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t wの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 663



例文

(wherein, t is sheet thickness of steel strip (m); w is sheet width of steel strip (m); and S is the rate of silicon addition (wt.%/min)).例文帳に追加

S≦4.58×10^5×t^1.56/(W^2.64) t:鋼帯板厚(m)、w:鋼帯板幅(m)、S:けい素添加速度(wt%/min) - 特許庁

A u/w calculator uses M_1 and values of (n) and (t) to calculate (u), (w) from two unidirectional functions for M_1.例文帳に追加

u,w計算部が、M_1、n及びtの値を用いて、M_1についての2つの一方向性関数によりu,wを計算する。 - 特許庁

An output T_W of MAC_W comprising the UF functions F_L, U and the block encryption E_K is calculated using the incidental data H^→ and plain text M_W as inputs to verify whether an output T_W and the authenticator T coincide with each other.例文帳に追加

付帯データH^→と平文M_wとを入力として、UH関数F_L,Uとブロック暗号E_Kとで構成されるMAC_wの出力T_wを求め、出力T_wと認証子Tとが一致するか否かを検証する。 - 特許庁

E=0.42+0.45×(W×T×L/V×100)+1.11×(T/W) (1).例文帳に追加

E=0.42+0.45×(W×T×L/V×100)+1.11×(T/W) −−−−(1) - 特許庁

例文

The aspect ratio t/w of thickness (t) to width (w) of a cross section of the coil conductor is 0.7 and more.例文帳に追加

また、コイル導体の断面の厚みtと幅wとのアスペクト比t/wを0.7以上とする。 - 特許庁


例文

The zoom lens system satisfies following conditional expressions: (1) 1.2<(β_2t/β_2w)/(β_3t/β_3w)<2.3 and (2) 3.0<f_t/f_w<12.0.例文帳に追加

1.2<(β_2t/β_2w)/(β_3t/β_3w)<2.3 ・・・(1) 3.0<f_t/f_w<12.0 ・・・(2) - 特許庁

In decryption, outputs L_W and U_W of the block encryption E_K are calculated for p and q, and an output (plain text M_W) of BCM_W for executing the block encryption use mode is calculated with mixed data T#U_W between the authenticator T and an output U_W and the cryptography C as inputs.例文帳に追加

復号:p,qに対してブロック暗号E_Kの出力L_w,U_wを求め、認証子Tと出力U_wとの混合データT#U_wと暗号文Cとを入力としてブロック暗号利用モードを実行するBCM_wの出力(平文M_w)を求める。 - 特許庁

The machining efficiency Q' (w, t) of the set unit width dw at each surface position w in each moment is subjected to time integration for a prescribed period of time so as to calculate each volume V_W' (w) to be machined of a workpiece 20 by the set unit width dw at each surface position w in the prescribed period of time.例文帳に追加

各瞬間における各表面位置wでの設定単位幅dwの加工能率Q'(w,t)を所定時間について時間積分することで、所定時間における各表面位置wでの設定単位幅dwによる被加工物20の被加工体積V_W’(w)を算出する。 - 特許庁

A relative position command value X_ref (t) of the grinding wheel 43 to the cylindrical workpiece W at time t is generated based on the target deflection total value δ(t).例文帳に追加

この目標撓み量合計値δ(t)に基づいて、時刻tにおける円筒状ワークWに対する砥石車43の相対的な位置指令値X_ref(t)を生成する。 - 特許庁

例文

A signal separator 24 generates separation signals Y1(t) and Y2(t) by applying the separation matrix W(fk) to observation signals V1(t) and V2(t) collecting the mixed sound of sounds SV1 and SV2 by sound collectors M1 and M2.例文帳に追加

信号分離部24は、音響SV1,SV2の混合音を収音機器M1,M2で収音した観測信号V1(t),V2(t)に分離行列W(fk)を適用して分離信号Y1(t),Y2(t)を生成する。 - 特許庁

例文

Moreover, a separation matrix W(f) for separating signals X_1(f, t), X_2(f, t) into signals Y_1(f, t), Y_2(f, t) is calculated by interpolating the learning separation matrix WG(f_g) with the interpolation separation matrix WH(f_h).例文帳に追加

さらに、学習分離行列WG(f_g)を補間分離行列WH(f_h)で補完して、信号X_1(f,t),X_2(f,t)を信号Y_1(f,t),Y_2(f,t)に分離する分離行列W(f)を求める。 - 特許庁

The value of the window function W (t) is zero in the part where the time t is larger than c.例文帳に追加

時間tがcよりも大きいところでは、窓関数W(t)の値はゼロとなる。 - 特許庁

To enable bonding of a pair of metallic components W and T even if the strength or rigidity of the metallic components W and T is not sufficiently high.例文帳に追加

一対の金属部品W,Tの強度又は剛性が十分に高くなくても、一対の金属部品W,Tを接合すること。 - 特許庁

In this titanium welded tube, the ratio of a weld bead width W (mm) of a weld zone to the thickness t (mm) satisfies inequalities 6.5>t/W≥1/3.例文帳に追加

溶接部の溶接ビード幅W(mm)と板厚t(mm)の比が6.5>t/W≧1/3であることを特徴とするチタン溶接管。 - 特許庁

A ratio W/T of the radial directional width W of the particular solid material in relation to the intermediate layer thickness T is set to 0.3-1.0.例文帳に追加

粒状固形物の半径方向幅Wの、中間層厚みTに対する比(W/T)は、0.3以上1.0以下である。 - 特許庁

In this operation expression, according to characters of the finite group, an arithmetic result surely becomes M_1 if the values of the variables (t), (u) and (w) are correct.例文帳に追加

この演算式は、有限群の性質により、変数t,u,wの値が正しければ必ず演算結果がM_1となる。 - 特許庁

The film thickness T and width W of the transparent conductive film 14 establish relations of (square root of 2)×T<(1/4)×λ and (square root of 2)×W<(1/4)×λ with respect to wavelength λ.例文帳に追加

また、透明導電膜14の膜厚Tおよび幅Wは、波長λとの間でそれぞれ次式の関係が成立する。 - 特許庁

Ct/t(W/°C) (1); wherein, λ is the heat conductivity (W/m×°C) of the material composing each heat shielding body, and t is the thickness (m) of each heat shielding body.例文帳に追加

Ct=λ/t(W/℃)…(1)(ただし、λ:熱遮蔽体を構成する材料の熱伝導度(W/m・℃)、t:熱遮蔽体の厚さ(m)) - 特許庁

The isolated peptide has an amino acid sequence A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-K corresponding to the amino acid sequence of a V-domain of RAGE.例文帳に追加

アミノ酸配列A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-Kを有する単離されたペプチドを調製する。 - 特許庁

Width information d_w is acquired, for example, from a maximum value d_T of a profile when the projection angle is 0° and an area S of the profile (step S6).例文帳に追加

例えば投影角度0°のときのプロファイルの最大値d_Tおよびプロファイル面積Sより幅情報d_wを求める(ステップS6)。 - 特許庁

The lateral width TW and the rim width W are larger than the thickness t.例文帳に追加

前記横幅TW及びリム幅Wは前記厚さtよりも大きい。 - 特許庁

Therein, the thickness T of the substrate 11 is 2-3 times of a distance W between electrodes.例文帳に追加

基板11の厚さTは電極間距離Wの2〜3倍である。 - 特許庁

The widths W of these recessed parts 9 are approximately two times of the thickness T.例文帳に追加

この凹陥部9の幅Wは、厚みTの略2倍である。 - 特許庁

In addition, the casting speed v_C (m/min) is within the range of the expression, v_C≤(0.0527×2×60×S×η)/(W×T)例文帳に追加

さらに、鋳造速度v_C(m/分)を下記(3)式の範囲内とする。 - 特許庁

The latch 7 is formed by mounting a fitting 2 to a frame W of a sliding door T.例文帳に追加

閂(7)は、引戸(T)の枠(W)に取付金具(2)により取り付ける。 - 特許庁

The method includes a step (S200) of defining an objective function of a type J=J(f, t, w) using both f(t, w) and coordinates t, w of the coupling curve.例文帳に追加

当該方法は、f(t,w)と連結曲線の座標t,wとの両方を用いて、J=J(f,t,w)形式のオブジェクト関数を定義するステップ(S200)を含む。 - 特許庁

The ratio W/T of the wiring width W and the wiring film thickness T of the lower wiring layers of second layer or below is larger than the W/T of the upper wiring layers of third layer or above.例文帳に追加

2層目以下の下層配線層の配線幅Wと該配線膜厚Tとの比W/Tが、3層目以上の上層配線層の配線のW/Tよりも大きい。 - 特許庁

The grinding is performed by rotating a workpiece W so as to send the workpiece W in the same direction B as the rotational direction A of a grinding wheel T in a contact part S of the grinding wheel T and the workpiece W to the rotating grinding wheel T.例文帳に追加

回転する砥石Tに対して、砥石Tと工作物Wとの接触部分Sにおいて砥石Tの回転方向Aと同方向Bに工作物Wが送られるように工作物Wを回転させて研削を行う。 - 特許庁

Further, while cooling a protection tape T is indirectly cooled via the wafer W cooled in a process for sticking the protection tape T to the wafer W, the protection tape T is made to stick to the surface of the wafer W.例文帳に追加

さらに、ウエハWに保護テープTを貼付ける過程で冷却されたウエハWを介して保護テープTを間接的に冷却しながらウエハWの表面に保護テープTを貼付けてゆく。 - 特許庁

At this point, provided that the width of the sub-mount 2 in the direction perpendicular to the direction of an optical axis of the semiconductor laser element 1 is represented by W, the thickness of the sub-mount 2 is represented by T, W and T are so set as to satisfy formula, T/W≥0.15.例文帳に追加

ここで、半導体レーザ素子1の光軸方向に垂直な方向におけるサブマウント2の幅をWとし、サブマウント2の厚さをTとするとき、T/W≧0.15としている。 - 特許庁

Finally, a ruled surface S(s, λ)=λQ(w(s))+(1-λ)P(t(s)) is provided (S500), according to guiding curves P(t(s)) and Q(w(s)), composed with the coordinates t, w of the coupling curve previously obtained.例文帳に追加

最後に、線織面のS(s,λ)=λQ(w(s))+(1−λ)P(t(s))が案内曲線P(t(s))及びQ(w(s))に従って、前に得られた連結曲線の座標t,wと各々合成されて提供される(S500)。 - 特許庁

Multipliers 5, 6, 7, 8 and an adder 9 calculate a complex-multiplying sum Y(t) of a receiving signal vector X(t) and a weight vector W(t).例文帳に追加

乗算器5,6,7,8および加算器9は、受信信号ベクトルX(t)とウェイトベクトルW(t)との複素乗算和Y(t)を算出する。 - 特許庁

900≤T≤2500 -(T)^1/2+7634×S×G≤-(T)^1/2+86...(1) 375≤W≤575 (g/m^2).例文帳に追加

900≦T≦2500 −(T)^1/2 +76≦34×S×G≦−(T)^1/2 +86 ・・・(1) 375≦W≦575(g/m^2) - 特許庁

When the expected time t_W becomes the detecting cycle T of the table position or shorter, only the expected time t_W is weighted by using a timer which operates in a clock cycle shorter than the detecting cycle T of the location of the table.例文帳に追加

そして、見込み時間t_wがテーブル位置の検出周期T以下になったとき、そのテーブル位置の検出周期Tより短いクロック周期で動作するタイマーを用いて、その見込み時間t_wだけウェイトする。 - 特許庁

Then, correlation processing between the differential code signal w(t-T) and the differential replica signal w_R(t-T) is performed in a correlation processing section 217 and a correlation value P(Δt) is output to a CPU 25.例文帳に追加

そして、差動化符号信号w(t−T)と差動化レプリカ信号w_R(t−T)との相関処理が相関処理部217において行われ、相関値P(Δt)がCPU25に出力される。 - 特許庁

On an outer peripheral part of the lower chuck 231, a stopper member 262 for the wafers W_U and W_L and a piled wafer W_T is provided.例文帳に追加

下部チャック231の外周部には、ウェハW_U、W_L、重合ウェハW_Tに対するストッパ部材262が設けられている。 - 特許庁

Thus, hydraulic control is always started from the stand-by pressure P_W in spite of a difference in timing for the second downshift output to suppress the dispersion of the slip start required time T_T from the second downshift output, permitting learning control of the stand-by pressure P_W in accordance with the slip start required time T_T.例文帳に追加

このようにすれば、第2ダウン変速出力のタイミングの相違に拘らず常に待機圧P_W から油圧制御が開始されるため、その第2ダウン変速出力からの滑り出し所要時間T_T のばらつきが抑制され、その滑り出し所要時間T_T に基づいて待機圧P_W の学習制御を行うことが可能となる。 - 特許庁

The circumferential temperature T of the light sources and environmental temperature T are detached with the elapse of time and the circumferential temperature T is compared with safe set temperature T or the environmental temperature T to report that the temperatures of the light sources fall sufficiently.例文帳に追加

又、光源周囲温度T_1 及び環境温度T_2 を経時的に検出し、光源周囲温度T_1 を安全設定温度T________W 又は環境温度T_2 と比較して、光源温度が十分に下降したことを報知する。 - 特許庁

The wireless installation 1 constituting the wireless network system 10 calculates arithmetic distance d_ist(t)=|w_i(t)-w_jk(s)|, based on temporary own position w_i(t) and temporary positions w_jk(s) (k=1-6) of wireless installations 2-7 existing near it.例文帳に追加

無線ネットワークシステム10を構成する無線装置1は、仮の自己位置w_i(t)と近傍に存在する無線装置2〜7の仮の位置w_jk(s)(k=1〜6)とに基づいて演算距離d_ist(t)=|w_i(t)−w_jk(s)|を演算する。 - 特許庁

An updating section 110 selects the corrected transmission weight vector W'(t) when the difference between the expected reception power value Y(t) and the past expected reception power value Y(t-T) is smaller than a threshold or the past corrected transmission weight vector W'(t-xT), when the difference is equal to or larger than the threshold.例文帳に追加

更新部110は、予想受信電力値Y(t)と過去の予想受信電力値Y(t−T)の差分が、しきい値より小さい場合には、補正送信ウエイトベクトルW’(t)を選択し、しきい値以上の場合には、過去の補正送信ウエイトベクトルW’(t−xT)を選択する。 - 特許庁

Lead pitch p, lead width w, and lead plate thickness t at the tip end of the inner lead connected to a semiconductor chip 1 is w<t, p≤1.2 t, with the inner lead fixed to the heat-radiation plate.例文帳に追加

半導体チップと接続されるインナーリード先端のリードピッチp,リード幅w,リード板厚tが、w<t、p≦1.2tとなっており、前記放熱板にインナーリードを固定する。 - 特許庁

The user equipment 20 selects (t) at random, computes σ=(Y/g_1^R)^1/t, α=w^t-1×h^t, β=s+L mod p and sends (m) and its blind signature (σ,α,β) to a blind signature verifying apparatus 30.例文帳に追加

利用者装置20はtをランダムに選択してσ=(Y/g_1^R)^1/t,α=w^t-1・h^t,β=s+L mod pを計算し、mとそのブラインド署名(σ,α,β)とをブラインド署名検証装置30に送る。 - 特許庁

The adhesive tape T is locally adhered targeting a foreign material attached to a substrate w, and the adhesive tape T is removed to transfer the foreign material onto the adhesive tape T, so that the foreign material is eliminated from the substrate w.例文帳に追加

ワークである基板wに付着している異物を狙って局部的に粘着テープTを貼り付け、該粘着テープTを剥離することにより異物を粘着テープTに移し取って基板wから除去する。 - 特許庁

Since the balloon 31 gradually presses the adhesive tape T toward an external peripheral side to stick the adhesive tape T on the wafer W, the bubbles never enters into the portion between the adhesive tape T and the wafer W.例文帳に追加

バルーン部31が粘着テープTを徐々に外周側に向けて押圧してウェーハWに粘着テープTを貼着するため、粘着テープTとウェーハWとの間に気泡が入り込まない。 - 特許庁

Herein, the following relations are satisfied: 0.5 mm<D<5 mm, D<W<4×D, and W<2×T, in which W represents a width of the groove 12a, D represents a depth of the groove 12a, and T represents a thickness of the foamed resin 11.例文帳に追加

前記溝12aの幅Wと、前記溝12aの深さDと、前記発泡樹脂11の厚さTとが、0.5mm<D<5mm、D<W<4×D、W<2×T、の式を満たす。 - 特許庁

In addition, if thickness is defined as t and the width as w, the metal particle is of plate shape, having an aspect ratio (w/t) of 10 to 100 and width (w) of 10-4,000 μm.例文帳に追加

また、金属粒子は、厚さをt、幅をwとした場合、アスペクト比(w/t)が10〜100、幅(w)が10〜4000μmの板状としている。 - 特許庁

W=2πnTt (1), wherein W is the work done (W h), π is the ratio of the circumference of a circle to its diameter, n is the number of rotation of the rotor (cycles/s), T is the torque (Nm) and t is the dispersion time (h).例文帳に追加

W=2πnTt ・・・・・(1)(W:分散の仕事量(W・h)、π:円周率、n:ローター回転数(cycles/s)、T:トルク(Nm)、t:分散時間(h)) - 特許庁

Assuming that the width of the substrate 9 overlapped with the portion 311 is a support width W, the thickness of the portion 311 is a support portion thickness T, and the thickness of the substrate is a substrate thickness Tw, the width W and the thickness T are determined such that ((T×W)≤(Tw×2)) is satisfied.例文帳に追加

基板9と支持部311とが重なる幅を支持幅W、支持部311の厚みを支持部厚T、基板の厚みを基板厚Twとして、((T×W)≦(Tw×2))を満たすように支持幅Wおよび支持部厚Tが決定される。 - 特許庁

A setting section 112 decides the final transmission weight vector signal 314 by selecting the transmission weight vector W(t) when a modulation system is QPSK (quadrature phase shift key-ing) or corrected transmission weight vector W'(t) or W'(t-xT) when the modulation system is 16QAM (quadrature amplitude modulation).例文帳に追加

設定部112は、変調方式がQPSKの場合は送信ウエイトベクトルW(t)を選択し、16QAMの場合は補正送信ウエイトベクトルW’(t)あるいはW’(t−xT)を選択して、最終送信ウエイトベクトル信号314とする。 - 特許庁

例文

That is, in the interconnection structure of the invention, w_t/h_t fraction is equal to or more than 100%.例文帳に追加

すなわち、本発明の相互接続構造体において、w_t/h_t比は、100%に等しいか又はそれより大きい。 - 特許庁

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