「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(133ページ目) - Weblio英語例文検索

In the manufacturing method of the organic electroluminescent element having a thin-film structure layer containing a luminescent layer between a cathode and an anode, at least a part of the cathode is formed in a plasma jet method.例文帳に追加

陰極と陽極の間に発光層を含む薄膜構成層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、該陰極の少なくとも一部が、プラズマジェット法により形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

The electrophoretic display element includes a pair of electrodes, an electrophoretic layer disposed between the pair of electrodes, and a barrier film having one or more thin film layers and disposed on one of the pair of electrodes in a side opposite to the electrophoretic layer.例文帳に追加

本発明の電気泳動表示素子は、一対の電極と、一対の電極間に配置された電気泳動層と、一対の電極の片方の電極に対して電気泳動層の反対側に配置され、１層以上の薄膜層を有するバリア膜と、を備える。 - 特許庁

Also P channel type thin film transistor of an inverter circuit has a channel region, a semiconductor layer with a plurality of P type impurity regions mounted thereon, a gate insulating film mounted on the semiconductor layer and a gate electrode mounted on the gate insulating film.例文帳に追加

またインバータ回路のＰチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＰ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、を有する。 - 特許庁

An n^- type doped GaN diode of >1 μm thickness is arranged on the n^+ type doped GaN diode, patterned into a plurality of thin and long fingers, a metal layer is arranged on n^- type doped GaN layer, and a Schottky junction is formed in between them.例文帳に追加

１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

An abrasive layer 12 is formed by fastening grindstone powder on one surface of a thin circular paper base material 11 (paper sheet or cloth sheet) with an adhesive except for its peripheral part, and a resin layer 13 for preventing polishing is formed on the peripheral part.例文帳に追加

薄い円形状のペーパー基材１１（紙シートまたは布シート）ペーパー基材１１の周辺部を除き、その一方の表面に砥石の粉を接着剤で固着し研磨層１２を形成し、周辺部に研磨防止用の樹脂層１３を形成したものである。 - 特許庁

To provide a glare-proof plastic substrate which is composed of a relatively soft transparent plastic substrate and a high-hardness coating layer and in which the high-hardness coating layer has a film thickness as thin as 10 μm or thinner, and has a surface hardness as high as 4H or higher in terms of pencil hardness.例文帳に追加

比較的軟質で透明なプラスチック基材と高硬度塗膜層とからなり、その高硬度塗膜層の膜厚が１０μｍ以下の薄い膜厚で、かつ鉛筆硬度が４Ｈ以上の高い表面硬度を有する防眩性プラスチック基材を得る。 - 特許庁

In the processed portion where the conductive thin film is removed, since the high-energy beam cannot reach the aluminum nitride, the substrate material, unless the high-energy beam passes through the oxidized layer, the oxidized layer prevents the decomposition of the aluminum nitride and the generation of the conductive material (aluminum) by the high-energy beam.例文帳に追加

導電性薄膜を除去する加工部分において、高エネルギビームが酸化層を通過しなければ、基板材の窒化アルミニウムまで到達しないので、高エネルギビームによる窒化アルミニウムの分解と導電性物質（アルミニウム）の発生を酸化層で防止できる。 - 特許庁

In the array substrate of a capacity coupling-drive liquid crystal panel, an accumulation capacity electrode forming accumulated capacitance between the electrode and a scanning electrode is formed on a layer different from that of a thin film transistor and, also, is formed with the same composition as that of a pixel electrode on the same layer as that of the pixel.例文帳に追加

容量結合駆動液晶パネルのアレイ基板において、走査信号線との間に蓄積容量を形成する蓄積容量電極を、薄膜トランジスタと異なる層に形成すると共に、画素電極と同一層において同一組成で形成する。 - 特許庁

The sheet main body 11 is composed of a base material 21 formed in the shape of a thin sheet and an adhesive layer 22 laminated on the surface 21a of the base material 21, and an adhesive part 31 is formed in which the adhesive layer 22 is exposed to a place excluding places where the skeleton parts 12 are formed.例文帳に追加

シート本体１１を、薄肉のシート状に形成された基材２１と、基材２１表面２１ａに積層された粘着層２２で構成し、骨格部１２が形成された部位以外に粘着層２２が露出して成る粘着部３１を設ける。 - 特許庁

The recording head is provided with a lower magnetic pole layer 8a to 8d and an upper magnetic pole layers 13a to 13c, which include magnetic pole parts facing each other with a recording gap layer 12 between them, and thin film coils 10 and 15 arranged between them in the insulated state.例文帳に追加

記録ヘッドは、記録ギャップ層１２を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層８ａ〜８ｄおよび上部磁極層１３ａ〜１３ｃと、これらの間に絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０，１５とを有している。 - 特許庁

The water-absorbent film capable of adjusting humidity and having the water vapor barrier property has a water-absorbent layer containing a water absorbent agent as a major component and a vapor deposition thin film layer of an inorganic oxide formed on it, both layers being mounted on at least one surface of a plastic film base material.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材の少なくとも片面に、吸水剤を主成分とする吸水性層、その上に無機酸化物からなる蒸着薄膜層を設けたことを特徴とする調湿可能な水蒸気バリア性を持った吸水性フィルムを提供する。 - 特許庁

The other end of the first and the second conductive layer is connected to the contact pad to be connected to an external circuit through the conductor layer 38a which is integrally formed with the upper shield 34, and through the conductor layers 51a, 52a which are simultaneously formed with thin film coils 40, 42.例文帳に追加

第１および第２の導電層の他端は、上部シールド３４と一体に形成される導体層３８ａ並びに薄膜コイル４０，４２と同時に形成される導体層５１ａおよび５２ａを介して外部回路に接続される接点パッドに接続する。 - 特許庁

In the thin-film transistor, an insulation film 2 and a channel layer 3 made of AZO semiconductor are formed on the surface of a gate electrode 1 in this order, and a source electrode 4 and a drain electrode 5 are formed on the surface of the channel layer 3 with an interval in between.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート電極１の表面に、絶縁膜２及びＡＺＯ半導体よりなるチャネル層３がこの順に形成されており、該チャネル層３の表面に、間隔をあけてソース電極４及びドレイン電極５が形成された構成となっている。 - 特許庁

(4) A field effect transistor uses a third electrode to control the current amount of a semiconductor layer as a current flow passage between a first electrode and a second electrode, wherein the semiconductor layer is made of the functional organic thin film according to (1) or (2).例文帳に追加

（４）第一の電極と第二の電極間の電流流路である半導体層の電流量を、第三の電極によって制御する電界効果型トランジスタにおいて、該半導体層が（１）又は（２）記載の機能性有機薄膜からなる電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of preventing formation of a blurred image caused by repelling of charges moving in a charge transport layer (CTL) and capable of maintaining a sufficient charge potential and developing even when the CTL is made thin and an undercoat layer (UL) is made thick.例文帳に追加

第一に電荷輸送層（ＣＴＬ）内を移動する電荷の反発で発生する画像ボケを防止すること、第二にＣＴＬを薄くし下引き層（ＵＬ）を厚くしても十分な帯電電位が確保でき、十分な現像が行える画像形成装置を得ること。 - 特許庁

Alternatively, an aluminum thin film is adhered to the surface of one member 11 consisting of the composite material to form a joined layer 14, and the other member 12 with at least the joining surface 12a thereof formed of aluminum may be friction-joined with the joined layer on the joining surface 12a.例文帳に追加

複合材からなる一方の部材１１の表面にアルミニウム薄膜を接着して接合層１４を形成し、この接合層１４に、少なくとも接合面１２ａがアルミニウムとされた他方の部材１２を接合面１２ａにおいて摩擦接合してもよい。 - 特許庁

In addition, as for a gate electrode of a P channel type MOS transistor, a thin oxide film 3 used in the step for forming the field oxide film is used as a gate oxide film, and the first poly-silicon layer 4 and the second poly-silicon layer 8 are laminated and used as the gate electrode 9.例文帳に追加

また、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲート電極については、フィールド酸化膜形成工程で用いた薄い酸化膜３をゲート酸化膜として用い、且つ第１のポリシリコン層４と第２のポリシリコン層８を積層してゲート電極９としている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a wiring circuit board which can make an insulation layer thin while preventing generation of bubble reservoirs in the insulation layer and can increase manufacturing efficiency and reduce a manufacturing cost by reducing the number of processes.例文帳に追加

絶縁層に気泡溜まりが生じることを防止しつつ、絶縁層を薄く形成することができ、さらには、工数の低減を図ることにより、製造効率および製造コストの低減を図ることのできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide down-sizing of a device and simplification of a manufacturing process by continuously film-forming with an identical mask in formation of total five layers from a lower electrode current collector layer to an upper electrode current collector layer in the manufacturing process of a thin film solid lithium secondary battery.例文帳に追加

薄膜固体リチウム二次電池製造工程中の、下部電極集電体層から上部電極集電体層までの計５層の形成において、同一マスクで連続的に成膜することにより、装置の小型化及び製造工程の簡素化を提供する。 - 特許庁

The fold-back both ends 2a, 2a of the carcass layer 2 are covered, respectively, with a thin film 5 comprised of a thermoplastic elastomer composition in which elastomer is blended with thermoplastic resin or of the thermoplastic resin so as to be wrapped over inner/outer both surfaces of the carcass layer 2.例文帳に追加

カーカス層２の折り返し両端部２ａ、２ａをそれぞれ熱可塑性樹脂または熱可塑性樹脂中にエラストマーをブレンドした熱可塑性エラストマー組成物からなる薄膜５でカーカス層２の内外両面に跨って包み込むように覆った。 - 特許庁

To obtain a method for measuring a tilt angle of an alignment layer being a thin film by accurate and simple means, and to provide an optical alignment layer which has excellent sensitivity suitable for mass production and is free from the degradation of liquid crystal-aligning ability even when exposed to a high temperature, that is, is superior in heat resistance.例文帳に追加

正確で、かつ、簡便な手段により薄膜である配向膜のチルト角を測定する方法、量産性に適した優れた感度、及び、高温下に晒されても液晶配向能が低下しない、すなわち、耐熱性の優れた光配向膜を得ること。 - 特許庁

The surface acoustic wave emitted from the interdigital electrode means is made incident into the thin ink layer, and the vertical wave converted to the vertical acoustic wave is condensed in the ink layer near the protrusion tip part, then, liquid droplets are generated and scattered from the protrusion tip.例文帳に追加

櫛型電極手段より発射された表面弾性波がインク薄層中に入射されて、音響波に変換された縦波を、突起先端部付近のインク層に集中させ、突起先端より、液滴生成、飛翔を行わせるように構成されている。 - 特許庁

In the liquid crystal display element 1 based on the liquid crystal layer 5 with memory composed of a cholesteric liquid crystal and so on, rubbing- treated thin film resin layers 23, 33 having ≥l60° more desirably ≥80° pretilt angle are formed on boundaries in contact with the liquid crystal layer 5.例文帳に追加

コレステリック液晶などのメモリー性を有する液晶層５による液晶表示素子１において、その液晶層５との界面に、６０°以上より望ましくは８０°以上のプレチルト角をもち、ラビング処理された樹脂薄膜層２３，３３を形成する。 - 特許庁

A P-channel thin film transistor of the inverter circuit has a channel region, a semiconductor layer provided with a plurality of P-type impurity regions, a gate insulating film provided on the semiconductor layer, and a gate electrode provided on the gate insulating film.例文帳に追加

またインバータ回路のＰチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＰ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、を有する。 - 特許庁

In the fuel battery cell arranging the anode and the electrolyte, and the cathode material between the electrolyte and the support when necessary, the smooth metallic sintered porous body is used as the support, a solid electrolyte layer and an anode layer are laminated in this order in the form of thin film.例文帳に追加

また、アノードと電解質、必要に応じ電解質と支持体の間にカソード材料を配した燃料電池セルにおいて、平滑な金属焼結多孔体を支持体とし、固体電解質層およびアノード層がこの順にて薄膜で積層された燃料電池セル。 - 特許庁

To provide a low temperature wet etching method for a highly insulated thin layer which is advantageous for manufacturing a highly insulated gate insulating layer of a CMOS, an insulating film of a highly insulated capacitor of a DRAM, and the like and solves a problem of forming ruggedness over silicon in an active area or over USG in an isolate block.例文帳に追加

CMOSの高絶縁性ゲート絶縁層やDRAMの高絶縁性コンデンサの絶縁膜製造に有利で且つアクティブエリアのシリコンや隔離区のUSGに凹凸を形成する問題を解決するべく高絶縁性薄層の低温ウェットエッチング法を提供する。 - 特許庁

To provide a reflowing treatment method for a tin electroplated steel sheet with which the thickness of an alloy layer formed between tin and the steel sheet can be controlled at high precision without causing the defect in luster by the influence of the alloy layer even at the time of thin coating.例文帳に追加

錫と鋼板との境界部にできる合金層の厚みを、薄目付時においても合金層の影響により光沢不良を起こすことがないよう、精度よく制御することが可能な電気錫めっき鋼板のリフロー処理方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an oxide porcelain composition which can improve the flexural strengths of a multi-layer substrate and an electronic component each using a BaO-Al_2O_3-SiO_2 porcelain composition, and reliabilities of the multi-layer substrate and the electric component for both of which miniaturization and thin-layering are progressing.例文帳に追加

ＢａＯ−Ａｌ_2Ｏ_3−ＳｉＯ_2系磁器組成物を用いた多層基板および電子部品の抗折強度の向上を図り、小型化、薄層化の進む多層基板および電子部品の信頼性を高めることができる酸化物磁器組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an integrated thin film photoelectric conversion device comprising a transparent electrode, a photoelectric conversion unit, a transparent metallic oxide layer, a transparent conductor layer, and a rear-side electrode, while reducing the number of necessary steps with a high performance.例文帳に追加

透明電極、光電変換ユニット、透明金属酸化物層、透明導電体層、および裏面電極を備えた集積化薄膜光電変換装置において、必要な工程数を減らしつつ高性能を発揮できる製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the hologram master plate 10 for duplication which has an interference fringe pattern 3 consisting of a light shielding material on the surface of a transparent substrate and which has a transmittance controlling layer 5 on the interference fringe pattern 3, a metal thin film is used as the transmittance controlling layer 5.例文帳に追加

透明基板１の表面に遮光材料からなる干渉縞パターン３が設けられ、その干渉縞パターン３上に透過率調整層５が設けられた複製用ホログラム原版１０において、透過率調整層５として金属薄膜が用いられている。 - 特許庁

In this case, when fine transparent anodized oxide films 8 with thin nearly biconvex lens shapes are formed on the upper surface of the reflection layer 7, the recessing parts 9 with shapes corresponding to the lower surfaces of the anodized oxide films 8 are uniformly formed on the upper surface of the reflection layer 7.例文帳に追加

この場合、反射層７の上面に微細で透明なほぼ薄い両凸レンズ状の陽極酸化膜８を形成すると、陽極酸化膜８下の反射層７の上面に陽極酸化膜８の下面に応じた形状の凹部９が均一に形成される。 - 特許庁

A moisture barrier layer with excellent moisture barrier properties which contains an ethylene-vinyl alcohol based polymer and an inorganic layered compound is laminated, thereby providing an inexpensive multilayer sheet for packaging and a PTP container with good moistureproof characteristics even with a thin moisture barrier layer.例文帳に追加

エチレン−ビニルアルコール系重合体と無機層状化合物を含有する水蒸気バリア性の優れる水蒸気バリア層を積層することにより、水蒸気バリア層の厚みが薄くても防湿特性の優れる安価な包装用多層シートおよびＰＴＰ容器。 - 特許庁

A thin film diode 200A includes: a first semiconductor layer 230 having first and second semiconductor regions 233, 234; second and third semiconductor layers 236, 238 formed on the first semiconductor layer 230, and first and second contact holes 241, 242.例文帳に追加

薄膜ダイオード２００Ａは、第１および第２半導体領域２３３、２３４を有する第１半導体層２３０と、第１半導体層２３０上に形成された第２および第３半導体層２３６、２３８と、第１および第２コンタクトホール２４１、２４２とを有する。 - 特許庁

To provide a scintillator panel and a radiation image sensor capable of enhancing the reflectance without forming a reflecting layer comprising metal thin films and the like, and also capable of exhibiting the higher reflectance than that when a reflecting layer is made of spherical crystal particles.例文帳に追加

金属薄膜等からなる反射層を形成することなく反射率を高められ、しかも球状の結晶粒子によって反射層が形成されている場合よりも高い反射率を発揮できるシンチレータパネルおよび放射線イメージセンサを提供する。 - 特許庁

A compound semiconductor multilayer thin film is formed into a structure, wherein an InSb buffer layer 2 doped with one of Al, Be, Zn, Mg, O and Ga as impurities and an undoped, Te-doped or Se-doped InSb active layer 3 are deposited in order on a semiinsulative GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に、不純物としてＡｌ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、ＯまたはＧａの一つをドーピングしたＩｎＳｂバッファ層２と、アンドープまたはＴｅドープまたはＳｅドープのＩｎＳｂ活性層３とを順次堆積させた構造とする。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive tape which has a thin pressure-sensitive adhesive layer, excels in the degree of thickness precision, and does not allow excess pressure-sensitive adhesive to attach to the cut surface of the pressure-sensitive adhesive layer to be applied to an adherend so as not to cause staining of the adherend.例文帳に追加

本発明は、粘着剤層の厚みが薄く且つ厚み精度に優れていると共に被着体に貼着させる粘着剤層の切断面に余分な粘着剤が付着しておらず被着体の汚染を生じることがない粘着テープを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the stamper includes a process for forming a metal thin film on a stamper original plate provided with a rugged pattern on the surface layer thereof and a process for forming a nickel layer by electroplating the stamper original plate in a plating liquid consisting essentially of nickel sulfamate.例文帳に追加

スタンパの製造方法は、凹凸パターンを表層に備えたスタンパ原版に金属薄膜を形成する工程と、このスタンパ原版を用いてスルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液中で電気メッキすることでニッケル層を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The thin film transistor 14 has, on a translucent substrate 1, a gate insulating film 4 and a gate electrode 6 laminated on a semiconductor layer 3 of polycrystalline silicon, and a source region 8, a drain region 9, and a channel region 10 of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１４は、透光性基板１上において、多結晶シリコンの半導体層３上に積層するゲート絶縁膜４およびゲート電極６、及び、上記半導体層３のソース領域８、ドレイン領域９およびチャネル領域１０を有する。 - 特許庁

The flexible wire grid polarizer is completed by forming metal grid patterns (235, 236) having a fixed period is formed by etching the thin metal layer and by dicing the whole of the wafer and by separating the lower substrates (237, 238) including the non-adhesive layer from the diced wafer.例文帳に追加

金属薄膜をエッチングして一定の周期を持つ金属格子パターンを形成し（２３５、２３６）、 ウェハ全体をダイシングして、前記ダイシングされたウェハから前記非接着層が形成された下部基板を分離して（２３７、２３８）、フレキシブルワイヤーグリッド偏光子を完成する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor circuit device and a method for manufacturing the same having a wire composed of a lower layer made of aluminum base alloy and an upper layer made of molybdenum base alloy, in which the molybdenum base alloy is hard to corrode in the atmosphere.例文帳に追加

下層にアルミニウム系合金、上層にモリブデン系合金の構成の配線を有する薄膜トランジスタ回路装置において、モリブデン系合金の大気中における腐食が進行し難い薄膜トランジスタ回路装置及びその製造方法が要求される。 - 特許庁

To provide polyimide resin excellent in thermal stability, dimensional stability and toughness as an insulating layer, to obtain a laminated body suitable for a flexible wiring board excellent in breaking resistance and flexibility even if the polyimide resin layer is thin in thickness by using the polyimide resin.例文帳に追加

絶縁層としての耐熱性、寸法安定性及び強靭性に優れたポリイミド樹脂を提供し、これを使用することによってポリイミド樹脂層の厚みが薄くても耐破断性、屈曲性に優れたフレキシブル配線基板用に適した積層体を得る。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that uses an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode layer or drain electrode layer is reduced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal substrate and a group III nitride crystal substrate with epitaxial layer having smooth surface with a thin affected layer which can be used for semiconductor devices, and a semiconductor device including the group III nitride crystal substrate.例文帳に追加

半導体デバイスに用いることができる平滑で加工変質層が薄いＩＩＩ族窒化物結晶基板およびエピタキシャル層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板の基板、ならびにかかるＩＩＩ族窒化物結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

As for the magnetic tape, a magnetic layer 2 is formed directly on a base 1 consisting of one of polyamide, polymide, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, and the magnetic layer 2 consists of a cobalt-containing maghemite thin film which contains cobalt in 1 to 10 w%.例文帳に追加

ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートのいずれかよりなる基体１上に磁性層２が直接形成された構成を有し、磁性層２をコバルトの含有量が１〜１０ｗ％のコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなるものとした磁気テープを作製する。 - 特許庁

To provide a flexible magnetic disk system which is reduced in a spacing amount between a magnetic layer and a magnetic head, and has a high performance and high reliability, and is inexpensive, in the flexible magnetic disk system using a flexible magnetic medium having a ferromagnetic metallic thin film as a magnetic layer.例文帳に追加

強磁性金属薄膜を磁性層として有するフレキシブル磁気ディスク媒体を用いたフレキシブル磁気ディスクシステムにおいて、磁性層／磁気ヘッド間のスペーシング量を低減し、高性能で高信頼性を有し、かつ安価なフレキシブル磁気ディスクシステムを提供すること。 - 特許庁