| 意味 | 例文 |
thin layer methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2066件
The preprocessing step is further constituted by a step of introducing a gas, which contains the same gas used in the film-forming process for forming the thin film on the semiconductor substrate into the reaction chamber, and a step of forming the surface layer on the susceptor surface by a CVD method.例文帳に追加
前処理工程はさらに、半導体基板上に薄膜を成膜する成膜処理と同じガスを含有するガスを反応チャンバ内へ導入する工程と、CVD法により表面層をサセプタ表面に形成する工程からなる。 - 特許庁
Then, the thin layer of the high temperature reflector is deposited on the polished thermal barrier coating 514 in a method of properly adhering the reflector 516 to the polished surface without increasing the roughness of the surface 515.例文帳に追加
次に高温反射体の薄い層は、表面(515)の粗さを増大させることなく研磨された表面に反射体(516)を適切に密着させることができる方法により、研磨された断熱皮膜(514)上に付着される。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a light absorbing layer of a CIS-based thin film solar cell that can attain high Voc while maintaining high FF by suppressing a leak, by using a selenization/sulfurization process, and attain high conversion efficiency as a result.例文帳に追加
セレン化/硫化法を用いて、リークを抑えて高いFFを維持しつつ高いV_ocを達成し、ひいては高い変換効率を実現することができるCIS系薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法を提供する。 - 特許庁
To increase an open voltage, by suppressing carrier recombination on the surface of crystal silicon by providing an amorphous thin-film layer on the surface of crystal silicon in a method in which damage is less than before, in a crystal silicon solar cell.例文帳に追加
結晶シリコン系太陽電池において、従来よりもダメージの少ない方法で結晶シリコン表面に非晶質薄膜層を設けることで、結晶シリコン表面でのキャリア再結合を抑制し、開放電圧の向上をはかる。 - 特許庁
To provide an organic electroluminescent element of realizing equalization of film quality and film thickness of each layer in a thin film stacking structure of the organic electroluminescent element to provide high charge transportation efficiency, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加
有機エレクトロルミネッセンス素子の薄膜積層構造における各層の膜質並びに膜厚の均一化を実現でき、もって高い電荷輸送効率を得られるようにした有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a thin film magnetic head in which it can be prevented that a direction of a switched connection magnetic field is disturbed even when a material having low blocking temperature is used for an anti-ferromagnetic layer included in a MR element.例文帳に追加
MR素子に含まれる反強磁性層にブロッキング温度が低い材料を用いた場合でも、交換結合磁界の方向が乱されるのを防ぐことが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a dielectric material thin film capacitor which is formed on a substrate having wiring conductors such as via holes and does not generate problems resulting from oxidation of wiring conductor and diffused barrier layer.例文帳に追加
ビアホール等の配線導体を有する基板上に形成される誘電体薄膜キャパシタであって、配線導体や拡散バリヤ層の酸化に伴う諸問題が生じない誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a gas separation membrane which is formed on a porous support as a thin film by using a solution coating method and functions as a separation layer excellent in membrane strength and gas permeability and in which a polysiloxane copolymer is used.例文帳に追加
溶液塗工法を用いて多孔質支持体上に薄膜を形成することができ、かつ膜強度および気体透過性能に優れた分離層として機能するポリシロキサン共重合体を用いた気体分離膜を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a thin-film transistor array substrate wherein mobile ions are prevented from infiltrating into a semiconductor layer via gettering effect, neutralization, or the like when a low-grade glass is used for building the substrate.例文帳に追加
本発明は、低級なガラスを基板として使用する時にゲッタリング効果又は中和などの作用を介してモバイルイオンが半導体層に浸透することを防止できるようにした薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the inorganic substrate having the silica based glass thin layer having 2H-9H pencil hardness is carried out by applying and curing a cyclic dihydrogen polysiloxane (A) or a hydrogen polysiloxane (B) having a specific unit formula on the inorganic substrate.例文帳に追加
無機質基板に環状ジハイドロジェンポリシロキサン(A)または特定の単位式を有するハイドロジェンポリシロキサン(B)を被覆し硬化させる、鉛筆硬度が2H〜9Hであるシリカ系ガラス薄層を有する無機質基板の製造方法。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an optical element by which a slit can be formed by using laser light as weak as not to process a substrate but as strong as to shallowly process a thin layer on the substrate.例文帳に追加
基板を加工することができない程度に弱いレーザー光であり、かつ、基板上の薄層を浅く加工することができる程度に強いレーザー光を用いてスリットを形成することができる光学素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a thin-film transistor, using a new oxide semiconductor easily and efficiently enabling conversion to the oxide semiconductor from a metal oxide precursor by the application of a heat pattern for an active layer.例文帳に追加
熱パターンの適用により、金属酸化物前駆体からの酸化物半導体への転換を、容易にかつ効率よく行うことのできる新しい酸化物半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
An electrode catalyst layer coated with an electrolyte thin film uniformly on pores of a carbon carrier is formed by a method in which, after coating the catalyst carrying carbon with a polymer compound, the polymer compound film is ionized using an ionizing agent.例文帳に追加
触媒担持カーボンを高分子化合物で被覆した後に、イオン化剤を用いて該高分子化合物被膜をイオン化する方法で、カーボン担体の細孔に均一に電解質薄膜が被覆された電極触媒層が形成される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a colored glass vessel which can manufacture the colored glass vessel, that is formed on the glass surface with a colored layer by color frit and has a thin-wall and a high-class feeling, in good productivity by an automatic glass molding machine.例文帳に追加
ガラス表面にカラーフリットによる着色層が形成された薄肉で高級感があるガラス容器を、自動ガラス成形機により生産性よく製造することができる着色ガラス容器の製造方法を提供する。 - 特許庁
To permit the processing of a predetermined work without causing any trouble while peeling off a material (thin material such as paper, resin film or the like) readily attractable by static electricity accurately from each other, in a method and a device for manufacturing an electric double layer capacitor.例文帳に追加
電気二重層キャパシタの製造方法およびその装置において、静電気により吸着しやすい材料(紙や樹脂膜などの薄物)どうしを適確に引き剥がしつつ、所定の加工を支障なく処理しえるようにする。 - 特許庁
To equalize film thicknesses of organic EL thin films among effective optical region picture elements and within respective picture elements in manufacturing of an organic EL device to form an organic EL layer by ejecting and coating organic EL materials using an ink jet printing method.例文帳に追加
インクジェット方式で基板上に有機EL材料を吐出、塗布し有機EL層を形成する有機EL装置の製造において、有効光学領域画素間および各画素内で有機EL薄膜の膜厚を均一にする。 - 特許庁
To provide a method for uniformly forming a comparatively-thin plated nickel layer on an uneven pattern on the outer surface of a main body of a die while inhibiting a defect such as a plating spot from being produced thereon; and a production apparatus therefor.例文帳に追加
めっき斑等の欠陥の発生を抑えつつ、金型本体の外周面の凹凸パターン上に比較的薄いニッケルめっき層を均一に形成できるニッケルめっき金型の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁
To provide a thin-film transistor at a low cost which can restrain diffusion of impurities from a glass substrate to a semiconductor layer, and improve transistor characteristics, in particular the threshold voltage characteristic, a manufacturing method of the thin-film transistor, a transmission type liquid crystal display device capable of improving transmittance, and a manufacturing method of the liquid crystal display device.例文帳に追加
ガラス基板から半導体層への不純物の拡散を抑制し、トランジスタ特性、特にしきい値電圧特性を改善できる低コストの薄膜トランジスタ及びこの薄膜トランジスタの製造方法を提供すること、及び、透過率を向上することが可能な透過型の液晶表示装置及びこの液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide an electrode-embedded ceramic green sheet which can suppress reduction in short-circuit ratio and dielectric voltage even when a thin layer is formed using a thin ceramic green sheet, and to provide a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor using the same with a high capacity and high reliability.例文帳に追加
本発明はセラミック電子部品に用いられるセラミックグリーンシートに感するものであり、薄層のセラミックグリーンシートを用いて薄層化してもショート率・絶縁耐圧の低下を抑制できる電極埋め込みセラミックグリーンシートとその製造方法およびそれを用いた高容量・高信頼性の積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
To provide a manufacturing method by which degradation of superconductive characteristics can be suppressed and the superconductive thin film wiring material can be obtained at a superior yield rate, and productivity can be improved sufficiently, when manufacturing a lengthy superconductive thin film wiring material by continuously forming an intermediate layer on a lengthy orientation metal substrate at a single time of processing, and furthermore by continuously forming an oxide superconductor thin film.例文帳に追加
長尺の配向金属基板上に中間層を1回の処理で連続的に形成し、さらに酸化物超電導体薄膜を連続的に形成して長尺の超電導薄膜線材を製造するに際して、超電導特性の低下を抑制することができ、歩留まりよく超電導薄膜線材を得て、充分に生産性を向上させることができる製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for simultaneously realizing a patterning technique capable of forming a large area pattern at a low cost and a fine patterning technique capable of forming a small feature pattern as a method for forming a patterned thin film layer for IC that can be utilized in manufacture of a large area electronic device.例文帳に追加
大面積の電子装置の製造に利用できるパターニングされたIC用薄膜層の形成方法として、安価に大面積のパターンを形成できるパターニング技術と、小さな特徴パターンを形成できる微細パターニング技術と、を同時に実現する方法を提供する。 - 特許庁
To provide the manufacturing method, of multilayer interconnection boards, that is advantageous for mass production, since a gap for forming an insulating layer is controlled easily, can thin the entire board, and is also advantageous to the planarization of a board surface; and to provide the multiplayer interconnection boards obtained by the manufacturing method.例文帳に追加
絶縁層を形成するためのギャップの制御が容易なため量産化に有利であり、しかも基板全体の薄層化が可能で、基板表面の平坦化にも有利な多層配線基板の製造方法、並びに、その製法で得られうる多層配線基板を提供する。 - 特許庁
To provide a soil improving method of excellent workability and economic efficiency while securing a positive drain function by completely dispensing with a sand mat, or using the sand mat of thin layer thickness without necessarily requiring sand of good quality even in the case of needing the sand mat in a vertical drain method.例文帳に追加
鉛直ドレーン工法において、サンドマットが全く不要となるか、あるいは必要な場合でも層厚が薄くて済み、必ずしも良質の砂を必要とせず、施工性および経済性に優れ、かつ確実な排水機能が得られる地盤改良工法を提供する。 - 特許庁
In a method for producing an ITO thin film by a sputtering method using an ITO target obtained by joining an ITO sintered body substantially consisting of indium, tin and oxygen and a backing plate by solder, the side part of the solder layer is separated from a region in which plasma is present at the time of sputtering.例文帳に追加
実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるITO焼結体とバッキングプレートとを半田により接合してなるITOターゲットを用いてスパッタリング法によりITO薄膜を製造する方法において、半田層の側面部が、スパッタリング時にプラズマが存在する領域と隔てられている。 - 特許庁
In the method, an oriented thin film exhibiting high anisotropy in electric conductivity that high ion conductivity is shown in a film thickness direction is deposited on the surface of a porous ceramic solid electrolyte layer from a crystalline oxide target depositing a proton conductive film by a pulsed laser ablation deposition method (PLD).例文帳に追加
多孔質のセラミック固体電解質層表面にプロトン導電性膜を形成する結晶性の酸化物のターゲットからパルスレーザアブレーション堆積法(PLD)により膜厚方向に高いイオン導電性を示す電気伝導度に高い違法性を示す配向性薄膜を形成する方法。 - 特許庁
The method for manufacturing a thin film solar cell includes a step of forming a photoelectric conversion layer 230 on a substrate 200 using a plasma CVD method by introducing a reactive gas into a reaction chamber 100 and applying a high frequency to an RF electrode 120 to generate plasma.例文帳に追加
この薄膜太陽電池の製造方法は、反応室100内に反応ガスを導入し、かつ高周波電極120に高周波を印加してプラズマを生成することにより、プラズマCVD法を用いて基板200に光電変換層230を形成する工程を備える。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of organic functional elements, such as high-performance organic EL elements, organic solar cells and organic thin film transistors, which will not cause degrading in the characteristics of the organic functional elements, when a high-boiling point solvent is removed for drying, when an organic functional layer is manufactured by a printing method.例文帳に追加
有機機能層を印刷法で作製した場合において、高沸点溶を除去乾燥する際に有機機能性素子の特性の低下が起きず、高性能な有機EL素子、有機太陽電池および有機薄膜トランジスタのような有機機能性素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
A thin film of the tetragonal MgSiO_3 crystal is formed on a crystalline substrate (a silicon single crystal substrate or a substrate obtained by forming a buffer layer on the substrate) by the epitaxial growth of Mg and Si in an oxygen atmosphere using a PVD method (helicon wave reactive sputtering method or the like).例文帳に追加
結晶質下地(シリコン単結晶基板又はその上にバッファー層を形成したもの)上に、Mg及びSiを酸素の雰囲気中でPVD法(ヘリコン波反応性スパッタリング法など)を用いてエピタキシャル成長させることにより、正方晶MgSiO_3結晶の薄膜を形成する。 - 特許庁
To provide a photosensitive resin composition capable of preventing generation of ruggedness on the surface including the skirt of an organic film pattern having mountain structure, in a liquid crystal display device, to provide a method for producing a thin layer transistor substrate using the composition, and to provide a method for producing a common electrode substrate.例文帳に追加
液晶表示装置において、山構造を有する有機膜パターンの裾部を含む表面における凹凸の発生を防止できるような、感光性樹脂組成物と、これを用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法、及び共通電極基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a laminated wafer capable of removing an oxide film by heat treatment of a shorter time compared with that in a conventional method, and capable of eliminating an island-like trace of the oxide film on a laminated interface, even when a thickness of an active layer is as thin as 500 nm or less.例文帳に追加
本発明の目的は、従来の方法に比べ短時間の熱処理で酸化膜を除去できる上、活性層の厚さが500nm以下と薄い場合であっても、貼り合わせ界面における島状酸化膜の跡を無くすことができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide a method for producing an aqueous dispersion liquid crosslink-curable resin composition which is a material formable of a porous thin film layer having fine pores, to provide an aqueous dispersion liquid crosslink-curable resin composition, to provide a method for producing a porous material, and to provide the porous material.例文帳に追加
微細な空孔を有する多孔質薄膜層の形成ができる材料である水分散液状架橋硬化型樹脂組成物の製造方法及び水分散液状架橋硬化型樹脂組成物、ならびに多孔質物の製造方法および多孔質物を提供する。 - 特許庁
To shrink levitation of a head slider from a surface of a recording medium by regulating protrusion of a write shield layer in a thin-film magnetic head for magnetic recording by a vertical magnetic recording method, its manufacturing method, head gimbal assembly and hard disk unit.例文帳に追加
本発明は、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、ライトシールド層が突出することを抑制して、ヘッドスライダの記録媒体表面からの浮上量を縮小できるようにする。 - 特許庁
The method for manufacturing a bathtub comprises the steps of setting a BMC material containing a thermosetting resin in a mold 10, forming a base layer 1 of a thin bathtub by compression molding, then taking out it from the mold 10, and forming a reinforcing layer 2 containing any of the thermosetting resin and a hard foamed resin and reinforcing fibers on its rear surface.例文帳に追加
熱硬化性樹脂を含むBMC材を金型10内にセットし、圧縮成形することによって薄肉の浴槽であるベース層1を形成した後、金型10から取り出し、その裏面に熱硬化性樹脂又は硬質発泡樹脂のいずれか一方と強化繊維とを含む補強層2を形成する。 - 特許庁
To provide a thin medical tube having a small outer diameter, an excellent mechanical characteristic, and an inner wall of the tube of a low frictional resistance value, having the inner fluroresin layer and the outer layer formed of the mixture of a polyimide resin and fluororesin, which are fused strongly, safety to human bodies, and high reliability, and its manufacturing method.例文帳に追加
外径が小さく薄肉で機械的特性に優れ、かつ、チューブの内壁の摩擦抵抗が小さく、チューブ内層を形成するフッ素樹脂層と、ポリイミド樹脂とフッ素樹脂の混合物からなる外層が強固に融着し、人体に対して安全で、信頼性が高い医療用チューブとその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method, wherein a zinc oxide single-crystal thin-film layer having a smooth-surface is manufactured on a mica substrate with good reproducibility by promoting two-dimensional growth of zinc oxide precursors based on monomolecular adsorption by the use of a specific mica substrate and by reacting the zinc oxide precursor layer with water vapor.例文帳に追加
本発明は、特定のマイカ基板を用いて、酸化亜鉛前駆体の単分子吸着による二次元成長を行わせ、酸化亜鉛前駆体層を水蒸気と反応させることによって、平滑な酸化亜鉛単結晶薄膜層をマイカ基板上に再現性よく製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing dielectronic powder used as a material for a dielectronic layer of a composite electronic component such as a lamination type filter and capable of obtaining a high reliable composite electronic component even when a green sheet constituting the dielectronic layer after firing is made thin in thickness.例文帳に追加
積層型フィルタなどの複合電子部品の誘電体層の材料として用いられ、焼成後に誘電体層となるグリーンシートを薄層化した場合においても、高い信頼性を有する複合電子部品を与えることができる誘電体粉末を製造するための方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer, which enables manufacturing of a silicon epitaxial wafer including a heavy metal impurity of a low concentration, especially a heavy metal impurity in a surface layer region of a silicon single-crystal thin film serving as a device active layer that has a concentration lower than that of a conventional impurity, and thus having superior device characteristics.例文帳に追加
シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物、特にデバイス活性層であるシリコン単結晶薄膜の表層領域の不純物濃度が従来に比べて低く、優れたデバイス特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
The assay method includes: a step of preparing a plate 10 formed by alternately laminating a metal thin film layer 13 and a dielectric porous film layer 12 to have a metal minute structure, and having an optical absorption property for absorbing a light at a particular wavelength; and a step of detecting a to-be-detected object by using the plate 10 in a solid phase.例文帳に追加
金属微細構造を有するように金属薄膜層13と誘電体多孔質膜層12とを交互に積層して形成され、特定の波長の光を吸収する光学的吸収性を有するプレート10を用意するステップと、そのプレート10を固相に用いて被検出物を検出するステップとを含む。 - 特許庁
The method for freezing a fluid food and dividing the frozen food in the form of separated unit pieces comprises a process containing (a) step to spray water or salt water to a freezing surface to form a thin and uniform ice layer on the surface, (b) a step to deposit the fluid food on the ice layer and (c) a step to freeze the food.例文帳に追加
流動性食品を冷凍し、かつ該冷凍食品を個別片に製造する方法であって、a)水又は食塩水を冷凍表面に噴霧して、該表面に薄く均一な氷層を形成し、b)前記氷層上に、流動性食品を堆積し、c)該食品を冷凍することを含む方法。 - 特許庁
The method for producing the self-supporting substrate essentially consists of the step D of forming an intermediate layer comprising a thin ZnO film and a thick GaN film on the intermediate layer on a flat substrate comprising GaN in the given order a plurality of times and the step E of removing the plurality of intermediate layers and separating the substrate from the plurality of thick GaN films.例文帳に追加
GaNからなる平板状の基材の上に、ZnO薄膜からなる中間層と中間層の上にGaN厚膜を順に複数回形成する工程Dと、複数の中間層を除去し、基材と複数のGaN厚膜とを分離する工程Eと、を少なくとも具備した自立基板の製造方法。 - 特許庁
The method of manufacturing the lens is such that, when forming the coat layer by light irradiation on the lens having a thin center part coated with the photocurable coating material laid on the primary coat layer, the surface temperature of the lens, immediately prior to first light irradiation is 30°C or lower, and the surface temperature during the light irradiation is 70 °C or lower.例文帳に追加
プライマーコート層上に光硬化性コーティング剤が被覆された中心部の厚みが薄いレンズにおいて、光照射によりコート層を形成するに際し、最初に光照射を行う直前のレンズ表面温度を30℃以下とし、光照射時のレンズ表面温度を70℃以下とするレンズの製造方法である。 - 特許庁
To provide a manufacturing method and manufacturing device of an optical recording medium capable of forming a light transmission layer as thin as 0.1 mm and the intermediate layer of a thinner film, etc., on the base material of a high density and large capacity optical recording medium using a blue laser as a laser beam in an excellent yield and efficiently by a short production tact.例文帳に追加
レーザー光として青色レーザーを用いる高密度、大容量光記録媒体の基材に0,1mmという薄い光透過層や、さらに薄膜の中間層等を歩留まりよく、かつ効率よく短い生産タクト形成することができる光記録媒体の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁
This gas barrier film is formed by successively laminating 0.5 to 5 g/m2 coating layer containing 100 pts.wt. poly(vinyl alcohol) containing 0.5 to 10 mol% and 0.1 to 10 pts.wt. hydrazine compound and a metal oxide thin film layer by an ion plating method on at least one surface of a polyolefin film.例文帳に追加
ポリオレフィンフィルムの少なくとも一方の表面に、ジアセトン基を0.5〜10モル%有するポリビニルアルコール100重量部と、ヒドラジン系化合物0.1〜10重量部を含有する塗工層0.5〜5g/m^2と、イオンプレーティング法による金属酸化物薄膜層が順次積層されていることを特徴とするガスバリヤーフィルム。 - 特許庁
In the manufacture of copper wiring substrate formation by a semi additive method, an etching solution containing a hydrogen peroxide of 0.1 to 10 wt.% and a phosphoric acid of 0.5 to 50 wt.% is used as an etching solution of a metal thin film layer (seed layer), whose weight ratio of a hydrogen peroxide/phosphoric acid is 0.02-0.2.例文帳に追加
セミアディティブ法における銅配線基板製造において、金属薄膜層(シード層)のエッチング液として、過酸化水素 0.1〜10重量%とリン酸 0.5〜50重量%を含有し、かつ過酸化水素/リン酸の重量比が 0.02〜0.2であるエッチング液を使用する銅配線基板製造方法。 - 特許庁
This manufacturing method of a laminated ceramic capacitor using the conductive paste can manufacture, with a high yield, the laminated ceramic capacitor that can prevent drop of capacitance by the internal electrode breakage even when the internal electrode and a dielectric layer are each formed into the thin layer, is large in obtained capacitance and hardly causes a short failure.例文帳に追加
そして、この導電性ペーストを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法は、内部電極および誘電体層を薄層化した場合でも、内部電極切れによる静電容量の低下が防止でき、得られる静電容量も大きく、ショート不良が少ない積層セラミックコンデンサを歩留まり良く製造することができる。 - 特許庁
To provide a wiring structure that the junction between diffusion barrier layers consisting of metal or compound thin layers in contact with an interlayer insulating film layer containing a low-dielectric constant organic matter, as its main component is strong and a peeling or a desorption is never generated at the interface between the interlayer insulating film layer and the diffusion barrier layers, and to provide the manufacturing method of the wiring structure.例文帳に追加
誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a board for electronic components which has an electrode structure having a plating layer on a lower electrode formed by a thin film forming method, and is hard to deteriorate the lower electrodes due to a plating solution and superior in adhesion of the lower electrode to the plating layer, thereby improving the productivity.例文帳に追加
薄膜形成法により形成された下地電極上にメッキ膜が形成されている電極構造を備える電子部品用基板であって、メッキ液による下地電極の劣化が生じ難く、下地電極とメッキ膜との密着性にすぐれ、生産性を高め得る電子部品用基板を提供する。 - 特許庁
In the method for manufacturing the organic thin film transistor comprising a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a metal oxide source/drain electrode and an organic semiconductor layer, at least one surface of the metal oxide source/drain electrode is treated by using a self-assembled single layer film forming compound comprising a sulfonic acid group.例文帳に追加
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、金属酸化物ソース/ドレイン電極及び有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタを製造する方法であって、金属酸化物ソース/ドレイン電極の少なくとも一表面を、スルホン酸基を含有する自己組織化単層膜形成化合物で処理する。 - 特許庁
To provide a high-density printed circuit board which uses an inexpensive inter-layer insulating base material and has high adhesion secured between electroless plating and the inter-layer insulating base material and allows microwire formation using a semi-additive method, in order to make a mobile device small in size, thin in thickness, light in weight, high in definition, multiple in function or the like.例文帳に追加
モバイル機器の小型、薄型、軽量、高精細、多機能化等を実現するために、安価な層間絶縁基材を用い、無電解めっきと層間絶縁基材との高い密着性を確保し、セミアディティブ法を用いた微細配線形成が可能な高密度プリント配線基板を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which achieves a reduction in the parasitic resistance of transistors by adopting a silicide layer in active regions of the transistors, when the transistors are formed by using a substrate of which the semiconductor layer is thin as in an FD-SOI, while avoiding an increase in a leakage current by a relatively simple process.例文帳に追加
FD−SOIの如き半導体層の厚みが薄い基板を使用してトランジスタを形成する際に、比較的簡便なプロセスでリーク電流の増加を回避しつつ、トランジスタの活性領域にシリサイド層を導入してトランジスタ寄生抵抗の低減を実現し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
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