「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(134ページ目) - Weblio英語例文検索

The thin-film transistor drives a functional device wherein an outer layer is protected by a film containing at least one of SiN_x, SiON, SiO_x, SiOC, or SiC_x, and it is provided with a channel layer formed of an amorphous oxide film having a main constituent element of In-M-Zn-O.例文帳に追加

外層をＳｉＮ_x、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ_x、ＳｉＯＣ又はＳｉＣ_xの少なくとも１つを含む膜で保護された機能デバイスを駆動するための薄膜トランジスタであって、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ−Ｏを主たる構成元素とする非晶質酸化物膜のチャネル層を持つ。 - 特許庁

In the thin film semiconductor device 10, a semiconductor film 13, a gate insulating film 18, and a gate electrode 21 are formed in a planar shape without being provided with patterns or the like, and underlying layers of the semiconductor layer 13 and gate insulating layer 18 are not formed with layers that cause level differences.例文帳に追加

薄膜半導体装置１０は、半導体膜１３、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極２１まではパターンなどを設けないで平坦なまま形成され、さらに半導体層１３、ゲート絶縁膜１８の下層には段差を生じさせる層が形成されていない。 - 特許庁

Titanium oxide contained in the thin film 21 is activated and decomposes the thermoplastic organic polymer contained in the first adhesion layer 24, by having the translucent substrate 20 side irradiated with ultraviolet rays, resulting in weaker adhesion of the first adhesion layer 24.例文帳に追加

透光性基体２０側から紫外線を照射することにより、薄膜２１に含まれる酸化チタンが活性化し、第１接着層２４に含まれる熱可塑性有機高分子を分解し、これにより第１接着層２４の接着力を弱めることができる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the organic EL element, which includes a lower electrode, an organic thin film layer, and an upper electrode sequentially formed on a support body, a porus layer is formed on at least a part of a periphery of the lower electrode on the support body.例文帳に追加

支持体上に、下部電極と、有機薄膜層と、上部電極とを該順に有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、支持体上の下部電極の周囲の少なくとも一部に多孔質層を設けることを含む、有機ＥＬ素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a flame-resistant lightweight cement panel formed by a combination of a foundation cloth material and mortar to reinforce brittleness in strength of a mortar layer to thereby prevent cracking of the mortar layer while forming the plate thickness of the panel thin to attain weight reduction.例文帳に追加

基布材とモルタル類を組み合わせて形成することで、パネルの板厚を薄く形成させて軽量化を達成させながらモルタル類層の強度的脆さを補強してモルタル類層の割れを防止できると共に、難燃性を有する軽量セメントパネルの提供。 - 特許庁

This flat yarn is the one obtained by slitting the film body obtained by forming a thin film layer by metal deposition, or an antimicrobial layer on a base film having a specific strength and elongation, and 5-9 μm thickness, and has 50-100% elongation and 250-400 MPa tensile strength.例文帳に追加

特定強伸度を有し厚さが５〜９μｍの基材フイルム上に、金属蒸着薄膜層や抗菌層を設けたフイルム体をスリットした偏平糸であって、該偏平糸の伸度が５０〜１００％で引張強度が２５０〜４００ＭＰａである偏平糸。 - 特許庁

According to the synthetic data 824, irradiation of a light beam is carried out by setting irradiation intensity of a peripheral region 902 where a resist layer RG is relatively thick is sufficiently larger than that of a pattern region 901 where the resist layer RG is relatively thin (the irradiation intensity value FF (HEX)> the irradiation intensity value 55(HEX)).例文帳に追加

合成データ８２４によれば、レジスト層ＲＧが比較的厚い周縁領域９０２を、レジスト層ＲＧが比較的薄いパターン領域９０１よりも十分に大きな照射強度で光ビームの照射が行われる（照射強度値がＦＦ（ＨＥＸ）＞５５（ＨＥＸ））。 - 特許庁

In a process in which an LD 4 and a PD 5 are simultaneously manufactured together with an optical waveguide 2 within the same plane on a silicon substrate, a thin insulating layer is provided under the LD 4 and a thick insulating layer under the PD 5, with a difference in level imparted to these insulating layers.例文帳に追加

シリコン基板１上の同一面内に、光導波路２と共にＬＤ４およびＰＤ５を同時に作製する工程において、ＬＤ４の下には薄い絶縁層を、ＰＤ５の下には厚い絶縁層１０を設け、これら絶縁層に段差をつける。 - 特許庁

A luminescence layer made of an EL material is laminated on the transparent electrode by the vacuum thin film forming technique such as deposition, and a back electrode of A1-Li or the like having the prescribed shaped and facing the transparent electrode is formed on the surface of the luminescence layer.例文帳に追加

透明電極１４にＥＬ材料からなる発光層１６を蒸着等の真空薄膜形成技術により積層し、発光層１６の表面に、透明電極１４に対向した所定形状のＡｌ−Ｌｉ等の背面電極１８を形成する。 - 特許庁

A P channel thin-film transistor of an inverter circuit has a channel region, a semiconductor layer provided with a plurality of impurity regions of a P type, a gate insulating film provided on the semiconductor layer, and a gate electrode provided on the gate insulating film.例文帳に追加

またインバータ回路のＰチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＰ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、を有する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer in which autodoping to a device active layer or misfit dislocation is less susceptible to occur, and pollution of the device active layer due to impurity metal is reduced effectively even if the wafer is made thin or thick after device formation, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

デバイス活性層へのオートドーピングやミスフィット転位が発生し難く、且つ、デバイス形成後に薄厚化されても不純物金属によるデバイス活性層の汚染を有効に抑制することができるエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin film wiring layer is formed on a substrate and is formed as an alloy layer including one or two kinds of additive elements of 1 to 10 atom% selected from (Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, and W) and a remainder substantially formed of Ni.例文帳に追加

基板上に形成される薄膜配線層であって、（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ）から選択される１種または２種以上の添加元素を１〜１０原子％含有し、残部が実質的にＮｉからなる合金層である配線層である。 - 特許庁

When a gap 81 of a pair of metal thin plates 8, 8 is closed by the central part 11 of the noncombustible layer 1, even if the sparks S or the like intrude from the gap 81, the noncombustible layer 1 is inhibited by the exposed central part 11 and ignition of the pair of adhesive layers 21, 21 can be prevented.例文帳に追加

一対の金属薄板８・８の隙間８１を不燃層１の中央部１１で塞ぐと、火花Ｓなどが隙間８１から進入しても、不燃層１が表出した中央部１１で阻止されて、一対の接着層２１・２１の引火を防止できる。 - 特許庁

The heat-responsive member has the lamination member made of two kinds of materials with different thermal expansion coefficients, a metal layer fitted to either or both sides of the lamination member, and a conductive thin film fitted on the surface of the metal layer.例文帳に追加

熱膨張係数の異なる二種の材料からなる積層材と、前記積層材の片面若しくは両面に金属層を設け、前記片面もしくは両面に設けた金属層の面上に導電性薄膜を設けたことを特徴とする熱応動部材。 - 特許庁

This information recording medium of surface light incident type has a feature that a reflective layer, an intermediate layer constituted of a granular structural thin film containing a metal, and a magneto-optical recording layer are provided in this order on at least one surface of a supporting body.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に、反射層、金属を含むグラニュラー構造の薄膜で構成され中間層、光磁気記録層をこの順に有することを特徴とする表面光入射型情報記録媒体、及び上記表面光入射型情報記録媒体にレーザー光を照射して情報を記録再生する情報記録再生方法。 - 特許庁

The polymiide multilayer endless belt that is useful as the intermediate transfer member for the image forming apparatus includes: (A) a substrate layer made from polyimide, whose surface is activated by a physical activating means; and a surface layer made of a polyimide thin film formed on the surface of the substrate layer by a vapor deposition polymerization of pyromellitic anhydride and diamine.例文帳に追加

（イ）表面が物理的活性化手段によって活性化されたポリイミドで構成される基体層と、（ロ）該基体層の表面に無水ピロメリット酸及びジアミンの蒸着重合によって形成されたポリイミド薄膜で構成される表面層と、を有する画像形成装置用の中間転写体として有用なポリイミド多層無端ベルトとする。 - 特許庁

This double layer structured hardened coating film is obtained by providing a silica hardened coating film composed of a leaf-like silica secondary particle formed by laminating plural pieces of the thin primary particles of the flaked silica so as to orient the interfaces in parallel as a 1st layer on a base body and forming a hardened coating film composed of an organic high polymer material thereon as a 2nd layer.例文帳に追加

基体上に第一層として、鱗片状シリカの薄片１次粒子が互いに面間が平行的に配向し複数枚重なって形成される葉状シリカ２次粒子から構成されるシリカ硬化塗膜を設け、さらにその上に、第二層として、有機高分子物質からなる硬化塗膜を形成させて二層構造の硬化塗膜とする。 - 特許庁

The holographic optical disk 100 is provided with a hologram recording layer 102 for recording information as a hologram by interference fringes generated by interference of information light carrying information and reference light and a thin film layer 104 layered on the hologram recording layer 102 and having pinholes 105 through which information light and reference light can be transmitted.例文帳に追加

ホログラフィック光ディスク１００であって、情報を担持する情報光と参照光との干渉によって生じる干渉縞によって、情報をホログラムとして記録可能なホログラム記録層１０２と、ホログラム記録層１０２に積層され、情報光および参照光を透過可能なピンホール１０５を有する薄膜層１０４とを備えた。 - 特許庁

To provide a non-volatile storage device in which a simplified resistance change layer with good reproducibility is formed by oxidizing only an area exposing in contact holes among metal thin-film layers formed on a lower electrode layer and converting it into a resistance change layer, and which can be furthermore microfabricated and has stable characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

下部電極層上に形成した金属薄膜層のうち、コンタクトホールに露出した領域のみをイオン注入法により酸化して抵抗変化層に変換することにより、簡単で、かつ再現性のよい抵抗変化層を形成して、より微細化が可能で、かつ安定な特性を有する不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the thin object for decoration 1, an irregularly changing light/dark pattern similar to sunshine filtering through foliage can be generated in a generated reflected brightness by relatively changing at least one of the direction of incident light to the receiving layer 2, a view point to the receiving layer 2 with a thickness change imparted with 1/f fluctuation, and the position of the receiving layer 2.例文帳に追加

装飾用薄物１によれば、受理層２に対する入射光の方向、１／ｆゆらぎを付与した厚み変化のある受理層２に対する視点、及び受理層２の位置の少なくとも１つを相対的に変化することにより、生成される反射輝度に、木漏れ日に似た不規則に変化する明暗パターンを生じせることができる。 - 特許庁

To provide a measuring means capable of evaluating sealing performance not only to a thickness direction but also to moisture penetrating from an interface between a sealing layer and a substrate, relative to measurement of moisture permeability of a thin film-shaped sealing layer aiming at moisture-proof performance which cannot exist independently by itself, and to a moisture-proof sealing layer of an electronic element requiring moisture-proof sealing.例文帳に追加

単独で自立して存在するのが不可能な防湿目的の薄膜状封止膜の水分透過率の計測や、防湿封止が必要な電子素子の防湿封止層に関して、厚さ方向のみではなく、封止層と基板との界面から浸入する水分に対しても封止性能の評価を可能にする計測手段を提供する。 - 特許庁

The thin film transistor has, on a substrate, a gate electrode, a gate insulating film containing phosphorus, a crystalline semiconductor layer, and source and drain electrodes, and is characterized in that the gate electrode, gate insulating film, and crystalline semiconductor layer are laminated in this order from the substrate side, and the crystalline semiconductor layer is brought into ohmic contact with the source and drain electrodes on the opposite side from the substrate.例文帳に追加

基板上に、ゲート電極、リンを含むゲート絶縁膜、結晶性半導体層、ソース及びドレイン電極を有し、ゲート電極、ゲート絶縁膜、結晶性半導体層が、基板側からこの順で積層され、結晶性半導体層が、基板とは反対側でソース及びドレイン電極とオーミック接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device including the thin-film transistor, where a semiconductor layer including a channel formation layer and a semiconductor layer including source and drain regions are made of oxide semiconductor layers each, purity of the oxide semiconductor layers is improved, and heat treatment (heat treatment for dehydration or dehydrogenation) for reducing moisture, namely an impurity, is performed.例文帳に追加

チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。 - 特許庁

To provide: a manufacturing method of a photoelectric transducer which, even when a deposition time of a photoelectric conversion layer is short, can change a band gap (Eg) in its thickness direction and afford the photoelectric conversion layer with excellent photoelectric conversion efficiency; a photoelectric transducer manufactured by this manufacturing method; and a thin layer solar cell having this photoelectric transducer.例文帳に追加

光電変換層の成膜時間が短い場合でも、その厚さ方向のバンドギャップ（Ｅｇ）を変化させることができ、光電変換効率が優れた光電変換層が得られる光電変換素子の製造方法、この製造方法で製造された光電変換素子および、この光電変換素子を有する薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

A protective layer forming apparatus 2, disposed to face a photoreceptor drum 1, has an image bearing member protective agent 21, consisting of a fatty acid metal salt formed to a bar shape or a block shape, and the image bearing member protective agent 21 is scraped off by a brush roller 22 and then is applied onto a photoreceptor drum 1 surface and is made to a thin layer by a protective layer forming mechanism 24.例文帳に追加

感光体ドラム１に対向して配設された保護層形成装置２は、バー状ないしブロック状に形成された脂肪酸金属塩からなる像担持体保護剤２１を有し、像担持体保護剤２１はブラシローラ２２で削りとられて感光体ドラム１の表面に塗布され、保護層形成機構２４により薄層化される。 - 特許庁

To provide an organic EL element having at least an organic luminescent layer and a color conversion layer of a thin film, which has high carrier transport characteristics while having color converting ability sufficient to achieve a desired wavelength distribution, in an organic EL layer held between a pair of electrodes.例文帳に追加

一対の電極間に挟持される有機ＥＬ層を備え、有機ＥＬ層中に少なくとも有機発光層と色変換層を有する有機ＥＬ素子であって、所望の波長分布を達成するのに十分な色変換能を有すると同時に、高いキャリア輸送特性を有する薄膜の色変換層を備える有機ＥＬ素子を提供することである。 - 特許庁

To provide a surface reformed pressurizing roller which obviates the occurrence of modified surface cracking after baking in spite of forming a fluororesin layer thin by coating on silicone rubber, has a small surface roughness of the fluororesin surface layer, and can prevent the vaporization and oozing of low-molecular weight siloxane, silicone oil, etc., during baking of the fluororesin surface layer and during the use of the roller.例文帳に追加

シリコーンゴムの上に、コーティングによりフッ素樹脂層を薄く形成しても焼成後に表層割れの発生もなく、フッ素樹脂表層の表面粗さも小さく、かつフッ素樹脂層焼成時やローラー使用時に低分子量シロキサン、シリコーンオイル等の揮発・滲み出しを防ぐことのできる、表面改質された加圧ローラーを提供することを目的とする。 - 特許庁

To remove defect causing objects of edge sections while maintaining friction force and sliding durability of a magnetic recording medium without removing the top coating of the surface of a magnetic recording medium 12 which is made by successively forming a ferromagnetic and metallic thin film layer, a protective film layer, and a top coating layer on a non-magnetic supporting body.例文帳に追加

非磁性支持体上に強磁性金属薄膜層、保護膜層およびトップコート層を順次形成して成る磁気記録媒体１２において、磁気記録媒体の表面のトップコートを除去することなく、磁気記録媒体としての摩擦力、摺動耐久性を維持しながらエッジ部の欠陥原因物を除去することができるようにする。 - 特許庁

This organic LED display device having a plurality of organic LED elements each consisting of a thin film transistor, a pixel electrode, at least an organic LED layer and the counter electrode laminated on a substrate comprises a polymer protecting layer formed between the counter electrode and the organic LED layer, the counter electrode being deposited by DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基板上に、薄膜トランジスタと、画素電極と、少なくとも有機ＬＥＤ層と、対向電極とを積層した複数の有機ＬＥＤ素子を有する有機ＬＥＤ表示装置において、対向電極と有機ＬＥＤ層との間に形成された高分子保護層を備え、対向電極がＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜されていること。 - 特許庁

This thin film silicon solar battery where at least a transparent electrode film, p-type, i-type, and n-type microcrystal silicon layers, and a back electrode film are laminated on a transparent insulating substrate is provided with a silicon layer containing carbon on a p/i interface between the p-type microcrystal silicon layer and the i-type microcrystal silicon layer and the neighborhood site.例文帳に追加

透明な絶縁性基板上に、少なくとも透明電極膜、ｐ型、ｉ型、ｎ型の微結晶シリコン層および裏面電極膜が積層形成された薄膜シリコン太陽電池において、ｐ型微結晶シリコン層とｉ型微結晶シリコン層との間のｐ／ｉ界面およびその近傍部位に炭素を含有するシリコン層を有する。 - 特許庁

The nozzle plate 1 comprises a first layer 2 formed by electroforming of Ni, and a second layer 3 formed on the first layer 2 by electroforming of Ni, wherein a nozzle hole 4 and an ink inflow groove 5 are formed in the nozzle plate 1, and a thin part 6 is formed over the entire region except the parts for forming the nozzle hole 4 and the ink inflow groove 5.例文帳に追加

ノズルプレート１は、Ｎｉ電鋳により形成された第１層２と第１層２上にＮｉ電鋳により形成された第２層３とで形成され、ノズルプレート１には、ノズル孔４とインク流入溝５が形成されていると共に、ノズル孔４とインク流入溝５の形成部以外の全域に薄肉部６が形成されている。 - 特許庁

A laminate 13 is formed by overlapping a first semiconductor substrate 11 serving as an active layer onto a second semiconductor substrate 12 serving as a support substrate via an oxide film 11a or without it; an active layer 11b is formed by forming a thin film from the first semiconductor substrate 11; and the surface of the active layer 11b is flattened by vapor-phase etching.例文帳に追加

活性層となる第１半導体基板１１を酸化膜１１ａを介して、又は介することなく支持基板となる第２半導体基板１２に重ね合せて積層体１３を形成、この第１半導体基板１１を薄膜化して活性層１１ｂを形成し、更に活性層１１ｂ表面を気相エッチングにより平坦化する。 - 特許庁

At that time, since the thin film protective layer 20 having the thickness within the range of around 0.1 μm to 5.0 μm is directly formed on the electrolyte membrane 1, there is no possibility that the catalyst layer 30 is buckled or extremely deformed and that the electrolyte membrane and the catalyst layer are damaged, and furthermore, durability of the solid polymer fuel cell is improved.例文帳に追加

その際、薄膜の保護層２０の厚さを０．１μｍから５．０μｍの範囲程度に直接的に電解質膜１に形成したため、触媒層３０が坐屈したり、極端な変形をすることがなく、電解質膜、触媒層が傷むことなくなり、ひいては固体高分子型燃料電池の耐久性が向上した。 - 特許庁

This multi-layered plastic container is formed of a laminated container member having a ceramic thin film deposited on an innermost surface of a plastic laminated member with an inner layer formed of polyethylene of the density of ≤0.935 g/cm^3 on one side of an intermediate layer formed of cyclic polyolefin and an outer layer formed of polyolefin on the other side thereof.例文帳に追加

環状ポリオレフィンからなる中間層の一方の面に、密度が０．９３５ｇ／ｃｍ^3以下のポリエチレンからなる内層が、他方の面にポリオレフィンからなる外層がそれぞれ設けてあるプラスチック積層部材の最内面にセラミック薄膜がさらに設けてなる積層容器部材により構成される、多層構成のプラスチック容器。 - 特許庁

At the time of forming an inorganic film 15 on the organic material 12, the adhesive property between the organic thin film and the inorganic film is improved by forming an Si-containing layer 13, by treating the surface of the underlying organic film with an SiH_4 gas after the surface is treated with plasma, and successively forming an Si-containing surface reforming agent layer 14 on the layer 13.例文帳に追加

有機物１２上に無機膜１５を成膜する際に、下地有機膜表面をプラズマ処理したのち、ＳｉＨ_４ガスにて表面処理を行ってＳｉ含有層１３を形成し、引き続きその上にＳｉ含有表面改質剤層１４を形成することで、有機薄膜と無機膜との密着性を向上させる。 - 特許庁

This method of manufacturing a thin-film electronic component is provided with a process of providing a dielectric layer 16 on a base material 10; a process of providing a first conductive layer 31 covering at least one part of the dielectric layer and having a first opening 50; and a process of forming a first through hole 52 piercing the base material and communicating with the first opening.例文帳に追加

本発明に係る薄膜電子部品の製造方法は、基材１０上に誘電体層１６を設ける工程と、誘電体層の少なくとも一部を覆い、第１の開口５０を有する第１の導電層３１を設ける工程と、基材を貫通して第１の開口に連通する第１の貫通孔５２を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The display part film member is used as the fixed film member 101 or the movable film member of the movable film type display, and is provided with a white display part 1 composed of a colored film 6 in which a metallic thin film layer, an internal layer, and a white ink layer are successively formed at least one side or both sides of a film base member.例文帳に追加

本発明に係る表示部フィルム部材は、可動フィルム型表示装置の固定フィルム部材１０１又は可動フィルム部材として用いられるものであって、フィルム基材の少なくとも片面または両面に、金属薄膜層、中間層、白インク層を順次設けた、着色フィルム６からなる白色表示部１を備えている。 - 特許庁

The thin film transistor includes a substrate, a gate electrode formed on the substrate, a gate insulating film formed on the gate electrode, a semiconductor layer formed via the gate insulating film above the gate electrode, a source electrode formed so as to cross the semiconductor layer, and a drain electrode formed so as to cross the semiconductor layer.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタは、基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極の上方に形成された半導体層と、半導体層と交差するように形成されたソース電極と、半導体層と交差するように形成されたドレイン電極とを備える。 - 特許庁

The thin film AC-driven electroluminescence element 10 comprises at least one dielectric layer 18 and a luminous layer 20 on a conductive substrate 12, the luminous layer containing a continuous phase consisting of a first semiconductor and particulates of a second semiconductor having an average particulate size of 10 nm or smaller.例文帳に追加

導電性基板１２上に少なくとも一つの誘電体層１８と発光層２０とを有する薄膜型交流駆動エレクトロルミネッセンス素子１０において、前記発光層が、第一の半導体からなる連続相と、平均粒子サイズが１０ｎｍ以下の第二の半導体の微粒子とを含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The laminate comprises the polymer substrate, a primer layer comprising a cyclized rubber which is a conjugated diene polymer cyclized product or a derivative thereof, the layer being formed on the surface of the polymer substrate, and a thin film laminated on the surface of the primer layer by a dry film-forming method.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、ポリマー基材と、前記ポリマー基材の表面に形成された、共役ジエン重合体環化物またはその誘導体である環化ゴムを含有するプライマー層と、前記プライマー層表面に乾式成膜法により積層された薄膜と、を有する積層体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated electronic component that, when laminating an electrode pattern layer and a margin pattern layer formed so as to fill its clearance onto a thin-layered green sheet, can separate the laminated body unit intact from the support sheet and dispose of flections at the end of the internal electrode layer, thus decreasing a short circuit.例文帳に追加

電極パターン層とその隙間を埋めるように形成する余白パターン層とを、薄層化したグリーンシートに対して積層する際に、積層体ユニットを破断することなく支持シートから剥離することを可能にし、内部電極層端部の屈曲を無くし、ショート不良が少ない積層型電子部品を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

A thin GaN layer 302 is grown at a growth rate of, for example, 4 μm/h or under by depressurized hydride VPE method on a substrate 301, and then a thick AlGaN layer 304 is grown enough at a growth rate of 4-400 μm/h by normal pressure hydride VPE method on this GaN layer 2.例文帳に追加

ｃ面サファイア基板３０１上に、減圧ハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層３０２を成長させた後、このＧａＮ層３０２上に常圧ハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きく且つ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＡｌＧａＮ層３０４を成長させる。 - 特許庁

A double gate thin-film transistor (TFT) comprises: a bottom gate electrode formed on a substrate; an active layer formed on the bottom gate electrode; source and drain electrodes formed on the active layer; a planarization film formed on the substrate including the source and drain electrodes and having an opening corresponding to the active layer; and a top gate electrode provided in the opening.例文帳に追加

基板上に形成されたボトムゲート電極と、ボトムゲート電極の上部に形成された活性層と、活性層の上部に形成されたソース/ドレイン電極と、ソース/ドレイン電極を含む基板上に形成され、活性層に対応する開口を備えた平坦化膜と、開口に形成されたトップゲート電極と、を備えるダブルゲート型薄膜トランジスタである。 - 特許庁

To provide a forming method of an adhesive layer, by which a thin film adhesive layer is formed in a suitable position and shape while suppressing damage of an adherend, and the adhesive layer for suppressing generation and remaining of a void in an interface or inside is formed, while suppressing displacement of the adherend at the time of adhesion.例文帳に追加

接着物の損傷を抑制しつつ、適切な位置、形状に薄膜状の接着剤層を形成することができ、さらには接着時の接着物の位置ずれを抑制できるとともに、界面もしくは内部における空隙の発生および残留を抑制できる接着剤層を形成することができる接着剤層の形成方法を提供すること。 - 特許庁

For the organic electroluminescent element comprising a pair of electrodes composed of a positive electrode 2 and a negative electrode 7 and at least more than one layer of organic layers 4, 5, 6 laid between the above, a positive electrode interface thin film layer 3 made of a specific compound or a material having a specific nature is formed between the positive electrode 2 and the organic layer.例文帳に追加

陽極２と陰極７からなる一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層以上の有機層４、５、６を有する有機電界発光素子において、陽極２と前記有機層との間に、ある特定の化合物または特定の性質を有する材料からなる陽極界面薄膜層３を設ける。 - 特許庁