「thin layer method」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a thin film solar cell, by which the thin film solar cell capable of having a Cd-free buffer layer formed without using a wet process and is extremely low in toxicity can be manufactured inexpensively through an all-dry process of superior productivity, and which is extremely superior in practicality.例文帳に追加

ウェットプロセスを用いることなくＣｄを含まないバッファ層を形成でき、量産性に秀れるオールドライプロセスで極めて毒性の低い薄膜太陽電池をコスト安に製造可能な極めて実用性に秀れた薄膜太陽電池の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical information recording medium having a sticking process for placing and sticking a thin film on and to the surface of a laminated body consisting of a recording layer and the like so that the surface of the laminated body is not damaged when the thin film is stuck to the surface of the laminated body.例文帳に追加

薄膜フィルムを貼り合わせる際に記録層等の積層体表面にキズをつけないようにして、前記薄膜フィルムを前記積層体の表面に載置して貼り合わせる貼り合わせ工程を有する光情報記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

An original plate where a plurality of layers of two-layer film A-C consisting of a SiO2 thin film 12 and a Al2O3 thin film 13 are laminated by sputtering method on a Si base plate 11 having a diameter of 200 mm, is annealing-treated under conditions of a temperature of 400°C for 30 minutes prior to etching.例文帳に追加

直径２００ｍｍのＳｉ基板１１上にスパッタ法を用いてＳｉＯ_2薄膜１２、Ａｌ_2 Ｏ_3 薄膜１３から成る２層膜Ａ〜Ｃを複数層積層させた原板を、エッチングに先立ち電気炉において４００℃、３０分の条件においてアニール処理が行う。 - 特許庁

To provide an analysis method and an analyzer for calculating the composition and thickness of each layer in a sample by neither adjusting the sample, where a multilayer thin film is formed on the surface, nor using multilayer thin-film standard samples, even if the same element is include in a plurality of layers.例文帳に追加

多層薄膜が表面に形成された試料に対して、試料調整を行わず、同一元素が複数の層に含まれていても多層薄膜標準試料を用いず、試料の各層の組成と膜厚を算出する分析方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL device having excellent luminescent characteristics such as an extended service life and stabilized emission luminance by improving smoothness of an organic thin film constituting a luminescent layer and adhesion between films in stacking the organic thin films together, and by reducing the residual solvent at that time.例文帳に追加

発光層を構成する有機薄膜の平滑性や、有機薄膜を積層する場合における膜どうしの密着性を向上させるとともに残留溶媒を低減し、長寿命化や、発光輝度の安定化などの発光特性に優れた有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal base for thin-film superconductive wire material in which the occurrence of warp is suppressed, no uneven film thickness is produced in formation of an oxide superconductive layer, and the variation of Ic is suppressed, and which has no problem in handling, etc., and to provide a method of manufacturing the metal base, and a thin-film superconductive wire material.例文帳に追加

反りの発生が抑制されて、酸化物超電導層を成膜する際に、膜厚ムラの発生がなく、Ｉｃのバラツキが抑制され、また、ハンドリングなどに問題が生じない薄膜超電導線材用金属基材とその製造方法、および薄膜超電導線材を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic thin film has a step of forming a first organic molecular layer having a regular molecule arrangement consisting of first organic molecules on the substrate; a step of forming a second organic molecule layer epitaxially growing on the first organic molecule layer; and a step of sublimating, evaporating or dissolving the first organic molecule layer to remove it from the second organic molecule layer.例文帳に追加

基板上に第１の有機分子からなる規則的な分子配列を有する第１の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層の上にエピタキシャル成長する第２の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層を昇華、蒸発あるいは溶解して前記第２の有機分子層から除去する工程を有する有機薄膜の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the stamper includes a process for forming a metal thin film on a stamper original plate provided with a rugged pattern on a surface layer thereof and a process for forming an electroplating layer by electroplating the stamper original plate in a plating liquid consisting essentially of nickel sulfamate.例文帳に追加

スタンパの製造方法は、凹凸パターンを表層に備えたスタンパ原版に金属薄膜を形成する工程と、このスタンパ原版を用いてスルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液で電気メッキすることで電気メッキ層を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The display device is reduced in uneven display and improved in display quality by reducing the variation in the characteristics of the thin film transistor by improving the degree of crystallization of a semiconductor layer by performing graphoepitaxial growth method in the crystallizing step of the semiconductor layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタを用いた表示装置において、半導体層の結晶化工程に、グラフォエピを用いることによって、結晶化を向上させ、薄膜トランジスタの特性ばらつきを低減し、表示ムラの少ない、表示品質のすぐれた表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor manufacturing method which extremely lowers a density of a first metal inducing crystallization to an interface of an amorphous silicon layer, and uniformly and stably controls the density of the first metal and a thickness of a metal catalyst layer.例文帳に追加

本発明は、非晶質シリコーン層の界面に結晶化を誘導する第１金属の濃度を非常に低くでき、第１金属の濃度及び金属触媒層の厚さについて、均一で安定的な制御が可能な薄膜トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

In this metal pattern forming method, a plating layer with a thickness of 1 μm or smaller is formed on the surface of the silver thin film pattern formed on a support using a neutral or basic copper plating bath and electroplating for a thickness increase is further applied to the surface of the plating layer.例文帳に追加

支持体上に形成された銀薄膜パタン上に中性、あるいは塩基性の銅めっき浴により厚さ１μｍ以下のめっき層を形成した後、さらに厚付のための電解めっきすることを特徴とする金属パタンの形成方法。 - 特許庁

The method for producing an amorphous carbon thin film includes a step of enclosing carbon dioxide and a hydrocarbon in a fluid layer 5 in a supercritical fluid cell 6 to form a supercritical state, and a step of irradiating the interior of the fluid layer 5 with laser light of an ultraviolet wavelength.例文帳に追加

超臨界流体セル６の流体層５内に二酸化炭素及び炭化水素を封入し超臨界状態を形成する工程と、流体層５内に紫外波長のレーザー光を照射する工程と、を含むアモルファスカーボン薄膜作製方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a wiring circuit board which can make an insulation layer thin while preventing generation of bubble reservoirs in the insulation layer and can increase manufacturing efficiency and reduce a manufacturing cost by reducing the number of processes.例文帳に追加

絶縁層に気泡溜まりが生じることを防止しつつ、絶縁層を薄く形成することができ、さらには、工数の低減を図ることにより、製造効率および製造コストの低減を図ることのできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a method for measuring a tilt angle of an alignment layer being a thin film by accurate and simple means, and to provide an optical alignment layer which has excellent sensitivity suitable for mass production and is free from the degradation of liquid crystal-aligning ability even when exposed to a high temperature, that is, is superior in heat resistance.例文帳に追加

正確で、かつ、簡便な手段により薄膜である配向膜のチルト角を測定する方法、量産性に適した優れた感度、及び、高温下に晒されても液晶配向能が低下しない、すなわち、耐熱性の優れた光配向膜を得ること。 - 特許庁

To provide a low temperature wet etching method for a highly insulated thin layer which is advantageous for manufacturing a highly insulated gate insulating layer of a CMOS, an insulating film of a highly insulated capacitor of a DRAM, and the like and solves a problem of forming ruggedness over silicon in an active area or over USG in an isolate block.例文帳に追加

CMOSの高絶縁性ゲート絶縁層やDRAMの高絶縁性コンデンサの絶縁膜製造に有利で且つアクティブエリアのシリコンや隔離区のUSGに凹凸を形成する問題を解決するべく高絶縁性薄層の低温ウェットエッチング法を提供する。 - 特許庁

To provide a reflowing treatment method for a tin electroplated steel sheet with which the thickness of an alloy layer formed between tin and the steel sheet can be controlled at high precision without causing the defect in luster by the influence of the alloy layer even at the time of thin coating.例文帳に追加

錫と鋼板との境界部にできる合金層の厚みを、薄目付時においても合金層の影響により光沢不良を起こすことがないよう、精度よく制御することが可能な電気錫めっき鋼板のリフロー処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an integrated thin film photoelectric conversion device comprising a transparent electrode, a photoelectric conversion unit, a transparent metallic oxide layer, a transparent conductor layer, and a rear-side electrode, while reducing the number of necessary steps with a high performance.例文帳に追加

透明電極、光電変換ユニット、透明金属酸化物層、透明導電体層、および裏面電極を備えた集積化薄膜光電変換装置において、必要な工程数を減らしつつ高性能を発揮できる製造方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of the stamper includes a process for forming a metal thin film on a stamper original plate provided with a rugged pattern on the surface layer thereof and a process for forming a nickel layer by electroplating the stamper original plate in a plating liquid consisting essentially of nickel sulfamate.例文帳に追加

スタンパの製造方法は、凹凸パターンを表層に備えたスタンパ原版に金属薄膜を形成する工程と、このスタンパ原版を用いてスルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液中で電気メッキすることでニッケル層を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor circuit device and a method for manufacturing the same having a wire composed of a lower layer made of aluminum base alloy and an upper layer made of molybdenum base alloy, in which the molybdenum base alloy is hard to corrode in the atmosphere.例文帳に追加

下層にアルミニウム系合金、上層にモリブデン系合金の構成の配線を有する薄膜トランジスタ回路装置において、モリブデン系合金の大気中における腐食が進行し難い薄膜トランジスタ回路装置及びその製造方法が要求される。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that uses an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode layer or drain electrode layer is reduced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the organic EL element, which includes a lower electrode, an organic thin film layer, and an upper electrode sequentially formed on a support body, a porus layer is formed on at least a part of a periphery of the lower electrode on the support body.例文帳に追加

支持体上に、下部電極と、有機薄膜層と、上部電極とを該順に有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、支持体上の下部電極の周囲の少なくとも一部に多孔質層を設けることを含む、有機ＥＬ素子の製造方法。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer in which autodoping to a device active layer or misfit dislocation is less susceptible to occur, and pollution of the device active layer due to impurity metal is reduced effectively even if the wafer is made thin or thick after device formation, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

デバイス活性層へのオートドーピングやミスフィット転位が発生し難く、且つ、デバイス形成後に薄厚化されても不純物金属によるデバイス活性層の汚染を有効に抑制することができるエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a film by a catalytic chemical vapor deposition method using a unit layer post-treatment, the method improving within-wafer nonuniformity of a silicon nitride film or the like, stepper coverage, and film quality such as an I-V breakdown voltage characteristic, and laminating and forming a thin film by forming films on a unit layer basis and thereafter executing surface treatment thereto.例文帳に追加

シリコン窒化膜などの面内均一性の向上、ステップカバレッジの向上及びＩ−Ｖ耐圧特性などの膜質の向上を図ることができるとともに、単位層ごとに成膜後、表面処理して薄膜を積層形成することができる単位層ポスト処理を用いた触媒化学蒸着法による成膜方法を提供する。 - 特許庁

In the thin-film transistor containing bumps and the insulation layer passed through by the bumps, the bumps contain fluorine compound, the insulating layer is formed by a coating method, the content of fluorine of the bump is not lower than 0.01 wt.% and is not higher than 5 wt.%; and the bump is formed by an intaglio printing method or by a screen printing method.例文帳に追加

バンプと、バンプにより貫通される絶縁層とを含む薄膜トランジスタにおいて、バンプがフッ素化合物を含み、絶縁層が塗布法で形成され、バンプのフッ素含有量が、０．０１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であり、バンプが凹版印刷法またはスクリーン印刷法で形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

The 1st objective method for vacuum deposition polymerization comprises producing organic thin film by polymerization of an aromatic compound or polycyclic aliphatic compound having at least one acetylene group under a vacuum by heat treatment or ultraviolet irradiation either simultaneously with a vapor deposition or following the vapor deposition, to provide the thin film produced by the above method, and to provide electroluminescent elements each with at least one layer of the above thin film.例文帳に追加

１つ以上のアセチレン基を含む芳香族化合物、又は多環式脂肪族化合物を真空条件下で蒸着と同時に、あるいは蒸着後に熱処理又は紫外線照射により重合させて有機薄膜を製造する蒸着重合法、その方法に従って製造された蒸着重合薄膜及びその薄膜を１層以上に使用した電気発光素子に関する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a fine etching mask which can equalize and thin the residue thickness of a pattern transfer layer after transformation in a transfer layer, and having an equalized thickness after an etching process, in a method of manufacturing a fine etching mask by pattern transfer to a processed material, and to provide an exposure processing apparatus.例文帳に追加

被加工材上へのパターン転写による微細エッチングマスクの製造方法において、転写後のパターン転写層の残渣厚みを転写層内で均一且つ薄膜にすることができ、しかもエッチング処理後の厚さが均一な微細エッチングマスクの製造方法及びそれに用いる露光処理装置を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method for a thin film transistor, by controlling the refractive index of the capping layer formed by a nitride film at crystallizing by an SGS crystallizing method, a semiconductor layer having a large diameter of a crystal grain can be obtained, so that a large electron mobility and superior characteristics can be obtained and the characteristics can be controlled.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタ制造方法によれば、ＳＧＳ結晶化法で結晶化時、窒化膜で形成されたキャッピング層の屈折率を制御することにより、結晶粒径が大きい半導体層を得ることができ、電子移動度が大きく、特性が優秀で、特性を制御することができる。 - 特許庁

In this manufacturing method of a semiconductor laser, a semiconductor thin film comprising an active layer is laminated on a semiconductor substrate, the semiconductor substrate is cleaved together with the semiconductor thin film, a cleavage surface obtained by cleavage of the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is exposed to plasma atmosphere by halogen gas or gas including halogen an thereafter a protection layer is formed in the cleavage surface without exposing it to the air.例文帳に追加

半導体基板上に活性層を含む半導体薄膜を積層し、次に該半導体薄膜とともに該半導体基板をヘキ開し、ヘキ開により得られた半導体基板と半導体薄膜のヘキ開面をハロゲンガスもしくはハロゲンを含むガスによるプラズマ雰囲気に曝露した後、続けて大気にさらすことなくこれらのヘキ開面に保護層を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法である。 - 特許庁

To carry out precise control of film thickness in a method of controlling for the film thickness of a multi-layer optical interference thin film even when a variation of transmittance or reflectance is small and the highly precise control of the film thickness is difficult with a photoelectric method of controlling for the film thickness.例文帳に追加

多層光学干渉薄膜の膜厚制御方法において、光電式膜厚制御法では高精度な膜厚制御が困難な、透過率もしくは反射率の変化量が小さい場合でも正確な膜厚制御を行なおうとする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a solar light reflecting mirror having a smooth reflective layer thin film with high regular reflectance, capable of having an increased area and being mass-produced with suppressed manufacturing cost; and to provide the light-weight solar light reflecting mirror having high durability using the same method.例文帳に追加

平滑で正反射率が高い反射層薄膜の、製造コストを抑え大面積化・大量生産することのできる太陽光反射ミラーの製造方法、及びそれを用いた、耐久性に優れ軽量な太陽光反射ミラーを提供する。 - 特許庁

Alternatively, a method for etching a substrate in a chemical reaction can be used as a method to thin or eliminate the substrate, thus forming a stopper layer by the use of a material having resistance characteristics for an etchant used when etching is performed by the chemical reaction.例文帳に追加

または、基板の薄膜化または基板の除去の方法として、基板を化学反応によりエッチングする方法を用い、化学反応によるエッチングを行う際に用いるエッチャントに対して耐性を有する材料によりストッパー層を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent device in which an organic EL material is ejected and coated on a substrate by an ink-jet method to form an organic EL layer and a film thickness of an organic EL thin film is made uniform among effective optical region pixels and in each of the pixels.例文帳に追加

インクジェット方式で基板上に有機ＥＬ材料を吐出、塗布し有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ装置の製造において、有効光学領域画素間および各画素内で有機ＥＬ薄膜の膜厚を均一にする。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film by growth of an atom layer, which enables increase in difference in growth speed which depends on crystal orientation, and to eliminate the generation of an abnormal growth and which enables to improve a shape controllability than the conventional method.例文帳に追加

面方位による成長速度の差を大きくすることができるとともに異常成長の発生等がなく、従来に較べて形状制御性を向上させることができる原子層成長による薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by separating a device formation layer which has a thin-film transistor, etc. formed on a substrate from the substrate, which is a low-cost and highly reliable semiconductor manufacturing method.例文帳に追加

基板上に設けられた薄膜トランジスタ等を有する素子形成層を当該基板から剥離することにより半導体装置を作製する方法であって、低コストで信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a sample for evaluating a nanolevel structural composition, its manufacturing method, and an evaluation method of the nanolevel structural composition wherein it is possible not only to prevent the charge-up in the sample having a multilayered thin film structure in which an insulating layer is interposed but also to evaluate a surface structure precisely.例文帳に追加

ナノレベル構造組成評価用試料、その製造方法、及び、ナノレベル構造組成評価方法に関し、絶縁層が介在する多層薄膜構造の試料におけるチャージアップを防止するとともに、精度良く表面構造を評価する。 - 特許庁

To provide a method of forming a back electrode for a thin film solar cell, the method efficiently and inexpensively forming a uniform back electrode layer even on a substrate having any size and any shape without wasting an expensive metal and resource.例文帳に追加

高価な金属や資源を無駄にすることなく、どのような大きさや形状の基板上にも、均一な裏面電極層を効率的にかつ低コストで形成することのできる薄膜太陽電池用裏面電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

When forming a recording layer 5 having at least a magnetic recording film 4 on one main surface 1A of a substrate 1 by means of a vapor-phase film forming method, a thin film 11 is formed on the other main surface 1B of the substrate 1 using a vapor-phase film forming method.例文帳に追加

本発明では、基板１の一方の主面１Ａに、気相成膜法によって、少なくとも磁気記録膜４を有する記録層５を形成する際に、基板１の他方の主面１Ｂに、気相成膜法を用いて薄膜１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a composite filter by which a composite filter having high surface flatness and thin in thickness can be obtained in a high productivity, in the method of manufacturing the composite filter for display in which an electromagnetic shielding filter and a functional layer are laminated.例文帳に追加

電磁波シールドフィルタと機能層を積層したディスプレイ用複合フィルタの製造方法であって、表面平坦性が高く、且つ厚みが薄い複合フィルタを得ることが可能な、生産性が高い複合フィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a light-emitting layer for inorganic electroluminescence in which excess Cu component added as an acceptor can be treated by a method suitable for a thin film, without being removed by washing using a harmful aqueous solution, or the like, of sodium cyanide.例文帳に追加

アクセプターとして添加された過剰なＣｕ成分の除去を有害なシアン化ナトリウム水溶液等の洗浄によらず、かつ薄膜に適した方法で処理できる無機エレクトロルミネッセンス用発光層の製造方法を提供することである。 - 特許庁

The formation method of a thin-film transistor comprises a first process for forming a source electrode and a drain electrode in the element side board, a second process for forming a semiconductor layer brought into contact with the source electrode and the drain electrode, a third process for forming a gate insulating layer which overlaps with the semiconductor layer, and a fourth process for forming a gate electrode which overlaps with the gate insulating layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極に接する半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記ゲート絶縁層に重なるゲート電極を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

The method for manufacturing the paper label forms the paper label that the metal glossy layer region containing a bonding resin and metal thin film pieces is provided on a paper substrate, having an undercoating layer between the paper substrate and at least the metal glossy layer region, and the metal glossy layer region by using application and print of a high brightness coating agent.例文帳に追加

紙基材上に、結着樹脂と金属薄膜細片を含有する金属光沢層領域が設けられ、紙基材と少なくとも該金属光沢層領域との間に下塗り層を有することを特徴とする紙ラベル、および、該金属光沢層領域を高輝度コーティング剤の塗布または印刷によって形成することを特徴とする該紙ラベルの製造方法。 - 特許庁

To provide a power saving thermal head of low thermal capacity exhibiting high thermal response and ensuring high speed printing and high print quality, and its fabricating method, by forming a heat insulation layer having a thermal conductivity lower than that of a conventional glaze heat insulation layer and exhibiting excellent adhesion properties by vapor deposition and forming a thin protective layer using the same material as that of the heat insulation layer.例文帳に追加

本発明は、従来のグレーズ保温層よりも、更に熱伝導率が小さく、密着性に優れた保温層を蒸着法で形成し、この保温層と同じ材料で保護層を薄く形成して、熱容量が小さくて熱応答性の良い、印字の高速化や印字品質の良好な省電力サーマルヘッド、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The thin-film transistor forming method includes a first process of forming a source electrode and a drain electrode on an element-side substrate, a second process of forming a semiconductor layer for covering the source electrode and the drain electrode, a third process of forming a gate insulation layer overlapping the semiconductor layer, and a fourth process of forming a gate electrode on the semiconductor layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極を覆う半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic thin-film transistor element wherein at least a gate electrode, an insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer are installed on a retaining member, after a process is performed wherein the surface of a region which is in contact with the organic semiconductor layer is subjected to plasma treatment previously, a process for arranging the organic semiconductor layer is included.例文帳に追加

支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing a thin-film magnetic head having the required film structure formed by laminating metallic layers and the insulating layer on a wafer, after the metallic layers 22 are covered with the insulating layer 24, the surface of the insulating layer 24 is subjected to flattening to reduce the ruggedness formed on the surface of the insulating layer as the pretreatment for subjecting the surface to polishing to flatten the ruggedness.例文帳に追加

ウェハーの表面に金属層と絶縁層とを積層して形成し、所要の膜構造を備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法において、前記金属層２２を絶縁層２４により被覆した後、絶縁層２４の表面の凹凸を平坦化する研磨加工を施す前処理として、前記絶縁層の表面に形成される凹凸を低減させる平坦処理を施す。 - 特許庁