「thin layer method」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide electrophotographic images of high image quality using a thin layer organic photoreceptor over a prolonged period of time, and to further provide an image forming method and an image forming apparatus using an organic photoreceptor giving high image quality with less image and character unevenness.例文帳に追加

本発明の目的は、薄層の有機感光体を用いて、長期に亘って高画質の電子写真画像を提供することであり、更には、画像むらや、文字チリの少ない高画質の有機感光体を用いた画像形成方法、画像形成装置を提供することである。 - 特許庁

The compound molded article is manufactured by a method including a molding step in which, for example, the crystalline thermoplastic resin-made thin-walled molded article is arranged in a die with a heat insulating layer formed at least at a part of an inner surface of the die, and the molten resin composition containing crystalline resin is poured.例文帳に追加

例えば、金型の内表面の少なくとも一部に断熱層が形成された金型の内部に、結晶性熱可塑性樹脂薄肉成形体を配置し、結晶性樹脂を含む溶融樹脂組成物を流し込む成形工程を備える方法で製造する。 - 特許庁

To provide a new electrode manufacturing device and an electrode manufacturing method which are capable of easily forming a thin electrode layer whose one side is, at least, smooth on a porous current collector, and causes no trouble even if a general coating device is used; and to provide an electrode and an electrochemical device.例文帳に追加

多孔質集電体に対して少なくともその片面が平滑で、薄い電極層を容易に得ることができ、しかも、図８のような一般的な塗工装置を用いても問題が発生しない新規な電極製造装置、電極製造方法、電極および電気化学素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method which hardly causes the breakage (including the chipping) of thin layer sheets near a via when peeling a carrier tape, regardless of the multilayer structure and reduction in thickness of ceramic green sheets, in manufacturing a multilayer electronic component such as a multilayer ceramic capacitor which needs a higher capacity and further reduction in thickness.例文帳に追加

高容量化・薄型化が求められる積層セラミックコンデンサ等のセラミック積層電子部品の製造において、セラミックグリーンシートの多層化及び薄型化に拘わらず、キャリアテープの剥離時に薄層シートのビア近傍部分の破れ（欠け等も含めて）が生じにくい手法を提供する。 - 特許庁

Provided is a method, by using an optical film laminate with a carrier film, which is made up of an optical film having a thin polarizing film and a carrier film adhered to the optical film via an adhesive layer, of sequentially adhering said optical film laminate to a rectangular panel having a long side and a short side.例文帳に追加

薄い偏光膜を有する光学フィルムと、該光学フィルムに粘着剤層を介して貼り付けられたキャリアフィルムとからなる、キャリアフィルム付光学フィルム積層体を使用して、長辺及び短辺を有する矩形形状のパネルに前記光学フィルム積層体を順次的に貼り付ける方法。 - 特許庁

To provide a method for producing glass fiber-reinforced rigid polyurethane foam in which it is difficult to be glass fiber-reinforced rigid polyurethane foam having a thin foamed layer when foaming is finished, and the reinforcing fibers are distributed uniformly in the thickness direction to produce a product high in uniformity.例文帳に追加

発泡終了時に発泡層の薄いガラス繊維強化硬質ポリウレタンフォームとなり難く、補強繊維が厚み方向で均一に分布し、均一性の高い製品を製造可能なガラス繊維強化硬質ポリウレタンフォームの製造方法とその製造装置を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a printed circuit board comprises layering an electrodeposited extremely thin metal foil which is used for manufacturing the printed circuit board, on a surface of a metal plate 10 to form a metal plated layer P, sticking it on insulating resin materials I or on base materials for forming a circuit through the resin materials, and then stripping it from the metal plate 10.例文帳に追加

プリント基板の製造に用いる極薄電解金属箔を金属板１０の表面に成層させた金属めっき層Ｐとし、該めっき層を絶縁樹脂材Ｉ又は該樹脂材を介して回路形成基材に貼り付け後、金属板１０から引き剥がす。 - 特許庁

To provide an apparatus for lamination shaping and a method for lamination shaping in which a supporting part is made in such a way that it is possible to mold in high speed and accurately a necessary shape and in addition, thickness, etc., of a thin layer can be changed or corrected based on molding condition, etc., of a formed molded sample.例文帳に追加

サポート部を必要とする形状の造形が高速に精度よく可能で、更に、形成した造形サンプルの造形条件等に基づき薄層の層厚等を変更または補正できるようにした積層造形装置および積層造形方法を提供すること。 - 特許庁

In a method for manufacturing the organic thin film transistor wherein at least three terminals, namely a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulating layer and an organic semiconductor layer are formed on a substrate and the source-drain current is controlled by applying a voltage to the gate electrode, an insulating layer-forming step includes vapor phase film deposition of a fluorine polymer.例文帳に追加

少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタを作製する方法であって、該絶縁体層の形成工程がフッ素ポリマーの気相成膜を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法及び該方法で製造されてなる有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

This manufacturing method of the organic thin-film transistor has an electrode-forming process of forming a source electrode 103 and a drain electrode 104; an organic semiconductor layer process of forming an organic semiconductor layer 105, connected to the source electrode 103 and the drain electrode 104; and an aging process of heating the organic semiconductor layer 105 and applying an AC voltage to a portion between the source electrode 103 and to the drain electrode 104.例文帳に追加

本発明に係る有機薄膜トランジスタの製造方法は、ソース電極１０３及びドレイン電極１０４を形成する電極形成工程と、ソース電極１０３及びドレイン電極１０４に接続される有機半導体層１０５を形成する有機半導体層工程と、有機半導体層１０５を加熱し、ソース電極１０３及びドレイン電極１０４間に交流電圧を印加するエージング工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the oxide superconducting thin film in which nanoparticles are provided in layers at predetermined intervals includes alternately performing: an oxide superconducting layer producing process of applying an organic metal compound solution and performing calcination heat treatment and main burning treatment to produce an oxide superconducting layer having a predetermined thickness; and a nanoparticle depositing process of depositing the nanoparticles on the oxide superconducting layer by using a solution of the nanoparticles.例文帳に追加

有機金属化合物溶液の塗布、仮焼熱処理、本焼熱処理を行い、所定厚みの酸化物超電導層を作製する酸化物超電導層作製工程と、ナノ微粒子の溶液を用いて酸化物超電導層の上にナノ微粒子を付着させるナノ微粒子付着工程とを、交互に行い、ナノ微粒子が所定間隔で層状に設けられた酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI (Silicon On Insulator) wafer, wherein an SOI wafer can be manufactured which can be adjusted to a desired resistivity by controlling the dopant concentration of an SOI layer even if a buried oxide film is thin when a silicon single-crystal wafer having a high-concentration layer containing a dopant to a high concentration is used as a base wafer and whose defect is suppressed.例文帳に追加

ドーパントを高濃度に含有する高濃度層を有するシリコン単結晶ウェーハをベースウェーハとして使用する場合において、たとえ埋め込み酸化膜が薄くても、ＳＯＩ層のドーパント濃度を制御して所望の抵抗率に調整することができ、欠陥が抑制されたＳＯＩウェーハを製造できるＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

By the manufacturing method, the amount of the metal catalyst contributing to crystallization is adjusted using the filtering oxide film that makes the diffusion of the metal catalyst difficult, so that the crystal grains in the polycrystalline silicon layer become larger in size due to the adjusted metal catalyst, the amount of the metal catalyst remaining in the polycrystalline silicon layer is minimized, and thus the thin film transistor having superior characteristics is provided.例文帳に追加

金属触媒の拡散が困難なフィルターリング酸化膜を用いて結晶化に寄与する金属触媒の量を調節し、調節された金属触媒によって多結晶シリコン層の結晶粒の大きさを大きく形成し、多結晶シリコン層に残留する金属触媒の量を最小化して特性が優れた薄膜膜トランジスタを製造できる効果がある。 - 特許庁

To provide an interior/exterior panel wherein a surface layer comprising a thin metal sheet is integrally applied and laminated to the surface of a base material layer formed of a lightweight and flexible material like a resin foam material and an engaging recessed groove having an almost U-shaped cross section is formed to the terminal part or the like of the panel, and to provide a terminal processing method therefor.例文帳に追加

樹脂発泡材のように軽量で柔らかな材料で形成された基材層の表面に薄い金属板からなる表面層が一体的に被覆積層された内・外装パネルにおいて、本パネルの端末部分等に断面略Ｕの字ないしコの字形状をした係合凹溝を形成することが可能な内・外装パネル及びその加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a cleaning method of easily removing residues generated at dry-etching carried out for etching an a-Si semiconductor layer or a polysilicon semiconductor layer and very efficiently cleaning a semiconductor substrate without corroding a silicon wafer, a board of glass, plastic or the like, and a-Si, polysilicon, and wiring materials used for a thin film circuit at all in a semiconductor substrate manufacturing process.例文帳に追加

半導体基板を製造する工程で、半導体層であるａ−Ｓｉやポリシリコン等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス、シリコンウェハー、プラスチック等の基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method for a transfer mask, having openings formed into a thin film supported with a support frame, the openings are formed, using an etching mask layer as a mask, the etching mask layer is formed, using a resist pattern formed by the lithography using a photoresist as the mask, and the corner squareness of the opening pattern is set at 90°±0.3°.例文帳に追加

支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクの製造方法であって、前記開口は、エッチングマスク層をマスクとして形成されてなり、前記エッチングマスク層は、フォトレジストを用いたリソグラフィー法により形成されたレジストパターンをマスクとして形成され、開口パターンのコーナーの直角度が、９０°±０．３°であることを特徴とする転写マスクの製造方法。 - 特許庁

This method is constituted to accurately decide a surface plasmon resonance angle based on the fitting equation of an asymmetric surface plasmon resonance curve derived from the three-layer Fresnel equation for P-polarization at the time of measuring the state of a material, by utilizing a surface plasmon resonance phenomenon by using a surface plasmon resonance sensor system composed of three layers of a prism, a thin metallic film, and a sensing layer.例文帳に追加

プリズム−金属薄膜−センシング層の三層から成る表面プラズモン共鳴センサーシステムを用い、表面プラズモン共鳴現象を利用して物質状態を測定する際にP偏光の三層フレネルの式から導いた式 で表される非対称表面プラズモン共鳴カーブのフィッティング方程式に基き表面プラズモン共鳴角を正確に決定するように構成される。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic thin film transistor comprises a step for preparing a substrate, a step for forming a gate electrode on the substrate, a step for forming a gate insulating film all over the surface of the substrate including the gate electrode, a step for forming an organic active layer on the gate insulating film by back exposure, and a step for forming source and drain electrodes on the active layer.例文帳に追加

有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板を準備する段階と、前記基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含む基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に背面露光によって有機アクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層上にソース及びドレイン電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

A base film 602 and an amorphous silicon film 603 are formed on a substrate 601, a silicon oxide film of thickness 10 to 100 Å is formed on the amorphous silicon film 603, then a very thin nickel acetate layer 604 is formed thereon through a spin coating method, and the amorphous silicon film 603 is crystallized to serve as an active layer of a semiconductor device.例文帳に追加

基板６０１上に、下地膜６０２、非晶質珪素膜６０３を形成し、この非晶質珪素膜６０３の表面に厚さ１０〜１００Åの酸化珪素膜を形成した状態で、スピンコーティング法によって極めて薄い酢酸ニッケル層６０４を形成し、非晶質珪素膜６０３を結晶化し、これを活性層とする半導体装置を作製する。 - 特許庁

A substrate 10 of which at least the surface is non-conductive is prepared, the underlayer 11 including a plurality of fine particles 11p of at least one type with a conductive zinc oxide as a main constituent is formed on the surface by an application method, and a conductive zinc oxide thin-film layer 12 is formed on the underlayer 11 by a chemical bath deposition method.例文帳に追加

少なくとも表面が非導電性である基板１０を用意し、その表面に導電性酸化亜鉛を主成分とする少なくとも１種の複数の微粒子１１ｐを含む下地層１１を塗布法により形成し、下地層１１上に、導電性酸化亜鉛薄膜層１２を化学浴析出法により形成する。 - 特許庁

To provide an electronic part such as a laminated ceramic capacitor in which even in the case thickness of an internal electrode layer is especially thin-layered, without affecting composition of a dielectric material, superior metallization performance is held, and as a result, an electrode covering rate and reliability are improved, a method of manufacturing the same, and a paste composition used for the method of manufacturing the same.例文帳に追加

特に内部電極層の厚みを薄層化した場合であっても、誘電体材料の組成に影響を与えることなく、良好なメタライズ性を有し、その結果、電極被覆率や信頼性が向上された積層セラミックコンデンサなどの電子部品、その製造方法、その製造方法に用いられるペースト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and system for depositing a metal oxide, in which deposition is performed with good film characteristics on an organic layer while making effective use of the excellent features of the film structure by ordinary sputtering by reducing the kinetic energy possessed by the sputter particles (thin film-constituting atoms) in sputtering and a method and apparatus for manufacturing an organic EL element.例文帳に追加

スパッタリングにおけるスパッタ粒子（薄膜構成原子）の持つ運動エネルギーを軽減することにより、通常のスパッタリングによる優れた膜構造の特徴を活かしつつ有機層上に特性の良い成膜を可能にする、金属酸化物の成膜方法および成膜装置、有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a high-density silicon oxide film, which suppresses the occurrence of a sub-oxide layer as much as possible without damaging a surface of a film formation substrate and improves insulating characteristics of an oxide film furthermore to make the oxide film thin, and a silicon substrate and a semiconductor device which include the high-density silicon oxide film manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

成膜基板表面にダメージを与えず、サブオキサイド層の発生を極力抑制し、酸化膜の絶縁特性をより向上させて酸化膜を薄膜化させることができる高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for processing a lithographic printing plate for improving plate wear of a minute image with less jumping in thin lines and a highlight portion occurring during printing a large number of sheets in the lithographic printing plate which contains physical developing nuclei between an anodically oxidized aluminum support and a silver halide emulsion layer and which utilizes a silver complex salt diffusion transfer method.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、多数枚の印刷時に発生する細線やハイライト部の飛びの少ない、微小画像の耐刷性が改善された平版印刷版の処理方法を提供しする。 - 特許庁

To provide a method for producing a polycrystalline thin film and a method for producing a composite nanocrystal layer, with which variation in size of a great number of columnar crystals grown in a direction perpendicular to one surface of a substrate and variation in formation positions can be suppressed, and a field-emission electron source enhancing electron emission efficiency and a luminescent device enhancing luminous efficiency.例文帳に追加

基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device for forming an impurity implantation region on the surface of a semiconductor substrate by an ion implantation method includes processes of: forming a mask layer including an SiO_2 film and a thin metal film on the surface of the semiconductor substrate; and implanting impurity ions.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、イオン注入法により半導体基板の表面に不純物の注入領域を形成する半導体装置の製造方法であって、半導体基板の表面に、ＳｉＯ_2膜と金属薄膜を備えるマスク層を形成する工程と、不純物イオンの注入を行なう工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of more reliably forming a semiconductor material layer, an electrode, and a wiring pattern, especially the pattern of source and drain electrodes requiring precise patterning in a thin-film transistor, and to provide a method of forming a semiconductor channel having high mobility precisely with improved reproducibility together with the electrode pattern.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、より確実に半導体材料層また電極や配線パターン、特に、高精度なパターニングが要求されるソース、ドレイン電極のパターンを形成する方法を提供することにあり、更に電極パターンと共に移動度が高い半導体チャネルを高精度、再現性よく形成する方法を提供することにある。 - 特許庁

The method of manufacturing the KNbO_3 single crystal thin film comprises a coating process for coating an SrTiO_3 single crystal substrate 11 with liquid drops of an aqueous solution containing KNbO_3 by a liquid drop discharge method and a deposition process for depositing the potassium niobate single crystal layer 12 from the applied liquid drops by epitaxial growth.例文帳に追加

ＫＮｂＯ_３単結晶薄膜の製造方法は、液滴吐出法によってＫＮｂＯ_３を含む水溶液の液滴をＳｒＴｉＯ_３単結晶基板１１上に塗布する塗布工程と、塗布された液滴からニオブ酸カリウム単結晶層１２をエピタキシャル成長によって析出する析出工程とを備えているものとした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film solar cell capable of simplifying a process by unnecessitating degassing of a substrate when a photoelectric conversion layer is formed, preventing a relative positional deviation of connecting holed and current collecting holed and applying a laser processing method capable of forming holes of high quality.例文帳に追加

光電変換層形成時における基板の脱ガス処理を不要としてプロセスの簡略化と、また接続孔と集電孔との相対的位置ズレの発生防止とを図り、さらに接続孔や集電孔などの加工に、高品質の孔加工が可能なレ−ザ加工法を適用可能とする薄膜太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the thin film transistor equipped with a semiconductor layer and an electrode member formed on a substrate comprises a process for forming the electrode member effected after forming the semiconductor layer on the substrate, or a process for forming the electrode member consisting of a metallic material employing liquid phase method while the firing temperature of the electrode member in the process is lower than 250°C.例文帳に追加

基板上に形成された半導体層と電極部材とを具備した薄膜トランジスタの製造方法であって、前記基板上に前記半導体層を形成した後に行われる前記電極部材を形成する工程が、液相法を用いて金属材料からなる前記電極部材を形成する工程であり、当該工程における前記電極部材の焼成温度が２５０℃以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an information display panel capable of preventing breakage of a substrate and disconnection of a conductive film on the substrate when external force is applied to the transparent and thin viewer side substrate which has ≤100 μm thickness and capable of sticking a transparent sheet to be a protective layer for the transparent and thin substrate without spoiling visibility so that an influence from an external environment is hardly received.例文帳に追加

厚さ１００μｍ以下の薄くて透明な観察側の基板に対して、外力を受けたときに、基板が破損したり、基板上の導電膜が断線したりすることを防止し、さらに外部環境からの影響を受けにくくするために、この薄い透明基板の保護層となる透明シートを、視認性を損なうことなく貼り合わせることができる情報表示用パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing IC chips is provided for processing a silicon wafer under the condition in which a thin film of a reinforced silicon wafer is glued to a tape for grinding or for dicing in at least a grinding step or a dicing step, wherein the thin film of the reinforced silicon wafer is reinforced by a supporting member via an adhesive layer whose adhesive strength degrades by applying energy.例文帳に追加

少なくとも研削工程又はダイシング工程において、補強シリコンウエハ薄膜を研削用テープ又はダイシングテープに貼り付けた状態でシリコンウエハの加工を行うＩＣチップの製造方法であって、前記補強シリコンウエハ薄膜は、エネルギーを付与されることにより粘着力が低下する粘着剤層を介してシリコンウエハが支持体により補強されてなるものであるＩＣチップの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor thin film comprises a step of forming an amorphous Si semiconductor layer 12 on an insulating board 11, a step of forming and patterning the insulating film 13 on the layer 12, and a laser emitting step of intermittently emitting plural times a laser of a energy of a critical energy or more of crystallization of the Si semiconductor 12 to the layer 12.例文帳に追加

本発明は絶縁性基板１１上にアモルファスのＳｉ系半導体層１２を形成する工程と、アモルファスのＳｉ系半導体層１２の上に絶縁性層１３を形成してパターニングする工程と、Ｓｉ系半導体１２の結晶化の臨界エネルギー以上のエネルギーのレーザーをＳｉ系半導体層１２に間欠的に複数回照射するレーザー照射工程とを具備することを特徴とするＳｉ系半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor of a thin plate type or a card type and its manufacturing method of high productivity, wherein an electrolyte is restrained from leaking out, moisture absorption of a polarizable electrode, and a polarizable electrode and a separator are brought into close contact with each other by ensuring reliable sealing for the capacitor.例文帳に追加

信頼性が高い封止を確保することにより、電解液の漏洩、分極性電極の水分吸着、分極性電極とセパレータの密着性の不具合等を払拭し、かつ薄板形状をなす、いわゆるカードタイプとしての電気二重層コンデンサの構成、および生産性が高い製造方法を提供すること。 - 特許庁

To improve the characteristics of a TFT(thin film transistor) by forming the interface between a region constituting an active layer, specially a channel formation region, and an insulating film into a satisfactory interface and also provide a semiconductor device provided with a semiconductor circuit, consisting of a semiconductor element having uniform characteristics, and the manufacturing method of the device.例文帳に追加

本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁

The spiral collection to a computed tomographic thin layer slice 36 for collimating a fan beam 18 to less than the width of a multi-row detector 22 is provided by applying a weighting method for correcting the asymmetry of the detector profile 34 of the detector accompanying such a collimation and then performing an interpolation.例文帳に追加

ファンビーム（１８）を多列式検出器（２２）の幅未満までコリメートさせているコンピュータ断層の薄層スライス（３６）に対するらせん状収集は、こうしたコリメーションに伴う検出器の検出器プロフィール（３４）の非対称性を補正するような重み付け方式を適用した後に補間をすることにより提供される。 - 特許庁

To provide a multi-junction thin-film silicon solar cell module having high light conversion efficiency, in which current leakage through an intermediate layer having conductivity, light transmissivity and light reflectivity is suppressed and an ineffective area not contributing to electricity generation is prevented from enlarging, and to provide a method of manufacturing the module.例文帳に追加

導電性を有し、光透過性及び光反射性を有する中間層を介した電流リークが抑制され、且つ、発電に寄与しない無効面積の拡大が抑制された高い光変換効率を有する多接合薄膜シリコン太陽電池のモジュール及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for easily removing a residual generated in dry-etching on SiN (silicon nitride) which is an insulting film layer in a process for manufacturing a semiconductor substrate and efficiently cleaning the semiconductor substrate without the corrosion of a-Si, polysilicon and a wiring material, which are used for a glass substrate and a thin film circuit.例文帳に追加

半導体基板を製造する工程で、絶縁膜層であるＳｉＮ（窒化シリコン）等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tandem-type thin film solar cell module having electric conductivity and high light conversion efficiency in which current leakage through an intermediate layer with light transmissivity and light reflectivity is prevented from occurring and an ineffective area not contributing to electricity generation is prevented from enlarging, and its manufacturing method.例文帳に追加

導電性を有し、かつ、光透過性及び光反射性を有する中間層を介した電流リークが抑制され、且つ、発電に寄与しない無効面積の拡大が抑制された高い光変換効率を有するタンデム型薄膜シリコン太陽電池のモジュール及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing an edible laminated film peroral agent that is made of an edible film having a multi-layer structure that is made of extremely thin films being capable of meeting the quantitative accuracy required in an oral medicinal agent with high productivity without occurrence of time limitation in a drying step, or the like.例文帳に追加

医薬口腔内投与剤等に要求される量的精度を満たすことができ、しかも乾燥工程等にも時間的制約が生ずることのない、生産性に優れた、極めて薄い層が積層された多層構造を有する積層フィルム状可食性口腔内投与剤の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the multilayer wiring board 10 includes: a step of alternately laminating the insulating layers 12 and the thin-film conductors 14 to form the multilayer laminate 16; a step of drilling the bottomed holes 18 each of which extends from a surface of the multilayer laminate 16 to the prescribed insulating layer 12; and a step of providing the conductor plating layers 20 on the inner surfaces of the bottomed holes 18.例文帳に追加

多層配線板１０の製造は、複数の絶縁層１２と薄膜導体１４とを交互に積層し、多層積層体１６を形成し、多層積層体１６の表面から所定の絶縁層１２に達するまで、ドリルによって有底穴１８を開け、有底穴１８の内面に導体メッキ２０をおこなう。 - 特許庁

To provide a perpendicular medium in which an isolation structure of an underlayer is formed using a simple method as in a conventional manufacturing process for a medium of continuous films, while suppressing dispersion of alignment and reducing magnetic cluster size in a magnetic recording layer, and exhibiting high recording density owing to thin film thickness of the underlayer.例文帳に追加

従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。 - 特許庁

To provide a solar cell including unit cells having an organic thin film electromotive force layer, ends of adjacent unit cells being overlapped with each other to provide conduction, and capable of reducing resistance between a conductive base material of one unit cell and an upper electrode of the other unit cell in the overlapped portion, and to provide a method for manufacturing the solar cell.例文帳に追加

有機薄膜起電力層を有した単位セルの端部同士を重ね合わせて導通させた太陽電池において、この重ね合わせた部分における一方の単位セルの導電性基材と他方の単位セルの上部電極との間の抵抗を小さくすることができる太陽電池と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

When the piezoelectric layer 24b is formed by a sputtering method in manufacturing, the piezoelectric thin film is heteroepitaxially grown on one surface side of the substrate 20a for element formation while the substrate 20a for element formation is held at a specified temperature of ≥500°C, and then the substrate 20a for element formation is rapidly cooled from the specified temperature.例文帳に追加

製造時、圧電層２４ｂをスパッタ法により形成する際は、素子形成用基板２０ａの温度を５００℃以上の規定温度として素子形成用基板２０ａの一表面側に圧電薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた後、素子形成用基板２０ａを規定温度から急速冷却する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for applying an adhesive, which can apply the adhesive to a sheet-like base material in a plurality of predetermined patterns, can improve an extra value of a bubble sheet, and further can apply the adhesive to the sheet-like base material in a thin layer; and to provide a bubble sheet with the adhesive.例文帳に追加

複数の所定の塗布パターンで、粘着剤をシート状基材に塗布することができ、また、気泡シートの付加価値などを向上させることができ、さらに、粘着剤をシート状基材に薄く塗布することができる粘着剤塗布装置、粘着剤塗布方法、粘着剤付き気泡シートの提供。 - 特許庁