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該当件数 : 9599件



例文

The buffer layer 6 can be formed at a deep position from a back contact surface, thus suppressing the occurrence of a punch through phenomenon caused by the flaw, or the like during the manufacturing process.例文帳に追加

裏面接触面から深い位置にバッファ層6を形成することができるため、製造工程中についた傷などによるパンチスルー現象の発生が抑制される。 - 特許庁

To provide an electrode structure for a small sized surface acoustic wave element where defect of an interdigital transducer is suppressed due to a discharge caused by a pyroelectric effect in the manufacture process.例文帳に追加

製造過程で焦電効果に起因して発生する放電によるインタディジタルトランスデューサーの破損を抑制する弾性表面波素子の電極構造を提供する。 - 特許庁

The thin film for a substrate which has passed through a CVD process is reformed by utilizing surface heating by the ultraviolet light absorption of the thin film on the substrate by an annealing treatment furnace 2.例文帳に追加

CVD工程を経た基板の薄膜をアニール処理炉2にて前記基板の薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。 - 特許庁

In the reverse squeezing step, a shaping process is carried out such that either one of restraining faces of the pair of molds in the squeezing step is in the outer side than one side surface of the peripheral section.例文帳に追加

逆しごき工程では、しごき工程における一対の型のうちのいずれか一方の拘束面が、周縁部の一方の面よりも外側にあるように成形する。 - 特許庁

例文

This method of manufacturing a semiconductor device has a process of forming a trench on a semiconductor substrate, a process of forming a first insulating film on the inner wall of the trench, a process of forming a second insulating film on the bottom surface of the trench by an anisotropic film forming method, and a process of embedding a third insulating film growing faster on the first insulating film than on the second insulating film.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板にトレンチを形成する工程と、トレンチの内壁に第1の絶縁膜を形成する工程と、異方性のある成膜方法によりトレンチの底面に第2の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜上よりも第2の絶縁膜上において成長速度が速い第3の絶縁膜をトレンチ内に埋め込む工程とを有する。 - 特許庁


例文

The method for manufacturing the transparent conductive film has the process of forming at least one undercoat layer on one surface or each of both surfaces of a transparent film base material, the process of forming the transparent conductive layer on the undercoat layer by a sputtering method, the process of etching the transparent conductive layer to keep patternized, and the process of annealing and crystallizing the patternized transparent conductive layer.例文帳に追加

透明なフィルム基材の片面または両面に、少なくとも1層のアンダーコート層を形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程、および前記パターン化された透明導電体層をアニール化処理して結晶化させる工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a laminated film includes a process of delivering and carrying a rolled substrate film and a sealant film each and continuously, a process of applying a solvent to only one side of the sealant film delivered, a process of wiping away the solvent-applied surface and a process of adhering the sealant layer with the lubricant removed in the preceding cleaning processes to at least one side of the substrate film carried continuously.例文帳に追加

ロール状の基材フィルムおよびシーラントフィルムをそれぞれ送り出し連続搬送する工程と、送り出されたシーラントフィルムの片面側のみの表面に溶剤を塗布する工程と、溶剤を塗布した面を拭き取る工程と、連続搬送された基材フィルムの少なくとも一方に先の洗浄工程において滑剤を除去したシーラント層を貼り合わせる工程とを備えた積層フィルムの製造方法。 - 特許庁

The polycrystalline thin film Si depositing method includes a process for depositing a polycrystalline Si thin film serving as a base on a substrate, a process for depositing an amorphous Si layer on the surface of the polycrystalline Si thin film, a process for partially removing the amorphous Si layer and partially exposing polycrystalline Si, and a process for growing crystal Si by setting a part where polycrystalline Si is exposed as a core.例文帳に追加

多結晶薄膜Si堆積法において、少なくとも 下地となる多結晶Si薄膜を基板上に堆積する工程と 該多結晶Si薄膜表面に非晶質Si層を堆積する工程と 該非晶質Si層を部分的に除去し、多結晶Siを部分的に露出させる工程と 該多結晶Siが露出した部分を核として結晶Siを成長させる工程とを含むことを特徴とする - 特許庁

An SiC monocrystal substrate is mechanically lapped using a lapping plate formed with a predetermined flatness manufactured by a facing process of cutting the surface of the lapping plate made of material quality having a predetermined hardness and generating two kinds of grooves by machining, a shaving process of shaving with a circular-arc shaving tool, and a process of charging the lapping plate after the shaving process using a charging ring.例文帳に追加

所定の硬度の材質よりなる前記ラッピング定盤の表面を平坦に切削するとともに2種類の溝を加工生成するフェージング工程と、円弧状のシェービング治具でシェービングするシェービング工程と、該シェービング工程後のラッピング定盤をチャージングリングを用いてチャージングする工程とにより製作される所定の平坦度に形成されたラッピング定盤を使用して、SiC単結晶基板をメカニカルラッピングする。 - 特許庁

例文

This imprinting method has a transfer process to press the roughened section of a mold structure against the resist layer to transfer the asperity pattern to the resist layer, and a surface modifying process to modify the surface by radiating either an ionizing radiation ray or a far-ultraviolet ray to the resist layer after forming the above asperity pattern to increase the carbon-carbon bonding density at least on the outermost surface of the resist layer.例文帳に追加

モールド構造体の凹凸部をレジスト層に押し付けて該レジスト層に凹凸パターンを転写する転写工程と、前記凹凸パターン形成後のレジスト層に電離性放射線及び遠紫外光のいずれかを照射して、該レジスト層の少なくとも最表面部分の炭素−炭素結合密度を増加させて表面改質する表面改質工程とを含むインプリント方法である。 - 特許庁

例文

The method of manufacturing an electrode comprises a process of etching a ZnSe substrate 1 with an etchant and then forming a protective film 3 by depositing a deposit generated by the etching reaction on the etched surface of the ZeSe substrate 1, and a process of removing the protective film 3 formed on the surface of the ZeSe substrate 1 and then forming an electrode 4 on the exposed surface of the substrate 1.例文帳に追加

この電極製造方法は、ZnSe基板1をエッチング液を用いてエッチングするとともに、エッチングされた表面に、エッチング反応で生成する析出物を堆積して保護膜3を形成する工程と、ZnSe基板1の表面に形成された保護膜3を除去して、表面11を露出させる工程と、露出した表面に電極4を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate for the lithographic printing plate comprising a surface-roughening processing in which an aluminum alloy sheet is electrolytically surface-roughened by using AC in an acidic solution and an anodizing treatment process characterized by using an AC wave shape with a time of 1.5-6 msec from 0 to the peak in the electrolitically surface-roughening process is provided.例文帳に追加

酸性溶液中で交流電流を使用してアルミニウム合金板を電解粗面化処理する粗面化処理工程および陽極酸化処理工程を含む平版印刷版用支持体の製造方法であって、前記電解粗面化処理において、0からピークまでに達する時間が1.5〜6msecの交流電流波形を使用することを特徴とする平版印刷版用支持体の製造方法である。 - 特許庁

A hole 5 that contains a groove cut on the surface of a silicon substrate W as an object of processing is filled through a filling method comprising a titanium film forming process in which a titanium metal film 6 is formed on the surface of the substrate, an etching process in which the surface of the titanium metal film 6 is uniformly removed as thick as prescribed excluding its part that combines with the ground material.例文帳に追加

シリコン基板Wよりなる被処理体の表面に形成されている溝を含むホール5を埋め込む埋め込み方法において、前記被処理体の表面にチタン金属膜6を形成するチタン膜形成工程と、前記チタン金属膜の表面を、チタン塩化物ガスをエッチングガスとして下地と化合した部分を除いて所定の厚さだけ略均一に除去するエッチング工程とを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a decorative sheet includes a process for forming a design layer on a base material, a process for smoothing a surface of the design layer, a process for laminating an ionizing-radiation-curable resin composition on the smooth surface of the design layer, and a process for forming a surface protecting layer by curing the ionizing-radiation-curable resin composition.例文帳に追加

基材上に意匠層を形成する工程と、該意匠層表面を平滑面にする工程と、該意匠層の平滑面上に電離放射線硬化性樹脂組成物を積層する工程と、該電離放射線硬化性樹脂組成物を架橋硬化して表面保護層を形成する工程とを含む加飾シートの製造方法であって、さらに該加飾シートの裏面の十点平均粗さRzJISと基材の厚さTとが下記式(I)を満たし、かつ、算術平均粗さRaと基材の厚さTとが下記式(II)を満たすようにする粗面化処理工程を含むことを特徴とする加飾シートの製造方法である。 - 特許庁

Accordingly even if the tip surface 16b of the seal leg 16a or the receiving surface 14b waves from insufficient surface precision and there are gaps party, the tip surface 16b of the seal leg 16a and the receiving surface 14b slide and seal the gap by a pressing force in a bonding direction applied between the front lens 16 and the lamp body 14 in a bonding process.例文帳に追加

これにより、シール脚16aの先端面16bあるいは受け面14bの面精度が不十分で波打っているために両者間に部分的に隙間が生じるような場合でも、接合の際に前面レンズ16およびランプボディ14間に作用する接合方向の押圧力により、シール脚16aの先端面16bと受け面14bとの間に滑りを生じさせ、上記隙間を塞ぐようにする。 - 特許庁

The manufacturing method of the thin film electrode comprises a process of forming the thin film 12 containing an element alloyed with lithium on the surface of the current collector 11 made of a metal not alloyed with lithium, and a process of forming irregularity on the surface of the thin film 12 by pressing the thin film 12 by a metal mesh 13 as an indentation forming member.例文帳に追加

また、リチウムと合金化しない金属からなる集電体11の表面に、リチウムと合金化する元素を含む薄膜12を形成する工程と、薄膜12を凹凸形成部材である金属メッシュ13で加圧することにより、薄膜12の表面に凹凸を形成する工程とを含む薄膜電極の製造方法とする。 - 特許庁

A water-soluble organic solvent which is easily removed is previously applied to the surface of the substrate that is subjected to a thin film forming process or a cleaning process so as to wrap up the surface of the substrate at a molecular level, and the wrapped substrate is stored.例文帳に追加

薄膜の成膜又は洗浄後の基板表面に予め容易に除去可能な水溶性有機溶剤を塗布し、基板表面に分子レベルのラッピングを行って保管し、保管された当該基板にレジストを塗布する前に、基板表面に疎水化処理、具体的にはヘキサメチルジシラザンを用いて基板表面の水酸基をトリメチルシリル基に置換する。 - 特許庁

A belt body 5 used in the transport conveyor is formed from an aluminum alloy plate having a high thermal conductivity, and the surface of the belt body 5 is subjected to alumite processing for giving it anti-corrosiveness, resistance against corrosion, anti-abrasiveness, etc. or to an embossing process, surface asperity process, satin finishing, etc. for preventing the unvulcanized rubber member W from tight attachment.例文帳に追加

この発明に実施するベルト本体5は、熱伝導率が高いアルミ合金板により形成され、ベルト本体5の表面6には、防食性,耐食性,耐摩耗性等を目的としてアルマイト加工を施したり、また未加硫ゴム部材Wの密着防止を目的として、エンボス加工や凹凸加工、或いは梨地加工等を施してある。 - 特許庁

A process such as hand soldering or solder dipping becomes unnecessary, which has been necessary in a lead type sensor mounting process in the prior art, when mounting the fine atmospheric pressure sensor on a product substrate, by enabling surface mounting of a package of the fine atmospheric pressure sensor, and accordingly the mounting becomes possible by surface mounting, to thereby lead to automatization of the production line or improvement of productivity.例文帳に追加

微気圧センサのパッケージを表面実装対応可能とすることで、製品基板への微気圧センサ実装時、従来のリードタイプセンサ実装工程で必要であった、手半田、半田ディップといった工程が不要となり、表面実装により対応が可能になることにより、生産ラインの自動化、生産性向上につながる。 - 特許庁

To provide an excellent process for producing a surface-treated particulate water-absorbent resin, which adopts a surface-treatment process that can enhance such characteristics that are desired characteristics of water-absorbent resins to extremely high levels, and also can solve the prior problems such as safety, and further can sufficiently carry out the treatment even at a reaction temperature near room temperature.例文帳に追加

吸水性樹脂に望まれる特性を極めて高いレベルとすることができ、しかも、従来からの安全性等の問題を解消できるとともに、室温付近の反応温度でも十分に処理可能な表面処理方法を採用した、表面処理された粒子状吸水性樹脂の優れた製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the conductive member for a solid oxide fuel cell has a process (a) installing a metal member 32 in a chamber 22 and forming prescribed pressure, and a process (b) spraying ceramic powders 33, 34 on the surface of the metal member 32 at a speed of 500-1500 m/sec. so as to form a ceramic film on the surface .例文帳に追加

(a)金属部材32をチャンバ22内に設置し、所定の圧力にする工程と、(b)金属部材32の表面にセラミックス被膜ができるように、セラミックス粉体33、34を500〜1500m/sec.の速度で表面へ吹き付ける工程とを具備する固体酸化物形燃料電池の導電性部材の製造方法を用いる。 - 特許庁

The coated member is manufactured though a coating film forming process for forming a coating film on at least a portion of the surface of a base material and a stress relaxing process for relaxing residual stress applied to the coating film by deforming either one of the surface layer part of the base material and the coating film, in which a residual tensile stress occurs.例文帳に追加

本発明の被覆部材は、基材の表面の少なくとも一部に被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、基材の表層部および被覆膜のうち引張り残留応力が発生したいずれか一方を塑性変形させて該被覆膜にかかる残留応力を緩和させる応力緩和工程と、を経て製造される。 - 特許庁

In this manufacturing method of the building plate 1, as a preparation process, an original plate 2 having the design surface where a plurality of projecting parts 21 different in projecting height H from each other is prepared, and subsequently as a lower layer forming process, lower coating material 40 is applied to the design surface 201 of the original plate 2 and dried to form a lower coating layer 4.例文帳に追加

建築板1の製造方法においては、準備工程として、突出高さHが互いに異なる複数の凸部21を形成した意匠表面201を有する原板2を準備し、次いで、下側塗料層形成工程として、原板2の意匠表面201に下側塗料40を塗布し乾燥させて下側塗料層4を形成する。 - 特許庁

To provide filter-wrapping paper having high air permeability which can impart a filter plug preventing the exudation of a hot-melt paste, reducing the occurrence of troubles in a filter-producing process and a filter-tipped cigarette-producing process, sparingly causing the nap and falling of fibers from the surface of the wrapping paper, having a smooth surface and excellent in slidability.例文帳に追加

本発明は、ホットメルト糊の滲み出しを防止し、フィルター製造工程およびフィルター付きたばこ製造工程におけるトラブルの発生を減少させるとともに、巻取紙表面から繊維の毛羽立ちあるいは脱落が少なく、表面が平坦で滑り性が良好なフィルタープラグが得られる高通気性フィルター巻取紙を提供することを課題とする。 - 特許庁

The forming method of the carbon nanotube structure consisting of a carbon nanotube 3 and an insulating film covering the surface of the carbon nanotube comprises a first process for growing the carbon nanotube in a growing device and a second process for coating the surface of carbon nanotube with the insulating film before taking the carbon nanotube out of the growing device.例文帳に追加

カーボンナノチューブ3と、前記カーボンナノチューブの表面を被覆する絶縁膜とからなるカーボンナノチューブ構造体の形成方法において、前記カーボンナノチューブを成長装置内で成長する第1の工程と、前記カーボンナノチューブを前記成長装置から取り出す前に、前記カーボンナノチューブの表面を絶縁膜で被覆する第2の工程とからなる。 - 特許庁

A projection 102 is provided at the back of the rail in the casing, and an elliptic hole bored in a housing of the process cartridge is fitted to the projection so that the long diameter direction of the elliptic hole crosses the direction of a reaction received by a cleaning member in the process cartridge from the circumferential surface of a photosensitive drum when scraping off unnecessary matters from the circumferential surface.例文帳に追加

筐体の、レールの奥に位置するところに突起部102を設けてプロセスカートリッジのハウジングに穿たれた長孔の長径方向がプロセスカートリッジ内のクリーニング部材が感光ドラムの周面から不要物を掻き落とす際に周面から受ける反力の方向とは交わる方向になるように長孔を突起部に嵌め込む。 - 特許庁

The method for manufacturing a peelable polyimide film laminate includes: a process of subjecting surfaces of polyimide films having benzoxazole skeleton in the molecule to plasma treatment so as to control the surface element ratio O/C to the range of 0.45 to 0.65; and a process of laminating the polyimide films subjected to plasma surface treatment by heating and pressing the films without allowing an adhesive layer to intervene between the films.例文帳に追加

分子中にベンゾオキサゾール骨格を有するポリイミドフィルムの表面をプラズマ処理して、表面元素比率O/Cを0.45より大きく、0.65以下に制御し、プラズマ表面処理された当該ポリイミドフィルム同士を、接着剤層を介することなく加熱加圧して積層することを特徴とする剥離性ポリイミドフィルム積層体の製造方法。 - 特許庁

In model MD6, a fifth moldability detection process determines a moldability surface, that is, fifth moldability M10 by establishing parting line PL dividing a surface in which an undercut is caused by an unmoldability section detection process and which is detected as unmoldability section M8 into cavity direction KH1, core direction KH2, and standard sliding direction KH3.例文帳に追加

モデルMD6では、第5成形可能部検出処理が、成形不能部検出処理によりアンダーカットが発生して成形不能部M8と検出された表面を、キャビティ方向KH1、コア方向KH2及び標準スライド方向KH3とに分けるバーティングラインPLを設定することで成形可能な表面、つまり第5成形可能部M10と判別する。 - 特許庁

The method for forming the film includes a process for applying the coating liquid containing a melamine derivative, a resin having a functional group capable of reacting with the melamine derivative, a material having a hydrophobic group, and a solvent, onto the surface of the object and a process for reacting the melamine derivative with the resin contained in the coating liquid coated on the surface of the object.例文帳に追加

膜の形成方法は、メラミン誘導体、メラミン誘導体と反応することが可能な官能基を有する樹脂、疎水性基を有する材料及び溶媒を含む塗布液を物体の表面に塗布する工程と、物体の表面に塗布された塗布液に含まれるメラミン誘導体と樹脂を反応させる工程を有する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a SOI wafer, before the oxide film forming process, a reactive ion etching (RIE) defect annihilation process is performed in which a defect is annihilated that exists in a region having at least up to 5 μm depth from a surface being a bonding surface of a prepared silicon substrate and that is detected by an RIE method by applying a rapid thermal treatment to the prepared silicon substrate.例文帳に追加

酸化膜形成工程の前に、前記準備したシリコン基板に急速熱処理を施すことによって、少なくとも前記シリコン基板の貼り合わせ面となる表面から5μmの深さまでの領域に存在するRIE法により検出される欠陥を消滅させるRIE欠陥消滅工程を行うSOIウェーハの製造方法。 - 特許庁

The mold for molding an optical glass element, having excellent mold releasability from an optical glass element after press molding is obtained by subjecting a molding face formed on the surface of a preform for a mold to etching treatment by a reverse sputtering process to control the surface roughness (Ra^1) of the molding face to 0.01 to 50 nm and further subjecting the molding face to a sputtering process to thereby form a protective layer.例文帳に追加

金型用母材の表面に形成された成形面を逆スパッタリング法によってエッチング処理して、前記成形面の表面粗さ(Ra^1)を0.01〜50nmとし、さらにスパッタリング法によって保護層を形成して得た、プレス成形後の光学ガラス素子との離型性に優れる、光学ガラス素子成形用金型。 - 特許庁

A forming method of a semiconductor layer has a process for forming a mask 3 with an opening part 2 for exposing the surface of a base layer 1 on the base layer 1 and a process for forming a semiconductor layer by performing selective crystal growth for a semiconductor 4 by a catalytic CVD method on the surface of the exposed base layer 1 inside the opening part 2 of the mask 3.例文帳に追加

基層1上に、基層1表面を露出させる開口部2を有したマスク3を形成する工程と、マスク3の開口部2内にて露出した基層1表面上に、触媒CVD法により選択的に半導体4を結晶成長させて半導体層を形成する工程と、を備えた半導体層の形成方法。 - 特許庁

This method for processing a semiconductor compries a process for forming a first insulating film (24) containing silicon on the surface of a GaN system semiconductor layer (20) and a process for removing the first insulating film (24) formed on the surface of the GaN system semiconductor layer (20), and a semiconductor device and its manufacturing method are provided with this method for processing a semiconductor.例文帳に追加

本発明は、GaN系半導体層(20)の表面にシリコンを含有する第1絶縁膜(24)を形成する工程と、GaN系半導体層(20)の表面に形成された第1絶縁膜(24)を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体の処理方法、半導体装置およびその製造方法である。 - 特許庁

Fabrication process is simplified by forming a Co silicide layer 20 simultaneously on the surface of the gate electrode 7B, source, and drain (n^+-type semiconductor region 16) of an MISFET constituting a logic LSI, and on the surface of a polysilicon film 7 becoming the gate electrode of an MISFET for selecting the memory cell of a DRAM in a subsequent process.例文帳に追加

ロジックLSIを構成するMISFETのゲート電極7B、ソース、ドレイン(n^+型半導体領域16)のそれぞれの表面と、後の工程でDRAMのメモリセル選択用MISFETのゲート電極となる多結晶シリコン膜7の表面とにCoシリサイド層20を同時に形成することによって、製造プロセスの簡略化を実現する。 - 特許庁

This method of cleaning the release film having a base film and a release layer formed on the base film, comprises a cleaning process to clean a foreign substance deposited on the surface of a release layer with a cleaning fluid containing an organic solvent, and a solvent removing process to remove the cleaning fluid deposited on the surface of the release layer.例文帳に追加

基材フィルムと、基材フィルム上に形成された剥離層と、を有する剥離フィルムの洗浄方法であって、剥離層の表面に付着した異物を、有機溶剤を含む洗浄液で洗浄する洗浄工程と、剥離層の表面に付着した洗浄液を除去する溶剤除去工程と、を有する剥離フィルムの洗浄方法。 - 特許庁

In a process for patternwise exposing a negative resist for an ink jet process of the pattern forming method, a pattern is formed by irradiation with an energy beam in an environmental atmosphere in which the contact angle between a negative resist surface which becomes developer-insoluble by an energy beam and ink becomes larger than the contact angle between an unirradiated developer-soluble surface part and the ink.例文帳に追加

インクジェット法のための、ネガ型レジストのパターン露光法において、エネルギー線により現像液不溶性となるネガ型レジスト表面のインクに対する接触角が、未照射部の現像液可溶性表面部のインクに対する接触角よりも大きくなる環境雰囲気中でエネルギー線を照射しパターンを形成するパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

After the process A and the process B in the method for manufacturing the diamond electron source, the top end becomes a spherical surface of the diamond surface and as a result becomes an optimal diamond electron source for generating a large current/high focused electron beam and surpasses a conventional electron source in electron source performance such as an angle current density and luminance or the like.例文帳に追加

該工程A及び該工程Bをダイヤモンド電子源の製造工程で実施することによって、先端がダイヤモンド表面である球面形状となる結果、大電流・高収束電子ビームを発生させるために最適なダイヤモンド電子源となり、角電流密度や輝度といった電子源性能で従来電子源を凌駕することができる。 - 特許庁

The method includes the process of pressing the vertical member against the side surface of the apparatus and pressing the horizontal member against the floor so as to reduce the thickness of the viscoelastic member by 5-30%, and the process of connecting the vertical member to the side surface of the apparatus by the connecting means so as to maintain the pressed state.例文帳に追加

また、前記方法は、前記垂直部材を機器側面に押し当てると共に、前記水平部材を、前記粘弾性部材の厚みが5〜30%圧縮されるまで床に押し付ける工程、その状態が維持されるように前記結合手段により前記垂直部材を機器側面に結合させる工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for laser marking includes a paint layer forming process that forms a paint layer 12 on the surface of the metal material 10 and a marking process that eradiates laser according to a predetermined pattern onto the paint layer 12 to remove the paint layer 12 from the portion where laser is eradiated and simultaneously form a recess 14 on the surface of the metal material 10.例文帳に追加

本発明に係るレーザマーキング法は、金属材料10の表面に塗膜12を形成する塗膜形成工程と、所定のパターンに沿って塗膜12の表面にレーザーを照射し、レーザーが照射された部分において塗膜12を除去すると同時に、金属材料10の表面に凹部14を形成するマーキング工程とを備えている。 - 特許庁

The resist removing method comprises an ozone water treatment process of treating treatment surface of the substrate with ozone water and a mixed solvent treatment process of removing residue on the treatment surface by using mixed solvent of at least one kind organic solvent 100 pts.wt. selected from a group consisting of γ-butyrolactone, ethyleneglycol diacetate and diacetin (glycerol diacetate) and water 5 to 100 pts.wt.例文帳に追加

基板の処理面をオゾン水で処理するオゾン水処理工程と、基板の処理面をγ−ブチロラクトン、エチレングリコールジアセタート及びジアセチン(グリセリンジアセテート)からなる群より選択される少なくとも1種の有機溶剤100重量部と、水5〜100重量部との混合溶剤を用いて除去する混合溶剤処理工程とを有するレジスト除去方法。 - 特許庁

The construction method of the water retentive paving body includes: the first process injecting a water retentive grout 21 in a continuous void 10a of an open-graded asphalt mixture layer 10 up to the surface side of the open-graded asphalt mixture layer 10a; and the second process sucking the water retentive grout 21 to be injected and forming a continuous void 3 in the surface side.例文帳に追加

開粒度アスファルト混合物層10の連続空隙10aに、開粒度アスファルト混合物層10の表面側まで保水性グラウト21を注入する第1工程と、注入された保水性グラウト21を吸引し、表面側に連続空隙31aを形成する第2工程と、を含む保水性舗装体の施工方法である。 - 特許庁

After the bonding surface of the disk substrate is coated with a cation polymerization type UV curing resin composition to a toric form, the surface is not irradiated with the UV rays during the standby time c after the start of the required process step time a set in a UV irradiation process step and thereafter the cation polymerization type UV curing resin composition is irradiated with the UV rays for the required processing time b.例文帳に追加

ディスク基板の貼合わせ面にカチオン重合型紫外線硬化性組成物を円環状に塗布した後、紫外線照射工程で設定した工程所要時間aの開始後、待機時間cの間だけ紫外線照射せず、その後にカチオン重合型紫外線硬化性組成物に要処理時間bだけ紫外線照射する。 - 特許庁

The control section 18 executes a first polishing process of polishing the object 14 to be polished while setting the temperature in the surface portion of the polishing pad 12 within a first temperature range, and then executes a second polishing process of polishing the object 14 to be polished while setting the temperature in the surface portion of the polishing pad 12 within a second temperature range.例文帳に追加

制御部18は、研磨パッド12の表面部の温度を第1の温度範囲内に設定した状態で被研磨物14を研磨する第1の研磨工程を実行した後に、研磨パッド12の表面部の温度を第2の温度範囲内に設定した状態で被研磨物14を研磨する第2の研磨工程を実行する。 - 特許庁

The calculation step 3 comprises processes which repeat the process calculating contact condition at least between a bead bottom surface and the rim from the tire model expanded and deformed by the internal pressure condition, and a process renewing the internal pressure operation area so that the internal pressure acting on a non-contacting area with a rim of a bead bottom surface till the contact condition becomes constant.例文帳に追加

計算ステップS3は、内圧条件により膨張変形したタイヤモデルから、少なくともビード底面とリムとの間の接触状態を計算する処理と、ビード底面のリムとの非接触域に内圧が作用するように前記内圧作用領域を更新する処理とを前記接触状態が一定になるまで繰り返す工程を含む。 - 特許庁

The manufacturing method for a foam roller includes a foam roller molding process to shape a cylindrical rubber foam body using a die on the periphery of a core metal, and a cell opening process to cast a TEA-CO_2 laser beam onto the rubber foam body peripheral surface of the molded roller so as to at least open the cell surface of the rubber foam body.例文帳に追加

芯金の外周に円筒状のゴム発泡体を型成形する発泡ローラ成形工程と、成形された該発泡ローラのゴム発泡体外周面にTEA−CO_2レーザ光をパルス照射し、少なくとも該ゴム発泡体のセル表面を開口するセル開口工程と、を含むことを特徴とする発泡ローラの製造方法。 - 特許庁

The crystal particle discriminating method of the oxide nuclear fuel includes a process for bringing the polished surface of the oxide nuclear fuel into contact with an oxidizing agent solution to chemically treat the same and forming an oxidized compound film of the treated surface and a process for obtaining a crystal particle image formed by the optical interference of the oxidized compound film.例文帳に追加

酸化物核燃料の研磨された表面を、酸化剤溶液と接触させて該表面を化学処理し、該表面上に酸化化合物膜を形成する工程、及び該酸化化合物膜の光学的干渉により生ずる結晶粒子像を得る工程、を有することを特徴とする酸化物核燃料の結晶粒子判別方法。 - 特許庁

Since surface layer parts of a plurality of the three-way catalyst layers become high temperatures comparatively earlier in an engine warming process, HC desorbed from the zeolite layer C within the catalytic converter can be treated with high efficiency in an activating process by making content or density of catalytic noble metal of the three-way catalyst layer A on the surface layer comparatively higher.例文帳に追加

複数の三元触媒層のうちの表層部はエンジン暖機過程で比較的早期に高温になるので、表層側の三元触媒層Aの触媒貴金属の含有量もしくは濃度を比較的高くすることにより、活性化過程で触媒コンバータ内のゼオライト層から脱離してきたHCを高率で処理することができる。 - 特許庁

To provide a process for producing an aluminium material for the electrode of an electrolytic capacitor having excellent etching characteristics by solving the problem of treatment with aqueous solution of nitric acid being carried out before final annealing in conventional production process of the aluminium material for an electrolytic capacitor thereby stabilizing an aluminium surface layer oxide film being formed after removing the aluminium surface layer furthermore.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の硝酸水溶液による処理の問題点を解決し、アルミニウム表面層を除去した後生成するアルミニウム表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

The recombination life time of the epitaxial layer or the SOI layer is obtained by employing a first recombination life time measured after applying a first surface non-activation process with respect to the wafer, and a second recombination life time measured after applying a second surface non-activation process with respect to the wafer after measuring the first recombination life time.例文帳に追加

エピタキシャル層またはSOI層の再結合ライフタイムを、前記ウェーハに対して第一の表面不活性化処理を行った後に測定される第一の再結合ライフタイムと、前記第一の再結合ライフタイム測定後のウェーハに対して第二の表面不活性化処理を行った後に測定される第二の再結合ライフタイムを用いて求める。 - 特許庁

例文

The manufacturing method of the composite semipermeable membrane includes: a process of forming a skin layer, which contains a polyamide resin produced by making a polyfunctional amine component react with a polyfunctional halide component and a silver salt compound, on the surface of a porous support; and a process of reducing the silver salt compound to precipitate metal silver in the skin layer and/or on the surface of the skin layer.例文帳に追加

多官能アミン成分と多官能酸ハライド成分とを反応させてなるポリアミド系樹脂及び銀塩化合物を含むスキン層を多孔性支持体の表面に形成する工程、及び前記銀塩化合物を還元して前記スキン層中及び/又は表面に金属銀を析出させる工程を含む複合半透膜の製造方法。 - 特許庁




  
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