「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(130ページ目) - Weblio英語例文検索

In a thin area 44 in which a signal interconnect line 41 is not formed in the upper layer of a semiconductor device 40, a charge removing interconnect line 45 connected to a power interconnect line 43 is formed.例文帳に追加

半導体装置４０上層の信号配線４１が形成されていない疎領域４４には、電源配線４３に接続された電荷除去用配線４５が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for spray-coating a electrophotographic photoreceptor by which the clogging of a spray gun is prevented and a thin and uniform dispersed layer of about sub μm to several μm is formed.例文帳に追加

スプレーガンのつまりを防止し、かつサブμｍから数μｍ程度の薄く均一な分散層が形成できる電子写真感光体をスプレー塗布する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric thin-film element which prevents changes in the properties or cracks of a surface layer from occurring, when heat treatment is conducted to improve the characteristics of the element and to provide a thin-film capacitor, using the element and a piezoelectric actuator.例文帳に追加

強誘電体薄膜素子の特性改善のため熱処理を行う場合に表面層の変質やクラックの発生等を防止する製造方法、およびこの強誘電体薄膜素子を用いた薄膜コンデンサおよび圧電アクチュエータを提供することを目的とする。 - 特許庁

Since ruggedness resulting from dents 55H provided in the insulator layer 55 is fully eased in a polishing process, when a plurality of thin film magnetic heads are formed on a wafer in parallel, the formation thickness of principal magnetic pole layers 10 become to be hardly fluctuated among respective thin film magnetic heads.例文帳に追加

研磨過程において絶縁層５５に設けられている窪み５５Ｈに起因する凹凸が十分に緩和されるため、ウェハに複数の薄膜磁気ヘッドを並列的に形成する場合に、各薄膜磁気ヘッド間において主磁極層１０の形成厚さがばらつきにくくなる。 - 特許庁

The electrode for the lithium secondary battery has a thin film containing an active material storing/releasing Li formed on a collector, and the active material thin film has a surface layer made of nitride on its surface, with a thickness of more than 1 nm and smaller than 100 nm.例文帳に追加

本発明のリチウム二次電池用電極は、Liを吸蔵・放出する活物質を含有する薄膜が集電体上に形成されたリチウム二次電池用電極であって、活物質薄膜は、表面に窒化物から成る表面層を有し、表面層の厚さは、1nm超100nm未満であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a polysilicon thin film transistor substrate, which can improve the electrical characteristic of a semiconductor layer, by flattening a rough surface due to the projection of crystal grains of a crystallized polysilicon, and a liquid crystal display including the thin film transistor substrate manufactured by the same.例文帳に追加

結晶化されたポリシリコンの結晶粒が突出して荒れた表面を平坦化して半導体層の電気的特性を向上させることができるポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれによって製造された薄膜トランジスタ基板を含む液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A conductive thin film 14 each is formed on a first electrode 24 connected to the wiring 18 and a second electrode 25 connected to the wiring 17, and an electron emission part 13 formed on the conductive thin film 14 is arranged on an insulating layer 51 with the barrier film 15 and the insulating film 16 laminated.例文帳に追加

配線１８に接続する第１電極２４と配線１７に接続する第２電極２５とに導電性薄膜１４を形成し、導電性薄膜１４に形成された電子放出部１３が、バリア膜１５と絶縁膜１６とが積層した絶縁層５１の上に配置されている。 - 特許庁

The piezoelectric thin film resonator is characterized by having a piezoelectric lamination structure 14 wherein an insulator layer 13 constituted of a dielectric film whose main component is silicon oxide or silicon nitride, a lower electrode 15, a piezoelectric thin film 16 and an upper electrode 17 are laminated in this order at a position facing a viahole 20 of a substrate 12.例文帳に追加

基板１２のビアホール２０に面する位置にて、酸化シリコンまたは窒化シリコンを主成分とする誘電体膜からなる絶縁体層１３、下部電極１５、圧電体薄膜１６および上部電極１７がこの順に積層された圧電積層構造体１４を備える。 - 特許庁

Afterwards, when a single-crystal semiconductor thin film 20 is grown on the porous layer, a plurality of fine projecting structures 21 formed of crystal habits appearing on the surface with the same plane direction (100) as that of the single-crystal semiconductor substrate are formed on the surface of the single-crystal semiconductor thin film 20.例文帳に追加

その後、多孔質層の上に単結晶半導体薄膜２０を成長させると、その表面に、単結晶半導体基板と同一の（１００）面方位を有するとともに、表面に現れた結晶晶癖により形成された多数の微小な凸構造２１が形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a rare earth permanent magnet thin film enabling mass-production at low cost of a high performance and small micro device with high processing accuracy, using a high performance permanent magnet thin film laminated with a high melting point metal layer, such as Ta, and a R-T-B based permanent magnet.例文帳に追加

Ｔａなどの高融点金属層とＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石が積層された高性能永久磁石薄膜を用いた、高加工精度の小型・高性能なマイクロデバイスを、低コストで大量に生産することができる、希土類永久磁石薄膜の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of forming a thin-film semiconductor layer having improved properties on a substrate surface in which flatness is maintained appropriately regardless of a substrate configuration, and capable of obtaining a semiconductor device in which an element having improved characteristics is provided on an extremely thin plastic substrate.例文帳に追加

基板構成によらずに平坦性が良好に維持された下地面上に膜質の良好な薄膜半導体層を形成することができ、ごく薄いプラスチック基板上に特性の良好な素子を設けた半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

Then a gas barrier type transparent thin film layer which has a refractive index smaller than the refractive index of the compound semiconductor element and larger than the refractive index of the light-transmissive sealing material is formed on the compound semiconductor element and electrode by using vacuum thin-film formation technique such as sputtering, CVD, etc.例文帳に追加

その後、化合物半導体素子及び電極上に化合物半導体素子の屈折率の値より小さく、透光性封止材料の屈折率の値より大きい値の屈折率を持つガスバリア性の透明薄膜層を、スパッタリング法やCVD法等の真空薄膜作成技術を用いて成膜する。 - 特許庁

This thin film magnetic head is provided with a first and a second magnetic layers 8 and 14, a gap layer 9 provided between the first and the second magnetic layers 8 and 14 and thin film coil 10, the part of which is provided between the first, and the second magnetic layers 8 and 14.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、第１の磁性層８および第２の磁性層１４と、第１の磁性層８と第２の磁性層１４との間に設けられたギャップ層９と、一部が第１の磁性層８および第２の磁性層１４の間に設けられた薄膜コイル１０とを備えている。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a thin film solar battery for preventing deterioration of insulating resistance of a cell separation part or short circuit caused by generation of metal residue of a back surface electrode layer in cell separation, and manufacturing a thin film solar battery with excellent power generation efficiency and yield.例文帳に追加

セル分離時における裏面電極層の金属残渣の発生に起因したセル分離部の絶縁抵抗の低下や短絡の発生を防止して発電効率および歩留まりに優れた薄膜太陽電池を製造することができる薄膜太陽電池の製造方法を得ること。 - 特許庁

The ultraviolet ray can also irradiate to the part of the thin film after the orientation processing is applied to the thin layer formed on the substrates 15, 16, on which electrodes are formed beforehand, and after the liquid crystal panel 5 is completed by enclosing liquid crystal between the substrate members 11, 12.例文帳に追加

また前記紫外線は、前記電極形成後の基板１５，１６上に形成された薄膜に前記配向処理が施された後、前記基板部材１１，１２間の液晶が封入されて液晶パネル５が完成した後に、前記薄膜内の前記部分に照射されてもよい。 - 特許庁

A pattern substrate 31 having a plurality of thin films 30 on a substrate 1 via a releasing layer 2 and an opposing substrate 62 on an opposing stage 6 are disposed at a place where they don't face each other, and a surface of the opposing substrate 62 and a surface of the thin films 30 are irradiated with the Ar gas 7 to be cleaned.例文帳に追加

基板１上に離型層２を介して複数の薄膜３０を形成したパターン基板３１と対向ステージ６上の対向基板６２を互いに対向しない位置に配置し、対向基板６２および薄膜３０の表面にＡｒガス７を照射して清浄化する。 - 特許庁

A semiconductor film containing a rare gas element with 1×10^20/cm^3 to 1×10^21/cm^3 formed by a plasma CVD method is formed and a part of the semiconductor film is removed to form an active layer, and accordingly, a top gate type thin-film transistor or a bottom gate type thin-film transistor is formed.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

To provide an oxide superconducting thin film wire material having a high superconducting property with stability by forming an oxide superconducting layer having a high crystal orientation with both the reduction in crystal orientation, and the occurrence of variations thereof suppressed in manufacturing the oxide superconducting thin film wire material.例文帳に追加

酸化物超電導薄膜線材の製造において、結晶配向性の低下やバラツキの発生が抑制された高い結晶配向性を有する酸化物超電導層を形成して、高い超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を安定して提供する。 - 特許庁

The lens materials 41, 42, 43 may be filled in the recess 12 of the master of microlens 10, after a transparent intermediate layer is formed by molding the thin film by pressing the master of microlens 10 to the thin film side of the substrate.例文帳に追加

基板３０上に中間層材料の薄膜を形成し、該基板の前記薄膜側にマイクロレンズ原版１０を押し付けて前記薄膜を成形して透明な中間層を形成してから、マイクロレンズ原版１０の凹部１２にレンズ材料４１、４２、４３を充填しても良い。 - 特許庁

The organic light emitting element consists of organic layers sandwiched between a positive electrode and a negative electrode, wherein at least one layer among the organic layers is formed by acrylic thin film containing at least one kind of acrylic compound or an acrylic cured film obtained by curing the acrylic thin film.例文帳に追加

陽極と陰極と間に挟持される有機層から構成され、該有機層のうち少なくとも一層が、アクリル化合物を少なくとも一種類含むアクリル薄膜又は該アクリル薄膜を硬化したアクリル硬化膜で形成されることを特徴とする、有機発光素子。 - 特許庁

In the organic electroluminescence display panel which increases the aperture ratio of pixels and is equipped with pixel circuits by the pixels, at least one thin film transistor constituting a pixel circuit has its source and drain electrodes formed of semiconductor layers, and a metal layer is arranged on the g ate electrode of the thin film transistor.例文帳に追加

本発明は画素の開口率を改善し、画素別画素回路を備えた有機電界発光表示パネルにおいて、画素回路を構成する少なくとも１の薄膜トランジスタは半導体層でソース及びドレイン電極が形成され、この薄膜トランジスタのゲート電極上に金属層を配置する。 - 特許庁

In a laminated body provided by laminating a polymer film on at least one side face of a metal thin film, the metal thin film and the polymer film are laminated via an adhesive layer comprising a polyolefin based elastomer which is soluble in an organic solvent and has a polar group.例文帳に追加

金属薄膜の少なくとも一方の面にポリマーフィルムを積層してなる積層体において、金属薄膜とポリマーフィルムとが有機溶媒に可溶で極性基を有するポリオレフィン系エラストマーからなる接着層を介して積層されていることを特徴とする積層体。 - 特許庁

With the organic electroluminescent element having one or a plurality of organic thin film layers including a luminescent layer between a positive electrode 1 and a negative electrode 5, at least one of the above organic thin film layers includes an aromatic methylidyne compound represented in the formula.例文帳に追加

陽極１と陰極５の間に発光層３を含む一層又は複数層の有機薄膜層を有する有機電界発光素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が、下記一般式で表される芳香族メチリデン化合物を含む有機電界発光素子。 - 特許庁

Then the resist film 11 is developed with an alkaline developer, to form a thin film part 11c at the exposed part 11a of the resist film 11 and then a sylilation process 14 is carried out for the resist film 11 to form a sylilation layer 15 at the thin film part 11c of the resist film 11.例文帳に追加

次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性現像液による現像を行なって、レジスト膜１１の露光部１１ａに薄膜部１１ｃを形成した後、レジスト膜１１にシリル化処理１４を行なって、レジスト膜１１の薄膜部１１ｃにシリル化層１５を形成する。 - 特許庁

For the organic EL element having the organic thin films 40, 50 and 60 including the light emitting layer 50 between a pair of electrodes 20, 80, all organic materials constructing those organic thin films 40, 50 and 60 are made of materials having volatilizing property when forming a film by a vacuum evaporation method.例文帳に追加

一対の電極２０、８０の間に発光層５０を含む有機薄膜４０、５０、６０を有する有機ＥＬ素子において、これら有機薄膜４０〜６０を構成する全ての有機材料が、真空蒸着法による成膜時において蒸発性を有するものからなる。 - 特許庁

This laminate can be etched using the neutral electrolyte and features that a metallic thin coat conducting layer 3 and a non-metallic conducting thin coat 4 with not more than 2×10^8Ω/square surface electrical resistivity directly overlie a non-conductive base material 2 in that order or the reverse order.例文帳に追加

非導電性基材２上に金属系薄膜導電層３と表面抵抗率が２×１０^8Ω／□以下の値である非金属導電性膜４が、この順または逆順に直接積層されて設けられてなることを特徴とする、中性電解液でエッチング可能な積層体である。 - 特許庁

To provide a laminate structure, an integrated structure and a manufacturing method of them, of a CIS-based thin film solar cell, with and by which a high-resistance buffer layer of the CIS-based thin film solar battery can be efficiently manufactured with a high production efficiency through a series of manufacturing lines and waste liquid need not be treated.例文帳に追加

本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の積層構造、集積構造及びその製造方法を得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a method capable of obtaining a thin film, having a resistivity suitable as the light-absorbing layer of a solder cell in a method for forming an Ib-IIIb-VIb2 compound semiconductor (CuInS2) thin film by a CVD method (chemical vapor deposition method), using an organic metallic compound as its raw material.例文帳に追加

有機金属化合物を原料として用いたＣＶＤ法によりＩｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ_2 族化合物半導体（ＣｕＩｎＳ_2 ）薄膜を形成する方法において、太陽電池の光吸収層として適切な抵抗率の薄膜が得られる方法を提供する。 - 特許庁

The cooling drum for thin strip continuous casting has a cover layer with the rare earth metal oxide of Ce2O3 or La2O3 of the thickness of 10-100 μm thermal-sprayed on an outer surface of the cooling drum in a thin strip continuous casting apparatus using the cooling drum.例文帳に追加

冷却ドラムを用いた薄帯連続鋳造装置において、前記冷却ドラム外表面に厚さ１０μｍ〜１００μｍのＣｅ_2 Ｏ_3 或いはＬａ_2 Ｏ_3 の希土類金属酸化物を溶射した被覆層を有することを特徴とする薄帯連続鋳造用冷却ドラム。 - 特許庁

A thin film is formed by dividing a layer of the humidifying agent at a 1st and a 2nd humidifying agent dividing nips 116, 118 by the measuring roll, the thin film is received by the humidifying agent giving roll at a humidifying agent receiving nip 122 and the desired amount of the humidifying agent is given to the copy sheet 52 at a humidifying agent giving nip 124.例文帳に追加

計量ローラは、第１及び第２の加湿剤分割ニップ(116,118)において加湿剤層を分割して薄膜を形成し、加湿剤付与ローラは、加湿剤受け取りニップ(122)においてその薄膜を受け取って、加湿剤付与ニップ(124)において所望量の加湿剤をコピーシート(52)上に付与する。 - 特許庁

The ladder type thin film bulk wave resonator filter is provided with two series FBAR 10 and two parallel FBAR 11 each comprising a thin film bulk wave resonator (FBAR) having a lower electrode 25, upper electrodes 24, 27 and a piezoelectric layer held between them.例文帳に追加

はしご型の薄膜バルク波共振子フィルタは、それぞれ下部電極２５と上部電極２４，２７とこれらに挟まれた圧電層とを有する薄膜バルク波共振子（ＦＢＡＲ）よりなる２つの直列ＦＢＡＲ１０および２つの並列ＦＢＡＲ１１を備えている。 - 特許庁

To provide a BSRO (barium-containing strontium ruthenate) electrode favorable for a lower electrode layer of PZT (lead zirconate titanate) thin film, a method of manufacturing the same, a piezoelectric element equipped with the same, an ink jet recording head equipped with the piezoelectric element, and a thin film capacitor.例文帳に追加

ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系の薄膜の下部電極層として有望な、ＢＳＲＯ（バリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム）電極、該電極の製造方法ならびに該電極を備えた、圧電体素子、この圧電体素子を備えたインクジェット式記録ヘッドおよび薄膜キャパシタを提供する。 - 特許庁

Many minute projections are formed on the thin film coating surface based on nonuniformity of the substrate surface or the thin film coating layer in the region making a shot region by one laser beam as an unit by setting the laser intensity near a forming threshold value of the minute projection.例文帳に追加

レーザの強度を、微細突起の形成閾値近傍に設定することにより、１つのレーザビームによるショット領域を単位として、当該領域内に、基材表面又は薄膜コーティング層の不均一性に基づいて、薄膜コーティング表面に多数の微細突起を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the field effect transistor includes at least steps of: forming the Si monocrystal thin film on the grown nitride series compound semiconductor layer; and oxidizing the Si monocrystal thin film for forming the gate insulating film 7 of the field effect transistor.例文帳に追加

及び成長した窒化物系化合物半導体層の表面にＳｉの単結晶薄膜を形成する工程と、該単結晶薄膜を酸化して前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜７を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

To provide a heat insulating board capable of restraining faults such as breakage from being occurred on a thin-walled portion even if the thickness of a foamed resin layer is molded thin, and to provide a molding die for use in manufacture of the heat insulating board.例文帳に追加

発泡樹脂層の厚みを薄く成形した場合であっても、薄肉部に破損等の不良が発生するのを抑制することができる断熱ボードを提供することを課題とすると共に、前記断熱ボードの製造に用いる成形金型を提供することを課題とする。 - 特許庁

The thin film by using the same, the organic transistor having the thin film, and a polymer light-emitting element having electrodes consisting of an anode and a cathode and an organic layer containing the composition are also provided.例文帳に追加

〕で表される繰り返し単位を含む重合体と低分子蛍光材料とを含有する組成物、該組成物を用いてなる薄膜、該薄膜を有する有機トランジスタ、並びに陽極及び陰極からなる電極と該電極間に設けられ該組成物を含む有機層とを有する高分子発光素子。 - 特許庁

In the case of forming the fluoride optical thin film on the quartz substrate by the reactive DC magnetron sputtering, especially a 1st layer of a multilayer optical thin film is formed by a filming process with priority given to adhesiveness rather than to absorbong characteristics.例文帳に追加

本発明は、反応性ＤＣマグネトロンスパッタにおいて、フッ化物光学薄膜を石英基板に成膜する際、多層光学薄膜の特に第１層目の成膜プロセスを、膜の吸収特性よりも密着性を優先したものとして成膜を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The image display system containing a thin-film transistor array substrate includes the substrate having a thin-film transistor array; and at least one light-sensing element which includes an amorphous silicon layer formed on the substrate and has an electric current flowing, in a direction parallel to the substrate.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイ基板を含む画像表示システムであって、薄膜トランジスタアレイを有する基板、及び前記基板上に形成されたアモルファスシリコン層を含む、少なくとも１つの前記基板に平行の方向に流れる電流を有する受光素子を含む画像表示システム。 - 特許庁

Then, a thin-film semiconductor layer 11 continuously covering up to the first gate insulation film 7-1 from the source-drain electrodes 9 via the second gate insulation film 7-2 in contact with the electrodes 9 is formed, thereby manufacturing the thin-film semiconductor device 1.例文帳に追加

次に、ソース／ドレイン電極９に接する状態で、ソース／ドレイン電極９上から第２ゲート絶縁膜７-2を介して第１ゲート絶縁膜７-1上に掛けてを連続的に覆う薄膜半導体層１１を形成することを特徴とする薄膜半導体装置１の製造方法。 - 特許庁

The stencil mask for ion implantation has a through hole pattern for ion implantation formed at a thin film part supported on a support wherein an ion absorbing layer is formed at least on the side (surface side) of the thin film part being irradiated with an ion beam.例文帳に追加

支持体に支持された薄膜部にイオン注入用の貫通孔パターンを形成してなるイオン注入用ステンシルマスクであって、前記薄膜部の少なくともイオンビームが照射される側（表面側）に、イオン吸収層を形成したことを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。 - 特許庁

In each intersecting area between the cathode electrode lines 2 and the gate electrode lines 4, a plurality of approximately circular holes 5 which penetrate the gate electrode lines 4 and the insulating layer 3 and reaches the thin film 7 for cold cathode are provided, and the thin film 7 exposed to the bottom of the holes 5 constitute a cold cathode.例文帳に追加

カソード電極ライン２とゲート電極ライン４との各交差領域においては、ゲート電極ライン４と絶縁層３とを貫通して冷陰極用の薄膜７に達する多数の略円形の孔５が設けられ、孔５の底部に露出した薄膜７が冷陰極を構成する。 - 特許庁

An epitaxial layer 12 which comprises a crystalline silicon nitride thin film having crystal orientation and alignment of a single-crystal silicon substrate or a silicon nitride thin film having a crystalline silicon nitride and an amorphous silicon nitride mixed therein is formed on a single-crystal silicon substrate 11 to a thickness of 0.05-2,000 nm.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１１上に単結晶シリコン基板の結晶方位と整合性を有する結晶性窒化シリコン薄膜、又は結晶質窒化シリコンとアモルファス窒化シリコンとが混在した窒化シリコン薄膜からなるエピタキシャル層１２を０．０５〜２０００ｎｍの厚さで形成する。 - 特許庁

Since warpage of the sensor chip 11 resulting from an internal stress of the sensor chip 11 or a temperature change caused by an adhesive layer 30 can be reduced in the longitudinal direction by forming the thin-walled part 31 and the thin-walled part 32 on the sensor chip 11, the temperature characteristic can be improved.例文帳に追加

センサチップ１１に、薄肉部３１及び薄肉部３２を形成することにより、センサチップ１１の内部応力や接着層３０に起因する温度変化に伴うセンサチップ１１の反りを、長手方向において減少させることができるので、温度特性を向上することができる。 - 特許庁

A thin wire part 13a of the secondary coil 13 disposed in the side of the primary coil 12 is formed by densely wound around by a wire rod with a thin insulating layer so as to enhance the magnetic coupling coefficient between the primary coils 12 and the secondary coils 13 and impress a prescribed high voltage to an ignition plug.例文帳に追加

さらに、一次コイル１２側に配設される二次コイル１３の細線部１３ａが絶縁層の厚みが小さい線材で密に巻回されているので、一次コイル１２と二次コイル１３との磁気的な結合係数を高め、所望の高電圧を点火プラグに印加することができる。 - 特許庁

The light-shielding pattern 7 (or 5), the mesh pattern 4 (or 2) having electromagnetic wave shielding function and the display electrode 15 are formed as a fine-line pattern formed of conductive thin film or a plating lamination pattern made by laminating a plating layer on the fine-line pattern formed of the conductive thin film.例文帳に追加

遮光パターン７（または５）、電磁波シールド機能を有するメッシュパターン４（または２）、及び表示電極１５は、導電性薄膜で形成された細線パターン、または導電性薄膜で形成された細線パターンの上にメッキ層が積層されてなるメッキ積層パターンである。 - 特許庁