「thin layer method」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve smoothness and durability of a resin release layer by making its crystallinity uniformly low by uniformly quenching the entire surface of a heat fixing roller through a device and a method for the heat fixing roller that smooth a resin release layer formed on the thin surface of a mandrel by quenching the resin release layer after heating it up to fusion temperature.例文帳に追加

薄肉の芯金表面に形成された樹脂離型層の平滑化を、樹脂離型層を溶融温度まで加熱してから急冷することによって実施する加熱定着ローラの加工装置、及び方法において、ローラの全表面に対して均一に急冷を行うことによって、樹脂離型層の結晶化度を均一に低くし、平滑性及び耐久性を高めることができる。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin-film transistor at least includes a process for irradiating a semiconductor layer (103) on a substrate (101) with light (104) for crystallizing the semiconductor layer (103); and a process for performing a composite treatment of oxygen plasma treatment (107), hydrogen plasma treatment (108), and high-pressure vapor heat treatment (109) to the crystallized semiconductor layer (103).例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法であって、基板（１０１）上の半導体層（１０３）に光照射（１０４）をおこない当該半導体層（１０３）の結晶化をおこなう工程と、結晶化後の半導体層（１０３）に酸素プラズマ処理（１０７）、水素プラズマ処理（１０８）および高圧水蒸気熱処理（１０９）の複合処理をおこなう工程を少なくとも有することを特徴とする。 - 特許庁

The method includes a step of decomposing a desired pattern to be printed on a substrate into at least two constituent sub-patterns that are capable of being optically resolved by the lithography system, and a step of coating the substrate with a first positive tone resist layer and a relatively thin second positive tone resist layer on top of a target layer of the substrate which is to be patterned with a desired dense line pattern.例文帳に追加

本発明は、基板上に印刷される所望のパターンを、リソグラフィシステムによって光学的に分解することができる少なくとも二つの成分サブパターンに分解する工程、所望の高密度ラインパターンでパターンを形成させる基板のターゲット層の上に、第一のポジ型レジスト層と比較的薄い第二のポジ型レジスト層とを塗布する工程を含む。 - 特許庁

To provide a polyimide film usable for copper laminated boards, which boards are obtained by monolithically connecting and laminating with high adhesion a heat resistant polyimide layer and a metallic layer of a metallic thin film formed by the vapor deposition method, have high peel strength between a polyimide substrate and the metallic layer without using any adhesive, and are usable as a fine wiring board.例文帳に追加

耐熱性を有するポリイミド層と蒸着法により金属薄膜を形成した金属層とが、高い接着力で一体に接合されて積層され、接着剤を使用することなくポリイミドからなる支持体と金属層との剥離強度の大きい、微細配線用基板として使用可能である銅積層基板に用いることができるポリイミドフィルムを提供する。 - 特許庁

When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer.例文帳に追加

化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film semiconductor device in which in-film fixed electric charges in a gate insulating film below a semiconductor thin film as an active layer and an interface level can be lowered without making the gate insulating film thick nor increasing process procedures, and then a bottom gate type TFT with high reliability can be obtained.例文帳に追加

活性層となる半導体薄膜の下層のゲート絶縁膜を厚膜化することなく、かつ工程手順を増加させることなく、当該ゲート絶縁膜中の膜中固定電荷および界面準位を低下させることが可能で、これにより信頼性の高いボトムゲート型ＴＦＴを得ることができる薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Disclosed are an ink containing nanoparticles for formation of a thin film of a solar cell and its preparation method, a CIGS thin film solar cell having at least one light absorption layer formed by coating or printing the ink containing nanoparticles on a rear electrode, and a process for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ナノ粒子を含有する太陽電池の薄膜組成用インクとその製造方法、及び前記ナノ粒子を含有するインクを背面電極上に塗布又は印刷して形成した光吸収層を少なくとも１つ以上包含するＣＩＧＳ薄膜型太陽電池とその製造方法によって本発明の課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents occurrence of a decrease in ON/OFF ratio of a thin film transistor and variance in ON current even when a metal oxide semiconductor layer is used for a channel region of the thin film transistor, and to provide the semiconductor device, an electrooptical device with the semiconductor device, and electronic equipment with the electrooptical device.例文帳に追加

金属酸化物半導体層を薄膜トランジスターのチャネル領域として使用した場合でも薄膜トランジスターのオン／オフ比の低下やオン電流のばらつきが発生しない半導体装置の製造方法、半導体装置、該半導体装置を備えた電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

Alternatively, the method comprises forming a thin oxide film (e.g. an intermediate layer 2) and comprises the step of previously heat-treating the oriented metallic substrate 1 in a reducing atmosphere and the step of heat-treating the oriented metallic substrate just before the formation of a thin oxide film in a reducing atmosphere.例文帳に追加

また、配向金属基板１上に酸化物薄膜（たとえば中間層２）を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、予め配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程、および酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理する工程を有する酸化物薄膜の製造方法。 - 特許庁

This invention relates to the method of manufacturing the TAB tape provided with an insulating tape and a circuit pattern formed on the insulating tape, including the processes of: forming a sputter thin film only in a formation schedule region of the circuit pattern on the insulating tape; and forming an electric plating layer on the sputter thin film formed on the insulating tape to form the circuit pattern.例文帳に追加

絶縁性テープと、絶縁性テープ上に形成された回路パターンと、を有するＴＡＢテープの製造方法であって、絶縁性テープ上における回路パターンの形成予定領域のみにスパッタ薄膜を形成する工程と、絶縁性テープ上に形成されたスパッタ薄膜上に電気めっき層を形成して回路パターンを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

In the etching method where a silver or silver alloy thin film present on the surface of a substrate is subjected to etching with an etching liquid, the etching liquid in which the concentration of silver ions is 0.005 to 1 wt.% is filled into an etching liquid feeding apparatus, and the etching liquid is brought into contact with the surface of the substrate having the silver or silver alloy thin film layer.例文帳に追加

基板表面に存在する銀又は銀合金薄膜層をエッチング液によりエッチングする方法であって、銀イオン濃度が０．００５〜１重量％のエッチング液を、エッチング槽又はエッチング液供給装置に充填し、該エッチング液を、銀又は銀合金薄膜層を有する基板表面に接触させるエッチング方法。 - 特許庁

Silicon-containing material gas and hydrogen gas are fed between a board and a ladden-shaped electrode, and a high-frequency power of 10 to 300 MHz is applied to generate a plasma, by which a silicon thin film is formed on the board through a plasma CVD method using the generated plasma, and the silicon thin film is used as a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

基板とラダー状の電極との間にシリコンを含む原料ガスおよび水素ガスを供給するとともに周波数が１０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下の高周波を印加することにより生成されるプラズマを利用するプラズマＣＶＤ法を用いて基板上に製膜されたシリコン系薄膜を光電変換層として有する。 - 特許庁

The method of manufacturing a thin film transistor having an active layer of a transparent oxide film containing In, Zn and O at an electronic carrier concentration of less than the level of 10^18 /cm^3, a source electrode, a drain electrode, a gate insulation film, and a gate electrode comprises a step of forming the active layer by the sputtering method in an atmosphere gas containing water.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｚｎ及びＯを含み、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である透明アモルファス酸化物膜からなる活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、活性層をスパッタ法により形成する工程を含み、スパッタ法により活性層を形成する際の雰囲気ガス中に水を含む。 - 特許庁

When an insulating layer 5 as the protecting film for the heating element 8 constituted of a heating resistance layer 3 and a wiring electrode 4 layered on an Si substrate 1 is formed by a dry film formation method such as CVD with the use of ceramic aluminum nitride which shows the crystal orientation dependency of a thermal conductivity, the thermal conductivity is made anisotropic by orienting and forming thin the film by an electronic shower method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に積層する発熱抵抗層３と配線電極４で構成される発熱素子８の保護膜としての絶縁層５を、熱伝導率の結晶方向依存性を示すセラミックス窒化アルミニウムを用いてＣＶＤ等の乾式成膜法で成膜する際に、電子シャワー法により配向薄膜化して熱伝導率に異方性をもたせる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode contact member for a vacuum breaker which is easy to manufacture and the electrode contact member of the vacuum breaker, capable of forming a thin Cr fine dispersion layer on a surface section and of improving withstand voltage and block performance.例文帳に追加

製造が簡単な真空遮断器用電極接点部材の製造方法及び、表面部に薄いＣｒ微細分散層を形成し、耐電圧や遮断性能を向上できる真空遮断器の電極接点部材を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-density recordable optical information recording medium, in which an excellent thin resin layer is formed, by eliminating the influence of a micro protrusion formed on the inside of a disk substrate during the in injection molding of the disk substrate.例文帳に追加

ディスク基板の射出成形時にディスク基板の内側に形成される微小突起部による影響を解消して、良好な薄い樹脂層を形成する高密度記録対応の光情報記録媒体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed circuit board that can simply and certainly form a minute wiring pattern with a thin layer by simplifying the process to improve the productivity when forming a wiring structure with a filled via.例文帳に追加

フィルドビアを有する配線構造を形成する際に、工程を簡略化して生産性を向上させつつ、層厚の薄い微細な配線パターンを簡易にかつ確実に形成することが可能なプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing the cheese processed product comprises cutting process cheese into a thin layer state or crushing into a powdery state, mixing bacon and spices, and putting the product on the fish meat sheet, the meat sheet or the sheet having as the main ingredient wheat flour, starch and granules of other cereals.例文帳に追加

プロセスチーズを薄皮状に切削するか、或いは粉末状に粉砕したのち、ベーコンや香辛料を混入し、ついで魚肉シート、畜肉シート或いは小麦粉、澱粉、その他穀類の粉粒体を主成分とするシート上に載せる。 - 特許庁

In this forming method of the thin film, the raw material gas containing metal atoms and silicon atoms is supplied into a treatment atmosphere, and the raw material gas component is adsorbed by the treatment surface of a substrate, and the process (S101) for forming a layer containing the metal atoms and the silicon atoms is carried out.例文帳に追加

金属原子およびシリコン原子を含む原料ガスを処理雰囲気に供給し、原料ガス成分を基板の処理表面に吸着させて、金属原子およびシリコン原子の層を形成する工程（Ｓ１０１）を行う。 - 特許庁

The thin film manufacturing method forms a solid-containing layer by depositing charged particles of a coating liquid, prepared by discharging a solid-containing coating liquid from a nozzle applied with a voltage, on a target coating surface charged with the polarity opposite to that of the nozzle.例文帳に追加

固形分を含む塗布液を電圧が印加されたノズルから放出して形成した帯電した塗布液粒子を、前記ノズルと反対の極に帯電した被塗布面に堆積させて、固形分含有層を形成する薄膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a film forming method for obtaining an extremely thin interface oxide film having high in-plane uniformity of film thickness and less defect by performing a low oxygen partial pressure oxidation while the surface of a silicon layer is protected by a chemical oxide film.例文帳に追加

シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことにより、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得ることが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film transistor for a liquid crystal display device wherein, in formation of a back channel part, no off current or a threshold change is caused to be increased, a semiconductor layer is thinner, and no back channel part is affected by an electric charge accumulation.例文帳に追加

バックチャネル部の形成において、オフ電流やＶthシフト等の増加を引き起こさず、半導体層の薄膜化が図られ、さらにバックチャネル部への電荷蓄積の影響を受けない液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a shock absorbing body capable of achieving sufficient effect of shock absorption by using a shock absorbing material of a comparatively thin layer without increasing dead load and cost and withstanding the shock caused by a series of falling rocks and to provide a method for arranging it.例文帳に追加

死荷重の増加、及びコストの増加を招くことなく比較的薄い層の緩衝素材で十分な緩衝効果を得ることができ、しかも群発落石にも耐えることのできる衝撃緩衝体、及びその配置方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated plate for an HDD suspension which has no disconnection of a thin line due to compact circuits of a wiring in the laminated plate for the HDD suspension, and can suppress color change or black spots of an insulating resin layer.例文帳に追加

ＨＤＤサスペンション用積層板における配線の微細回路化における細線の断線がなく、絶縁樹脂層の変色や黒点を抑制できるようにしたＨＤＤサスペンション用積層板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a CIS-based thin film solar cell with high production efficiency by which a high-resistance buffer layer of the CIS-based solar cell can be efficiently manufactured through a series of production lines and waste liquid need not be treated.例文帳に追加

本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法を得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a decorative sheet having a thin metal film in which as a decorative layer, a clear level difference is not formed between a pattern part and a pattern background part and to provide a method for manufacturing such a decorative sheet by a simple operation.例文帳に追加

加飾層として、絵柄部分と絵柄背景部分の間に明確な段差が形成されていない金属薄膜を有する加飾シートを提供すること、及びそのような加飾シートを簡便な操作によって製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display device, in which the shift in the threshold voltage of a thin-film transistor, including an oxide semiconductor layer can be suppressed, even if it is subjected to ultraviolet-light irradiation in a process of manufacturing the display device.例文帳に追加

表示装置の作製工程で紫外線の照射を行っても、酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減させることができる、表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

To obtain a thin film solar cell which is excellent in photoelectric conversion efficiency by increasing an optical absorption in a photoelectric conversion layer with a structure having a high light scattering performance and which can be manufactured simply and inexpensively, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高い光散乱性能を有する構造により光電変換層での光吸収量を増加させて光電変換効率に優れるとともに簡便且つ低コストで作製可能な薄膜太陽電池およびその製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide an indium metal target capable of improving productivity by increasing a deposition rate (sputter rate) of sputtering in a deposition process of a light-absorbing layer of a thin film solar cell using a compound semiconductor, and a method for manufacturing the target.例文帳に追加

化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

The cutting method has a mist adhesion prevention process for preventing beforehand mist adhesion onto the metal thin film layer in the cutting end of the radiographic image conversion plate before cutting, during cutting or after cutting of the radiographic image conversion plate.例文帳に追加

断裁方法は、放射線画像変換プレートの断裁前、断裁中又は断裁後に、放射線画像変換プレートの断裁端部中の前記金属薄膜層にミストが付着することを予め防止するミスト付着防止工程を有する。 - 特許庁

The electroplating method can be applied even to the case in which the metal substrate is a metallic thin film formed on the surface of an insulating layer provided on a substrate, and also even to the case in which the metal is copper, zinc, iron, nickel and cobalt.例文帳に追加

本発明の電気めっき方法は、金属基体が基板上に設けられた絶縁膜の表面に形成された金属薄膜からなる場合であっても、前記金属が銅、亜鉛、鉄、ニッケル、コバルトの場合であっても適用可能である。 - 特許庁

To provide a tandem type thin film silicon solar cell module and its manufacturing method which suppress a current leak through an intermediate layer and suppress an enlargement of an invalid area not contributing to an electric power generation with a high optical conversion efficiency.例文帳に追加

中間層を介した電流リークが抑制され、且つ、発電に寄与しない無効面積の拡大が抑制された高い光変換効率を有するタンデム型薄膜シリコン太陽電池のモジュール及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an adhesive film for semiconductor wafer protection that prevents a semiconductor wafer from being broken even when the semiconductor wafer is made into a thin layer and has superior operability such as tape cuttability, and to provide a method of protecting semiconductor wafer using the film.例文帳に追加

半導体ウェハが薄層化された場合であっても、半導体ウェハの破損を防止し、かつテープカット性などの作業性に優れる半導体ウェハ保護用粘着フィルム、及び前記フィルムを用いた半導体ウェハ保護方法を提供することにある。 - 特許庁

After forming a gate electrode 3 and a gate insulation film 5 covering it on a substrate 1, a channel layer 7 composed of a polycrystalline semiconductor thin film is formed by a reactive heat CVD method utilizing the reaction energy of a plurality of different gases.例文帳に追加

基板１上にゲート電極３とこれを覆うゲート絶縁膜５を形成した後、複数の異なるガスの反応エネルギーを利用する反応性熱ＣＶＤ法によって、多結晶性の半導体薄膜からなるチャネル層７を成膜する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic thin-film transistor, in which an element with a large area is easily manufactured, a gate insulation layer is not damaged during forming a source electrode and a drain electrode, and flexibility of an organic insulation material is not deteriorated.例文帳に追加

大面積の素子の製造が容易であり、ソース電極及びドレイン電極を形成する際にゲート絶縁層を損傷せず、有機絶縁材料が有する柔軟性を損なわない、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that, in a method of making an electrode forming unit simply by dry etching in a GaN RHET element, it is difficult to form an electrode with sufficient yield while reducing a contact resistance with a thin base layer as low as possible.例文帳に追加

ＧａＮ系ＲＨＥＴ素子においては、単純にドライエッチングによって電極形成部を作り込むだけの方法ではその薄いベース層に接触抵抗を極力低くしつつ歩留まりよく電極を形成することは困難である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an emitter for a field emission element that never produces a step on a substrate in manufacturing the emitter by erecting a part of a thin emitter material layer, and thereby capable of providing a high-reliability field emission element.例文帳に追加

薄いエミッタ材層の一部を起立させてエミッタを作製する際に、基板上に段差を発生させることがなく、もって信頼性の高い電界放出素子を提供できる電界放出素子用エミッタの作製方法を提案する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head provided with a magneto-resistance effect type magnetic head element in which disturbance of magnetic domain structure in a magnetic shield layer by a high saturation magnetic flux density material is suppressed and occurrence of Barkhausen noise is suppressed, and its manufacturing method.例文帳に追加

高飽和磁束密度材料による磁気シールド層での磁区構造の乱れを抑制しバルクハウゼンノイズ発生が抑制された磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子を備える薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin optical waveguide at a high yield by suppressing a complete cutting of a lower clad layer and defective formation of a core when manufacturing the optical waveguide by forming the core with a dicing saw, and to provide the optical waveguide.例文帳に追加

ダイシングソーによってコアを形成して光導波路を製造するときに、下部クラッド層の完全切断やコアの形成不良を抑制し、厚みが薄い光導波路を高得率で製造する方法及び光導波路を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing technique of a piezoelectric actuator for an inkjet head capable of suppressing any degradation in printing quality due to thickness distribution as much as possible even when the thickness distribution occurs in the thin film layer formed on a substrate with the AD method.例文帳に追加

ＡＤ法により基板に成膜された薄膜層に膜厚分布が生じた場合でも、その膜厚分布による印字品質の低下を極力抑えることが可能な、インクジェットヘッド用の圧電アクチュエータの製造技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a method that directly utilizes the deterioration brought about by the implantation of a non-gaseous heavy species into a substrate formed of at least two elements, at least one of which can form a gaseous phase, to cause fracturing the substrate into a thin film layer and a residual substrate.例文帳に追加

少なくとも一方の元素が気相を形成可能な、少なくとも２個の元素からなる基板に、ガス種でない重い種を注入してもたらされる劣化をまさに利用して、基板を薄膜層と残留基板とに破断する。 - 特許庁

To provide an image forming device capable of preventing dielectric breakdown from being generated, and capable of forming stably an image of excellent resolution, even when forming a photosensitive layer of prescribed structure into a thin film, and an image forming method using the same.例文帳に追加

所定構造の感光層を薄膜化した場合であっても、絶縁破壊の発生を抑制して、解像度に優れた画像を安定的に形成することができる画像形成装置及びそれを用いた画像形成方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a display device having an inverted stagger type thin-film transistor in a channel etching structure, an etching process is performed using a mask layer formed of a multi-gradation mask, namely an exposure mask, where transmitted light has a plurality of intensities.例文帳に追加

チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いてエッチング工程を行う。 - 特許庁

To provide an optical disk capable of being easily mounted even on a thin drive by forming a uniform adhesion layer of an inner circumferential part, an optical disk manufacturing method, and an optical disk manufacturing apparatus.例文帳に追加

内周部の均一な接着層の形成を可能にすることによって、薄型のドライブ装置にも、容易に装着することができる光ディスク、光ディスクの製造方法および光ディスクの製造装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

A method for molding a sheet glass from glass ribbon GL by sliding glass ribbon GL over a support 12 being separated by a thin layer of vapor film 18, is characterized by moving the support 12 in a parallel plane to a plane of glass ribbon GL.例文帳に追加

ガラスリボンＧＬと支持体１２を蒸気膜の薄層１８を介して摺動させながらガラスリボンＧＬを板状ガラスに成形する成形法において、支持体１２をガラスリボンＧＬの面と平行な平面内で平面移動させるようにした。 - 特許庁