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surface stepの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6410件
Step B: The solution containing a lyotropic liquid crystal compound 11 is applied on the rubbing-treated surface 10a of the polymeric base material 10 obtained by the step A to form a lyotropic liquid crystal layer.例文帳に追加
工程B:工程Aで得られた高分子基材10のラビング処理面10aに、リオトロピック液晶化合物11を含む溶液を塗布して、リオトロピック液晶層を形成する。 - 特許庁
A step-down part of the size capable of fitting an IC body is formed on a module board, and a contact electrode corresponding to the external terminal on an IC side is provided on the step-down surface.例文帳に追加
モジュール基板上に、IC本体の嵌込みが可能な寸法を備えた段下げ部を形成し、その段下げ面には、IC側の外部端子に対応する接触電極を設ける。 - 特許庁
To obtain a semiconductor device not having a step between an upper surface of a capacitor element and other wiring, not having a step in a layer formed thereon, and having high reliability and high yield of manufacturing.例文帳に追加
キャパシタ素子の上面と他の配線との段差がなく、また、その上に形成される層中にも段差がなく、信頼性が高く、製造における歩留りも高い半導体装置を得る。 - 特許庁
Polysilazane is diluted with an organic solvent which is not compatible with water to lower viscosity (step S10), and the polysilazane dilution is coated on a joint surface of the item to be jointed using an appropriate technique (step S12).例文帳に追加
水との相溶性を持たない有機溶媒でポリシラザンを希釈して低粘度化させ(ステップS10)、ポリシラザン希釈液を適宜手法で被接合物の接合面に塗布する(ステップS12)。 - 特許庁
The aluminum alloy welding method comprises a step of forming a U-shaped groove 11 in a weld surface 15 of a base metal 5, and a step of performing arc welding by adding a filler metal 4 inside the U-shaped groove 11.例文帳に追加
母材5が有する溶接面15にU形開先11を形成するステップと、U形開先11の内部に溶加材4を付加してアーク溶接するステップとを備えている。 - 特許庁
The process includes a step of annealing 200 under a reductive atmosphere 100 followed by a step of chemical-mechanical polishing on an exposed surface 54 of a working layer 52.例文帳に追加
機能層52の露出表面54に対する化学−機械的研磨工程を含み、この研磨工程の実行前に還元性雰囲気100内での焼鈍工程200を更に含む方法。 - 特許庁
A step sheet 37 is provided upstream from a read position A in the conveying direction of the document P so as to form a step on a main surface of a read glass 36.例文帳に追加
段差シート37は、読取り位置Aよりも原稿Pの搬送方向の上流側に設けられ、かつ、読取りガラス36の主面上に段差が形成されるように設けられる。 - 特許庁
In the card image reading step (ST12), an entire card surface obtained in the print/punch carrying-out step (ST11) is read by an image scanner connected to an imaging apparatus such as computer, for example.例文帳に追加
カード画像読み取り工程(ST12)は、印字・パンチ実行工程(ST11)で得られたカード表面全体を画像装置、例えばコンピュータに接続されたイメージスキャナにより読み取る。 - 特許庁
When the transparent substrate is manufactured by using the mold 30 free from the step in the mold flat part 33, the step is not formed in the flat part of the transparent substrate and precision of the surface is excellent.例文帳に追加
金型平坦部33に段差を有していない金型30を用いて透明基板を作製すると、透明基板の平坦部には段差が形成されず、面精度の優れたものになる。 - 特許庁
A thin wall part of a part on a circumference is provided at the step of the stay to make the end surface part of the stay easily inclined when the bellows cap presses the stay and the stay is buckled at the step in emergency.例文帳に追加
非常時、ベローズキャップがステイを押圧してステイが段差で座屈するときにステイの端面部が傾きやすいように、ステイの段差に円周上一部の薄肉部を設ける。 - 特許庁
When it is determined that the number is equal to or higher than a specified number in the step S31 (Step S31: YES), it is determined that there are defects on the surface of the work to be inspected (S32).例文帳に追加
ステップS31において所定の個数以上であると判定した場合(ステップS31:YES)、検査対象の加工物の表面に欠陥があると判定する(S32)。 - 特許庁
The method comprises a film forming step of forming a reflection preventive film on the surface of an optical glass element before annealing and the temperature condition of the film forming step is set at the annealing point of the optical glass element.例文帳に追加
アニール前の光学ガラス素子の表面に反射防止膜を成膜する成膜ステップを含み、成膜ステップの温度条件を光学ガラス素子の徐冷点とすることを特徴とする。 - 特許庁
Characteristically, this road marking forming method comprises a first step of forming a groove with a predetermined width on a road surface, and a second step of infilling an indication material (12) into the groove (10).例文帳に追加
路面表示形成方法は、所定幅の溝を路面に形成する第1工程と、溝(10)内に表示材料(12)を充填する第2工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
When a user touches an operation display surface (YES in step S30), a control unit specifies an operation point on which touch operation is performed on the basis of a detection result of a touch sensor (step S40).例文帳に追加
ユーザが操作表示面をタッチすると(ステップS30;YES)、制御部は、タッチセンサの検出結果に基づいて、タッチ操作の行われた操作点を特定する(ステップS40)。 - 特許庁
The manufacturing method includes an oxide film formation step of supplying a neutral active type of oxygens or oxygen atoms onto a surface of a semiconductor substrate, and a carbide removal step of supplying ozones.例文帳に追加
半導体基板表面に酸素の中性活性種もしくは酸素原子を供給する酸化膜形成工程と、オゾンを供給する炭化物除去工程とを備えた製造方法。 - 特許庁
The polymer film is subjected to alkali saponification by the step of coating an alkali solution on the polymer film having a surface temperature of room temperature or higher and the step of washing out the alkali solution from the polymer film.例文帳に追加
アルカリ溶液を、表面温度が室温以上のポリマーフイルムに塗布する工程、及び、アルカリ溶液をポリマーフイルムから洗い落とす工程によりポリマーフイルムをアルカリ鹸化する。 - 特許庁
The regimen preferably comprises at least a step (3) applying a skin lotion to the skin surface region where the prescribed aqueous solution is rubbed in after the step (2).例文帳に追加
この方法は、さらにつぎのステップ(3)を少なくとも含んでいてもよい;(3)ステップ(2)の後、前記水性溶液を擦り込んだ皮膚の表面の領域に化粧水を適用するステップ。 - 特許庁
The method includes a protection tape attachment step of attaching one surface of the protection tape 4 to a semiconductor wafer 2, and a peeling step of peeling the protection tape 4 off of the semiconductor wafer 2.例文帳に追加
本方法は、半導体ウェハ2に保護テープ4の一方の面を貼り付ける保護テープ貼り付け工程と、保護テープ4を半導体ウェハ2から剥離する剥離工程を備えている。 - 特許庁
A trimming groove 20 formed by a laser beam irradiation from the main face (surface or rear face) of the substrate 1 consists of a first step trimming groove 20A and a second step trimming groove 20B.例文帳に追加
基板1の主面(表面または裏面)から照射されるレーザーによるトリミング溝20が、第1段階のトリミング溝20Aと、第2段階のトリミング溝20Bとからなる。 - 特許庁
The etching step may comprise a step for turning the substrate and liquid for etching the film is typically fed continuously onto the surface of the rotating substrate.例文帳に追加
エッチング工程は、前記基板を回転する回転工程を有するようにしてもよく、典型的には、回転する基板の表面に、膜をエッチングするエッチング液を連続的に供給する。 - 特許庁
When the die material (58) is formed of a resin, or the like, a step for forming an outer circumferential electrode (60) on the inner circumferential surface of the die material (58) is added on the prestage of the step for forming piezoelectric.例文帳に追加
型部材(58)が樹脂等で形成されている場合は、圧電体形成工程の前に、当該型部材(58)の内周面に外周電極(60)を形成する工程が付加される。 - 特許庁
To shorten a wafer processing step of a reverse blocking IGBT having a step of forming a p-type isolation trench which has an inclined trench in the rear surface and is connected conductively with a p-type collector layer.例文帳に追加
裏面に傾斜溝を有し、p型コレクタ層と導電接続されるp型分離溝を形成する工程を有する逆阻止IGBTのウエハプロセス処理工程を短縮すること。 - 特許庁
The pretreating method comprises applying a padding step of immersing a fabric into a pretreating agent and a coating step of applying the pretreating agent to the surface of the fabric to the fabric each at least once.例文帳に追加
この前処理方法では、布帛を前処理剤に浸すパッディング工程及び布帛の表面に前処理剤を塗布するコーティング工程をそれぞれ少なくとも一度布帛に施している。 - 特許庁
An end part on a step shaft 3 side of the latch 21 has a tip part 21a, a curved part 21b formed by a curved surface, and a holding part 21c for holding the step shaft 3.例文帳に追加
また、掛け金21の踏段軸3側の端部は、先端部21aと、表面が湾曲した湾曲部21bと、踏段軸3を保持するための保持部21cとを有している。 - 特許庁
In the seedling transplanter, guard units 25 which project respectively upward from a step surface are arranged at the right and left side edge of the step of the rear of the car body arranged at a high position.例文帳に追加
上記構成の乗用苗植機において、高い位置に配置された車体後部のステップの左右側端にそれぞれ個別にステップ面より上側に突出するガード体25を設けた。 - 特許庁
Upon forming a plurality of elements on a semiconductor substrate 1 with a circular substrate surface by implementing a plurality of steps including at least an epitaxial growth step and a device step thereafter, a laser mark 2 is formed at a reference position of mask alignment in the device step before the epitaxial growth step, and the mask alignment is performed taking the laser mark 2 as a reference in the device step after the epitaxial growth step.例文帳に追加
基板面が円形の半導体基板1に、少なくともエピタキシャル成長工程とその後のデバイス工程を含む複数の工程を行って複数の素子を形成する際に、エピタキシャル成長工程以前に、デバイス工程でのマスク位置合わせの基準位置にレーザマーク2を施しておき、該エピタキシャル成長工程後のデバイス工程でそのレーザマーク2を基準としてマスク位置合わせをする。 - 特許庁
The method of manufacturing a semiconductor device, having a multilayer surface including two or more semiconductor layers different in crystal growing conditions, comprises a temperature-lowering step 20a and a temperature-rising step 20c, after the temperature-lowering step in a crystal growth interrupted step 20 between a crystal growing step 10 of one semiconductor layer and a crystal growing step 12 of another semiconductor layer.例文帳に追加
結晶成長条件の異なる2以上の半導体層を含む多層構造からなる半導体デバイスの製造方法であって、一の半導体層の結晶成長工程10と他の半導体層の結晶成長工程12との間における結晶成長中断工程20において、降温工程20aおよび前記降温工程後の昇温工程20cを含む半導体デバイスの製造方法。 - 特許庁
A step 7 is formed on the outer peripheral surface of the anchor head 1 so that a top end portion becomes larger in diameter than a base end portion.例文帳に追加
アンカーヘッド1の外周面に、天端部分の方が基端部分より径が大きくなるよう段差7を設ける。 - 特許庁
The last step is a film coating process to form a thermally decomposed carbon coating on a surface of the calcined molded form 3.例文帳に追加
最後に,焼成を行った成形物3の表面に熱分解炭素被膜を形成する被膜形成工程を行う。 - 特許庁
A second step S2 removes a natural oxide film formed on a substrate surface by being processed by a buffered hydrofluoric acid (BHF).例文帳に追加
第2ステップS2では、バッファードフッ酸(BHF)で処理して基板表面に形成された自然酸化膜を除去する。 - 特許庁
The method further comprises a step of then setting a part 5A corresponding to a second corner to a mold 14 having a curve-like molding surface 13.例文帳に追加
続いて、第2コーナー部に対応する部分5Aを湾曲状の成形面13を有する金型14にセットする。 - 特許庁
The method (28) further includes a step for disposing the electrode (20) on an opposite surface and finally packaging the capacitor (10).例文帳に追加
方法(28)は背面上に電極(20)を配設し、最後にコンデンサ(10)をパッケージングすることをさらに含んでなる。 - 特許庁
In a fifth step, the second layer 22 on at least surface side is subjected to silicide formation so that a silicide layer S is formed.例文帳に追加
その後の第5工程では、第2の層22の少なくとも表面側をシリサイド化して、シリサイド層Sを形成する。 - 特許庁
The contact between the surface of the silicon substrate and the jig plane is prevented, by providing a step in the protective wall and supporting the silicon substrate.例文帳に追加
防護壁に段を設けシリコン基板を支えることにより、シリコン基板表面と治具面との接触を防止する。 - 特許庁
To prevent a crack of a solder ball generated due to a step part between the upper surface of a sealing film and that of an electrode for external connection.例文帳に追加
封止膜と外部接続用電極の上面の段差部に起因して生じる半田ボールの亀裂を防止する - 特許庁
On the inner peripheral surface of an outer shaft 42, ring-like step parts 57, 58 are formed on both end sides in the axial direction.例文帳に追加
外軸42の内周面には、その軸方向の両端側に、円環状の段部57、58が形成されている。 - 特許庁
To prevent the formation of a winding step difference caused when winding a construction sheet on a core material, on a construction sheet surface.例文帳に追加
建築用シートを芯材に巻き付ける際に発生する巻き段差を建築用シート表面に付くことを防止する。 - 特許庁
An end surface of the valve seat forming ring 54 can be bonded to a step difference 533 between a small diameter chamber 531 and the large diameter chamber 532.例文帳に追加
弁座形成リング54の端面は、小径室531と大径室532との段差533に接合可能である。 - 特許庁
The step of protruding the part of each of the bump electrodes 4 from a front surface 27a of the sealing resin 27 is performed, after the grinding.例文帳に追加
さらに、研削後、バンプ電極4の一部を封止樹脂27の表面27aから突出させる工程を行う。 - 特許庁
This method of manufacturing a component of a rocket structure includes a step of forming the nickel layer by depositing nickel on the surface of the foundation structure by an NVD method.例文帳に追加
基礎構造体の表面にNVD法によりニッケルを蒸着してニッケル層を形成するステップを含む。 - 特許庁
This step of partially carbonizing the material substrate 10k is performed to partially carbonize the second surface BOk.例文帳に追加
材料基板10kを部分的に炭化するこの工程は、第2の面B0kが部分的に炭化されるように行われる。 - 特許庁
Then, an upper Al alloy film 25 is formed directly on the surface of the W film 24 by second-step sputtering.例文帳に追加
次いで、2ndステップスパッタにより、W膜24の表面上に、直接、上側Al合金膜25を成膜する。 - 特許庁
A plurality of terraces are formed in a stepped shape according to atomic step substantially in the same direction on the semiconductor substrate surface.例文帳に追加
半導体基板表面に原子ステップで段状とされた複数のテラスを実質的に同一方向に形成する。 - 特許庁
A step 8c is provided on a connecting surface 8b for connecting a bottom 8a of the groove 8 of the core rod 7 and an opening part of the groove 8.例文帳に追加
コアロッド7の溝8の底8aと溝8の開口部とを繋ぐ連結面8bには段8cが設けられる。 - 特許庁
The method may alternatively include the step of applying a gel on a surface of the tissue to cool the tissue.例文帳に追加
あるいは、この方法は、組織を冷却する目的で組織の表面にゲルを塗布する段階を含むこともできる。 - 特許庁
An X-ray conductive layer is formed on the TFT array where the surface protection layer has been removed (step P6).例文帳に追加
表面保護層を除去した領域におけるTFTアレイ上にX線導電層を形成する(工程P6)。 - 特許庁
As a first step, a first layer 6 is prepared, and first grooves 6a are formed in the surface of the first layer 6.例文帳に追加
まず、第1の工程として、第1の層6を用意し、第1の層6の表面に第1の溝6aを形成する。 - 特許庁
In the 2nd step, an under coating layer of the anode oxidation coatings is formed by anode oxidizing the surface of the conductive substrate.例文帳に追加
第2工程で、導電性基体の表面に陽極酸化処理により陽極酸化皮膜の下引き層を形成する。 - 特許庁
A light intensity measuring device is obtained by processing a nano-order irregular structure on the surface of a graphite substrate as a light absorbing material (step 101).例文帳に追加
光吸収体材料としてのグラファイト基板の表面にナノオーダの凹凸構造を加工する(ステップ101)。 - 特許庁
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