherein graphite particle surface is coated with amorphous carbon with a specific surface of 200 to 500 m^2/g when calcined as single substance and a molecular weight of 300 to 500, and that, with a coating volume of 0.1 to 10 mass% to graphite.例文帳に追加

黒鉛粒子の表面に、単体で焼成した場合の比表面積が２００〜５００ｍ^２／ｇ、分子量が３００〜５００の非晶質炭素となる物質が被覆され、且つ被覆量が黒鉛に対して０．１〜１０質量％である粒子を負極活物質として用いてなる非水電解質二次電池。 - 特許庁

The buried insulating layer 14 is formed, an amorphous semiconductor is deposited on the active surface side of a semiconductor substrate 1 and an amorphous semiconductor film is formed on the surface of a support 12 and the side face sections of the buried insulating layer 14 while the inside of the buried insulating layer 14 is filled with the amorphous semiconductor.例文帳に追加

埋め込み絶縁層１４を形成した後、半導体基板１の能動面側に非晶質半導体を堆積し、支持体１２の表面と埋め込み絶縁層１４の側面部とに非晶質半導体膜を形成するとともに、埋め込み絶縁層１４中に非晶質半導体を充填する。 - 特許庁

The surface of steel wire used for a solid wire for gas shielded arc welding is coated with surface treating oil (oil) which contains metal salt consisting of sodium (Na), potassium (K), calcium (Ca), and zinc (Zn), non-metal phosphorus (P) and a hydrocarbon compound having two or more of active groups selected from ester group, carboxylic acid group, and alkane group.例文帳に追加

ガスシールドアーク溶接用ソリッドワイヤとして使用される鋼ワイヤの表面に，ナトリウム(Na)，カリウム(K)，カルシウム(Ca)及び亜鉛(Zn)からなる金属塩と非金属リン(P)，そして，エステル基，カルボン酸基，アルカン基の中から選ばれた２種以上の作用基を有する炭化水素化合物を含有する表面処理油(oil)を付着させる。 - 特許庁

The ceramic circuit board is formed by fixing a metallic circuit board 3 to the surface of a ceramic substrate 1 through an active metal soldering material 2 wherein a silicon oxide film 4 of 0.1-2 μm thick is applied to the surface of the ceramic substrate 1 fixed with the metallic circuit board 3.例文帳に追加

窒化珪素質焼結体からなるセラミック基板１の表面に活性金属ロウ材２を介して金属回路板３を取着して成るセラミック回路基板であって、前記金属回路板３の取着されているセラミック基板１の表面に厚さが０．１〜２μｍの酸化珪素膜４が被着されている。 - 特許庁

A high frequency of a super high frequency is applied between a positive electrode and a negative electrode as a means for removing the lead sulfate causing deterioration of the lead-acid battery from the surface of an active material, and thereby atoms in an aqueous electrolyte are activated to remove the surface lead sulfate.例文帳に追加

鉛蓄電池の劣化の原因である、活物質の表面の硫酸鉛を取り除くための手段して、極超短波の高周波を、正極と負極の間に加えることで、水系電解液の原子を活性化し、表面の硫酸鉛を取り除くことが出きることが分かり課題を解決することができた。 - 特許庁

A shortest distance between a region 31NN in which the cut portion 33 is formed in a side surface 31N of the N-type gate portion 30N and a side surface 32N of the N-type gate portion 30N is set to be shorter than the width of a portion immediately above a first active region in the N-type gate portion 30N.例文帳に追加

Ｎ型ゲート部分３０Ｎの側面３１Ｎにおける切り欠き部３３が形成されている領域３１ＮＮと、Ｎ型ゲート部分３０Ｎの側面３２Ｎとの間の最短距離は、Ｎ型ゲート部分３０Ｎにおける第１活性領域の直上の部分の幅よりも小さく設定されている。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser element is a constricted oxide type surface-emitting semiconductor laser element which has a pair of semiconductor multilayer film reflection mirrors and an active layer disposed between these mirrors on a GaAs substrate 12, and emits a laser beam in a direction of crossing the substrate at right angles.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板１２上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する酸化狭窄型面発光型半導体レーザ素子である。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon wafer capable of effectively exercising a gettering effect also in a thin film device while having BMD (Bulk Micro Defect) in a shallow region of, for example, ≤10 μm from a surface layer with high density, but having no defect in an extreme surface layer functioning as a device active layer.例文帳に追加

表層から例えば１０μｍ以内までの浅い領域にＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）が高密度で存在するが、デバイス活性層として機能する極表層には欠陥が存在せず、薄膜デバイスに対してもゲッタリング効果を有効に発揮しうるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

With respect to the wet electrophotographic recording sheet obtained by disposing one or more coating layers on at least one surface of a sheetlike substrate, a material having surface active function is contained in a composition for the coating layers in an amount of 0.1-2.0 mass% based on the amount of a pigment.例文帳に追加

シート状基板の少なくとも片面に１層以上の塗工層を設けた湿式電子写真用記録シートにおいて、該塗工層組成物中に、界面活性機能を有する素材が顔料に対して０．１〜２．０質量％含有してなることを特徴とする湿式電子写真用記録シート。 - 特許庁

A water film W is formed on its surface by condensing steam generated in the storage tank 41 by exchanging heat with an inner wall surface 32, and discharging is performed on the water film W by a water purifying discharge part 31, and a toxic substance included in this water film W is decomposed and removed by an active species, and the water film W is purified.例文帳に追加

貯留タンク（41）内で生成された水蒸気を内壁面（32）と熱交換させて凝縮させることでその表面に水膜（W）を形成し、水浄化用放電部（31）により水膜（W）に対して放電を行うことで、この水膜（W）に含まれる有害物質等を活性種で分解除去し、水膜（W）を浄化する。 - 特許庁

In a purple-blue semiconductor laser device 100, an n-type clad layer 102, an active layer 103, a p-type clad layer 104, and a p-type contact layer 105 are formed on one surface of an n-type GaN substrate 101, and a p-type ohmic electrode 106 is formed on the upper surface of the p-type contact layer 105.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１００においては、ｎ型ＧａＮ基板１０１の一面上にｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４、およびｐ型コンタクト層１０５が形成され、ｐ型コンタクト層１０５の上面にｐ型オーミック電極１０６が形成されている。 - 特許庁

To provide a catalyst which limits the reaction field in performing the catalytic reaction to the inner part of a pore of mesoporous silica to allow the catalytic reaction to proceed by selectively modifying the external surface of a pore wall of the mesoporous silica with an organic group and selectively introducing an active species of catalyst onto the inner surface of the pore wall.例文帳に追加

メソポーラスシリカの細孔壁の外表面を選択的に有機基で修飾し、内表面選択的に触媒活性種を導入することにより、触媒反応を行う際の反応場をメソポーラスシリカの細孔内部に限定して触媒反応を行わせることが可能な触媒を提供すること。 - 特許庁

A portion of the p-type clad layer and the p-type contact layer constitute striped ridge portions 30a and 30b, and regions of the active layer which correspond to the ridge portions respectively are a laser projection end surface 32a for recording and a laser projection end surface 32b for reproduction, and laser beams 33a and 33b for recording and reproduction are emitted.例文帳に追加

ｐ型クラッド層の一部及びｐ型コンタクト層は、ストライプ状のリッジ部３０ａ、３０ｂを構成しており、活性層のうちリッジ部に対応する領域がそれぞれ、記録用レーザ出射端面３２ａ、再生用レーザ出射端面３２ｂとなっており、記録用、再生用レーザ３３ａ、３３ｂが放射される。 - 特許庁

This method for manufacturing the cellulosic film comprises a surface treatment step of irradiating a high energy ray equal to or more than 490 kJ/mol represented by an excimer UV ray of 172 nm wavelength generated upon xenon molecule excitation or an active species on at least one surface of the cellulosic film.例文帳に追加

セルロース系フィルムの少なくとも一方の面上に、キセノン分子が励起した際に発生する１７２ｎｍの波長のエキシマ紫外線で代表される４９０ｋＪ／ｍｏｌ以上の高エネルギーな光もしくは活性種を照射する表面処理工程を有することを特徴とするセルロース系フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

This water surface-floatable agrochemical solid preparation containing the active ingredient is characterized in containing, as a water surface spreading agent, one or more compounds selected from 3-methoxy-3-methyl-1-butyl acetate, 2-ethoxyethyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol diacetate.例文帳に追加

農薬活性成分を含む水面浮遊性農薬固形製剤において、水面拡展剤として、３−メトキシ−３−メチル−１−ブチルアセテート、２−エトキシエチルアセテート、２−エチルヘキシルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテートより１種または２種以上を含有することを特徴とする、水面浮遊性農薬固形製剤。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 having an active region on the surface side, a through electrode 24 of a conductive material formed so as to penetrate from the surface to a rear face of the semiconductor substrate 1, and a stress buffer part 25 formed to be surrounded by the through electrode 24 and different from the conductive material.例文帳に追加

半導体装置は、表面側に活性領域を有する半導体基板１と、半導体基板１の表面から裏面までを貫通するように形成され、導電材からなる貫通電極２４と、貫通電極２４に囲まれるように形成され、導電材とは異なる応力緩衝部２５とを備えている。 - 特許庁

A positive electrode current collecting foil 10 includes: the metal foil 11; the carbon coated layer 13 laminated on the foil surface 11a of the metal foil 11 containing carbon particles; and a positive electrode active material layer 15 laminated on the layer surface 13a of this carbon coated layer 13 and containing the positive electrode material.例文帳に追加

正極集電箔１０は、金属箔１１と、この金属箔１１の箔表面１１ａ上に積層されてなり、カーボン粒子を含むカーボンコート層１３と、このカーボンコート層１３の層表面１３ａ上に積層されてなり、正極活物質を含む正極活物質層１５とを備える。 - 特許庁

In a form where the surface of flux-cored extrafine wire solder is coated with a nonionic surfactant, the oxidation of the surface in the solder wire can be prevented, and the quantity of the flux can be reduced accordingly, or weakly active flux can be used, thus the quantity of flux residue can be reduced, or the flux can be made into a non-electrolyte.例文帳に追加

フラックス入り極細線はんだの表面に非イオン系界面活性剤をコートした形態では、はんだ線表面の酸化を防止でき、それだけフラックス量を減少できる、または弱活性フラックスを使用できる結果、フラックス残渣量を減少できる、またはフラックスを非電解質化できる。 - 特許庁

A manufacturing method of alkali secondary cell includes a first process of adding surfactant and disperser to positive electrode active material having higher-order metal oxide on its surface or at the neighboring are of the surface and kneading them, and a second process of obtaining the paste by adding a hydrophilic resin to the above the kneading them.例文帳に追加

金属高次酸化物が少なくとも表面または表面近傍に形成されてなる活物質に、第１工程として、界面活性剤と分散媒を主体とする成分を添加・混練したのち、第２工程として、親水性樹脂を添加・混練してペーストを得る工程を含む製造方法。 - 特許庁

The semiconductor laser element is provided with a semiconductor laminate consisting of a compound semiconductor layer of AlGaIn base having a step-like structure on an n-type GaN substrate using a (0001) surface as a substrate surface, and having an active layer containing two kinds of group III elements including In and a group V element including N.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、（０００１）面を基板面とするｎ型ＧａＮ基板上にステップ状構造を備えると共に、ｎを含む２種類のＩＩＩ族元素及びＮを含むＶ族元素を含む活性層を有するＡｌＧａＩｎＮ系の化合物半導体層からなる半導体積層体を備えている。 - 特許庁

To provide a suitability judging method of a positive electrode active material for a lithium secondary battery, which has a strong bonding of a transition metal-oxygen on a particle surface and has an excellent high temperature retaining property and high cycle characteristics.例文帳に追加

粒子の表面における遷移金属−酸素の結合が強く、高温保存特性が良好で高サイクル特性を有するリチウム二次電池用正極活物質材料を得るための適否判定方法を提供する。 - 特許庁

In the electrical double layer capacitor obtained by the production method of electrical double layer capacitor electrode active material, the atomic ratio (H/C) of hydrogen to carbon is in the range of 0.35-0.42, and the specific surface area is in the range of 5-65 m^2/g.例文帳に追加

また、上記の電気二重層キャパシタ電極活物質の製造方法によって得られ、炭素に対する水素の原子比（Ｈ／Ｃ）が０．３５〜０．４２の範囲内に、さらに比表面積が５〜６５ｍ^２/ｇの範囲内とする。 - 特許庁

To provide a drainage treatment apparatus and a method which can effectively scrape an adhesive off from the membrane surface used for a membrane-separation active sludge method, so that a flux lowering of the membrane filtration rate or an increase in a membrane differential-pressure can be prevented.例文帳に追加

膜分離活性汚泥法に用いられる膜表面の付着物を効果的に掻き取ることができ、膜ろ過速度の流束低下あるいは膜差圧上昇を防止できる下水処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The metal pad is formed in a pad region on a substrate partitioned into an active region and the pad region, and then a protective film is formed all over the surface of the substrate containing the metal pad, and then the protective film is selectively removed to open up the metal pad.例文帳に追加

アクティブ領域とパッド領域とに区分される基板上のパッド領域に金属パッドを形成し、、金属パッドを含む基板の全面に保護膜を形成し、保護膜を選択的に除去して金属パッドを開放する。 - 特許庁

When an oxygen concentration of a GaN-based semiconductor layer 23 is 5×10^16 cm^-3 or more, the crystal quality of the active layer 17 that continues to grow on the principal surface of the GaN-based semiconductor layer 23 is good.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体層２３の酸素濃度が５×１０^１６ｃｍ^−３以上であるとき、ＧａＮ系半導体層２３の主面上に引き続き成長される活性層１７の結晶品質が良好になる。 - 特許庁

The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられ、且つ、側壁膜６の上部は、ｎ型拡散層５の上面より上側に位置している。 - 特許庁

An insulating protective layer 24 is arranged so as to cover an outer peripheral surface 25 of the electrode group 10 including a positive electrode 21, the negative electrode 22 containing the negative electrode active material bringing forth a volume change, and a separator 23 interposed between them.例文帳に追加

正極２１と、体積変化を起こす負極活物質を含有する負極２２と、これらの間に介在するセパレータ２３とを含む電極群１０の外周面２５を覆うように絶縁性保護層２４を配置する。 - 特許庁