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surface processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9599件
To provide an article and a preparation process using a fluorine coated film 4 which shows a high adhesiveness to a substrate 1, has no pinhole and exerts an excellent water- and oil-repellency at its surface.例文帳に追加
基体1と密着性よく且つピンホール無く、しかも表面の撥水撥油性が優れたフッ素系コーティング膜4を用いた物品と製法を提供する。 - 特許庁
In the chemical treatment process, a definite amount of the substrate surface is removed while controlling temperature change of the liquid chemical 17 so as to stay within a range of ±5°C from a previously set temperature.例文帳に追加
化学処理工程は、薬液17の温度変化が予め設定した温度から±5℃の範囲に収まるように制御しながら、基板の表面を一定量除去する。 - 特許庁
A radar return processing system and a method are operable to process radar information when an installation vehicle 122 operates in proximity to a surface area of interest.例文帳に追加
装備乗物(122)が対象となる表面領域の近傍で動作中であるときに、レーダエコー処理システムおよび方法がレーダ情報を処理するように動作可能である。 - 特許庁
To provide a wafer cleaning system and a wafer cleaning method which is low in contamination on a wafer surface, and produces an oxidizer in pure water in a process of rinsing therewith.例文帳に追加
ウェハ表面に対して低汚染で、水洗い工程で使用する純水中に酸化剤を生成するウェハ洗浄システムおよびウェハ洗浄方法を提供する。 - 特許庁
To provide a lance for refining, which inhibits an easy-to-occur spitting in a refining process of blowing a powder together with a carrier gas onto the bath surface of a molten metal.例文帳に追加
溶融金属の浴面に粉体をキャリヤガスと共に吹き付けて精錬をおこなう場合に生じやすいスピッティングを抑制できる精錬用ランスの提供。 - 特許庁
When a processing solution is discharged from a lower processing-solution outlet 37, the processing solution is supplied to the substrate side space S1a to process the lower surface of the wafer W.例文帳に追加
下側処理液吐出口37から処理液が吐出されることにより、基板側の空間S1aに処理液が供給され、ウエハWの下面が処理される。 - 特許庁
To provide an electric charge donor which enables a pattern in microstructure to be formed on a semiconductor surface through a simple process and a fine pattern forming body.例文帳に追加
本発明は、半導体表面に簡易なプロセスで、微細な構造のパターン形成が可能な電荷付与体、および微細なパターン形成体を提供することを主目的とする。 - 特許庁
For each desired passage hole or a group of passage holes, a node 60 is formed first on the outside surface 62 of the substrate 64 through a laser solidifying process.例文帳に追加
所望の各通路孔または一群の通路孔のために、基板64の外側面62上に節点60がレーザ固結工程によって最初に形成される。 - 特許庁
To provide a preparation process of a biodegradable spherical single powder which has a filler improving the mechanical, electrical or thermal property inside or on the surface.例文帳に追加
機械的、電気的、又は熱的性質を改良する充填剤を内部又は表面に有する生分解性球状粉体の製造方法を提供すること。 - 特許庁
After that, in a polishing process, tube material is rubbed with a lapping tape of #2,000 to form the circumferential stripes on the outer circumferential surface while being rotated in one direction at a fixed speed.例文帳に追加
その後、研磨工程でチューブ材を一方向に一定速度にて回転させつつ、#2000のラッピングテープに摺擦させて外周面に周方向の筋目を形成する。 - 特許庁
Moreover, a metallic plating film of Au is made, with the temperature of the plating liquid used in the plating process of growing the metallic plating film on the surface of the semiconductor substrate at 60°C or over.例文帳に追加
また、半導体基板表面に金属メッキ膜を成膜するメッキ工程において用いるメッキ液の温度を60℃以上にしてAuの金属メッキ膜を形成する。 - 特許庁
To solve a problems such as generation of wrinkles in a double surface carrying passage or a re-feeding process after switching back at a carrying roller provided with a stiffening function.例文帳に追加
腰付け機能を持たせた搬送ローラにてスイッチバックをおこなったとき、以降の両面搬送路又は再給紙過程にてシワが発生してしまう等の問題を生じる。 - 特許庁
The increase in space allows new process generation of the integrated circuit die in which an increasing number of logic elements are fitted within the same surface area of a substrate of the integrated circuit die.例文帳に追加
空間の増大により、多数の論理素子を集積回路ダイの基板の同一の表面積内に収容する集積回路ダイの新しいプロセス世代が可能となる。 - 特許庁
To increase the electric conductivity and the controllability of the exterior color in a protective film by a clean process wherein harmful substances are not used regarding a surface treatment method for a molded metallic product.例文帳に追加
金属成形品の表面処理方法に関し、有害物質を使用しないクリーンなプロセスで保護皮膜の導電度及び外観色の制御性を高める。 - 特許庁
After a gate electrode 4a is formed, an RIE process is so carried out that a region for forming a contact hole 5 becomes a projected smooth surface in the active region 3.例文帳に追加
ゲート電極4aを形成した後に、活性領域3のコンタクトホール5を形成する領域の表面を上に凸の滑らかな表面となるようにRIE加工する。 - 特許庁
A mold cavity 3 is at least partially formed by at least one stationary surface 7a in a second injection process for over-molding the second part.例文帳に追加
第2の部品2をオーバーモールドする第2の射出工程において、成型キャビティ3は少なくとも1つの静止面7aにより少なくとも部分的に形成される。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an ultra shallow junction surface of nano size capable of obtaining a control of preferable manufacturing process and a reliability of an element and inhibiting the defective due to implantation of an ion.例文帳に追加
好ましい製造工程の制御と、素子の信頼性とが得られ、イオン打ち込みによる欠陥を抑制するナノサイズ極浅接合面の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a surface treatment method for a silicon-containing aluminum alloy which can be used for a component with a complicated shape without causing environmental pollution in a production process and exhibits high durability to friction sliding.例文帳に追加
製造工程において環境汚染を誘発することなく複雑な形状の部品に対して使用でき、摩擦摺動に対して高度な耐久性を発揮する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a multilayer film reflecting mirror which makes it possible to achieve the targeted dimensional precision of a reflection wave surface after the partial removing process of a multilayer film.例文帳に追加
部分的な多層膜除去加工後に目標とする反射波面の形状精度を達成することができる多層膜反射鏡の製造方法を提供する。 - 特許庁
A wafer 10A with an adhesive according to the present invention has a semiconductor wafer 1 and an adhesive 2 applied on a surface of the semiconductor wafer 1 by a printing process.例文帳に追加
本発明の接着剤付きウエハ10Aは、半導体ウエハ1と、この半導体ウエハ1の表面に印刷法によって付設された接着剤2とを有する。 - 特許庁
The method includes a process of holding the surface sheet 4 and the absorbent body 5A between an embossing roll 1 and an anvil roll 2, integrating them and forming an embossed groove part 61b.例文帳に追加
エンボスロール1と、アンビルロール2との間に、表面シート4と吸収体5Aとを挟み込んで、両者を一体化してエンボス溝部61bを形成する工程を含む。 - 特許庁
Also a part of the manufacturing line of the conventional flat cathode-ray tube having no icon display region can be made common with respect to the forming process of the fluorescent surface.例文帳に追加
また、蛍光面の形成工程に関し、アイコン表示領域を有しない従来の偏平型陰極線管の製造ラインと一部共通化を図ることができる。 - 特許庁
Each clamper 26 has a retaining surface 27 for abutting on an outer peripheral edge of the workpiece 30 in the process of its rotation to press the workpiece 30 in a centripetal direction while keeping rotating.例文帳に追加
クランパ26は、その回転途中でワーク30の外周縁部に当接しその回転とともにワーク30を求心方向へ押圧する押え面27を備える。 - 特許庁
In the IPA vapor supply process, nitrogen gas containing IPA vapor is supplied from the first drying gas supply port 251a to the central part of the upper surface of the wafer W.例文帳に追加
IPAベーパ供給工程では、第1乾燥ガス供給口251aからウエハWの上面の中央部に向けて、IPAベーパを含む窒素ガスが供給される。 - 特許庁
In the manufacturing process, a photoresist is disposed on a semiconductor substrate 10 to cover the front surface 11 of the substrate 10, and trenches 12, 14, 16 and 18 therein are filled.例文帳に追加
製作プロセスでは半導体基板10上にフォトレジストが配置され、基板10の前方表面11を覆い、その中のトレンチ12、14、16、18を充填する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of keeping a wafer surface from damages by organic chemicals and plasmas in a GaAs semiconductor process.例文帳に追加
GaAs半導体プロセスにおいて、ウエハ表面を有機性薬品及びプラズマからのダメージから防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a metal tantalum nanosheet with a high specific surface area utilizing a metal tantalum nanosheet obtained by reducing a tantalum pentoxide nanosheet obtained by a fluidized interfacial sol-gel process.例文帳に追加
流動界面ゾル−ゲル法により得られる五酸化タンタルナノシートを還元して得られる金属タンタルナノシートを利用し、高比表面積の金属タンタルナノシートを提供する。 - 特許庁
The aperture 3 is formed through a dry etching step, and its aspect ratio becomes lower by broadening the reference surface through an ensuing wet chemical etching process.例文帳に追加
開口部3は、ドライエッチング工程により形成され、該開口部3のアスペクト比は続いて行われるウェットケミカルエッチング工程により基準表面部を広げることにより低くなる。 - 特許庁
To provide a method of removing contaminations of a surface having an oxide layer of a component or a system in nuclear power facilities that works effectively and can be executed especially in one process.例文帳に追加
有効に働き、特に1工程で実施することができる、原子力施設の部品または系の酸化物層を有する表面を汚染除去する方法を提供する。 - 特許庁
Grout 30 locked in contact with the tapered inner peripheral surface of the straight pipe shaped steel pipe 12 is bored to form an elongate hole H (a grout boring process).例文帳に追加
直管状鋼管12のテーパ形状の内周面に接して係止されているグラウト30へ削孔を行って長孔Hを形成する(グラウト削孔工程)。 - 特許庁
To provide a substrate cooler and a substrate cooling method capable of performing a cooling process with good surface-uniformity for a short time with suppressing electrostatic charge.例文帳に追加
静電気の発生を抑制しつつ、短時間で面内均一性の良好な冷却処理を行うことのできる基板冷却装置および基板冷却方法を提供する。 - 特許庁
In this way, remarkable process shortening, productivity improvement, and cost reduction can be materialized, and the decorative resin molding good in surface properties can be obtained.例文帳に追加
これにより著しい工程の短縮化と生産性の向上、および低コスト化を実現でき、また表面性状の良好な加飾樹脂成形品を得ることができる。 - 特許庁
This polarizing process generates polarization 31 directed in the thickness direction of the piezoelectric body, and polarization 32 directed in the lateral direction at a section near the electrode surface between the electrodes.例文帳に追加
分極処理の結果、圧電体の厚み方向における分極31と、電極間の極表面に近い部分の横方向における分極32が生じる。 - 特許庁
The tunnel junction element and the shunt resistor element can be exposed on the same machining surface accordingly, and both elements can be machined also on a conventional grinding process.例文帳に追加
従って、トンネル接合素子とシャント抵抗素子を同一加工面に露出することができ、従来の研磨工程においても両素子を加工することができる。 - 特許庁
To provide a method for inexpensively producing tubular titanium oxide having a large specific surface area and anatase crystallinity by a simple process without using a specific apparatus.例文帳に追加
特殊な装置を用いることなく、簡易なプロセスにより比表面積が大きいアナターゼ結晶性を有するチューブ状酸化チタンを経済的に製造する方法を提供する。 - 特許庁
For the cathether, by bringing a process gas containing a fluorine gas into contact with a base material for the catheter, the antithrombogenicity is imparted to at least the outer peripheral surface of the base material for the catheter.例文帳に追加
カテーテル用基材に、フッ素ガスを含有する処理ガスを接触させることにより、そのカテーテル用基材の少なくとも外周面に抗血栓性を付与したカテーテル。 - 特許庁
To enhance durability for the load applied on a molding process in a stamper for an optical disk having the recessed and projecting part narrower than 0.24 μm on a signal surface.例文帳に追加
0.24μmより狭い凹凸部を信号面に有する光ディスク用スタンパにおいて、成形工程時に加わる負荷に対して耐久性を向上することを目的とする。 - 特許庁
To uniformize the feeding density distribution and the mixing ratio of a fine material supplied by electrostatic discharge, thereby improving the efficiency and uniformity of the recovery and surface-treatment process.例文帳に追加
静電放出して供給する微細材の供給密度分布や混合比を均一にして、回収や表面処理の効率化や均一化が図れるようにする。 - 特許庁
To provide a bulked material which surface contains a synthetic resin which improve the burning rate in a raceway, and is melted-solidified and to provide its preparation process.例文帳に追加
レースウエイ内において燃焼率を向上させることができる合成樹脂材を含む表面が溶融固化した塊成化物およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To reduce the cost of manufacturing a semiconductor device by simplifying a cleaning process of removing organic substances such as a photoresist film or metallic particles on the surface of a substrate.例文帳に追加
基板の表面のフォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去する洗浄工程を簡略化し、半導体装置の製造コストを低減する。 - 特許庁
To provide a means of preventing a first projection electrode provided above surface of a semiconductor substrate from falling in a manufacturing process when a through electrode is formed.例文帳に追加
貫通電極の形成に際して、半導体基板の表面の上方に設ける第1の突起電極が製造工程中に脱落することを防止する手段を提供する。 - 特許庁
This method tests materials applied to the surface of a sample and include a process of directing an excitation beam of a known beam width and intensity section toward the sample area.例文帳に追加
試料の表面に適用された材料を試験する方法は、既知のビーム幅および強度断面を有する励起ビームを試料の領域に方向付けることを包含する。 - 特許庁
Next, in a diffusion process, semiconductor impurities are diffused on a surface of one side in a thickness direction of the semiconductor wafer 2 on which the diffusion prevention film 7 is formed.例文帳に追加
次に、拡散工程で、前記拡散防止膜7が形成された半導体ウエハ2の厚み方向一方側の表面部に、半導体不純物を拡散させる。 - 特許庁
To perform accurate process control by detecting surface density of an image carrier by a photosensor, and properly setting reference output voltages of the photosensor on the basis of the detection.例文帳に追加
フォトセンサによる像担持体の地肌濃度の検出、その検出に基づくフォトセンサの基準出力電圧の設定を適切に行い、正確なプロセス制御を行う。 - 特許庁
The single crystal silicon carbide layer 4 is exposed by removing an oxide layer 5 formed on the surface of the single crystal silicon carbide layer 4 in the process of heat treatment (S5).例文帳に追加
熱処理の過程で単結晶炭化シリコン層4の表面に形成された酸化層5を除去することにより単結晶炭化シリコン層4を露出させる(S5)。 - 特許庁
To provide a silicon carbide semiconductor element and its manufacturing process, in which malfunction due to the deterioration of characteristics on the surface of a silicon carbide epitaxial layer can be reduced.例文帳に追加
炭化珪素のエピタキシャル層表面の特性劣化による動作不良を低減することができる炭化珪素半導体素子およびその形成方法を提供する。 - 特許庁
To form stable hemispherical grained silicon (HSG) which have superior selectivity and less defects in an HSG forming process which is performed for enlarging the surface areas of capacity electrodes.例文帳に追加
容量電極表面積を拡大するための半球状結晶粒(HSG)の形成工程において、選択性が優れ、欠陥のない安定したHSGを形成する。 - 特許庁
To provide a titanium substrate for an insoluble anode which places few loads on the environment in a manufacturing process and shows a superior anchoring effect to an electrode catalyst material on the surface.例文帳に追加
製造プロセスでの環境負荷が小さく、しかも、表面の電極触媒物質に対して優れたアンカー効果を示す不溶性陽極用チタン基体を提供する - 特許庁
To improve the surface nature of the electroless nickel/gold plate in the process for manufacturing the printed circuit boards without adverse effect on the excellent dielectric and mechanical properties of PPE resin.例文帳に追加
PPE樹脂の優れた誘電特性と機械特性を損なうこと無く、プリント配線板の製造工程における無電解ニッケル/金メッキの表面性を向上させる。 - 特許庁
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