| 意味 | 例文 |
thin- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9481件
When an ink jet printing head apparatus is to be formed, a thin film resistor structure having a plastic barrier layer (32) is set and, the formed plastic orifice plate (28) is bonded to the structure with the use of heat and pressure.例文帳に追加
また、インクジェットプリントヘッド装置の形成時に、プラスチックのバリア層(32)を有する薄膜抵抗器構造が設けられ、そこに、形成したプラスチックのオリフィス板(28)を、熱および圧力を用いて接着する。 - 特許庁
To provide a method which makes it possible to minimize hole density in a SeOI (Semiconductor-On-Insulator) structure thin layer, and especially, density of a fatal hole which is a fatal defect.例文帳に追加
SeOI(絶縁体上半導体)構造薄層内のホールの密度、および特に致命的欠陥であるホールすなわち致命ホールの密度を最小化することを可能にする方法を提供する。 - 特許庁
To prevent the occurrence of any void in a resin sealing body, and to satisfactorily form a sealing resin layer whose uniform thickness is thin at the back side of a supporting board in manufacturing a resin sealing semiconductor device.例文帳に追加
樹脂封止形半導体装置を製造する際に、樹脂封止体内のボイドの発生を防止し、且つ支持板の裏面側に均一厚さの薄い封止樹脂層を良好に形成する。 - 特許庁
To provide a thin layer nonwoven fabric which has a good thickness recovery property, when left in a compression stress-added state and then released from the stress, and has a soft smooth surface touch.例文帳に追加
圧縮応力を加えられ続けた状態で放置されても、応力が除かれた後の厚みの回復性が良好で、しかもソフトな風合で滑らかな表面タッチを呈する薄層不織布を提供する。 - 特許庁
Since a device layer (thin film structure 2 ) lies on an upper surface, and mounting thereof is the same as in dicing in an ordinary LSI manufacturing process, it can be mounted on a printed board as it is without inversion with the aid of a chip mounter or the like.例文帳に追加
デバイス層(薄膜構造体2)が上面にあり、通常のLSI製造工程におけるダイシングの場合と同じなので、反転せずにそのままチップマウンター等によりプリント基板に実装できる。 - 特許庁
To provide a colored composition high in color purity, affording a high extinction coefficient when made into a form of thin layer, and excellent in color fastness (light resistance, in particular), and to provide a color filter and a method for producing the same.例文帳に追加
色純度が高く、薄層化した場合に高い吸光係数が得られると共に、堅牢性(特に耐光性)に優れた着色組成物並びにカラーフィルタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a laminated liquid crystal display panel having excellent contrast performance, wherein a partition layer for separating light control layers from each other, having high peeling durability when manufactured and being a thin type can be constituted.例文帳に追加
調光層間を分離する、製造時の剥離耐久性が高くかつ薄型の隔壁層を構成できるとともに、コントラスト性能の優れた積層型の液晶表示パネルを提供すること。 - 特許庁
A sheet 15 having a large number of protuberances 16 in a height of 20-500 μm on the surface is provided for a surface layer 14 of the FRP plate 10 and the glassy thin line is hidden by the protuberances 16.例文帳に追加
FRP板10の表面層14に、表面に高さが20〜500μmの多数の盛上部16を有するシート15を配し、その盛上部16によってガラス目を隠す構成とする。 - 特許庁
The liquid crystal display element is constructed by forming the thin film layer of a transparent inorganic oxide 9 on the surface on the counter side of the surface, on which the transparent electrode (ITO, indium tin oxide) 3 is formed, of one or both of the upper and lower flexible substrates 1, 2.例文帳に追加
上下一方あるいは両方の可とう性基板1、2の透明電極(ITO)3を形成する面と逆側面に透明無機酸化物9を形成した構造とする。 - 特許庁
To provide a bonding device and a method, wherein thin film-formed substrates can be accurately bonded together with an ultrathin adhesive layer 10 μm or less in thickness with high productivity and high yield at a low cost without producing any air bubbles or voids.例文帳に追加
超極薄10μm以下の接着層において、安気泡、ボイドがなく高精度な接合を安価で高生産性、高歩留まりを実現する接合装置と接合方法を提供すること。 - 特許庁
To obtain a Zener diode in which Zener zapping can be performed stably even when an epitaxial layer is made thin or elements are patterned finely and a semiconductor device having such a Zener diode.例文帳に追加
エピタキシャル層の厚さを薄くしたり、素子を微細化した場合でも安定してツェナーザッピングを行うことができるツェナーダイオードおよびこのようなツェナーダイオードを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
Further, if the result of the detection of the film thickness is different from the preset film thickness of the thin developer layer (hereafter described as the set film thickness value), the detected value is corrected by a means for correcting the detected value of the liquid concentration.例文帳に追加
更に、膜厚の検出結果が、予め設定している現像剤薄層の膜厚(以下、膜厚設定値という)と異なる場合、液濃度検出値補正手段によって検出値を補正する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a thin-film element, which controls the width of the (lower) layer of a reverse side of a stacking direction in a layered structure formed on the element forming surface of a substrate.例文帳に追加
基板の素子形成面に形成された積層構造にあって積層される方向とは逆側の(下部の)層の幅をより小さく制御することが可能な薄膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
Because, eddy current loss decreases, however the thickness of the insulating layer 11 cannot be ignored in comparison with the thickness of the soft magnetic thin film 12, so that the effective cross-sectional area of the magnetic core 10 decreases.例文帳に追加
これは、渦電流損失は小さくなるものの、軟磁性薄帯12の厚さと比べて絶縁層11の厚さが無視できなくなり、磁心10の有効断面積が低下するためである。 - 特許庁
To provide a light-receiving element having wavelength pass-band characteristics in which a high sensitivity rate is obtained, even in a thin filter layer, and the depth of impurity diffusion in a light-receiving part is equivalent to that of conventional pin photodiodes.例文帳に追加
薄いフィルタ層でも高い感度比が得られ、受光部における不純物拡散の深さは従来のpinフォトダイオードと同等である長波長パスバンド特性を有する受光素子を提供する。 - 特許庁
By making the metallic plate thin in thickness, a superior angle side of the bent part is formed as the angle part 19 rounded little, so that the accuracy in the thickness of the developing layer of the developer is made high.例文帳に追加
金属板の板厚を薄いものとすることにより、折り曲げ部分の優角側をRの小さい角部19として形成できるため、現像剤の現像層厚の精度を高くすることができる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of reducing the generation of a void in thin width wiring and preventing the disconnection of the wiring, in a wiring structure wherein wirings having different wiring widths are connected to each other in the same wiring layer.例文帳に追加
同一配線層で配線幅の異なる配線同士が接続された配線構造において、細幅配線にボイドが発生するのを低減でき、断線を防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
When injection-molding the dielectric block by using resin, a resin introducing gate G is arranged in a position facing a mold face 4a providing the one face formed with the thin film layer.例文帳に追加
誘電体ブロックを樹脂を用いて射出成形する際に、薄膜層が形成される一面を規定する型面4aに対向する位置に樹脂導入用ゲートGを配して射出成形する。 - 特許庁
A segregation/refinement technique, such as electrophoresis or thin-layer chromatography, can be employed for a mixed protein sample by using the method to obtain a two-dimensional image showing a high spatial resolution (up to 1 μm).例文帳に追加
これを用いて空間分解能の高い(〜1μm)二次元イメージ像を得ることで、混合蛋白質試料において、電気泳動法や薄層クロマトグラフィーなどの分離精製手法を用いることが出来る。 - 特許庁
The surface of a conductor pattern 3 except the lower electrode forming region 17 of a thin film capacitor element 12 is covered with a first resist film 13, and a metal film layer 5 is formed on all the surface of the conductor pattern 3.例文帳に追加
導体パターン3の表面を、薄膜コンデンサ素子12の下部電極形成領域17を除いて、第1のレジスト膜13で覆い、導体パターン3の全面に金属被膜層5を形成する。 - 特許庁
To provide a circuit forming method for resonance tag 4 which a conductive foil circuit for abnormality sensing composed of the thin conductive foil layer of 0.03 to 1.00 μm, for example, can be easily and inexpensively formed.例文帳に追加
例えば、0.03〜1.00μmの薄い導電箔層よりなる異常感知用の導電箔回路を簡単かつ低廉に成形することができる共振タグの回路形成方法を提供する。 - 特許庁
A part of the alumina thin film 8a on the surface of the lower electrode 7 is removed off, and an extraction electrode 17b connected to the lower electrode 7 is formed by the use of the other part of the third metal layer 16.例文帳に追加
また、下部電極表面のアルミナ薄膜8aの一部を除去して、第3金属層16の他の一部を用いて下部電極7に接続された引出電極17bを形成する。 - 特許庁
To provide a small and high capacity electronic component such as a multilayer ceramic capacitor having excellent electrical characteristics such as dielectric constant and exhibiting excellent temperature characteristics and high reliability even when a dielectric layer is made thin.例文帳に追加
誘電率などの電気特性に優れ、誘電体層を薄くした場合においても、温度特性に優れ、信頼性が高く、小型で大容量の積層セラミックコンデンサなどの電子部品を提供すること。 - 特許庁
The film substrate 10 on which a first thin film layer 41 has been formed in the first deposition chamber 13a is carried into the first sampling chamber 14a, and a sample is extracted from the film substrate 10 under the reduced pressure.例文帳に追加
第1サンプリング室14aには、第1成膜室13aで第1薄膜層41が形成されたフィルム基板10が搬入され、減圧条件下でフィルム基板10から試料を採取する。 - 特許庁
To provide a CIGS-based chalcopyrite-type thin-film solar cell containing Al that can improve controllability of a band structure of a CIGS-system light absorbing layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
CIGS系光吸収層のバンド構造の制御性を向上させることができるAlを含むCIGS系カルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a new undercoating agent having excellent adhesiveness and the like with a metal thin film layer and causing no whitening phenomenon or a big crack in the metal surface particularly in a high temperature use environment.例文帳に追加
金属薄膜層との密着性等に優れ、特に高温利用環境下においても金属面に白化現象や大きなクラックを発生させることのない、新規なアンダーコート剤の提供。 - 特許庁
To obtain an intermediate transfer belt which can restrain image density unevenness even in the use of a thin material with satisfactory transfer performance and high hardness as an uppermost layer, and to obtain an image forming apparatus.例文帳に追加
転写性能が良好な硬度が高く、薄い材料を最表面層に用いた場合であっても、画像濃度ムラなどの発生を抑制できる中間転写ベルト及び画像形成装置を得る。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a piezoelectric element that can appropriately control the crystal orientation in a lead zirconate titanate (PZT) piezoelectric thin-film layer without using a substrate or electrode made of special materials.例文帳に追加
特殊な材料からなる基板及び電極を用いることなく、PZT圧電薄膜層の結晶配向の制御を適切に行うことが可能な圧電素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
A hard coat layer 14 laminated and formed on at least one surface of transparent resin substrates 12 includes an organic polymer thin film 16 formed by vacuum deposition polymerization.例文帳に追加
透明な樹脂基板12の少なくとも一方の面上に積層形成されたハードコート層14を、真空蒸着重合によって形成された有機高分子薄膜16を含んで構成した。 - 特許庁
A composition for an organic thin film transistor insulating layer including (A) a high molecular compound having a repeat unit which has a base including a fluorine atom and (B) an organic compound having a fluorine atom as a solvent.例文帳に追加
(A)フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物、及び(B)溶媒としてフッ素原子を有する有機化合物、を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物。 - 特許庁
To provide an organic thin film transistor capable of suppressing characteristic deterioration in the atmosphere and also characteristic deterioration by reducing damage on an organic semiconductor layer by membrane stress.例文帳に追加
大気中での特性劣化を抑えると共に、膜応力が有機半導体層に与えるダメージを低減して、特性劣化を抑制可能な有機薄膜トランジスタおよびその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁
The material for the organic thin-film transistor insulating layer contains a polymer compound that has a repeating unit, having a group containing a fluorine atom and a repeating unit having a photodimerization-reactive group.例文帳に追加
フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位と、光二量化反応性基を有する繰り返し単位とを有する高分子化合物を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である。 - 特許庁
The resist agent 6 is charged in a thin part (recess) of the semiconductor 1 to reduce cracking, chipping and warpage of the wafer 1 in the manufacturing process including the layer thinning of the wafer while suppressing the production cost.例文帳に追加
半導体ウエハ1の薄い箇所(凹部)にレジスト剤6を充填することで、生産コストを抑えつつ、ウエハの薄層化を含む製造工程におけるウエハ1のひび割れ、反りを低減できる。 - 特許庁
On the surface of the conductive plate member 31, a porous thin plating layer 90 containing many gold particles is formed with a thickness of 100 nm or less is formed in a region S1 including the current-carrying part 81.例文帳に追加
導電プレート部材31の表面には、通電部81を含む領域S1に、多数の金粒子からなる厚さ100nm以下のポーラス状薄めっき層90が形成されている。 - 特許庁
To provide a tape for wafer processing that has good sensor recognition properties, and also has good productivity and testing accuracy, even if an adhesive layer is thin (≤10 μm), and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
接着剤層が薄い(10μm以下)場合であっても、センサ認識性が良好であり、生産性や検査精度が良好であるウエハ加工用テープ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The skin material 50 comprises a surface layer 50A having flexibility and a lining 50B having a cushioning property and is provided with a thin-walled part 58 on a part continuing to a part corresponding to the bending part 56.例文帳に追加
表皮材50は、可撓性を有する表層50Aと、クッション性を有する裏層50Bとからなり、屈曲部56に対応する部位に、当該部位に連なる薄肉部58が設けられている。 - 特許庁
An impact is applied to a laminate structure on the substrate, and the lower electrode is peeled on an interface between the itself and the low adhesion layer, and the dielectric thin film laminated on the peeled section of the lower electrode is selectively removed.例文帳に追加
基板上の積層構造に衝撃を与え、低密着層との界面において下部電極を剥離させ、下部電極の剥離部分に積層された誘電体薄膜を選択的に除去する。 - 特許庁
To provide a thin film transistor in which an oxide semiconductor combined with a specified nitride is applied to channel layer, and which exhibits improved mobility and secures increased stability at high temperature.例文帳に追加
特定の窒化物が組み合わせられた酸化物半導体で形成された半導体薄膜をチャネル層に適用し、移動度の増加及び高温での安定性を確保した薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁
An Si substrate where an SiGeC crystal is deposited is subjected to heat annealing, thus relieving the SiGeC crystal, at the same time, depositing an SiC microcrystal for reducing defect density, and hence manufacturing the thin, relaxation buffer layer with less defects.例文帳に追加
SiGeC結晶を堆積したSi基板を熱アニールすることで、SiGeC結晶を緩和させると同時に、SiC微結晶を析出させて欠陥密度を低減し、薄くても欠陥の少ない緩和バッファ層を製造する。 - 特許庁
A light reflecting structure 4a comprising an inorganic thin film configured by laminating a plurality of evaporated films so as to reflect near infrared light is deposited on an upper layer of the light absorbing structure 3.例文帳に追加
光吸収構造体3の上層には、近赤外光を反射するように複数の蒸着膜を積層して構成した無機薄膜から成る光反射構造体4aが成膜されている。 - 特許庁
The operation implementing part 103 allows the magnetic roller 343 to perform operation for peeling the toner thin layer 342a at shift starting time when the printing mode is shifted from the consecutive printing mode to the printing operation stopping mode.例文帳に追加
動作実行部103は、印刷モードが連続印刷モードから印刷動作休止モードに移行する移行開始時に、磁気ローラ343にトナー薄層342aの剥ぎ取り動作を行わせる。 - 特許庁
Further, an ink containing a conductive material is continuously applied by printing to the external peripheral part of the metal exposing surface 3b necessary for solder bonding or mounting to its vicinity, thereby forming a conductive thin film layer 20.例文帳に追加
さらに、半田接合又は実装に必要な金属露出面3bの外周部からその近傍にかけて、導電性材料を含むインクを連続的に印刷して導電薄膜層20を形成する。 - 特許庁
For this regulation, prebake temperature and conditions in development processing after pattern exposure are set so that undercut parts having a proper depth and length are formed in a thin film material layer before post-bake.例文帳に追加
この調節のために、ポストベーク前の薄膜材料層に適切な奥行き長さをもったアンダーカット部分が形成されるように、プリベーク温度及び、パターン露光後の現像処理の条件を設定する。 - 特許庁
Surface roughness Ra of the thin silver film 50 on the conductor layer 30 becomes 0.2 μm or less, the glossiness becomes 0.8 or higher, and the reflectance for the light having a wavelength of 460 nm becomes 90% or higher.例文帳に追加
導体層30上の銀薄膜50の表面粗度Raは0.2μm以下となり、光沢度は0.8以上となり、波長460nmの光に対する反射率は90%以上となる。 - 特許庁
To provide a polyester resin sheet being an amorphous polyester resin sheet having a metal thin film layer formed thereon by a hot press transfer method, prevented from closely adhering to a metal plated sheet at the time of hot pressing and having good appearance.例文帳に追加
熱プレス転写法にて金属薄膜層が形成された非晶性ポリエステル樹脂シートであって、熱プレス時に金属メッキ板への密着がなく良好な外観をもったものを提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a thin film semiconductor device with high productivity, which is capable of easily forming a polycrystalline semiconductor film functioning as an active layer without increasing a base protective film in thickness.例文帳に追加
下地保護膜を厚くすることなく、能動層として機能する多結晶半導体膜を簡易に形成することができ、生産性に優れた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a confocal scanning transmission type electron microscope device and a three-dimensional tomographic observation method such that atom arrays of a thin-layer sample at different depths are observed through one image.例文帳に追加
共焦点走査透過型電子顕微鏡装置及び3次元断層像観察方法に関し、薄層状試料における異なった深さにおける原子配列を一画像で観察可能にする。 - 特許庁
A semiconductor device comprises a data holding part connected to a thin film transistor having an oxide semiconductor layer in a channel formation region, for holding data relevant to a conduction state even when a power source voltage is disconnected.例文帳に追加
電源電圧が停止しても導通状態に関するデータの保持を、チャネル形成領域に酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタに接続されたデータ保持部で行う構成とする。 - 特許庁
An apparatus for measuring the distortions of a thin-film semiconductor crystal layer includes exciting light sources (1-5) capable of generating visible light and ultraviolet light as exciting light.例文帳に追加
本発明による方法を実施する薄膜半導体結晶層の歪みを測定する装置は、可視光と紫外光を励起光として共通光軸で発生できる励起光源(1〜5)を備えている。 - 特許庁
A second layer having a fixed thickness and containing inorganic or organic material is provided on a silver thin film to minimize an influence on the sensitivity of a sensor, thereby restraining influence due to a temperature change of the sensor.例文帳に追加
銀薄膜の上に、一定の厚さを持つ無機物または有機物を含む第二層を設けることで、センサ感度への影響を最小限にした上で、センサの温度変化による影響を抑える。 - 特許庁
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